本發(fā)明涉及tft-lcd制造領(lǐng)域，具體涉及一種蝕刻裝置。

背景技術(shù)：

在tft-lcd(thinfilmtransistor--liquidcrystaldisplay，薄膜晶體管液晶顯示面板)的制造涉及眾多制程。

由最初始玻璃基板經(jīng)過各種制程，最終得到液晶顯示面板。在這些制程中，每一制程都至關(guān)重要。因?yàn)樯a(chǎn)程序較長(zhǎng)，因此，只有盡量保證每一制程中的良品率，才能控制液晶面板的制造成本，從而提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

由于面板或玻璃基板的越來(lái)越薄，因此，破片成為液晶面板生產(chǎn)過程中一種常見的事故。例如在干法蝕刻的制程中，采用的干蝕刻設(shè)備，這一設(shè)備如圖1所示，包括l/c腔(loadlockchamber)、t/c腔(transferchamber)和多個(gè)p/c腔(processchamber)。如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中常見的一種干法蝕刻設(shè)備的俯視示意圖，該設(shè)備包括一個(gè)l/c腔，一個(gè)t/c腔和三個(gè)p/c腔(processchamber)。在蝕刻制程中，玻璃首先進(jìn)入l/c腔，l/c腔為玻璃進(jìn)出蝕刻設(shè)備的的窗口，l/c腔也是大氣與真空切換單元；然后再?gòu)膌/c腔進(jìn)入到t/c腔，t/c腔為真空傳送單元，作為進(jìn)入蝕刻之前的真空環(huán)境的保證；最后，玻璃由t/c腔進(jìn)入到p/c腔，p/c腔為真空低壓生產(chǎn)環(huán)境，蝕刻使用的特種氣體在p/c腔中產(chǎn)生等離子體(plasma)，等離子體與進(jìn)入p/c腔發(fā)生反應(yīng)，從而完成蝕刻。蝕刻完成之后，玻璃再按照進(jìn)入的路線反向離開蝕刻設(shè)備。

在蝕刻過程中，玻璃在蝕刻設(shè)備的各個(gè)腔體之間傳送，傳送的過程是由設(shè)置在設(shè)備中的機(jī)械手臂完成的，相鄰的腔體之間設(shè)置有允許玻璃通過的窗口。但是傳送過程中難免會(huì)造成玻璃的損壞，在行業(yè)中稱為破片。如果破片發(fā)生在p/c腔中，后果尤其嚴(yán)重，一般會(huì)造成以下的嚴(yán)重影響：(1)復(fù)機(jī)時(shí)間長(zhǎng)，一般p/c腔破片處理復(fù)機(jī)時(shí)間超過24小時(shí)；(2)破片在交換片時(shí)一般會(huì)影響到其他正常片,使損失擴(kuò)大。為改善破片對(duì)于蝕刻制程的嚴(yán)重影響，目前業(yè)界在t/c腔與p/c腔交界窗口(gate)的底部增加破片偵測(cè)器(scansensor),用來(lái)偵測(cè)進(jìn)出p/c腔的玻璃的的完整性，一旦偵測(cè)到破片，交換片動(dòng)作即停止，從而避免損失擴(kuò)大。

