本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種有機電致發(fā)光顯示面板及其制備方法。

背景技術(shù)：

oled即有機發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode)，具備自發(fā)光、高亮度、寬視角、高對比度、可撓曲、低能耗等特性，因此受到廣泛的關(guān)注，并作為新一代的顯示方式，已開始逐漸取代傳統(tǒng)液晶顯示器，被廣泛應(yīng)用在手機屏幕、電腦顯示器、全彩電視等。oled顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的液晶顯示技術(shù)不同，無需背光，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時，這些有機材料就會發(fā)光。oled顯示器有諸多優(yōu)點，其中包括可實現(xiàn)柔性顯示，如以可繞曲的塑料基板等為載體，再配合薄膜封裝制程，即可實現(xiàn)可繞曲的oled面板。

頂發(fā)光型amoled顯示器，陰極對其性能有著至關(guān)重要的影響。陰極膜層應(yīng)有較好的透光性和較強的導(dǎo)電性。傳統(tǒng)的陰極材料只有在膜層很薄的情況下其透光性才會很好，但是膜層很薄時，往往會存在斷路或形成歐姆接觸，相應(yīng)的功耗就會增加；此外陰極層的厚度變薄，會導(dǎo)致amoled顯示出現(xiàn)亮度不均勻的問題。因此頂發(fā)光amoled的陰極需要同時考慮透光性和導(dǎo)電性的問題。為了減少功耗，傳統(tǒng)的針對陰極的改進主要是采用高導(dǎo)電性能的金屬材料做陰極，如金屬銀。在鍍膜過程中均勻鍍膜，通過調(diào)節(jié)金屬膜層的厚度來平衡金屬陰極的導(dǎo)電性和透光性。這種方法在滿足透光性的前提下，陰極的導(dǎo)電性還是較差，導(dǎo)致功耗偏高。

因此，如何能夠同時確保陰極的透光性和導(dǎo)電性，而且又能不增加oled器件的制備步驟已成為目前亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，提供一種有機電致發(fā)光顯示面板及其制備方法。該有機電致發(fā)光顯示面板的制備方法通過使金屬導(dǎo)電層與陰極相接觸，能夠減小陰極的電阻，同時防止能夠透光的膜層厚度較薄的陰極發(fā)生斷路或形成歐姆接觸，從而能夠在確保陰極良好透光性的同時提高陰極的導(dǎo)電性，進而提高有機電致發(fā)光顯示面板顯示的均勻性；其次，由于金屬導(dǎo)電層與保護層同時形成，所以不會額外增加有機電致發(fā)光顯示面板的制備步驟；另外，由于金屬導(dǎo)電層設(shè)置于像素限定層所在區(qū)域內(nèi)，所以不會影響有機電致發(fā)光顯示面板的像素開口率，同時還不會額外地增加有機電致發(fā)光顯示面板上表面的段差。

本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光顯示面板的制備方法，包括：在基底上依次形成陽極、像素限定層、有機發(fā)光功能層及陰極，所述像素限定層位于相鄰的像素區(qū)域之間且用于包圍每個所述像素區(qū)域，還包括：在所述基底上形成保護層，在對應(yīng)所述像素限定層的區(qū)域形成金屬導(dǎo)電層，所述金屬導(dǎo)電層埋設(shè)于所述保護層內(nèi)，且與所述陰極相接觸。

