本申請要求于2016年1月8日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0002800號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益，該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

本公開的實施例涉及一種顯示設備及其制造方法。

背景技術：

隨著信息技術的發(fā)展，已經使作為用于連接用戶和信息的媒介的顯示設備的市場增長。已經以各種形式開發(fā)了顯示設備。在各種形式中，有機發(fā)光顯示設備已經作為具有諸如薄、質輕和低功耗的優(yōu)異特性的顯示設備而備受關注。

有機發(fā)光顯示設備包括在顯示區(qū)域中的有機發(fā)光器件。因為有機發(fā)光器件對濕氣和氧十分敏感，所以應減少或防止有機發(fā)光器件因濕氣和/或氧的侵入而導致的劣化。作為解決前述問題的一種方法，通過利用密封構件將上基底和下基底彼此緊密結合。在這方面，結合的步驟可以伴隨將激光束照射在將要形成為密封構件層的圖案上的工藝。

然而，在現有的顯示設備及其制造方法的情況下，在用于密封構件的圖案的精確位置處照射激光束存在限制。

技術實現要素：

一個或更多個實施例包括能夠在形成密封構件期間改善密封構件與激光束之間的位置精確度的顯示設備及其制造方法。

另外的方面將在隨后的描述中部分地被闡述，部分地將通過所述描述變得明顯，或者可通過對所提出的實施例的實踐來獲知。

根據一個或更多個實施例，顯示設備包括：第一基底，與動作區(qū)和圍繞動作區(qū)的密封區(qū)對應；第二基底，面對第一基底；顯示部，位于動作區(qū)中；密封構件，位于密封區(qū)中，在第一基底與第二基底之間；引導標記，位于第二基底的一個表面上，位于密封構件與第二基底彼此重疊的區(qū)域中。

引導標記可以沿密封構件的縱向方向延伸。

引導標記可以包括多個標記，所述多個標記均沿密封構件的縱向方向延伸。

引導標記可以包括：多個第一標記，沿著在密封構件的縱向方向上延伸的虛擬第一行布置；多個第二標記，沿著在密封構件的縱向方向上延伸的虛擬第二行布置。

虛擬第一行與虛擬第二行之間的距離可以基本上恒定。

引導標記與動作區(qū)之間的距離可以小于密封構件的中心與動作區(qū)之間的距離。

顯示設備還可以包括：觸摸屏布線，位于第二基底的外表面上，所述外表面與第二基底的接觸密封構件的內表面相對，其中，引導標記可以布置在第二基底的外表面上。

引導標記可以包括與觸摸屏布線的材料相同的材料。

引導標記可以包括耐熱材料。

根據一個或更多個實施例，一種制造顯示設備的方法包括：準備具有動作區(qū)和圍繞動作區(qū)的密封區(qū)的第一基底；在第一基底的動作區(qū)中制造顯示部；準備第二基底，第二基底具有分別與第一基底的動作區(qū)和密封區(qū)對應的動作區(qū)和密封區(qū)；在第二基底的密封區(qū)中，在第二基底的一個表面上制造引導標記；在第一基底的密封區(qū)中或在第二基底的密封區(qū)中制造密封構件圖案；在第一基底上方布置第二基底，使得第一基底的密封區(qū)面對第二基底的密封區(qū)；通過將激光束照射到引導標記上來熔化密封構件圖案；通過固化已熔化的密封構件圖案來制造密封構件。