但是，在實(shí)際的使用過程中，交換片時(shí)由于p/c腔中的氣流產(chǎn)生的擾流的影響，p/c腔內(nèi)的生成物會(huì)有部分落在破片偵測(cè)器(scansensor)上，進(jìn)而導(dǎo)致探測(cè)傳感器偵測(cè)不良，進(jìn)而造成誤報(bào)警。本發(fā)明針對(duì)p/c腔產(chǎn)生的擾流對(duì)于探測(cè)傳感器造成的影響的技術(shù)問題，對(duì)破片偵測(cè)器進(jìn)行一定的改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，本發(fā)明公開一種蝕刻裝置，包括真空傳送腔體和制程腔體，所述真空傳送腔體與所述制程腔體相鄰設(shè)置，所述真空傳送腔體與所述制程腔體相鄰的腔體壁上設(shè)置有傳遞窗口，所述傳遞窗口用于待蝕刻基板在所述真空傳送腔體與所述制程腔體之間的傳遞；在真空傳送腔體底部，靠近所述傳遞窗口的位置設(shè)置有破片偵測(cè)器，在所述真空傳送腔體與所述制程腔體進(jìn)行換片操作時(shí)，所述真空傳送腔體內(nèi)的壓力大于所述制程腔體內(nèi)的壓力。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述真空傳送腔體上設(shè)置有進(jìn)氣口，在所述真空傳送腔體與所述制程腔體進(jìn)行換片操作時(shí)，所述進(jìn)氣口通入氣體，使得所述真空傳送腔體內(nèi)的壓力大于與所述制程腔體內(nèi)的壓力。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述進(jìn)氣口處還設(shè)置有氣體分管，所述氣體分管由所述進(jìn)氣口延伸至所述破片偵測(cè)器上側(cè)，在所述真空傳送腔體與所述制程腔體進(jìn)行換片操作時(shí)，所述氣體分管用于向破片偵測(cè)器處通氣。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述氣體分管沿所述真空傳送腔體側(cè)壁設(shè)置。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述氣體分管出氣口朝向遠(yuǎn)離所述制程腔體的方向。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述進(jìn)氣口通入的氣體為氮?dú)狻?/p>

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述破片偵測(cè)器為掃描傳感器。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述破片偵測(cè)器有多個(gè)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述氣體分管包括多個(gè)出氣口，所述出氣口與所述破片偵測(cè)器相應(yīng)設(shè)置。

本發(fā)明中的蝕刻裝置主要在對(duì)于破片的檢測(cè)方面做出了具體的改進(jìn)，本發(fā)明中的蝕刻裝置可以很好的檢測(cè)到蝕刻裝置中的玻璃基板是否發(fā)生破片，如果發(fā)生破片可以及時(shí)進(jìn)行補(bǔ)救，防止因?yàn)闄z測(cè)不及時(shí)導(dǎo)致的損失擴(kuò)大。

附圖說(shuō)明

在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。其中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種蝕刻裝置俯視示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一中的蝕刻裝置真空傳送腔體與制程腔體之間的關(guān)系示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例一中的蝕刻裝置的真空傳送腔體與制程腔體相鄰位置的截面示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例二中的蝕刻裝置的真空傳送腔體與制程腔體之間的關(guān)系示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例二中的蝕刻裝置的真空傳送腔體與制程腔體相鄰位置的截面示意圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記。附圖并未按照實(shí)際的比例。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。本發(fā)明中所謂的“破片”指的是在蝕刻過程中，玻璃基板等的破損等，即“片”指的是待蝕刻或者蝕刻完成的玻璃基板等。

如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中常見的一種干法蝕刻設(shè)備的俯視示意圖，該設(shè)備包括一個(gè)l/c腔(loadlockchamber)，一個(gè)t/c腔(transferchamber)和三個(gè)p/c腔(processchamber)。如圖1所示，其中的路徑1為玻璃進(jìn)入蝕刻裝置的在蝕刻制程中，玻璃首先進(jìn)入l/c腔，l/c腔為玻璃進(jìn)出蝕刻設(shè)備的的窗口，l/c腔也是大氣與真空切換單元；然后再?gòu)膌/c腔進(jìn)入到t/c腔，t/c腔為真空傳送腔體，作為進(jìn)入蝕刻之前的真空環(huán)境的保證；最后，玻璃由t/c腔進(jìn)入到p/c2腔，p/c2腔為制程腔體，p/c2腔為真空低壓生產(chǎn)環(huán)境，蝕刻使用的特種氣體在p/c2腔中產(chǎn)生等離子體(plasma)，等離子體與進(jìn)入p/c2腔發(fā)生反應(yīng)，從而完成蝕刻。蝕刻完成之后，玻璃再按照進(jìn)入的路線反向即路徑2離開蝕刻設(shè)備。圖1中僅僅示意出了玻璃進(jìn)入p/c2腔進(jìn)行蝕刻的過程，另外兩個(gè)制程腔體p/c1腔和p/c3腔可以發(fā)生同樣的反應(yīng)，在此不再贅述。