優(yōu)選地，所述在所述基底上形成保護層，同時在對應(yīng)所述像素限定層的區(qū)域形成金屬導(dǎo)電層包括：

在所述陰極上形成金屬膜層；

在所述金屬膜層上形成光刻膠掩膜層；所述光刻膠掩膜層對應(yīng)位于所述像素限定層所在區(qū)域；

對所述光刻膠掩膜層未覆蓋的所述金屬膜層進行氧化，使其形成所述保護層；

剝離掉所述光刻膠掩膜層，對所述光刻膠掩膜層覆蓋的所述金屬膜層部分進行部分氧化，使其表層形成所述保護層，其底層未被氧化的部分為所述金屬導(dǎo)電層。

優(yōu)選地，所述金屬導(dǎo)電層的材料包括鋁、鋅、錫、鉭或鈦；所述保護層的材料包括氧化鋁、氧化鋅、二氧化錫、五氧化二鉭或氧化鈦。

優(yōu)選地，對所述金屬膜層進行氧化包括：

通過在空氣中退火對所述金屬膜層進行氧化；

或者，采用等離子體氧化處理方法或陽極氧化處理方法對所述金屬膜層進行氧化。

優(yōu)選地，所述退火的溫度范圍為300～400℃，所述退火的時間范圍為1～2小時。

優(yōu)選地，所述光刻膠掩膜層的面積小于或等于所述像素限定層的面積。

優(yōu)選地，還包括在所述保護層上方先后形成緩沖層和封裝層。

優(yōu)選地，所述緩沖層采用聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇脂、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚砜、聚對苯二乙基砜、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂。

優(yōu)選地，所述封裝層采用氮化硅。

優(yōu)選地，在所述基底上形成所述陽極之前還包括：在所述基底上先后形成開關(guān)管、鈍化層和平坦化層，所述陽極與所述開關(guān)管的漏極連接。

本發(fā)明還提供一種有機電致發(fā)光顯示面板，包括：基底和依次設(shè)置在所述基底上的陽極、像素限定層、有機發(fā)光功能層和陰極，所述像素限定層位于相鄰的像素區(qū)域之間且用于包圍每個所述像素區(qū)域，還包括設(shè)置在所述陰極上方的金屬導(dǎo)電層和保護層，所述金屬導(dǎo)電層對應(yīng)位于所述像素限定層所在區(qū)域，所述金屬導(dǎo)電層和所述保護層同層設(shè)置，所述金屬導(dǎo)電層埋設(shè)于所述保護層內(nèi)，且與所述陰極相接觸。

優(yōu)選地，所述金屬導(dǎo)電層的面積小于或等于所述像素限定層的面積。

優(yōu)選地，還包括緩沖層和封裝層，所述緩沖層和所述封裝層依次設(shè)置于所述保護層的上方。

優(yōu)選地，還包括開關(guān)管、鈍化層和平坦化層，所述開關(guān)管、所述鈍化層和所述平坦化層設(shè)置在所述基底與所述陽極之間，且所述鈍化層位于所述開關(guān)管的上方，所述平坦化層位于所述鈍化層的上方，所述陽極與所述開關(guān)管的漏極連接。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光顯示面板的制備方法，通過使金屬導(dǎo)電層與陰極相接觸，能夠減小陰極的電阻，同時防止能夠透光的膜層厚度較薄的陰極發(fā)生斷路或形成歐姆接觸，從而能夠在確保陰極良好透光性的同時提高陰極的導(dǎo)電性，進而提高有機電致發(fā)光顯示面板顯示的均勻性；其次，由于金屬導(dǎo)電層與保護層同時形成，所以不會額外增加有機電致發(fā)光顯示面板的制備步驟；另外，由于金屬導(dǎo)電層設(shè)置于像素限定層所在區(qū)域內(nèi)，所以不會影響有機電致發(fā)光顯示面板的像素開口率，同時還不會額外地增加有機電致發(fā)光顯示面板上表面的段差。

本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光顯示面板，通過保護層能夠?qū)υ撚袡C電致發(fā)光顯示面板形成良好的封裝，通過使金屬導(dǎo)電層與陰極相接觸，能夠減小陰極的電阻，同時防止能夠透光的膜層厚度較薄的陰極發(fā)生斷路或形成歐姆接觸，從而能夠在確保陰極良好透光性的同時提高陰極的導(dǎo)電性，進而提高有機電致發(fā)光顯示面板顯示的均勻性；另外，由于金屬導(dǎo)電層設(shè)置于像素限定層所在區(qū)域內(nèi)，所以不會影響有機電致發(fā)光顯示面板的像素開口率；同時，由于金屬導(dǎo)電層埋設(shè)于保護層內(nèi)，所以不會額外地增加有機電致發(fā)光顯示面板上表面的段差。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例1中在基底上形成陰極以及陰極之前的各膜層的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖2為本發(fā)明實施例1中在基底上形成金屬膜層的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖3為本發(fā)明實施例1中在基底上形成光刻膠掩膜層的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖4為本發(fā)明實施例1中對光刻膠掩膜層未覆蓋的金屬膜層進行氧化后的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖5為本發(fā)明實施例1中對光刻膠掩膜層覆蓋的金屬膜層部分進行部分氧化形成金屬導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖6為本發(fā)明實施例1中形成緩沖層和封裝層的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖7為本發(fā)明實施例2中有機電致發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)俯視圖。