所述方法還可以包括，制造與引導標記相同材料的觸摸屏布線。

引導標記可以位于密封構件圖案與第二基底彼此重疊的區(qū)域內。

引導標記與第二基底的動作區(qū)之間的距離可以比密封構件的中心與第二基底的動作區(qū)之間的距離短。

引導標記可以具有沿密封構件的縱向方向延伸的形狀。

引導標記可以包括多個標記，所述多個標記均具有沿密封構件的縱向方向延伸的形狀。

引導標記可以包括：多個第一標記，沿著在密封構件的縱向方向上延伸的虛擬第一行布置；多個第二標記，沿著在密封構件的縱向方向上延伸的虛擬第二行布置。

第一標記中對應的第一標記與第二標記中對應的第二標記之間的距離可以基本上恒定。

所述通過將激光束照射到引導標記上來熔化密封構件圖案的步驟可以包括：將激光束照射在所述多個第一標記和所述多個第二標記之間的間隙區(qū)中。

所述通過將激光束照射到引導標記上來熔化密封構件圖案步驟可以包括：將激光束沿從第二基底到第一基底的方向照射。

引導標記可以包括耐熱材料。

附圖說明

通過下面結合附圖對實施例的描述，這些和/或其它方面將變得明顯并且更容易理解，在附圖中：

圖1是示意性示出根據實施例的顯示設備的平面圖；

圖2是沿著圖1的線ⅱ-ⅱ'截取的剖視圖；

圖3是示意性示出根據另一實施例的顯示設備的剖視圖；

圖4是示意性示出圖1的部分a的放大視圖；

圖5是示意性示出根據另一實施例的顯示設備的一部分的放大視圖；

圖6是示意性示出根據另一實施例的顯示設備的一部分的放大視圖；

圖7至圖10是示意性示出根據實施例的制造顯示設備的工藝的剖視圖。

具體實施方式

通過參照附圖和下面對實施例的詳細描述，可更容易地理解發(fā)明構思的特征及其實現方法。在下文中，將參照附圖更詳細地描述示例實施例，在附圖中，同樣的附圖標記始終表示同樣的元件。然而，本發(fā)明可以以各種不同的形式來實施，并且不應該被解釋為僅限于在此示出的實施例。相反地，提供這些實施例作為示例，使得本公開將是徹底的和完整的，并將本發(fā)明的方面和特征充分地傳達給本領域技術人員。因此，可以不描述對于本領域普通技術人員用于完全理解本發(fā)明的方面和特征不必要的工藝、元件和技術。除非另外指出，否則同樣的附圖標記在附圖和書面描述中始終表示同樣的元件，因此，將不重復對其的描述。在附圖中，為了清晰起見，可以夸大元件、層和區(qū)域的相對尺寸。

將理解的是，雖然在這里可使用術語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應該受這些術語的限制。這些術語用于將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，下面描述的第一元件、第一組件、第一區(qū)域、第一層或第一部分可被命名為第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或第二部分。

為了便于解釋，在這里可使用諸如“在……之下”、“在……下面”、“下面的”、“在……下方”、“在……上面”和“上面的”等的空間相對術語，以描述如在附圖中所示的一個元件或特征與另一個或另外多個元件或特征的關系。將理解的是，空間相對術語意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作時的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉，則被描述為“在”其它元件或特征“下面”、“之下”或“下方”的元件將隨后被定位為“在”所述其它元件或特征“上面”。因而，示例術語“在……下面”和“在……下方”可包含上面和下面兩種方位。可以另外對裝置進行定向(例如，旋轉90度或在其它方位)，并且應該對在此使用的空間相對描述符做出相應的解釋。

將理解的是，當元件或層被稱作“在”另一元件或層“上”、“連接到”或“結合到”另一元件或層時，該元件或層可直接在所述另一元件或層上、直接連接到或直接結合到所述另一元件或層，或者可以存在一個或更多個中間元件或中間層。此外，還將理解的是，當元件或層被稱為“在”兩個元件或層“之間”時，該元件或層可以是兩個元件或層之間的唯一的元件或層，或者還可存在一個或更多個中間元件或中間層。

在這里使用的術語僅出于描述具體實施例的目的，并非意圖限制本發(fā)明。如這里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數形式的“一”和“一個(種/者)”也意圖包括復數形式。還將理解的是，術語“包括”、“包含”及其變形用在本說明書中時，說明存在所述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。如這里所用的，術語“和/或”包括一個或更多個相關列出的項的任意和全部組合。當諸如“……中的至少一個(種)”的表述位于一列元件(要素)之后時，修飾整列的元件(要素)，而不是修飾該列中的個別元件(要素)。

