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一種LEDCOB器件的制作方法

文檔序號(hào):11080966閱讀:709來(lái)源:國(guó)知局
一種LED COB器件的制造方法與工藝

本實(shí)用新型涉及一種LED封裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種LED COB器件。



背景技術(shù):

在傳統(tǒng)LED應(yīng)用當(dāng)中,由于LED本身的低壓恒流驅(qū)動(dòng)特性,而電網(wǎng)電壓是交流高壓,無(wú)法直接提供給LED使用,因此LED光源必須搭配相應(yīng)的恒流電源才可以正常使用。LED光源加電源的方式,給LED的應(yīng)用造成了很多困擾,在燈具安裝上,必須多一道工序;在燈具設(shè)計(jì)上,必須考慮電源安裝空間;在燈具定型上,必須考慮光源與電源的匹配;在品質(zhì)追溯上,又存在責(zé)任推脫隱患。

為了克服以上困難,市場(chǎng)上期待一種可直接使用交流高壓驅(qū)動(dòng)的LED光源,將電源的功能集成在了光源里,并做到了高度集成化,實(shí)現(xiàn)小尺寸的設(shè)計(jì)。

本實(shí)用新型提出一種LED COB光源,可以直接使用交流高壓驅(qū)動(dòng),采用COB設(shè)計(jì),產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理,安裝于應(yīng)用端,無(wú)需繁瑣的驅(qū)動(dòng)裝置,便于小型化。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種LED COB器件,可以直接使用交流高壓驅(qū)動(dòng),采用COB設(shè)計(jì),產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理,安裝于應(yīng)用端,無(wú)需繁瑣的驅(qū)動(dòng)裝置,便于小型化設(shè)計(jì)。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提出一種LED COB器件,包括基板、至少一個(gè)LED芯片、驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片、圍壩以及封裝膠體,所述LED芯片設(shè)置于所述基板上,所述圍壩包括第一圍壩和第二圍壩,所述LED芯片設(shè)置于所述第一圍壩內(nèi),所述驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片設(shè)置于所述第二圍壩內(nèi),所述封裝膠體填充于所述圍壩內(nèi)并覆蓋圍壩內(nèi)的LED芯片、驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片。

優(yōu)選地,所述基板的正面設(shè)置有固晶區(qū)及電極區(qū);

所述固晶區(qū)包括第一固晶區(qū)和第二固晶區(qū),所述第一固晶區(qū)位于所述基板的中央位置;

所述第二固晶區(qū)分布于所述基板的一對(duì)對(duì)角上。

優(yōu)選地,所述電極區(qū)為設(shè)置于所述基板正面的金屬層。

優(yōu)選地,所述金屬層設(shè)置有兩個(gè),分別為第一金屬層和第二金屬層,所述第一金屬層和第二金屬層分別位于所述基板的另外一對(duì)對(duì)角上。

優(yōu)選地,所述第一固晶區(qū)的表面設(shè)置有高反射層,所述高反射層的反射率高于98%。

優(yōu)選地,所述第一固晶區(qū)呈閉合環(huán)狀結(jié)構(gòu),其直徑為11mm。

優(yōu)選地,所述第一圍壩由白色圍壩膠制成,所述第一圍壩的直徑為0.4~1.0mm。

優(yōu)選地,所述基板為陶瓷基板,呈矩形,其尺寸為19*19mm。

優(yōu)選地,所述封裝膠體由透明硅膠和熒光粉構(gòu)成。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果在于:

1、本實(shí)用新型提供的LED COB器件,將所述LED芯片及驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片均設(shè)置于所述基板上,驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片驅(qū)動(dòng)LED芯片,使得LED芯片能夠正常工作,將本實(shí)用新型的LED COB器件安裝于應(yīng)用端,無(wú)需另外安裝驅(qū)動(dòng)裝置,大大簡(jiǎn)化了應(yīng)用端的安裝過(guò)程,且減少了應(yīng)用端的安裝部件,更利于應(yīng)用端的小型化設(shè)計(jì)。

2、本實(shí)用新型提供的LED COB器件,所述第一固晶區(qū)的表面設(shè)置有高反射層,用于提高LED COB器件的反射率,提高所述LED COB器件的出光效率,另外,白色圍壩膠制作所述第一圍壩,進(jìn)一步提高了LED COB器件的反射率。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型LED COB器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。

如圖1所示,一種LED COB器件,包括基板1、至少一個(gè)LED芯片2、驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片3、圍壩4以及封裝膠體(圖中未示出),所述LED芯片2設(shè)置于所述基板上1,所述圍壩4包括第一圍壩41和第二圍壩42,所述LED芯片2設(shè)置于所述第一圍壩41內(nèi),所述驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片3設(shè)置于所述第二圍壩42內(nèi),所述封裝膠體填充于所述圍壩4內(nèi)并覆蓋圍壩內(nèi)的LED芯片2及驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片3。

