技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種QLED器件及其制作方法，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有的QLED器件的空穴注入與傳輸?shù)男阅茌^差，導(dǎo)致QLED器件的性能較差的技術(shù)問題。該QLED器件包括：基板，以及依次層疊設(shè)置在基板的ITO電極層、P摻雜的介質(zhì)層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和頂電極層。本發(fā)明提供的QLED器件應(yīng)用于QLED。

技術(shù)研發(fā)人員：宋瑩瑩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.05
技術(shù)公布日：2017.09.26