如這里使用的，術語“基本上”、“大約”和類似的術語被用作近似的術語而不是程度的術語，并且意圖說明本領域普通技術人員將認可的測量值或計算值中的固有偏差。此外，在描述本發(fā)明的實施例時使用的“可以”是指“本發(fā)明的一個或更多個實施例”。如這里使用的，術語“使用”及其變形可以被認為分別與術語“利用”及其變形同義。另外，術語“示例性”意在指示例或圖示。

這里描述的根據本發(fā)明的實施例的電子或電氣裝置和/或任何其它相關的裝置或組件可以利用任何合適的硬件、固件(例如，專用集成電路)、軟件或者軟件、固件和硬件的組合來實施。例如，這些裝置的各種組件可以形成在一個集成電路(ic)芯片上或在單獨的ic芯片上。此外，這些裝置的各種組件可以在柔性印刷電路膜、帶載封裝件(tcp)、印刷電路板(pcb)上實施，或形成在一個基底上。此外，這些裝置的各種組件可以是用于執(zhí)行在此描述的各種功能的進程或線程，所述進程或線程在一個或更多個計算裝置中在一個或更多個處理器上運行，執(zhí)行計算機程序指令，并且與其它系統(tǒng)組件交互。計算機程序指令被存儲在存儲器中，所述存儲器可以在使用標準存儲器裝置(諸如以隨機存取存儲器(ram)為例)的計算裝置中實施。計算機程序指令也可以被存儲在諸如以cd-rom、閃存驅動器等為例的其它非暫時計算機可讀介質中。另外，本領域技術人員應該意識到的是，在不脫離本發(fā)明的示例性實施例的精神和范圍的情況下，各種計算裝置的功能可以被組合或集成到單個計算裝置中，或者特定的計算裝置的功能可以分布在一個或更多個其它計算裝置中。

除非另有限定，否則在此使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本發(fā)明所屬領域的普通技術人員通常理解的含義相同的含義。還將理解的是，除非這里明確這樣限定，否則術語(諸如通用詞典中所定義的術語)應被解釋為具有與它們在相關領域和/或本說明書的上下文中的含義一致的含義，并且不應該以理想化或過于正式的含義來解釋。

圖1是示意性示出根據實施例的顯示設備的平面圖，圖2是沿著圖1的線ⅱ-ⅱ'截取的剖視圖，圖3是示意性示出根據另一實施例的顯示設備的剖視圖。

首先，參照圖1和圖2，根據實施例的顯示設備可以包括第一基底100、第二基底110、密封構件310和引導標記410(例如，圖2中的上表面引導標記410a或圖3中的下表面引導標記410b)。第一基底100和相應的第二基底110可以包括對應于顯示區(qū)的動作區(qū)aa(例如，圖2、圖3、圖7和圖10中的aa1以及圖8和圖9中的aa2)和對應于非顯示區(qū)的密封區(qū)sa(例如，圖2、圖3、圖7和圖10中的sa1以及圖8和圖9中的sa2)動作區(qū)。

顯示部布置在第一基底100的動作區(qū)aa1中。根據顯示設備的類型，顯示部可以具有各種形狀。然而，在下面的描述中，為了方便解釋，主要討論包括有機發(fā)光器件(oled)的顯示部。這適用于以下描述的實施例及其修改示例。

第一基底100的動作區(qū)aa1可以包括用于向外發(fā)射光的發(fā)光區(qū)ea1。第一薄膜晶體管tft1和與其連接的有機發(fā)光器件(oled)可以布置在第一基底100的發(fā)光區(qū)ea1中。電連接到第一薄膜晶體管tft1的oled可以具有電連接到第一薄膜晶體管tft1的像素電極231。第二薄膜晶體管tft2可以布置在圍繞第一基底100的動作區(qū)aa1的發(fā)光區(qū)ea1的區(qū)域中。例如，第二薄膜晶體管tft2可以是電路部的一部分，以控制在發(fā)光區(qū)ea1中的電信號的傳輸。

oled的對電極233布置在第一基底100的動作區(qū)aa1中。對電極233面對第一基底100布置，使得第一薄膜晶體管tft1和像素電極231在對電極233和第一基底100之間的空間內。