所述基板1為金屬基板或陶瓷基板,本實(shí)施例中,所述基板為陶瓷基板,呈矩形,其尺寸為19*19mm,所述基板的正面設(shè)置有固晶區(qū)11及電極區(qū)12。

所述固晶區(qū)11包括第一固晶區(qū)111和第二固晶區(qū)112,所述第一固晶區(qū)111位于所述基板1的中央位置,呈圓形,用于安裝LED芯片2,本實(shí)施例中,所述第一固晶區(qū)111的直徑為11mm。更優(yōu)地,所述第一固晶區(qū)111的表面設(shè)置有高反射層,所述高反射層的反射率高于98%,用于提高LED COB器件的反射率,提高所述LED COB器件的出光效率;所述第二固晶區(qū)112分布于所述基板1的一對(duì)對(duì)角,用于安裝驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片3,其中,本實(shí)用新型所述的對(duì)角為矩形兩個(gè)不相鄰的角,本說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求中提到的對(duì)角與該處對(duì)角的含義相同。

所述電極區(qū)12為設(shè)置于所述基板正面的金屬層,用于實(shí)現(xiàn)LED COB器件與外界電源的電連接,所述金屬層設(shè)置有兩個(gè),分別為第一金屬層和第二金屬層,所述第一金屬層和第二金屬層分別位于所述基板的另一對(duì)對(duì)角上,所述第一金屬層及所述第二金屬層與所述固晶區(qū)11之間通過(guò)電路實(shí)現(xiàn)電連接關(guān)系。

所述LED芯片2設(shè)置于所述第一固晶區(qū)111,本實(shí)施例中,所述LED芯片2為多個(gè),LED芯片2之間設(shè)置有電連接邏輯關(guān)系,從而可以實(shí)現(xiàn)單階驅(qū)動(dòng)或多階驅(qū)動(dòng)。

所述圍壩4包括第一圍壩41和第二圍壩42,所述第一圍壩41呈閉合環(huán)狀結(jié)構(gòu),設(shè)置于所述基板1的正面并包圍所述第一固晶區(qū)111。所述第一圍壩41由圍壩膠制成,所述圍壩膠為白色。所述第一圍壩的直徑為0.4~1.0mm。本實(shí)用新型采用白色圍壩膠制作所述第一圍壩,用于提高LED COB器件的反射率,所述圍壩壩體的寬度設(shè)置為0.4~1.0mm ,若所述圍壩壩體的寬度小于0.4mm,則圍壩與所述基板的結(jié)合力過(guò)小,容易脫落,LED COB器件的可靠性差,若所述圍壩壩體的寬度大于1.0mm,則占用所述基板過(guò)多的面積,不利于LED COB器件的小型化設(shè)計(jì);所述第二圍壩42呈規(guī)則或不規(guī)則形狀的閉合結(jié)構(gòu),設(shè)置于所述基板1的一對(duì)對(duì)角上并包圍所述第二固晶區(qū)112。

所述封裝膠體可以是透明封裝膠體,也可以是混合有熒光粉的封裝膠體,本實(shí)施例中,所述封裝膠體由透明硅膠和熒光粉構(gòu)成,熒光粉均勻的分布于所述透明硅膠內(nèi)部。

本實(shí)用新型將所述LED芯片及驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片均設(shè)置于所述基板上,驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片驅(qū)動(dòng)LED芯片,使得LED芯片能夠正常工作,將本實(shí)用新型的LED COB器件安裝于應(yīng)用端,無(wú)需另外安裝驅(qū)動(dòng)裝置,大大簡(jiǎn)化了應(yīng)用端的安裝過(guò)程,且減少了應(yīng)用端的安裝部件,更利于應(yīng)用端的小型化設(shè)計(jì)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果在于:

1、本實(shí)用新型提供的LED COB器件,將所述LED芯片及驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片均設(shè)置于所述基板上,驅(qū)動(dòng)芯片及整流芯片驅(qū)動(dòng)LED芯片,使得LED芯片能夠正常工作,將本實(shí)用新型的LED COB器件安裝于應(yīng)用端,無(wú)需另外安裝驅(qū)動(dòng)裝置,大大簡(jiǎn)化了應(yīng)用端的安裝過(guò)程,且減少了應(yīng)用端的安裝部件,更利于應(yīng)用端的小型化設(shè)計(jì)。

2、本實(shí)用新型提供的LED COB器件,所述第一固晶區(qū)的表面設(shè)置有高反射層,用于提高LED COB器件的反射率,提高所述LED COB器件的出光效率,另外,白色圍壩膠制作所述第一圍壩,進(jìn)一步提高了LED COB器件的反射率。

以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

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