其中的附圖標(biāo)記說明：

1.基底；2.陽極；3.像素限定層；4.有機發(fā)光功能層；5.陰極；6.保護層；7.金屬導(dǎo)電層；8.開關(guān)管；81.漏極；82.柵極；83.柵絕緣層；84.有源層；85.刻蝕阻擋層；86.源極；9.平坦化層；10.鈍化層；11.金屬膜層；12.光刻膠掩膜層；13.緩沖層；14.封裝層；15.像素區(qū)域。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明所提供的一種有機電致發(fā)光顯示面板及其制備方法作進一步詳細描述。

實施例1：

本實施例提供一種有機電致發(fā)光顯示面板的制備方法，如圖1-圖6所示，包括：在基底1上依次形成陽極2、像素限定層3、有機發(fā)光功能層4及陰極5，像素限定層3位于相鄰的像素區(qū)域之間且用于包圍每個像素區(qū)域，還包括：在基底1上形成保護層6，在對應(yīng)像素限定層3的區(qū)域形成金屬導(dǎo)電層7，金屬導(dǎo)電層7埋設(shè)于保護層6內(nèi)，且與陰極5相接觸。

其中，像素區(qū)域?qū)?yīng)為像素單元中的子像素。

通過使金屬導(dǎo)電層7與陰極5相接觸，能夠減小陰極5的電阻，同時防止能夠透光的膜層厚度較薄的陰極5發(fā)生斷路或形成歐姆接觸，從而能夠在確保陰極5良好透光性的同時提高陰極5的導(dǎo)電性，進而提高有機電致發(fā)光顯示面板顯示的均勻性；其次，由于金屬導(dǎo)電層7與保護層6同時形成，所以不會額外增加有機電致發(fā)光顯示面板的制備步驟；另外，由于金屬導(dǎo)電層7設(shè)置于像素限定層3所在區(qū)域內(nèi)，所以不會影響有機電致發(fā)光顯示面板的像素開口率。

其中，在基底1上形成陽極2之前還包括：在基底1上先后形成開關(guān)管8、鈍化層10和平坦化層9，陽極2與開關(guān)管8的漏極81連接，如圖1所示。在基底1上形成開關(guān)管8包括在基底1上先后形成柵極82、柵絕緣層83、有源層84、刻蝕阻擋層85、源極86和漏極81的步驟，各個膜層均采用傳統(tǒng)的構(gòu)圖工藝制備而成，此處不再贅述。然后，采用傳統(tǒng)構(gòu)圖工藝在制備形成開關(guān)管8的基底1上先后制備形成鈍化層10和平坦化層9。由于基底1上各膜層在形成平坦化層9之前具有段差，而oled器件中后續(xù)將要形成的陽極2、陰極5以及有機發(fā)光功能層4需要制備形成在一個較為平坦的表面上，因此在鈍化層10上還需要制備平坦化層9。另外，平坦化層9能使制備形成的oled陣列基板更加平坦，從而使oled陣列基板便于封裝。該平坦化層9可采用樹脂等透過率較高的絕緣材料構(gòu)成，樹脂材料的平坦化層9的厚度設(shè)置為2～20um。

本實施例中，在制備形成開關(guān)管8、鈍化層10和平坦化層9的基底1上先后形成陽極2、像素限定層3、有機發(fā)光功能層4和能透光的陰極5的制備方法均采用傳統(tǒng)的構(gòu)圖工藝，此處不再贅述。其中，像素限定層3設(shè)置于平坦化層9上，像素限定層3位于相鄰的像素區(qū)域之間且包圍每個像素區(qū)域，像素限定層3可以由聚酰亞胺材料通過光刻或印刷形成。像素限定層3用于隔離相鄰的像素區(qū)域，像素限定層3同時覆蓋平坦化層9和與其同層設(shè)置的每個陽極2的四周邊緣部分，每個陽極2的中間部分露出，即像素限定層3在對應(yīng)每個陽極2中間部分的位置形成有凹槽(即有機電致發(fā)光顯示面板的開口區(qū)域)，在每個像素限定層3的凹槽中可蒸鍍形成有機發(fā)光功能層4(即紅、綠、藍三色的子像素)。有機發(fā)光功能層4包括：空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層等。有機發(fā)光功能層4上覆蓋有透明的oled金屬陰極5。由于陰極5的膜層厚度較薄，所以金屬陰極5能夠透光。