用于將電信號或電壓傳輸到像素的各種布線以及連接到布線的驅動器可以布置在圍繞第一基底100的動作區(qū)aa1的發(fā)光區(qū)ea1的區(qū)域中。例如，用于驅動沿y軸方向延伸的多條水平布線的水平電路部226可以布置在圍繞第一基底100的動作區(qū)aa1的發(fā)光區(qū)ea1的區(qū)域中。水平布線可以是用于傳輸掃描信號的連接到像素的掃描線。如圖1所示，包括水平電路部226的驅動器朝向第一基底100的焊盤區(qū)pa延伸，并且連接到布置在焊盤區(qū)pa中的焊盤部pad。

第一基底100可由玻璃材料、塑性材料或金屬材料形成。

薄膜晶體管可以布置在第一基底100的動作區(qū)aa1中。第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2中的每個可以包括有源圖案221、柵電極222、源電極223和漏電極224。

緩沖層212可以形成在第一基底100上。緩沖層212是防止雜質/雜質元素通過第一基底100侵入并在第一基底100上提供平坦的表面的層。緩沖層212可以由能夠執(zhí)行上述功能的各種材料形成。例如，緩沖層212可以包括無機材料或有機材料，并且可以形成為多個堆疊。

有源圖案221可以在緩沖層212上由諸如硅的無機半導體或有機半導體來形成。有源圖案221可以具源區(qū)、漏區(qū)以及在源區(qū)與漏區(qū)之間的溝道區(qū)。例如，當使用非晶硅形成有源圖案221時，在第一基底100的整個表面上形成非晶硅層，然后，將非晶硅層結晶化以形成多晶硅層，然后，將多晶硅層圖案化。在圖案化之后，將雜質摻雜到在圖案化的多晶硅層的邊緣處的源區(qū)和漏區(qū)中從而可以形成包括源區(qū)、漏區(qū)和在源區(qū)與漏區(qū)之間的溝道區(qū)的有源圖案221。

柵極絕緣膜213形成在有源圖案221上。柵極絕緣膜213可以由諸如sinx或sio2的無機材料形成，以使有源圖案221和柵電極222絕緣。

柵電極222形成在柵極絕緣膜213上的特定區(qū)域中。柵電極222連接到用于將開/關信號傳輸到第一薄膜晶體管tft1的掃描線。

柵電極222可以包括au、ag、cu、ni、pt、pd、al和/或mo或者諸如al:nd和/或mo:w的合金，但不限于此，并且柵電極222可以由考慮設計條件的各種材料形成。

掃描線與柵電極222形成在同一層上。此外，用于將掃描信號通過掃描線傳輸到對應的像素的水平電路部226可以與柵電極222布置在同一層上。掃描線可以由與柵電極222的材料相同的材料形成。

層間絕緣膜214形成在柵電極222上，以使柵電極222與源電極223絕緣并使柵電極222與漏電極224絕緣，層間絕緣膜214可以由諸如氮化硅sinx和/或氧化硅sio2的無機材料以單層或多層形成。

源電極223和漏電極224形成在層間絕緣膜214上。詳細而言，層間絕緣膜214和柵極絕緣膜213形成為暴露有源圖案221的源區(qū)和漏區(qū)，源電極223和漏電極224形成為分別接觸有源圖案221的暴露的源區(qū)和漏區(qū)。

用于將數據信號傳輸到對應的像素的布線和用于傳輸電源電壓的布線與源電極223和漏電極224形成在同一層上。布線大致平行于一個方向形成。例如，如圖1所示，布線可以在x軸方向上平行。

圖2示出了順序地包括有源圖案221、柵電極222、源電極223和漏電極224的頂柵型的薄膜晶體管。然而，本公開不限于此，柵電極222可以布置在有源圖案221下面。

