本發(fā)明涉及照明燈具技術(shù)領(lǐng)域，具體地是涉及一種具有雙層陶瓷基板的可調(diào)色溫的led光源。

背景技術(shù)：

目前，市場(chǎng)上的照明燈具種類(lèi)繁多，其中，點(diǎn)光源系列照明燈具由于具有節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)也越來(lái)越受到消費(fèi)者的喜愛(ài)和追捧。正因?yàn)榇?，許多生產(chǎn)廠(chǎng)家開(kāi)發(fā)出越來(lái)越多的點(diǎn)光源系列照明燈具，例如：軌道射燈、筒燈、投光燈等。但是現(xiàn)有軌道射燈、筒燈、投光燈一般都采用cob(chiponboard)光源，進(jìn)行調(diào)光調(diào)色。調(diào)節(jié)后，限于目前的技術(shù)水平，cob光源出光角度一般都大于15度，其無(wú)法滿(mǎn)足小范圍小面積照射和高照明亮度的要求，更談不上對(duì)其色溫的調(diào)節(jié)。

因此，本發(fā)明的發(fā)明人亟需構(gòu)思一種新技術(shù)以改善其問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在提供一種可調(diào)色溫的led光源，其可以實(shí)現(xiàn)很小發(fā)光角度的光源，同時(shí)具有調(diào)光調(diào)色溫的功能。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種可調(diào)色溫的led光源，自上而下依次包括csp芯片層、第一陶瓷基板層和第二陶瓷基板層，其中所述csp芯片層通過(guò)共晶焊或者回流焊的方式固定在所述第一陶瓷基板的上表面，所述csp芯片層由高色溫csp芯片和低色溫csp芯片有序間隔排列而成；所述第一陶瓷基板層與所述第二陶瓷基板層通過(guò)焊接的方式實(shí)現(xiàn)固定連接。

優(yōu)選地，所述第一陶瓷基板層的上表面設(shè)有第一線(xiàn)路層，其下表面上設(shè)有第二線(xiàn)路層和熱層，在所述第一陶瓷基板層的上下表面之間貫通有至少一個(gè)導(dǎo)通孔；所述第一線(xiàn)路層與所述第二線(xiàn)路層通過(guò)所述導(dǎo)通孔進(jìn)行連接；所述熱層與所述第二陶瓷基板層通過(guò)焊接的方式實(shí)現(xiàn)固定連接。

優(yōu)選地，所述第二陶瓷基板層的上表面覆有金屬電路，其通過(guò)共晶焊或者回流焊的方式與所述第一陶瓷基板層固定連接。

優(yōu)選地，所述第二陶瓷基板層的下表面覆有金屬電路。

優(yōu)選地，所述csp芯片層的不同csp芯片之間最小間隔為0.1mm。

優(yōu)選地，所述第一陶瓷基板層和/或所述第二陶瓷基板層為氧化鋁陶瓷基板層、氮化鋁陶瓷基板層、藍(lán)寶石陶瓷基板層、zta陶瓷基板層的一種。

優(yōu)選地，所述第一陶瓷基板層和/或所述第二陶瓷基板層的厚度在0.1-1mm之間。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)通孔的直徑在0.1-0.2mm之間。

優(yōu)選地，所述金屬電路為銀線(xiàn)路或銅線(xiàn)路。

采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明至少包括如下有益效果：

本發(fā)明所述的可調(diào)色溫的led光源，采用雙層陶瓷基板的設(shè)計(jì)，其第一陶瓷基板層的上下表面進(jìn)行串并聯(lián)聯(lián)通設(shè)計(jì)，而后與第二陶瓷基板層焊接，雙層陶瓷基板的設(shè)計(jì)，使第一層基板表面電路設(shè)計(jì)更加緊湊，可直接替換現(xiàn)有cob光源，滿(mǎn)足小尺寸、小發(fā)光面積，選配小發(fā)光角度透鏡?？梢云鸬綄?dǎo)熱、支撐、耐壓的作用，提高整體的耐受性，一定程度上提高使用壽命。并且csp芯片可以實(shí)現(xiàn)很小發(fā)光角度的光源，實(shí)現(xiàn)商業(yè)照明中高聚光效果，同時(shí)與傳統(tǒng)cob封裝光源相比(色溫固定)，具有調(diào)光調(diào)色溫的功能，具有較好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明所述的可調(diào)色溫的led光源的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明所述的csp芯片層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為本發(fā)明所述的第一陶瓷基板層的俯視圖；

