技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種兩路雙向TVS二極管及其制作方法。包括：背電極、N+襯底、P?外延層、位于P?外延層中并列設(shè)置的兩個(gè)P阱、位于P阱兩側(cè)的N型隔離區(qū)、位于每個(gè)P阱中的P型摻雜區(qū)、位于每個(gè)P型摻雜區(qū)中的N型摻雜區(qū)、位于P?外延層表面的氧化層、氧化層中對(duì)應(yīng)每個(gè)N型摻雜區(qū)的位置設(shè)有接觸孔、兩個(gè)正面電極通過各自的接觸孔與對(duì)應(yīng)的N型摻雜區(qū)電連接、位于正面電極以及氧化層上方的鈍化層。兩個(gè)TVS二極管分別由N型摻雜區(qū)域、P型摻雜區(qū)域，P阱及N+襯底構(gòu)成，特有的NPN的結(jié)構(gòu)，使TVS二極管具備了雙向?qū)ΨQ的功能。兩個(gè)TVS之間由N型隔離區(qū)分開，且在器件的邊緣也有N型隔離，這使得器件中兩個(gè)二極管之前的漏電以及器件邊緣的漏電降到最低。

技術(shù)研發(fā)人員：徐遠(yuǎn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州矽航半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.08
技術(shù)公布日：2017.10.17