保護膜215可以覆蓋第一薄膜晶體管tft1的源電極223和漏極224，從而保護第一薄膜晶體管tft1。保護膜215可以由無機材料形成，例如，通用聚合物pmma或ps、具有酚基團的聚合物衍生物、丙烯酰類聚合物、酰亞胺類聚合物、芳醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物和/或它們的共混物。

oled可以包括像素電極231中的一個、中間層232和對電極233。

像素電極231形成在保護膜215上，并且經由形成在保護膜215中的接觸孔230電連接到漏電極224。

像素電極231可以形成為透明或半透明電極，或者可以形成為反射電極。當像素電極231形成為透明/半透明電極時，像素電極231可以由例如ito、izo、zno、in2o3、igo和/或azo來形成。當像素電極231形成為反射電極時，像素電極231可以具有由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr和/或它們的混合物形成的反射膜以及由ito、izo、zno、in2o3、igo和/或azo形成的層。本公開不限于此，像素電極231可以由各種材料來形成。另外，像素電極231的結構可以以各種形式修改為單層或多層。

布置為面對像素電極231的對電極233可以形成為透明或半透明電極或者反射電極。當對電極233形成為透明/半透明電極時，對電極233可以包括由諸如li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg和/或它們的混合物的具有逸出功的金屬形成的層，并且可以包括由諸如ito、izo、zno和/或in2o3的材料形成的透明/半透明導電層。當對電極233形成為反射電極時，對電極233可以包括由li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg和/或它們的混合物形成的層。對電極233的結構和材料不限于此，并且其修改與公開的實施例相容。

因此，對電極233可以傳輸從包括在中間層232中的有機發(fā)光層發(fā)射的光。換言之，從有機發(fā)光層發(fā)射的光可以直接朝向對電極233傳輸，或者可被作為反射電極的像素電極231反射。

然而，根據本實施例的顯示設備不限于頂部發(fā)射型，可以改為包括從有機發(fā)光層朝向第一基底100發(fā)射光的底部發(fā)射型。當根據本實施例的顯示設備為底部發(fā)射型時，像素電極231可以形成為透明或半透明電極，對電極233可以形成為反射電極。此外，根據本實施例的顯示設備可以是通過頂表面和底表面沿相對方向發(fā)光的雙發(fā)射型。

像素限定膜216由絕緣材料形成在像素電極231上。像素限定膜216暴露像素電極231的特定區(qū)域，包括有機發(fā)光層的中間層232位于暴露的區(qū)域中。

中間層232除了包括有機發(fā)光層之外還可以選擇性地包括功能層，諸如空穴傳輸層(htl)、空穴注入層(hil)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)。

包括在中間層232中的有機發(fā)光層可以由低分子有機材料或聚合物有機材料形成。低分子有機材料可以包括銅酞菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基聯苯胺(npb)和/或三-8-羥基喹啉鋁(alq3)，反之，聚合物有機材料可以包括聚苯撐乙烯撐(ppv)類材料和/或聚芴類材料。

第二基底110布置在oled上方，并面對第一基底100。

第二基底110可以包括透明材料，并且與第一基底100類似，可以由玻璃材料和/或塑料材料來形成。第二基底110可以由與第一基底100的材料相同的材料形成。

密封構件310設置在第一基底100和第二基底110之間，以將第一基底100和第二基底110緊密結合。密封構件310形成在第一基底100的密封區(qū)sa1中，以圍繞第一基底100的動作區(qū)aa1。密封構件310密閉地密封第一基底100的動作區(qū)aa1，以防止?jié)駳饣蜓鯕馇秩氲轿挥趧幼鲄^(qū)aa1中的顯示部分中。此外，間隔件320可以布置在第一基底100和第二基底110之間，以保持在第一基底100與第二基底110之間的間隙。

密封構件310可以與包括在水平電路部226中的布線的至少一部分疊置。由于密封構件310被布置為盡可能地鄰近動作區(qū)aa1，所以可以減少顯示設備的無效空間(deadspace)。

可以通過在第一基底100或第二基底110的一個表面上沿第一基底100或第二基底110的邊緣形成密封構件圖案，然后通過將激光束照射到圖案上來熔化圖案以研制熔化的密封構件圖案而后將該圖案固化來形成密封構件310。密封構件310可以包括玻璃料。玻璃料可以包括釩(v)氧化物、鉍(bi)氧化物和/或其它各種材料。其它材料可以包括例如包含teo2、zno、bao、nb2o5、sio2、al2o3、zro2和/或p2o5的組中的至少一種。此外，密封構件310可以包括各種材料的填料，以改善密封的特性。