圖3b為本發(fā)明所述的第一陶瓷基板層的仰視圖；

圖4a為本發(fā)明所述的第二陶瓷基板層的俯視圖；

圖4b為一實(shí)施例所述的第二陶瓷基板層的仰視圖；

圖4c為一實(shí)施例所述的第二陶瓷基板層的仰視圖；

圖5為一實(shí)施例中的過(guò)孔層的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：1.csp芯片層，2.第一陶瓷基板層，3.第二陶瓷基板層，4.高色溫csp芯片，5.低色溫csp芯片，6.過(guò)孔層，7.導(dǎo)通孔。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1至圖4所示，為符合本發(fā)明的一種可調(diào)色溫的led光源，自上而下依次包括csp芯片層1、第一陶瓷基板層2和第二陶瓷基板層3，其中所述csp芯片層1通過(guò)共晶焊或者回流焊的方式(二者均為現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)手段，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知曉，故本實(shí)施例對(duì)此不做贅述)固定在所述第一陶瓷基板的上表面，所述csp芯片層1由高色溫csp芯片4和低色溫csp芯片5有序間隔排列而成；且高色溫csp芯片4與低色溫csp芯片5由驅(qū)動(dòng)電源通過(guò)分流方式分兩路分別驅(qū)動(dòng)，不同的csp芯片之間最小間隔為0.1mm。所述第一陶瓷基板層2與所述第二陶瓷基板層3通過(guò)焊接的方式實(shí)現(xiàn)固定連接。

優(yōu)選地，所述第一陶瓷基板層2的上表面設(shè)有第一線(xiàn)路層，其下表面上設(shè)有第二線(xiàn)路層和熱層，在所述第一陶瓷基板層2的上下表面之間貫通有至少一個(gè)導(dǎo)通孔7；所述第一線(xiàn)路層與所述第二線(xiàn)路層通過(guò)所述導(dǎo)通孔7進(jìn)行串并聯(lián)聯(lián)通連接，即通過(guò)導(dǎo)通孔7可以實(shí)現(xiàn)上下表面電氣連接；所述熱層與所述第二陶瓷基板層3通過(guò)焊接的方式實(shí)現(xiàn)固定連接。在一優(yōu)選實(shí)施例中，如圖5所示，所述第一陶瓷基板層2的上下表面之間還設(shè)有一過(guò)孔層6，其上設(shè)有多個(gè)導(dǎo)通孔7。

優(yōu)選地，所述第二陶瓷基板層3的上表面覆有金屬電路，其通過(guò)共晶焊或者回流焊的方式與所述第一陶瓷基板層2固定連接。優(yōu)選地，該金屬電路的表面經(jīng)過(guò)沉金或者噴錫處理，如此可以提高焊接性能。優(yōu)選地，所述金屬電路為銀線(xiàn)路或銅線(xiàn)路。

優(yōu)選地，所述第二陶瓷基板層3的下表面如圖4b所示，不設(shè)有金屬電路，當(dāng)然還可以如圖4c所示，在所述第二陶瓷基板層3的下表面覆有金屬電路，其可直接貼片使用。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際的使用需求進(jìn)行相應(yīng)的選擇，本發(fā)明對(duì)此不作限定。

優(yōu)選地，所述第一陶瓷基板層2和/或所述第二陶瓷基板層3為氧化鋁陶瓷基板層、氮化鋁陶瓷基板層、藍(lán)寶石陶瓷基板層、zta陶瓷基板層的一種。

優(yōu)選地，所述第一陶瓷基板層2和/或所述第二陶瓷基板層3的厚度在0.1-1mm之間。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)通孔的直徑在0.1-0.2mm之間。

