相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考

本申請(qǐng)要求于2016年3月17日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局中提交的第10-2016-0032073號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容以引用方式并入本文。

本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式涉及量子點(diǎn)發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

量子點(diǎn)發(fā)光裝置為包括量子點(diǎn)作為其發(fā)光層的發(fā)光裝置。

量子點(diǎn)包括具有量子限制效應(yīng)的半導(dǎo)體材料的納米晶體。通過由激發(fā)源發(fā)射的光將量子點(diǎn)激發(fā)至能量激發(fā)態(tài)，量子點(diǎn)自發(fā)地發(fā)射具有相應(yīng)的能帶隙的能量。相同材料的量子點(diǎn)可以發(fā)射具有不同波長(zhǎng)的光，這取決于量子點(diǎn)的大小。因此，通過調(diào)節(jié)量子點(diǎn)的大小，可以獲得具有所需波長(zhǎng)范圍的光，并且可以獲得在色純度和發(fā)光效率方面具有改善的特性的裝置。因此，量子點(diǎn)可適于各種裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式包括具有長(zhǎng)壽命、高可靠性和高再現(xiàn)性的量子點(diǎn)發(fā)光裝置。

另外的方面將在下面的描述中部分列出并且部分會(huì)從這些描述而變得明顯，或可通過實(shí)施本發(fā)明實(shí)施方式而了解。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，發(fā)光裝置包括：第一電極；與第一電極相對(duì)的第二電極；第一電極與第二電極之間的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括量子點(diǎn)；和發(fā)光層與第二電極之間的無機(jī)層，所述無機(jī)層包括金屬鹵化物。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，發(fā)光裝置包含：第一電極；與所述第一電極相對(duì)的第二電極；在所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光層，所述發(fā)光層包含量子點(diǎn)；和在所述發(fā)光層與所述第一電極之間的無機(jī)層，所述無機(jī)層包含金屬鹵化物，其中所述發(fā)光裝置進(jìn)一步包含在所述第一電極下方的基板、電子傳輸區(qū)和空穴傳輸區(qū)，其中所述第一電極為陰極，所述第二電極為陽(yáng)極，所述電子傳輸區(qū)在所述第一電極與所述發(fā)光層之間，所述空穴傳輸區(qū)在所述第二電極與所述發(fā)光層之間，并且所述無機(jī)層在所述電子傳輸區(qū)中。

附圖說明

結(jié)合附圖，這些和/或其它方面會(huì)由示例實(shí)施方式的下列描述變得明顯且更易理解，在附圖中：

圖1為根據(jù)本公開的實(shí)施方式的發(fā)光裝置的示意性橫截面視圖；并且

圖2為根據(jù)本公開的另一實(shí)施方式的發(fā)光裝置的示意性橫截面視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將更詳細(xì)地參考實(shí)施方式，其實(shí)例于附圖中闡述，其中相同的參考數(shù)字通篇是指相同的元件。在這一點(diǎn)上，本發(fā)明實(shí)施方式可以具有不同形式并且不應(yīng)解釋為限于本文列出的描述。因此，通過參閱附圖僅在下面描述實(shí)施方式以解釋本說明書的實(shí)施方式的各方面。如本文所使用，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)項(xiàng)目的任何和所有組合。諸如“中的至少一個(gè)”的表述，在一列要素之后時(shí)，修飾整列要素，而不是修飾該列中的單個(gè)要素。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式，發(fā)光裝置包括：第一電極；與第一電極相對(duì)(例如，面對(duì))的第二電極；在第一電極與第二電極之間且包括量子點(diǎn)的發(fā)光層；和在發(fā)光層與第二電極之間且包括金屬鹵化物的無機(jī)層。

在一些實(shí)施方式中，金屬鹵化物可以包括堿金屬鹵化物、堿土金屬鹵化物、過渡金屬鹵化物、后過渡金屬鹵化物、或其任何組合。如本文所使用，術(shù)語“其組合”和“其組合物”可以是指化學(xué)組合物(例如，合金或化學(xué)化合物)、混合物或組分的層壓結(jié)構(gòu)。

例如，金屬鹵化物可以包括過渡金屬鹵化物。

在一些實(shí)施方式中，金屬鹵化物可以包括銀(ag)鹵化物、鎘(cd)鹵化物、汞(hg)鹵化物、錳(mn)鹵化物、鐵(fe)鹵化物、鈷(co)鹵化物、鎳(ni)鹵化物、銅(cu)鹵化物、鋅(zn)鹵化物或其任何組合。然而，本公開并不限于此。

在一些實(shí)施方式中，金屬鹵化物可以為過渡金屬氟化物。

例如，金屬鹵化物可以包括ag氟化物、cd氟化物、hg氟化物、mn氟化物、fe氟化物、co氟化物、ni氟化物、cu氟化物、zn氟化物或其任何組合。然而，本公開并不限于此。

在一些其它實(shí)施方式中，金屬鹵化物可以包括agf、agf2、cdf2、hgf2、mnf2、fef2、cof2、nif2、cuf、cuf2、znf2、或其任何組合。然而，本公開并不限于此。

例如，金屬鹵化物可以包括fef2。然而，本公開并不限于此。

在一些實(shí)施方式中，金屬鹵化物可以由agf、agf2、cdf2、hgf2、mnf2、fef2、cof2、nif2、cuf、cuf2、znf2、或其任何組合組成。然而，本公開并不限于此。

例如，金屬鹵化物可以由fef2組成。

在一些其它實(shí)施方式中，無機(jī)層還可以包括三價(jià)金屬離子。

例如，無機(jī)層還可以包括選自al³⁺、ga³⁺和in³⁺的至少一種金屬離子。然而，本公開并不限于此。

在一些其它實(shí)施方式中，三價(jià)金屬離子可以摻雜有如上列出的金屬鹵化物。然而，本公開并不限于此。

在一些實(shí)施方式中，金屬鹵化物可以具有約3.1ev至約4.6ev的能帶隙。例如，金屬鹵化物可以具有約3.2ev至約3.8ev的能帶隙。然而，本公開并不限于此。