引導標記410形成在第二基底110的一個表面上。引導標記410位于密封構件310與第二基底110彼此疊置的區(qū)域中。換言之，第二基底110的引導標記410所處的區(qū)域被完全地包括在第二基底110的密封構件310所處的區(qū)域中。因此，引導標記410的沿y軸方向的寬度小于密封構件310的沿y軸方向的寬度。

引導標記410用于在形成密封構件310期間引導激光束照射在密封構件圖案的準確位置處。通常，激光束的能量具有高斯分布，其中，光束的中心部分的能量大于光束的邊緣部分處的能量。當激光束未照射在密封構件圖案的準確位置處時，那么在密封構件圖案中的溫度分布不規(guī)則，從而密封構件圖案不會充分熔化。因此，會劣化密封構件圖案與第一基底100和第二基底110的結合狀態(tài)。此外，當激光束朝向第一基底100的動作區(qū)aa1照射時，會損壞位于動作區(qū)aa1中的顯示部的有機膜。因此，根據本實施例，引導標記410形成在與第二基底110的密封構件圖案疊置的區(qū)域中，以使激光束可以沿密封構件圖案的縱向方向持續(xù)地照射在準確位置處。

在第二基底110的一個表面上形成引導標記410的方法之一中，首先，如圖2中所示，可以在第二基底110上形成上表面引導標記410a。換言之，上表面引導標記410a在第二基底110的表面上，該表面與第二基底110的接觸密封構件310且與密封構件310重疊的表面相對，第二基底110介于上表面引導標記410a與密封構件310之間。

上表面引導標記410a與觸摸屏面板的感測電極420以及與連接到感測電極420的觸摸屏布線形成在同一層上。此外，上表面引導標記410a可以由與觸摸屏布線相同的材料形成。觸摸屏布線可以由與感測電極420的材料相同或不同的材料形成。因此，上表面引導標記410a可以由諸如ito或izo的透明導電材料或者諸如mo、ti或al的金屬材料形成。

在第二基底110的一個表面上形成引導標記410的另一方法中，如圖3中所示，可以在第二基底110的與密封構件310接觸的表面上形成下表面引導標記410b。下表面引導標記410b可以由與上表面引導標記410a的材料相同或相似的材料形成。

在引導激光束的工藝中，上表面引導標記410a和下表面引導標記410b暴露于從第二基底110上面照射的激光束。因此，上表面引導標記410a和下表面引導標記410b可以由耐熱材料形成，使得它不熔化，從而它不被激光束的高溫能量損壞。

在下面的描述中，參照圖4至圖6描述在第二基底110的一個平面表面上的引導標記410的形狀和布置。引導標記410可以包括圖2的上表面引導標記410a和圖3的下表面引導標記410b兩者。

圖4是示意性示出圖1的部分a的放大視圖，圖5和圖6是示意性示出根據其他實施例的顯示設備的部分的放大視圖。

首先，參照圖4，引導標記410可以具有沿密封構件310的縱向方向延伸的形狀。如上所述，因為引導標記410沿著密封構件310的縱向方向引導激光束，所以引導標記410可以基本上平行于密封構件310的縱向方向來形成，即，可以沿著x軸方向形成。

引導標記410可以(例如，沿+y軸方向)形成在遠離密封構件310的中心的位置處。為了方便解釋，位于密封構件310的中心處并沿密封構件310的縱向方向延伸的虛擬線被假定為中心線cl1。如圖4所示，假設中心線cl1與第一基底100的動作區(qū)aa之間的距離為“d1”，并且假設引導標記410與第一基底100的動作區(qū)aa之間的距離為“d2”，那么“d2”比“d1”短。在這種狀態(tài)下，“d2”可以是從引導標記410的中心到動作區(qū)aa的邊緣的距離。