需要說明的是，本實施例中oled陣列基板上各膜層的設(shè)置為一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)設(shè)置，但oled陣列基板上各膜層的設(shè)置并不局限于本實施例中的該優(yōu)選方案。

本實施例中，在基底1上形成保護層6，同時在對應(yīng)像素限定層3的區(qū)域形成金屬導(dǎo)電層7包括：

步驟s101：在陰極5上形成金屬膜層11，如圖2所示。

該步驟中，通過磁控濺射的方式在oled金屬陰極5的上表面生長一層金屬薄膜，如鋁薄膜。當(dāng)然，該金屬薄膜的材料也可以是鋅、錫、鉭或鈦等金屬。

步驟s102：在金屬膜層11上形成光刻膠掩膜層12。光刻膠掩膜層12對應(yīng)位于像素限定層3所在區(qū)域。如圖3所示。

該步驟中，通過涂膠，曝光，顯影的方法，制作出光刻膠掩膜層12，光刻膠掩膜層12位于像素限定層3的正上方，且其面積小于或者等于像素限定層3的面積。如此設(shè)置，能使后續(xù)形成的金屬導(dǎo)電層7的面積小于或等于像素限定層3的面積，從而使金屬導(dǎo)電層7的設(shè)置不會影響有機電致發(fā)光顯示面板像素區(qū)域的開口率。

步驟s103：對光刻膠掩膜層12未覆蓋的金屬膜層11進行氧化，使其形成保護層6。如圖4所示。

該步驟中，對金屬膜層11進行氧化包括：通過在空氣中退火對金屬膜層11進行氧化。如通過在空氣中退火，控制退火時間和溫度，如控制退火的溫度在300～400℃之間，退火的時間為1～2小時，使得未被光刻膠掩膜層12覆蓋的金屬鋁薄膜完全氧化生成透明的氧化鋁薄膜(即保護層6)。氧化鋁是一種新型的iii-vi族寬禁帶半導(dǎo)體材料，氧化鋁薄膜在從紫外至中遠紅外光譜范圍內(nèi)透明度高、吸收小，具有良好的物理和化學(xué)性質(zhì)，是目前最常用的中折射率光學(xué)材料，通過控制成膜質(zhì)量，可以使制得的氧化鋁薄膜對光的吸收率極小，透過率非常高。該對金屬膜層11氧化的方法同樣適用于鋅、錫、鉭或鈦等金屬，制備形成的保護層6的材料相應(yīng)為氧化鋅、二氧化錫、五氧化二鉭或氧化鈦。

或者，該步驟中，也可以采用等離子體氧化處理方法或陽極氧化處理方法對金屬膜層11進行氧化。其中，如等離子體氧化處理方法是利用等離子體狀態(tài)的o2處理陣列基板上的金屬鋁層，將金屬鋁氧化成氧化鋁(al2o3)薄膜(即保護層6)。陽極氧化處理方法是以金屬鋁為陽極，以一石墨或者金屬鉑作為陰極，在陽極與陰極之間連接一恒壓或者恒流的電源，將陽極與陰極均浸泡于電解質(zhì)溶液中，該電解質(zhì)溶液為檸檬酸、酒石酸銨溶液等弱酸或弱堿溶液，對陽極與陰極進行通電后，陽極發(fā)生的電化學(xué)反應(yīng)為：2al+3h2o→al2o3+6e+6h⁺，陰極發(fā)生的電化學(xué)反應(yīng)為：6h2o+6e→3h2+6oh；即陽極發(fā)生的反應(yīng)為金屬氧化反應(yīng)，陽極氧化可以在常溫下進行，可在不耐高溫的柔性基底上制作，適用于柔性顯示器件制備，同時不需要昂貴的化學(xué)氣相沉積等高溫制程設(shè)備，能夠大大降低制備成本。該對金屬膜層11氧化的方法同樣適用于鋅、錫、鉭或鈦等金屬，制備形成的保護層6的材料相應(yīng)為氧化鋅、二氧化錫、五氧化二鉭或氧化鈦。