實(shí)施例一

本實(shí)施例以現(xiàn)有技術(shù)中的蝕刻設(shè)備的基礎(chǔ)上進(jìn)行的改進(jìn)。本發(fā)明主要針對(duì)的是真空傳送腔體與制程腔體進(jìn)行換片時(shí)，在真空傳送腔體可能發(fā)生的破片現(xiàn)象的準(zhǔn)確的偵測(cè)，防止誤測(cè)造成的損失?；诒景l(fā)明的意圖，如圖2所示，僅僅示意處了本實(shí)施例中的真空傳送腔體21與制程腔體22之間的關(guān)系示意圖。其中的真空傳送腔體21與制程腔體22相鄰設(shè)置，真空傳送腔體21與制程腔體22相鄰的腔體壁23上設(shè)置有傳遞窗口24，傳遞窗口24用于待蝕刻基板在真空傳送腔體21與制程腔體22之間的傳遞；在真空傳送腔體21與制程腔體22進(jìn)行換片操作時(shí)，可能會(huì)發(fā)生破片的情況，如圖3所示，為本實(shí)施中真空傳送腔體21與制程腔體22相鄰位置的截面示意圖。由圖3可以看出，在真空傳送腔體21底部，靠近傳遞窗口24的位置設(shè)置有破片偵測(cè)器25，圖3中未示意出破片偵測(cè)器25的個(gè)數(shù)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可知，破片偵測(cè)器25個(gè)數(shù)的可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，在此，不再贅述。如圖2所示，在真空傳送腔體21與制程腔體22進(jìn)行換片操作時(shí)，真空傳送腔體21內(nèi)的壓力大于制程腔體22內(nèi)的壓力。在圖2中示意的為由真空傳送腔體21到制程腔體22氣流a，由制程腔體22到真空傳送腔體21氣流b，其中氣流a大于氣流b，從而保證真空傳送腔體21內(nèi)的壓力大于制程腔體22內(nèi)的壓力。從而避免制程腔體22內(nèi)產(chǎn)生的廢氣進(jìn)入到真空傳送腔體21，進(jìn)而廢氣中的生成物進(jìn)入到真空傳送腔體21內(nèi)，對(duì)其中的破片偵測(cè)器25受到生成物的影響做出錯(cuò)誤的偵測(cè)結(jié)果。

如圖2所示，其中的真空傳送腔體21包括第一頂壁210和第一側(cè)壁211，其中在第一頂壁210上設(shè)置有進(jìn)氣口212，優(yōu)選的，進(jìn)氣口212位于真空傳送腔體21的一個(gè)角上，這樣設(shè)置方便氣體進(jìn)入到真空傳送腔體21中，優(yōu)選的位于距離制程腔體22較遠(yuǎn)的位置，這樣的設(shè)置使得氣體可以對(duì)真空傳送腔體21進(jìn)行充分的填充，避免將真空傳送腔體21與制程腔體22交界處的氣體吹散，導(dǎo)致制程腔體22產(chǎn)生的廢氣與真空傳送腔體21中的氣體的混合，而是利用進(jìn)氣口處進(jìn)入的氣體產(chǎn)生生的壓力，減少制程腔體22產(chǎn)生的廢氣進(jìn)入到真空傳送腔體21中。在真空傳送腔體21與制程腔體22進(jìn)行換片操作時(shí)，進(jìn)氣口通入氣體，使得所述真空傳送腔體21內(nèi)的壓力大于與所述制程腔體22內(nèi)的壓力。其中制程腔體22包括第二頂壁220和第二側(cè)壁221，在第二頂壁220上設(shè)置有多個(gè)排氣口222，其中排氣口222用于將制程腔體22產(chǎn)生的廢氣排出制程腔體22外側(cè)。