這樣，由于引導標記410被布置為從密封構件310的中心朝向動作區(qū)aa偏離或偏移，所以照射到引導標記410上的激光束也可以從密封構件310的中心朝向動作區(qū)aa偏移。因此，可以減小激光束對第一基底100和第二基底110的動作區(qū)aa的外部的熱影響。詳細而言，當第一基底100和第二基底110的外部被激光束過度影響時，會在切割期間在母基底的切割表面上產生裂紋。裂紋會逐漸蔓延到單元基底(即，第一基底100和第二基底110)的內部中，導致嚴重的問題。當母基底為玻璃材料時，會容易產生這樣的問題。因此，由于激光束的照射位置沿從密封構件310的中心向動作區(qū)aa的方向稍微偏移，所以可以減少或防止在第一基底100和第二基底110的邊緣中裂紋的產生以及已產生的裂紋朝著第一基底100和第二基底110的動作區(qū)aa蔓延。此外，由于母基底的切割位置朝向動作區(qū)aa移動，所以可以減小無效空間。然而，在設定引導標記410的位置時，注意防止動作區(qū)aa中的構成元件被激光束退化，這會是有用的。

如上所述在從密封構件310的中心沿y軸方向偏移的位置處形成引導標記410可被應用于下面的實施例及其修改示例。

返回參照圖1，引導標記410可以形成在沿y軸延伸的密封構件310的一部分上。在這種情況下，引導標記410可以具有與密封構件310的形狀對應的沿y軸方向延伸的形狀。例如，如圖1中所示，引導標記410可以形成在密封構件310的四條邊中的每條處。此外，引導標記410可以沿密封構件310的邊緣形成為封閉的曲線或周界。這與在隨后描述的實施例及其修改示例中的相同。

參照圖5，引導標記410可以包括多個標記411。標記411可被布置為沿密封構件310的縱向方向延伸。換言之，標記411可被布置為彼此間隔開，并且沿x軸方向近似地彼此平行或者彼此對齊。

參照圖6，引導標記410可以包括：多個第一標記411a，布置在沿密封構件310的縱向方向延伸的虛擬第一行r1中；多個第二標記411b，布置在沿密封構件310的縱向方向延伸的虛擬第二行r2中。在這種狀態(tài)下，第一行r1和第二行r2之間的距離為常量。因此，在沿第一行r1布置的第一標記411a與沿第二行r2布置的第二標記411b之間的間隙區(qū)g具有確定的寬度，激光束照射在間隙區(qū)g中。換言之，間隙區(qū)g可以形成在與圖4的引導標記410的位置相同的位置處，因此執(zhí)行與圖4的引導標記410相同的功能。因此，間隙區(qū)g可以形成在沿y軸方向(例如，+y軸方向)從密封構件310的中心偏移的位置處。

雖然圖6示出了第一標記411a和第二標記411b沿y軸方向彼此相鄰布置，但是本公開不限于此，第一標記411a和第二標記411b可以布置為以之字形圖案交替。

在下面的描述中，參照圖7至圖10在下面描述根據實施例的制造顯示設備的工藝。

圖7至圖10是示意性示出根據實施例的顯示設備的制造工藝的剖視圖。

首先，如圖7中所示，準備第一基底100，在第一基底100上形成顯示部。第一基底100包括動作區(qū)aa1和圍繞動作區(qū)aa1的密封區(qū)sa1。在動作區(qū)aa1中限定用于向外發(fā)射光的發(fā)光區(qū)ea1。在第一基底100的動作區(qū)aa1中形成顯示部。在發(fā)光區(qū)ea1中形成設置在顯示部中的oled。因為設置在oled和顯示部中的其它構成元件的制造工藝對于上述參照圖1至圖3提供的描述是冗余的，所以省略其描述。

接下來，如圖8中所示，準備第二基底110，在第二基底110的一個表面上形成上表面引導標記410a。在這種情況下，第二基底110可以包括動作區(qū)aa2和密封區(qū)sa2，分別對應于第一基底100的動作區(qū)aa1和密封區(qū)sa1。上表面引導標記410a位于第二基底110的密封區(qū)sa2內。換言之，第二基底110的形成有上表面引導標記410a的區(qū)域被第二基底110的密封區(qū)sa2完全圍繞。