在一些其它實(shí)施方式中，金屬鹵化物可以具有約700℃至約1400℃的熔點(diǎn)。例如，金屬鹵化物可以具有約800℃至1200℃的熔點(diǎn)。然而，本公開并不限于此。

在一些實(shí)施方式中，無機(jī)層可以直接接觸(物理接觸)發(fā)光層。

例如，無機(jī)層可以具有約至約的厚度，且在一些實(shí)施方式中，無機(jī)層可以具有約至約的厚度。然而，本公開并不限于此。

在一些其它實(shí)施方式中，量子點(diǎn)可以具有包括以下的核殼結(jié)構(gòu)：包括第一半導(dǎo)體晶體的核和包括第二半導(dǎo)體晶體的殼。在一些實(shí)施方式中，第一半導(dǎo)體晶體和第二半導(dǎo)體晶體可以彼此不同。

例如，第一半導(dǎo)體晶體的第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體晶體的第二半導(dǎo)體可以各自獨(dú)立地包括：包括第12族元素和第16族元素的化合物、包括第13族元素和第15族元素的化合物、包括第14族元素和第16族元素的化合物或其任何組合。

例如，第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體可以各自獨(dú)立地包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、hgs、hgse、hgte、cdste、gap、gaas、gasb、inp、inas、insb、pbs、pbse、pbte或其任何組合。然而，本公開并不限于此。

例如，第一半導(dǎo)體可以包括cdse、cdte、znse、inp、inas、pbs、pbse、pbte或其任何組合。第二半導(dǎo)體可以包括znse、zns、cds、hgs、gaas或其任何組合。然而，本公開并不限于此。

在一些實(shí)施方式中，第二半導(dǎo)體可以具有等于或大于第一半導(dǎo)體的能帶隙的能帶隙。然而，本公開并不限于此。

例如，發(fā)光裝置還可以包括在第一電極下方的基板。第一電極可以為陽(yáng)極，并且第二電極可以為陰極?？昭▊鬏攨^(qū)可以在第一電極與發(fā)光層之間，并且電子傳輸區(qū)可以在第二電極與發(fā)光層之間。無機(jī)層可以在電子傳輸區(qū)中。

例如，發(fā)光裝置還可以包括在第一電極下方的基板。第一電極可以為陰極，并且第二電極可以為陽(yáng)極。電子傳輸區(qū)可以在第一電極與發(fā)光層之間，并且空穴傳輸區(qū)可以在第二電極與發(fā)光層之間。無機(jī)層可以在電子傳輸區(qū)中。

在一些實(shí)施方式中，空穴傳輸區(qū)可以包括選自空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光輔助層和電子阻擋層中的至少一個(gè)層。然而，本公開并不限于此。

當(dāng)通過溶液法(例如，旋轉(zhuǎn)涂布、噴墨印刷等)使用另一材料諸如zno來形成無機(jī)層時(shí)，無機(jī)層可以經(jīng)歷隨著時(shí)間推移的穩(wěn)定性降解，導(dǎo)致減少制造工藝中的裝置再現(xiàn)性。此外，由zno熱解所致的氧脫氣可以降低真空度(例如，用于制造裝置的處理室的真空度)并且妨礙沉積。

然而，在根據(jù)本公開的任何實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，發(fā)光層可以包括量子點(diǎn)并且無機(jī)層可以包括金屬鹵化物，其中金屬鹵化物的能級(jí)對(duì)于包括量子點(diǎn)的發(fā)光層是適當(dāng)或適合的并且其熔點(diǎn)也是低的以促進(jìn)熱沉積。因此，其可以更易于確保根據(jù)本公開的實(shí)施方式的裝置相較于包括使用另一種材料(例如zno)的無機(jī)層的發(fā)光裝置的可靠性和再現(xiàn)性。

當(dāng)金屬鹵化物摻雜有三價(jià)金屬離子時(shí)，可以調(diào)節(jié)金屬鹵化物的能級(jí)以適當(dāng)或適合用于包括量子點(diǎn)的發(fā)光層，以便可以提供具有長(zhǎng)壽命、高可靠性和高再現(xiàn)性的發(fā)光裝置。

圖1的描述

圖1為根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的發(fā)光裝置20的示意性橫截面視圖。發(fā)光裝置20可以包括第一電極21、空穴傳輸區(qū)22、包括量子點(diǎn)25的發(fā)光層23、電子傳輸區(qū)26和第二電極27。

例如，圖1的發(fā)光裝置20的第一電極21可以為陽(yáng)極，并且第二電極27可以為陰極。

圖2的描述

圖2為根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的發(fā)光裝置30的示意性橫截面視圖。發(fā)光裝置30可以包括第一電極21、電子傳輸區(qū)26、包括量子點(diǎn)25的發(fā)光層23、空穴傳輸區(qū)22和第二電極27。

例如，圖2的發(fā)光裝置30的第一電極21可以為陰極，并且第二電極27可以為陽(yáng)極。

在下文，目前將參考圖1和2描述根據(jù)本公開的實(shí)施方式的發(fā)光裝置20和30的結(jié)構(gòu)和其制造方法。

第一電極21

基板可以進(jìn)一步布置在第一電極21之下或在第二電極27之上?；蹇梢詾榫哂袕?qiáng)機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面光滑度、易操作性和防水性的玻璃基板或透明塑料基板。

第一電極21可以通過在基板上沉積或?yàn)R射形成第一電極的材料而形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O21為陽(yáng)極時(shí)，可以選擇具有高功函的材料作為第一電極21的材料以促進(jìn)空穴注入。當(dāng)?shù)谝浑姌O21為陰極時(shí)，第一電極21的材料可以為具有低功函的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物、或其任何組合。