實(shí)施二

在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例進(jìn)行進(jìn)一步的改進(jìn)，如圖4所示，為本實(shí)施例中的蝕刻裝置的真空傳送腔體與制程腔體之間的關(guān)系示意圖；在圖4中示意可以看出，本實(shí)施例中包括兩個(gè)破片偵測(cè)器25(251和252)，其中還包括氣體分管26，氣體分管26由進(jìn)氣口212延伸至所述破片偵測(cè)器25(251和252)上側(cè)，在真空傳送腔體與制程腔體進(jìn)行換片操作時(shí)，氣體分管26用于向破片偵測(cè)器25(251和252)處通氣。在本實(shí)施例中，根據(jù)破片偵測(cè)器25有兩個(gè)，因此，氣體分管26與破片偵測(cè)器25(251和252)對(duì)應(yīng)設(shè)置有兩個(gè)氣體分管出氣口(261和262)。如圖5所示，為本實(shí)施例中的蝕刻裝置的真空傳送腔體與制程腔體相鄰位置的截面示意圖，在圖5中清晰的顯示出了本實(shí)施例中的分管出氣口(261和262)的位置，由于時(shí)側(cè)面的截面圖，因此只能示意處一個(gè)分管出氣口，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，其中的兩個(gè)分管出氣口(261和262)是重合的。

優(yōu)選的，氣體分管26沿真空傳送腔體21的側(cè)壁設(shè)置，如圖4所示，氣體分管26沿第一側(cè)壁211設(shè)置。這樣的設(shè)置方式使得氣體分管26不會(huì)對(duì)裝置的正常運(yùn)行產(chǎn)生影響，例如不會(huì)影響玻璃基板在裝置中的運(yùn)轉(zhuǎn)的交換。

優(yōu)選的，氣體分管出氣口(261和262)朝向遠(yuǎn)離制程腔體22的方向。這樣的設(shè)置，使得可以避免如圖3所示的氣流b攜帶的生成物落到破片偵測(cè)器25(251和252)上。

優(yōu)選的，進(jìn)氣口212處通入的氣體為氮?dú)?。?dāng)然還可以采用其他的性質(zhì)較為穩(wěn)定的氣體，例如稀有氣體等。優(yōu)選的采用氮?dú)猓且驗(yàn)榈獨(dú)庾鳛橐环N性質(zhì)較為穩(wěn)定的氣體應(yīng)用比較廣泛，價(jià)格較低，因此相對(duì)于稀有氣體氮?dú)饩哂谐杀镜偷膬?yōu)勢(shì)。

優(yōu)選的，破片偵測(cè)器25為掃描傳感器。掃描傳感器可以對(duì)待蝕刻或者已經(jīng)完成蝕刻的玻璃基板等進(jìn)行掃描，從而確認(rèn)是否完整。另外玻璃基板如果發(fā)生破損，破損產(chǎn)生的碎屑落在掃描傳感器的感知范圍以內(nèi)就可以立刻感知到破片的發(fā)生。

在一些實(shí)施例中，破片偵測(cè)器25可以設(shè)置有多個(gè)。尤其是在裝置較大的情況下，多個(gè)破片偵測(cè)器25可以很好的對(duì)玻璃基板的完整性進(jìn)行及時(shí)有效的檢測(cè)，而且多個(gè)破片偵測(cè)器25可以互為補(bǔ)充，防止單個(gè)破片偵測(cè)器25因?yàn)闄z測(cè)范圍有限而造成的偵測(cè)失誤，例如不能及時(shí)偵測(cè)出具體情況等。

優(yōu)選的，當(dāng)破片偵測(cè)器25設(shè)置有多個(gè)的情況下，氣體分管26包括多個(gè)氣體分管出氣口，氣體分管出氣口與破片偵測(cè)器25相應(yīng)設(shè)置。即兩者個(gè)數(shù)以及位置均向應(yīng)設(shè)置。

雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行各種改進(jìn)并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)沖突，各個(gè)實(shí)施例中所提到的各項(xiàng)技術(shù)特征均可以任意方式組合起來(lái)。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實(shí)施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。