步驟s104：剝離掉光刻膠掩膜層12，對光刻膠掩膜層12覆蓋的金屬膜層11部分進行部分氧化，使其表層形成保護層6，其底層未被氧化的部分為金屬導(dǎo)電層7。如圖5所示。

該步驟中，剝離掉光刻膠掩膜層12，繼續(xù)利用步驟s103中的氧化金屬膜層11的方法氧化光刻膠掩膜層12剝離部分的金屬膜層11的上表面部分，金屬膜層11被光刻膠掩膜層12覆蓋的部分的表層被氧化，金屬膜層11被光刻膠掩膜層12覆蓋的部分的底層未被氧化，成為與oled金屬陰極5電連接的金屬導(dǎo)電層7，從而使制作出來的金屬導(dǎo)電層7埋設(shè)在透明的保護層6中，其中金屬導(dǎo)電層7的上表面的高度小于保護層6的上表面的高度。本實施例中，如金屬鋁薄膜被光刻膠掩膜層12覆蓋的部分的底層未被氧化，成為與oled金屬陰極5電連接的網(wǎng)格狀的鋁導(dǎo)電層。使制作出來的鋁導(dǎo)電層埋設(shè)在透明的氧化鋁薄膜中，其中鋁導(dǎo)電層的上表面的高度小于氧化鋁薄膜的上表面的高度，從而不會額外地增加有機電致發(fā)光顯示面板上表面的段差。

本實施例中，有機電致發(fā)光顯示面板的制備方法還包括在保護層6上方先后形成緩沖層13和封裝層14，如圖6所示。

其中，緩沖層13一般采用有機材料，如緩沖層13采用聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇脂、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚砜、聚對苯二乙基砜、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂等有機材料。封裝層14采用氮化硅。氮化硅對水和氧具有良好的阻隔性能。

另外，緩沖層13和封裝層14采用傳統(tǒng)的構(gòu)圖工藝制備而成，具體不再贅述。

實施例1的有益效果：實施例1中所提供的有機電致發(fā)光顯示面板的制備方法，通過使金屬導(dǎo)電層與陰極相接觸，能夠減小陰極的電阻，同時防止能夠透光的膜層厚度較薄的陰極發(fā)生斷路或形成歐姆接觸，從而能夠在確保陰極良好透光性的同時提高陰極的導(dǎo)電性，進而提高有機電致發(fā)光顯示面板顯示的均勻性；其次，由于金屬導(dǎo)電層與保護層同時形成，所以不會額外增加有機電致發(fā)光顯示面板的制備步驟；另外，由于金屬導(dǎo)電層設(shè)置于像素限定層所在區(qū)域內(nèi)，所以不會影響有機電致發(fā)光顯示面板的像素開口率，同時還不會額外地增加有機電致發(fā)光顯示面板上表面的段差。

實施例2：

基于實施例1中所提供的有機電致發(fā)光顯示面板的制備方法，本實施例提供一種采用該制備方法制備而成的有機電致發(fā)光顯示面板，如圖6和圖7所示，包括：基底1和依次設(shè)置在基底1上的陽極2、像素限定層3、有機發(fā)光功能層4和陰極5，像素限定層3位于相鄰的像素區(qū)域15之間且用于包圍每個像素區(qū)域15，還包括設(shè)置在陰極5上方的金屬導(dǎo)電層7和保護層6，金屬導(dǎo)電層7對應(yīng)位于像素限定層3所在區(qū)域，金屬導(dǎo)電層7和保護層6同層設(shè)置，金屬導(dǎo)電層7埋設(shè)于保護層6內(nèi)，且與陰極5相接觸。