第一電極21可以為反射電極、半透射電極或透射電極。為了形成透射電極作為第一電極21，第一電極21的材料可以選自氧化錫銦(ito)、氧化鋅銦(izo)、氧化錫(sno2)、氧化鋅(zno)、氧化錫鋅(zto)、氧化銦銅(cio)、氧化鋅銅(czo)、氧化鋅鎵(gzo)、氧化鋅鋁(azo)和其任何組合。然而，本公開并不限于此。在一些其它實(shí)施方式中，為了形成半透射電極或反射電極作為第一電極21，第一電極21的材料可以選自鎂(mg)、鋰(li)、銀(ag)、鋁(al)、鋁-鋰(al-li)、鈣(ca)、鎂-銦(mg-in)、鎂-銀(mg-ag)、鐿(yb)和其任何組合。然而，本公開并不限于此。在一些其它實(shí)施方式中，第一電極21的材料可以包括石墨烯、碳納米管或?qū)щ娋酆衔镏T如聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)。然而，本公開并不限于此。

第一電極21可以具有單層結(jié)構(gòu)或包括多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極21可以具有，但不限于，包括ito、ag和ito層的三層結(jié)構(gòu)。然而，本公開并不限于此。

空穴傳輸區(qū)22

空穴傳輸區(qū)22可以具有i)包括單個(gè)層的單層結(jié)構(gòu)，所述單個(gè)層包括單種材料，ii)包括單個(gè)層的單層結(jié)構(gòu)，所述單個(gè)層包括多種不同材料，或iii)包括多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)層包括不同材料。

空穴傳輸區(qū)22可以包括選自空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光輔助層和電子阻擋層的至少一個(gè)層。

例如，空穴傳輸區(qū)22可以具有包括單個(gè)層的單層結(jié)構(gòu)(所述單個(gè)層包括多種不同材料)、或其中下列層相繼堆疊在彼此上的多層結(jié)構(gòu)，例如，空穴注入層/空穴傳輸層、空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光輔助層、空穴注入層/發(fā)光輔助層、空穴傳輸層/發(fā)光輔助層或空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層。然而，本公開并不限于此。

空穴傳輸區(qū)22可以包括選自以下的至少一種：m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化npb、tapc、hmtpd、4,4’,4”-三(n-咔唑基)三苯基胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟腦磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)、由式201表示的化合物和由式202表示的化合物。

式201

式202

在式201和202中，

l201至l204可以各自獨(dú)立地選自取代的或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代的或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代的或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代的或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代的或未取代的c6-c60亞芳基、取代的或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代的或未取代的二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的或未取代的二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)；

l205可以選自*-o-*'、*-s-*'、*-n(q201)-*'、取代的或未取代的c1-c20亞烷基、取代的或未取代的c2-c20亞烯基、取代的或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代的或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代的或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代的或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代的或未取代的c6-c60亞芳基、取代的或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代的或未取代的二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的或未取代的二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)；

xa1至xa4可以各自獨(dú)立地為選自0至3的整數(shù)；

xa5可以為選自1至10的整數(shù)；并且

r201至r204和q201可以各自獨(dú)立地選自取代的或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代的或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代的或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代的或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代的或未取代的c6-c60芳基、取代的或未取代的c6-c60芳氧基、取代的或未取代的c6-c60芳硫基、取代的或未取代的c1-c60雜芳基、取代的或未取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的或未取代的單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)。

例如，在式202中，任選地，r201和r202可以經(jīng)由單鍵、二甲基-亞甲基或二苯基-亞甲基彼此連接。任選地，r203和r204可以經(jīng)由單鍵、二甲基-亞甲基或二苯基-亞甲基彼此連接。

在一些實(shí)施方式中，在式201和202中，

l201至l205可以各自獨(dú)立地選自：

亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞引達(dá)省基、亞苊基、亞芴基、亞螺-聯(lián)芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蔻基、亞卵苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并噻咯基和亞吡啶基，以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞引達(dá)省基、亞苊基、亞芴基、亞螺-聯(lián)芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蔻基、亞卵苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并噻咯基和亞吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-聯(lián)芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-si(q31)(q32)(q33)和-n(q31)(q32)，

其中q31至q33可以各自獨(dú)立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一些其它實(shí)施方式中，xa1至xa4可以各自獨(dú)立地為0、1或2。

在一些其它實(shí)施方式中，xa5可以為1、2、3或4。

在一些其它實(shí)施方式中，r201至r204和q201可以各自獨(dú)立地選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-聯(lián)芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-聯(lián)芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-聯(lián)芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-si(q31)(q32)(q33)和-n(q31)(q32)，

其中q31至q33可以如上文所述定義。

在一些其它實(shí)施方式中，在式201中，r201至r203中的至少一個(gè)可以各自獨(dú)立地選自：

芴基、螺-聯(lián)芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的芴基、螺-聯(lián)芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、萘基、芴基、螺-聯(lián)芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。然而，本公開并不限于此。

在一些其它實(shí)施方式中，在式202中，i)r201和r202可以經(jīng)由單鍵彼此連接，和/或ii)r203和r204可以經(jīng)由單鍵彼此連接。

在一些其它實(shí)施方式中，在式202中，r201至r204中的至少一個(gè)可以選自：

咔唑基，以及

被選自以下的至少一個(gè)取代的咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、萘基、芴基、螺-聯(lián)芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。然而，本公開并不限于此。

空穴傳輸區(qū)22可以包括金屬氧化物納米顆粒。金屬氧化物納米顆?？梢园ㄟx自nio、moo3、cr2o3、bi2o3、p型zno和p型gan中的至少一種。

空穴傳輸區(qū)22可以具有約至約例如，約至約的厚度?？昭▊鬏攨^(qū)22可以包括選自空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)。當(dāng)空穴傳輸區(qū)22包括選自空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)時(shí)，空穴注入層可以具有約至約例如，約至約的厚度，并且空穴傳輸層可以具有約至約例如，約至約的厚度。當(dāng)空穴傳輸區(qū)22、空穴注入層和空穴傳輸層的厚度在這些范圍之內(nèi)時(shí)，可以在驅(qū)動(dòng)電壓沒有顯著增加下獲得令人滿意的或適合的空穴傳輸特性。