優(yōu)選地，所述第一陶瓷基板層2和第二陶瓷基板層3的總厚度為0.5mm。

優(yōu)選地，所述csp芯片層1的不同csp芯片之間最小間隔為0.1mm。所述csp芯片層1其可形成發(fā)光角度在3°-15°之間的光源。優(yōu)選地，高色溫csp芯片4的色溫優(yōu)選在6500k以上，低色溫csp芯片5的色溫優(yōu)選在3000k以下。當(dāng)然本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以根據(jù)實(shí)際的使用情況進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，本實(shí)施例對(duì)此不做限定。

csp(chipscalepackage，芯片級(jí)封裝、芯片尺寸封裝)是最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)，其技術(shù)性主要體現(xiàn)為讓芯片面積與封裝面積之比超過(guò)1∶1.14，與理想情況的1∶1相當(dāng)接近。相對(duì)led產(chǎn)業(yè)而言，csp封裝是基于倒裝技術(shù)而存在的，csp器件是指將封裝體積與倒裝芯片體積控制至相同或封裝體積不大于倒裝芯片體積的20％。采用csp芯片可以有效縮減封裝體積，小、薄而輕，迎合了目前l(fā)ed照明應(yīng)用微小型化的趨勢(shì)，設(shè)計(jì)應(yīng)用更加靈活，打破了傳統(tǒng)光源尺寸給設(shè)計(jì)帶來(lái)的限制；在光通量相等的情況，減少發(fā)光面可提高光密度，同樣器件體積可以提供更大功率；而且無(wú)需金線(xiàn)、支架、固晶膠等，減少中間環(huán)節(jié)中的熱層，可耐大電流，安全性、可靠性、尤其是性?xún)r(jià)比更高。

優(yōu)選地，所述高色溫csp芯片4的數(shù)量大于或者等于所述低色溫csp芯片5的數(shù)量。在一優(yōu)選實(shí)施例中，如圖2所示，所述高色溫csp芯片4的數(shù)量為14個(gè)，所述低色溫csp芯片5的數(shù)量為9個(gè)。共計(jì)5行，其中自上而下的第一行設(shè)置有兩個(gè)高色溫csp芯片4、一個(gè)低色溫csp芯片5；第二行設(shè)置有三個(gè)高色溫csp芯片4、二個(gè)低色溫csp芯片5；第三行設(shè)置有五個(gè)高色溫csp芯片4、三個(gè)低色溫csp芯片5；第四行設(shè)置有三個(gè)高色溫csp芯片4、二個(gè)低色溫csp芯片5；第五行設(shè)置有兩個(gè)高色溫csp芯片4、一個(gè)低色溫csp芯片5，且所述高色溫csp芯片4、低色溫csp芯片5有序間隔排列。采用該數(shù)量設(shè)置可以滿(mǎn)足目前絕大多數(shù)的照明燈具的使用需求，當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以根據(jù)實(shí)際的使用需求進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，本實(shí)施例對(duì)此不做限定。

經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證，本實(shí)施例所述的可調(diào)色溫的led光源的功率在10w～70w之間；其可直接替換現(xiàn)有cob光源，同時(shí)其發(fā)光面積更小，可形成發(fā)光角度在3°-15°之間的光源。

即本發(fā)明采用雙層陶瓷基板的設(shè)計(jì)，其第一陶瓷基板層2的上下表面進(jìn)行串并聯(lián)聯(lián)通設(shè)計(jì)，而后與第二陶瓷基板層3焊接，雙層陶瓷基板的設(shè)計(jì)，使第一層基板表面電路設(shè)計(jì)更加緊湊，可直接替換現(xiàn)有cob光源，滿(mǎn)足小尺寸、小發(fā)光面積，選配小發(fā)光角度透鏡?？梢云鸬綄?dǎo)熱、支撐、耐壓的作用，提高整體的耐受性，一定程度上提高使用壽命。并且csp芯片可以實(shí)現(xiàn)很小發(fā)光角度的光源，實(shí)現(xiàn)商業(yè)照明中高聚光效果，同時(shí)與傳統(tǒng)cob封裝光源相比(色溫固定)，具有調(diào)光調(diào)色溫的功能，具有較好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。

對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。