可以在與觸摸屏面板的感測電極420和/或連接到感測電極420的觸摸屏布線同一層上形成上表面引導標記410a。此外，可以由與觸摸屏面板的感測電極420和/或觸摸屏布線的材料相同的材料形成上表面引導標記410a。在這種情況下，可以在同一工藝中形成上表面引導標記410a、感測電極420和/或觸摸屏布線。

雖然圖8示出了將上表面引導標記410a與感測電極420和/或觸摸屏布線形成在同一層上，但是本公開不限于此。換言之，如圖3中所示，可以在第二基底110的與第二基底110的形成感測電極420和/或觸摸屏布線的表面(例如，外表面)相對的表面(例如，內表面)上形成下表面引導標記410b。在這種情況下，可以在形成感測電極420和/或觸摸屏布線的工藝之外增加形成下表面引導標記410b的工藝。為了方便解釋，下面主要描述上表面引導標記410a與感測電極420和/或觸摸屏布線形成在同一層上的情況。

接下來，如圖9中所示，在第二基底110的密封區(qū)sa2中形成密封構件圖案311。在這種狀態(tài)下，形成密封構件圖案311，使得已經在第二基底110的一個表面上形成的上表面引導標記410a位于密封構件圖案311和第二基底110彼此重疊的區(qū)域中。換言之，第二基底110的上表面引導標記410a所處的區(qū)域被第二基底110的密封構件圖案311所處的區(qū)域完全地圍繞。

此外，形成密封構件圖案311，使得上表面引導標記410a與第二基底110的動作區(qū)aa2之間的距離比密封構件圖案311的中心與第二基底110的動作區(qū)aa2之間的距離短。為了方便解釋，假設位于密封構件圖案311的中心處并沿密封構件圖案311的厚度方向延伸(例如，沿z軸方向延伸)的虛擬線為中心線cl2。在這種情況下，形成密封構件圖案311，使得密封構件311的中心線cl2相比上表面引導標記410a與動作區(qū)aa2間隔開更遠。

接下來，如圖10所示，在第一基底100的上方布置第二基底110，使得第一基底100的密封區(qū)sa1面對第二基底110的密封區(qū)sa2。

然后，將激光束l照射到形成在第二基底110的一個表面上的上表面引導標記410a上，以使密封構件圖案311熔化。由于通過使用上表面引導標記410a引導激光束l，所以可以在密封構件圖案311的準確位置處照射激光束l。

在這種狀態(tài)下，可以將激光束l照射到如圖4和圖5所示的沿一行布置的引導標記410和411上。在另一示例中，可以將激光束l照射到以多行布置的引導標記上。例如，如圖6中所示，當沿第一行r1布置第一標記411a、沿緊鄰第一行r1的第二行r2布置第二標記411b時，可以將激光束l照射在第一標記411a和第二標記411b之間的間隙區(qū)g中。

然后，如圖1中所示，通過固化由激光束l熔化的密封構件圖案311來形成密封構件310。這樣，通過熔化然后固化密封構件圖案311的工藝，將密封構件310在-z軸方向上的一端和密封構件310在+z軸方向上的一端分別附著到第一基底100和第二基底110。因此，可以密封被第一基底100、第二基底110和密封構件310圍繞的顯示部。

如上所述，可以實現顯示設備，并可以實現其制造方法，所述顯示設備可改善密封構件與激光束之間的位置的精確度，并且還可減小密封構件之外的無效空間。

應該理解的是，在此描述的實施例應僅被視為描述性的含義，而非出于限制的目的。對每個實施例中的特征和方面的描述通常應該被認為可用于其它實施例中的其它相似的特征或方面。

盡管已經參照附圖描述了一個或更多個實施例，但是本領域普通技術人員將理解的是，在不脫離如權利要求及其等同物所限定的精神和范圍的情況下，可在其中做出形式上和細節(jié)上的各種變化。