發(fā)光輔助層可以通過根據(jù)發(fā)光層發(fā)出的光的波長(zhǎng)補(bǔ)償光的光學(xué)共振距離并且由此可以改善發(fā)光效率。電子阻擋層可以阻擋或減少電子從電子傳輸區(qū)的注入。發(fā)光輔助層和電子阻擋層可以包括如上所述的空穴傳輸區(qū)22的材料。

p-摻雜劑

除上述材料之外，空穴傳輸區(qū)22還可以包括用于改善電導(dǎo)性的電荷產(chǎn)生材料。電荷產(chǎn)生材料可以均勻地或非均勻地(例如，多相地)分散于空穴傳輸區(qū)22中。

電荷產(chǎn)生材料可以為例如p-摻雜劑。

在一些實(shí)施方式中，p-摻雜劑可以具有約-3.5ev或以下的最低未占分子軌道(lumo)能級(jí)。

p-摻雜劑可以包括選自醌衍生物、金屬氧化物和含氰基化合物中的至少一種。然而，本公開并不限于此。

例如，p-摻雜劑可以包括選自以下的至少一種：醌衍生物諸如四氰基醌二甲烷(tcnq)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(f4-tcnq)和/或類似物；金屬氧化物諸如氧化鎢、氧化鉬和/或類似物；1,4,5,8,9,11-六氮雜三亞苯基-六腈(hat-cn)；和由式221表示的化合物。然而，本公開并不限于此。

式221

在式221中，

r221至r223可以各自獨(dú)立地選自取代的或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代的或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代的或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代的或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代的或未取代的c6-c60芳基、取代的或未取代的c1-c60雜芳基、取代的或未取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的或未取代的單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)，其中r221至r223中的至少一個(gè)可以具有選自以下的至少一個(gè)取代基：氰基、-f、-cl、-br、-i、被-f取代的c1-c20烷基、被-cl取代的c1-c20烷基、被-br取代的c1-c20烷基和被-i取代的c1-c20烷基。

發(fā)光層23

發(fā)光層23可以包括量子點(diǎn)25。量子點(diǎn)25，作為具有約數(shù)納米(nm)至數(shù)百納米的大小的球形(例如，大致上球形)半導(dǎo)體納米材料，可以包括：包括具有小能帶隙的材料的核，和圍繞所述核的殼。

量子點(diǎn)25可以具有包括以下的核殼結(jié)構(gòu)：包括第一半導(dǎo)體晶體的核和包括第二半導(dǎo)體晶體的殼。第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體如上文所述，并且因此，其更多的詳細(xì)描述將不在此提供。

量子點(diǎn)以配位形式分散于分散介質(zhì)諸如有機(jī)溶劑或聚合物樹脂中。分散介質(zhì)可以為任何適合的透明介質(zhì)，其不顯著影響量子點(diǎn)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)化能力并且不顯著反射或吸收光。例如，有機(jī)溶劑可以為選自以下的至少一種：甲苯、氯仿和乙醇。聚合物樹脂可以包括選自以下的至少一種：環(huán)氧樹脂、硅樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯和丙烯酸酯樹脂。

由于量子限制效應(yīng)，量子點(diǎn)可以具有不連續(xù)的帶隙能，不像堆積狀態(tài)材料。量子點(diǎn)可以具有能帶隙，其可以根據(jù)量子點(diǎn)的大小而變化。相同材料但具有不同大小的量子點(diǎn)可以發(fā)出具有不同波長(zhǎng)的光。量子點(diǎn)的尺寸越小，帶隙能越高且由量子點(diǎn)發(fā)射的光的波長(zhǎng)越短?；诹孔狱c(diǎn)的這些特征，使量子點(diǎn)生長(zhǎng)成納米晶體的條件可以適當(dāng)?shù)鼗蜻m合地變化以獲得具有所需波長(zhǎng)范圍的光。因此，通過將這樣的量子點(diǎn)引入發(fā)光裝置，可實(shí)現(xiàn)具有高發(fā)光效率和色純度的發(fā)光裝置。

電子傳輸區(qū)26

電子傳輸區(qū)26可以包括無機(jī)層。例如，無機(jī)層可以直接接觸發(fā)光層23。無機(jī)層可以包括金屬鹵化物。無機(jī)層和金屬鹵化物如上文所述，并且其更多的詳細(xì)描述將不在此提供。

在一些實(shí)施方式中，電子傳輸區(qū)26可以具有i)包括單個(gè)層的單層結(jié)構(gòu)，所述單個(gè)層包括單種材料，ii)包括單個(gè)層的單層結(jié)構(gòu)，所述單個(gè)層包括多種不同材料，或iii)包括多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)層包括多種不同材料。

電子傳輸區(qū)26可以包括選自緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)層。然而，本公開并不限于此。

例如，電子傳輸區(qū)26可以具有電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)、空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)、電子控制層/電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)或緩沖層/電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)，其中各結(jié)構(gòu)的層以所述次序從發(fā)光層23順序堆疊。然而，本公開并不限于此。

電子傳輸區(qū)26(例如，電子傳輸區(qū)26中的緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層或電子傳輸層)可以包括不含金屬的化合物，其具有至少一個(gè)π電子損耗的含氮環(huán)。

“π電子損耗的含氮環(huán)”，作為成環(huán)部分，可以是指具有至少一個(gè)*-n＝*'部分的c1-c60雜環(huán)基團(tuán)。

例如，“π電子損耗的含氮環(huán)”可以包括i)具有至少一個(gè)*-n＝*'部分的5-元至7-元雜單環(huán)基團(tuán)，ii)包括彼此縮合(例如，稠合在一起)的至少兩個(gè)具有至少一個(gè)*-n＝*'部分的5-元至7-元雜單環(huán)基團(tuán)的雜多環(huán)基團(tuán)，或iii)包括彼此縮合(例如，稠合在一起)的具有至少一個(gè)*-n＝*'部分的至少一個(gè)5-元至7-元雜單環(huán)基團(tuán)和至少一個(gè)c5-c60碳環(huán)基團(tuán)的雜多環(huán)基團(tuán)。