其中，像素區(qū)域15對應(yīng)為像素單元中的子像素。

通過保護層6能夠?qū)υ撚袡C電致發(fā)光顯示面板形成良好的封裝，通過使金屬導(dǎo)電層7與陰極5相接觸，能夠減小陰極5的電阻，同時防止能夠透光的膜層厚度較薄的陰極5發(fā)生斷路或形成歐姆接觸，從而能夠在確保陰極5良好透光性的同時提高陰極5的導(dǎo)電性，進而提高有機電致發(fā)光顯示面板顯示的均勻性；另外，由于金屬導(dǎo)電層7設(shè)置于像素限定層3所在區(qū)域內(nèi)，所以不會影響有機電致發(fā)光顯示面板的像素開口率；同時，由于金屬導(dǎo)電層7埋設(shè)于保護層6內(nèi)，所以不會額外地增加有機電致發(fā)光顯示面板上表面的段差。

本實施例中，金屬導(dǎo)電層7的面積小于或等于像素限定層3的面積。如此設(shè)置，使金屬導(dǎo)電層7不會占用像素區(qū)域的開口面積，從而使金屬導(dǎo)電層7的設(shè)置不會影響有機電致發(fā)光顯示面板的像素開口率。

另外，本實施例中，有機電致發(fā)光顯示面板還包括開關(guān)管8、鈍化層10和平坦化層9，開關(guān)管8、鈍化層10和平坦化層9設(shè)置在基底1與陽極2之間，且鈍化層10位于開關(guān)管8的上方，平坦化層9位于鈍化層10的上方，陽極2與開關(guān)管8的漏極81連接。其中，開關(guān)管8包括依次疊覆在基底1上的柵極82、柵絕緣層83、有源層84、刻蝕阻擋層85、源極86和漏極81；鈍化層10和平坦化層9依次設(shè)置于源極86和漏極81的上方；陽極2通過開設(shè)在鈍化層10和平坦化層9中的過孔連接漏極81。其中，平坦化層9能使有機發(fā)光功能層4形成在一個較為平坦的表面上，同時還能使形成的oled陣列基板更加平坦，從而使oled陣列基板便于封裝。

本實施例中，像素限定層3設(shè)置于平坦化層9上，像素限定層3位于相鄰的像素區(qū)域15之間且包圍每個像素區(qū)域15，像素限定層3用于隔離相鄰的像素區(qū)域15，像素限定層3同時覆蓋平坦化層9和與其同層設(shè)置的每個陽極2的四周邊緣部分，每個陽極2的中間部分露出，即像素限定層3在對應(yīng)每個陽極2中間部分的位置形成有凹槽(即有機電致發(fā)光顯示面板的開口區(qū)域)，在每個像素限定層3的凹槽中設(shè)置有有機發(fā)光功能層4(即紅、綠、藍三色的子像素)。有機發(fā)光功能層4包括：空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層等。有機發(fā)光功能層4上覆蓋有透明的oled金屬陰極5。由于陰極5的膜層厚度較薄，所以金屬陰極5能夠透光。

本實施例中，有機電致發(fā)光顯示面板還包括緩沖層13和封裝層14，緩沖層13和封裝層14依次設(shè)置于保護層6的上方。其中，緩沖層13一般采用有機材料，封裝層14采用氮化硅材料，緩沖層13和封裝層14的設(shè)置，能夠?qū)led器件形成進一步的封裝保護，防止水和氧入侵至oled器件內(nèi)部。

實施例2的有益效果：實施例2中所提供的oled器件，通過保護層能夠?qū)υ撚袡C電致發(fā)光顯示面板形成良好的封裝，通過使金屬導(dǎo)電層與陰極相接觸，能夠減小陰極的電阻，同時防止能夠透光的膜層厚度較薄的陰極發(fā)生斷路或形成歐姆接觸，從而能夠在確保陰極良好透光性的同時提高陰極的導(dǎo)電性，進而提高有機電致發(fā)光顯示面板顯示的均勻性；另外，由于金屬導(dǎo)電層設(shè)置于像素限定層所在區(qū)域內(nèi)，所以不會影響有機電致發(fā)光顯示面板的像素開口率；同時，由于金屬導(dǎo)電層埋設(shè)于保護層內(nèi)，所以不會額外地增加有機電致發(fā)光顯示面板上表面的段差。

本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光顯示面板可以為有機電致發(fā)光電視、顯示器、手機、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。