π電子損耗的含氮環(huán)的實(shí)例包括咪唑、吡唑、噻唑、異噻唑、噁唑、異噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、異喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、異苯并噻唑、苯并噁唑、異苯并噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶和氮雜咔唑。然而，本公開并不限于此。

例如，電子傳輸區(qū)26可以包括由式601表示的化合物。

式601

[ar601]xe11-[(l601)xe1-r601]xe21

在式601中，

ar601可以為取代的或未取代的c5-c60碳環(huán)基團(tuán)或取代的或未取代的c1-c60雜環(huán)基團(tuán)；

xe11可以為1、2或3；

l601可以選自取代的或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代的或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代的或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代的或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代的或未取代的c6-c60亞芳基、取代的或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代的或未取代的二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的或未取代的二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)；

xe1可以為選自0至5的整數(shù)；

r601可以選自取代的或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代的或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代的或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代的或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代的或未取代的c6-c60芳基、取代的或未取代的c6-c60芳氧基、取代的或未取代的c6-c60芳硫基、取代的或未取代的c1-c60雜芳基、取代的或未取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán),取代的或未取代的單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-si(q601)(q602)(q603)、-c(＝o)(q601)、-s(＝o)2(q601)和-p(＝o)(q601)(q602)；

q601至q603可以各自獨(dú)立地為c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基；并且

xe21可以為選自1至5的整數(shù)。

在一些實(shí)施方式中，數(shù)量為xe11的ar601和數(shù)量為xe21的r601中的至少一個(gè)可以包括如上所述的此類π電子損耗的含氮環(huán)。

在一些實(shí)施方式中，在式601中，ar601作為環(huán)可以選自：

苯基、萘基、芴基、螺-聯(lián)芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基，以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的苯基、萘基、芴基、螺-聯(lián)芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)；以及

q31至q33可以各自獨(dú)立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在式601中，當(dāng)xe11為2或更大時(shí)，至少兩個(gè)ar601可以經(jīng)由單鍵彼此連接。

在一些其它實(shí)施方式中，在式601中，ar601可以為蒽基。

緩沖層、空穴阻擋層和/或電子控制層可以各自獨(dú)立地具有約至約例如，約至約的厚度。當(dāng)緩沖層、空穴阻擋層和/或電子控制層的厚度在這些范圍之內(nèi)時(shí)，在驅(qū)動(dòng)電壓沒有顯著增加下可以獲得改善的空穴阻擋特性或電子控制特性。

電子傳輸層26可以具有約至約例如，約至約的厚度。當(dāng)電子傳輸層26的厚度在這些范圍之內(nèi)時(shí)，在驅(qū)動(dòng)電壓沒有顯著增加下可以獲得令人滿意的或適合的電子傳輸特性。

除上述的材料之外，電子傳輸區(qū)26(例如，電子傳輸區(qū)26的電子傳輸層)還可以包括含金屬材料。

含金屬材料可以包括選自堿金屬絡(luò)合物和堿土金屬絡(luò)合物的至少一種。堿金屬絡(luò)合物的金屬離子可以選自li離子、na離子、k離子、rb離子和cs離子。堿土金屬絡(luò)合物的金屬離子可以選自be離子、mg離子、ca離子、sr離子和ba離子。分別與堿金屬絡(luò)合物和堿土金屬絡(luò)合物的金屬離子配合的配體可以各自獨(dú)立地選自羥基喹啉、羥基異喹啉、羥基苯并喹啉、羥基吖啶、羥基菲啶、羥基苯基噁唑、羥基苯基噻唑、羥基二苯基噁二唑、羥基二苯基噻二唑、羥基苯基吡啶、羥基苯基苯并咪唑、羥基苯基苯并噻唑、聯(lián)吡啶、菲咯啉和環(huán)戊二烯。然而，本公開并不限于此。

例如，含金屬材料可以包括li絡(luò)合物。li絡(luò)合物可以包括，例如，化合物et-d1(8-羥基喹啉鋰，liq)或化合物et-d2。

電子傳輸區(qū)26可以包括可以促進(jìn)電子從陰極注入的電子注入層。電子注入層可以直接接觸陰極。

電子注入層可以具有i)包括單個(gè)層的單層結(jié)構(gòu)，所述單個(gè)層包括單種材料，ii)包括單個(gè)層的單層結(jié)構(gòu)，所述單個(gè)層包括多種不同材料，或iii)包括多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)層包括多種不同材料。

電子注入層可以包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物、或其任何組合。

堿金屬可以選自li、na、k、rb和cs。在一些實(shí)施方式中，堿金屬可以為li、na或cs。在一些其它實(shí)施方式中，堿金屬可以為li或cs。然而，本公開并不限于此。

堿土金屬可以選自mg、ca、sr和ba。

稀土金屬可以選自sc、y、ce、tb、yb、gd和tb。

堿金屬化合物、堿土金屬化合物和稀土金屬化合物可以選自堿金屬、堿土金屬和稀土金屬的氧化物和鹵化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物等)。

堿金屬化合物可以選自堿金屬氧化物諸如li2o、cs2o、k2o等，以及堿金屬鹵化物諸如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi、ki、rbi等。在一些實(shí)施方式中，堿金屬化合物可以選自lif、li2o、naf、lii、nai、csi和ki。然而，本公開并不限于此。

堿土金屬化合物可以選自堿土金屬氧化物諸如bao、sro、cao、baxsr1-xo(其中0<x<1)、baxca1-xo(其中0<x<1)等。在一些實(shí)施方式中，堿土金屬化合物可以選自bao、sro和cao。然而，本公開并不限于此。

稀土金屬化合物可以選自ybf3、scf3、sco3、y2o3、ce2o3、gdf3和tbf3。在一些實(shí)施方式中，稀土金屬化合物可以選自ybf3、scf3、tbf3、ybi3、sci3和tbi3。然而，本公開并不限于此。

堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物和稀土金屬絡(luò)合物可以包括上述的堿金屬、堿土金屬和稀土金屬的離子。分別與堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物和稀土金屬絡(luò)合物的金屬離子配合的配體可以各自獨(dú)立地選自羥基喹啉、羥基異喹啉、羥基苯并喹啉、羥基吖啶、羥基菲啶、羥基苯基噁唑、羥基苯基噻唑、羥基二苯基噁二唑、羥基二苯基噻二唑、羥基苯基吡啶、羥基苯基苯并咪唑、羥基苯基苯并噻唑、聯(lián)吡啶、菲咯啉和環(huán)戊二烯。然而，本公開并不限于此。

在一些實(shí)施方式中，電子注入層可以僅包括如上所述的此類堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其任何組合，或還可以包括如上文關(guān)于電子傳輸區(qū)26列出的此類有機(jī)材料。當(dāng)電子注入層還包括有機(jī)材料時(shí)，堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其任何組合可以均勻地或非均勻地(例如，多相地)分散于有機(jī)材料的基質(zhì)中。

電子注入層可以具有約至約例如，約至約的厚度。當(dāng)電子注入層的厚度在這些范圍之內(nèi)時(shí)，在驅(qū)動(dòng)電壓沒有顯著增加下可以獲得令人滿意的或適合的電子注入特性。

第二電極27

當(dāng)?shù)诙姌O27為用作電子注入電極的陰極時(shí)，第二電極27的材料可以包括具有低功函的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物或其任何組合。當(dāng)?shù)诙姌O27為陽(yáng)極時(shí)，促進(jìn)空穴注入的第二電極27的材料可以選自具有高功函的材料。

第二電極27的材料可以選自氧化錫銦(ito)、氧化鋅銦(izo)、氧化錫(sno2)、氧化鋅(zno)、氧化錫鋅(zto)、氧化銦銅(cio)、氧化鋅銅(czo)、氧化鋅鎵(gzo)、氧化鋅鋁(azo)及其任何組合。然而，本公開并不限于此。在一些其它實(shí)施方式中，為了形成半透射電極或反射電極作為第二電極27，第二電極27的材料可以選自鋰(li)、鎂(mg)、銀(ag)、鋁(al)、鋁-鋰(al-li)、鈣(ca)、鎂-銦(mg-in)、鎂-銀(mg-ag)、鐿(yb)及其任何組合。然而，本公開并不限于此。在一些其它實(shí)施方式中，第二電極27可以包括石墨烯、碳納米管或?qū)щ娋酆衔镏T如聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)。然而，本公開并不限于此。

第二電極27可以具有單層結(jié)構(gòu)或包括多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。

取代基的一般定義

如本文所使用，術(shù)語“c1-c20烷基”是指具有1至20個(gè)碳原子的線性或支鏈脂族烴單價(jià)基團(tuán)。c1-c20烷基的非限制性實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基和己基。如本文所使用，術(shù)語“c1-c20亞烷基基團(tuán)”是指具有大致上與c1-c20烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)，不同的是c1-c20亞烷基基團(tuán)為二價(jià)而不是單價(jià)。

如本文所使用，術(shù)語“c1-c20烷氧基”是指由–o-a101表示的單價(jià)基團(tuán)(其中a101為如上所述的c1-c20烷基)。c1-c20烷氧基的非限制性實(shí)例包括甲氧基、乙氧基和異丙氧基。

如本文所使用，術(shù)語“c3-c10環(huán)烷基”是指有3至10個(gè)碳原子的單價(jià)、單環(huán)飽和烴基。c3-c10環(huán)烷基的非限制性實(shí)例包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基。如本文所使用，術(shù)語“c3-c10亞環(huán)烷基”是指具有大致上與c3-c10環(huán)烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)，不同的是c3-c10亞環(huán)烷基為二價(jià)而不是單價(jià)。

如本文所使用，術(shù)語“c1-c10雜環(huán)烷基”是指其中包括至少一個(gè)選自n、o、si、p和s的雜原子作為成環(huán)原子的具有1至10個(gè)碳原子的單價(jià)單環(huán)基團(tuán)。c1-c10雜環(huán)烷基的非限制性實(shí)例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氫呋喃基和四氫噻吩基。

如本文所使用，術(shù)語“c3-c10環(huán)烯基”是指在環(huán)中包括至少一個(gè)雙鍵但不具有芳香性的具有3至10個(gè)碳原子的單價(jià)單環(huán)基團(tuán)(例如，c3-c10環(huán)烯基或c3-c10環(huán)烯基的環(huán)不是芳族的)。c3-c10環(huán)烯基的非限制性實(shí)例包括環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基和環(huán)庚烯基。如本文所使用，術(shù)語“c3-c10亞環(huán)烯基”是指具有大致上與c3-c10環(huán)烯基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)，不同的是c3-c10亞環(huán)烯基為二價(jià)而不是單價(jià)。

如本文所使用，術(shù)語“c1-c10雜環(huán)烯基”是指在環(huán)中包括至少一個(gè)雙鍵并且其中包括至少一個(gè)選自n、o、si、p和s的雜原子作為成環(huán)原子的具有1至10個(gè)碳原子的單價(jià)單環(huán)基團(tuán)。c1-c10雜環(huán)烯基的非限制性實(shí)例包括4,5-二氫-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氫呋喃基和2,3-二氫噻吩基。

如本文所使用，術(shù)語“c6-c60芳基”是指具有6至60個(gè)碳原子的單價(jià)、芳族碳環(huán)基團(tuán)，并且c6-c60亞芳基是指具有6至60個(gè)碳原子的二價(jià)、芳族碳環(huán)基團(tuán)。c6-c60芳基的非限制性實(shí)例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和屈基。當(dāng)c6-c60芳基和c6-c60亞芳基包括至少兩個(gè)環(huán)時(shí)，所述環(huán)可以彼此縮合(例如，稠合在一起)。

如本文所使用，術(shù)語“c1-c60雜芳基”是指其中包括至少一個(gè)選自n、o、si、p和s的雜原子作為成環(huán)原子的具有1至60個(gè)碳原子的單價(jià)、芳族雜環(huán)基團(tuán)。c1-c60雜芳基的非限制性實(shí)例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基和異喹啉基。當(dāng)c1-c60雜芳基包括至少兩個(gè)環(huán)時(shí)，所述環(huán)可以彼此縮合(例如，稠合在一起)。

如本文所使用，術(shù)語“c6-c60芳氧基”表示-oa102(其中a102為如上所述的c6-c60芳基)，并且c6-c60芳硫基表示-sa103(其中a103為如上所述的c6-c60芳基)。

如本文所使用，術(shù)語“單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)”是指具有彼此縮合(例如，稠合在一起)的至少兩個(gè)環(huán)的單價(jià)基團(tuán)，其中只包括碳原子(例如，8至60個(gè)碳原子)作為成環(huán)原子并且整個(gè)分子具有非芳香性(例如，整個(gè)單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)不是芳香性的)。單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)的非限制性實(shí)例包括芴基。如本文所使用，術(shù)語“二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)”是指具有大致上與單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)，不同的是二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)為二價(jià)而不是單價(jià)。

如本文所使用，術(shù)語“單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)”是指具有彼此縮合(例如，稠合在一起)的至少兩個(gè)環(huán)的單價(jià)基團(tuán)，其中碳原子(例如，1至60個(gè)碳原子)和至少一個(gè)選自n、o、si、p和s的雜原子為成環(huán)原子并且整個(gè)分子具有非芳香性(例如，整個(gè)單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)不是芳香性的)。單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)的非限制性實(shí)例包括咔唑基。如本文所使用，術(shù)語“二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)”是指具有大致上與單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)，不同的是二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)為二價(jià)而不是單價(jià)。

如本文所使用，術(shù)語“c5-c60碳環(huán)基團(tuán)”是指包括碳原子(例如，5至60個(gè)碳原子)的單環(huán)或多環(huán)基團(tuán)，其僅包括碳原子作為成環(huán)原子。c5-c60碳環(huán)基團(tuán)可以為芳族碳環(huán)基團(tuán)或非芳族碳環(huán)基團(tuán)。c5-c60碳環(huán)基團(tuán)可以為環(huán)諸如苯、單價(jià)基團(tuán)諸如苯基或二價(jià)基團(tuán)諸如亞苯基。在一些實(shí)施方式中，c5-c60碳環(huán)基團(tuán)可以為三價(jià)基團(tuán)或四價(jià)基團(tuán)，這取決于與其連接的取代基的數(shù)量。然而，c5-c60碳環(huán)基團(tuán)的實(shí)例并不限于此。

如本文所使用，術(shù)語“c1-c60雜環(huán)基團(tuán)”是指具有大致上與上述c5-c60碳環(huán)基團(tuán)相同的結(jié)構(gòu)的基團(tuán)，但其中包括碳原子(例如，1至60個(gè)碳原子)和至少一個(gè)選自n、o、si、p和s的雜原子作為成環(huán)原子。

如本文所使用，選自所述取代的c5-c60碳環(huán)基團(tuán)、所述取代的c1-c60雜環(huán)基團(tuán)、所述取代的c3-c10亞環(huán)烷基、所述取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、所述取代的c3-c10亞環(huán)烯基、所述取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、所述取代的c6-c60亞芳基、所述取代的c1-c60亞雜芳基、所述取代的二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、所述取代的二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、所述取代的c1-c60烷基、所述取代的c2-c60烯基、所述取代的c2-c60炔基、所述取代的c1-c60烷氧基、所述取代的c3-c10環(huán)烷基、所述取代的c1-c10雜環(huán)烷基、所述取代的c3-c10環(huán)烯基、所述取代的c1-c10雜環(huán)烯基、所述取代的c6-c60芳基、所述取代的c6-c60芳氧基、所述取代的c6-c60芳硫基、所述取代的c1-c60雜芳基、所述取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和所述取代的單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)的取代基中的至少一個(gè)可以選自：

氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基，

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)和-p(＝o)(q11)(q12)，

c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)，

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)和-p(＝o)(q21)(q22)，以及

-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)；以及

q11至q13、q21至q23和q31至q33可以各自獨(dú)立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、聯(lián)苯基和三聯(lián)苯基。

如本文所使用，術(shù)語“聯(lián)苯基”是指“被苯基取代的苯基”。“聯(lián)苯基”可以為具有為“c6-c60芳基”的取代基的“取代的苯基”。

如本文所使用，術(shù)語“三聯(lián)苯基”是指“被聯(lián)苯基取代的苯基”?！叭?lián)苯基”可以為具有取代基的“取代的苯基”，所述取代基為被c6-c60芳基取代的c6-c60芳基。

除非另有定義，否則本文所使用的*和*'表示與相應(yīng)式中的相鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。

現(xiàn)在將參考下列實(shí)施例，來更詳細(xì)地描述根據(jù)本公開的發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光裝置的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式。然而，這些實(shí)施例僅用于例證性目的且不旨在限制本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式的范圍。

實(shí)施例

將15ω/cm²ito玻璃基板(具有的厚度，得自康寧公司)切成50mm×50mm×0.7mm的大小，接著在異丙醇和去離子水中超聲處理，各五分鐘，然后通過用紫外線輻射30分鐘和暴露于臭氧來清洗。將ito陽(yáng)極于其上的所得玻璃基板安裝于真空沉積裝置中。

將2-tnata真空-沉積于玻璃基板的ito陽(yáng)極上以形成具有約的厚度的空穴注入層，并且然后將npb真空-沉積于空穴注入層上以形成具有約的厚度的空穴傳輸層，從而形成空穴傳輸區(qū)。

然后于空穴傳輸區(qū)上形成發(fā)光層，其中發(fā)光層包括具有核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，所述核殼結(jié)構(gòu)在核中包括cdse以及在殼中包括zns。

在將fef2沉積于發(fā)光層上以形成具有約的厚度的無機(jī)層之后，將al真空-沉積于無機(jī)層上以形成具有約的厚度的陰極，從而制造發(fā)光裝置。沉積工藝中使用的裝置包括suicel+200系統(tǒng)(得自sunicsystemltd.)。

2-tnata

npb

比較例1和2

按如關(guān)于實(shí)施例1所述的相同方式制造發(fā)光裝置，不同的是使用zno(比較例1)和zns(比較例2)，代替fef2，以形成無機(jī)層。

表1

參考表1，與比較例1和2的發(fā)光裝置的那些相比，發(fā)現(xiàn)實(shí)施例1的發(fā)光裝置具有改善的驅(qū)動(dòng)電壓、效率和半衰期。

當(dāng)發(fā)光裝置的無機(jī)層通過溶液法(旋轉(zhuǎn)涂布等)由zno(其為無機(jī)層中使用的材料)形成時(shí)，如在比較例1中，無機(jī)層可以經(jīng)歷隨著時(shí)間推移的穩(wěn)定性降解，導(dǎo)致減少制造工藝中的裝置再現(xiàn)性。此外，由zno熱解所致的氧脫氣可以降低真空度(例如，用于制造裝置的室的真空度)并且妨礙沉積。

然而，在根據(jù)本公開的實(shí)施方式的發(fā)光裝置(其可以包括由金屬鹵化物例如如實(shí)施例1中所用的fef2形成的無機(jī)層，和包括量子點(diǎn)的發(fā)光層)中，金屬鹵化物的能級(jí)對(duì)于包括量子點(diǎn)的發(fā)光層可以是適當(dāng)?shù)幕蜻m合的，并且其熔點(diǎn)也可以是低的以促進(jìn)熱沉積，因此，其可以更易于確保根據(jù)本公開的實(shí)施方式的裝置相較于包括使用另一種材料(例如zno)的無機(jī)層的發(fā)光裝置的可靠性和再現(xiàn)性。

如上所述，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，量子點(diǎn)發(fā)光裝置可以具有長(zhǎng)壽命、高可靠性和高再現(xiàn)性。

為了容易解釋，空間相對(duì)的術(shù)語諸如“在…之下”、“在…下方”、“下面”、“在…下面”、“在…上方”、“上面”等在本文可以用于描述在附圖中所示的一個(gè)元件或特征與另一個(gè)(多個(gè))元件或特征的關(guān)系。應(yīng)理解，除了附圖中描繪的取向之外，空間相對(duì)的術(shù)語意圖涵蓋在使用中或操作中裝置的不同取向。例如，如果將附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件或特征的“下方”或“之下”或“下面”的元件則將取向在其他元件或特征的“上方”。因此，示例術(shù)語“在…下方”和“在…下面”可以涵蓋上面和下面的兩個(gè)取向。裝置可以以其它方式取向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或以其它取向)并且因此應(yīng)解釋本文所使用的空間相對(duì)的描述符。

應(yīng)理解，當(dāng)元件或?qū)釉诒疚谋环Q為在另一個(gè)元件或?qū)印吧稀?、與其“連接”或“耦接”時(shí)，其可以直接在另一個(gè)元件或?qū)由?，與另一個(gè)元件或?qū)舆B接、或耦接，或者可以存在一個(gè)或多個(gè)中間的元件或?qū)印４送?，也將理解，?dāng)元件或?qū)釉诒疚谋环Q為在兩個(gè)元件或?qū)印爸g”時(shí)，其可以為在兩個(gè)元件或?qū)又g的唯一的元件或?qū)?，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間的元件或?qū)印?/p>

本文所使用的術(shù)語是僅用于描述特定實(shí)施方式的目的且不旨在限制本公開。除非上下文另有明確指示，否則本文所使用的單數(shù)形式“一(a)”和“一(an)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解，當(dāng)在本說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包含”、“包括”、“含有”和“含”指明所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組分的存在，而不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組分和/或其組。

本文所使用的“大致上”、“約”和類似術(shù)語作為近似術(shù)語而不是作為程度術(shù)語來使用，并且意圖解釋本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公認(rèn)的測(cè)量值或計(jì)算值的固有偏差。另外，“可以”的使用在描述本公開的實(shí)施方式時(shí)是指“本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式”。本文所使用的術(shù)語“使用(use)”、“正在使用(using)”和“所使用的(used)”可被認(rèn)為分別與術(shù)語“利用(utilize)”、“正在利用(utilizing)”和“所利用的(utilized)”同義。同樣，術(shù)語“示例性”意圖是指實(shí)例或說明。

同樣，本文列舉的任何數(shù)值范圍意圖包括納入所列舉范圍的相同數(shù)值精度的所有子范圍。例如，“1.0至10.0”的范圍意圖包括在所列舉的最小值1.0與所列舉的最大值10.0之間(且包括端值)的，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范圍，諸如，例如，2.4至7.6。本文列舉的任何最大數(shù)值限制意圖包括被納入其中的所有較低的數(shù)值限制并且在本說明書中列舉的任何最小數(shù)值限制意圖包括被納入其中的所有較高的數(shù)值限制。因此，申請(qǐng)人保留修改本說明書(包括權(quán)利要求)的權(quán)利，以明確列舉被納入本文明確列舉的范圍內(nèi)的任何子范圍。

應(yīng)理解，本文所述的實(shí)施方式應(yīng)被認(rèn)為是描述性含義而非限制的目的。在每個(gè)實(shí)施方式內(nèi)的特征或方面的描述通常應(yīng)被認(rèn)為可用于其它實(shí)施方式中的其他類似的特征或方面。

盡管已經(jīng)參考附圖描述本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員會(huì)理解，可在不偏離如通過權(quán)利要求及其等效形式限定的本公開的精神和范圍下對(duì)本文在形式和細(xì)節(jié)上作出各種變化。