專利名稱：制作高壓雙向觸發(fā)二極管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制作高壓雙向觸發(fā)^^及管的方法，制得的二極管特別適 用于高壓氖燈的啟動(dòng)以及點(diǎn)亮線路的領(lǐng)域中。
背景技術(shù)：
目前，電器行業(yè)朝著高集成、高電壓、大功率的方向M。現(xiàn)有制作高
壓雙向觸發(fā)二極管的方法，包括化學(xué)和才;l4成拋光、硼擴(kuò)散、氧化、 一次光刻、 褲擴(kuò)散、二次光刻、 一次玻璃燒涂、二次玻璃燒涂、三次光刻、蒸發(fā)金屬、
劃片、酸洗和封裝，才能制得產(chǎn)品?，F(xiàn)有制作方法存在下述缺點(diǎn)①由于需 要多次玻璃燒#多次光刻，因而制作步驟繁多、復(fù)雜；②由于采用的是化 學(xué)和才;ia拋光，不Y又生產(chǎn)成^4交高，還^損傷石圭片；③由于光刻必須在1000 級(jí)或者更高的環(huán)境中制造，因而制作^f牛要求較高，也導(dǎo)致成本高；④由于 用現(xiàn)有工藝制作的二極管芯片的PN結(jié)結(jié)深比較淺，抗燒蝕能力較低，使得 二歐管的可靠性較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是:提供一種操作工序簡化、生產(chǎn)成本低、產(chǎn)品電性能改善 的制作高壓雙向觸發(fā)二極管的方法。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是 一種制作高壓雙向觸發(fā)二極管的方法， 其特點(diǎn)在于，按下述步驟依次處理原并+石圭片化學(xué)拋光—硼擴(kuò)散—掩膜氧化 —雙面 一次光刻—磷擴(kuò)散—鍍鎳及合金化—?jiǎng)澠附印嵯础Ｗo(hù)—封 裝后，制得高壓雙向觸發(fā)二極管成品；所述化學(xué)拋光步驟是將原料珪片用腐 蝕液在常溫下均勻腐蝕3 ~ 5 ^中后，經(jīng)多次清洗并干燥得到表面為亞光的硅 片，其中所用腐蝕H由氫氟酸、水乙酸和硝酸按體積比l: 1~3: 25~30混 合形成的；所述酸洗步驟^混合酸液浸泡腐蝕焊接步驟得到的硅片的外周， 形成腐蝕層而獲得電性能，其中所用混合酸液是由氫氟酸、硝酸、乙酸和硫 酸按體積比9: 9: 9~15: 4混合形成的。
上述方法中，所述步驟的主要控制條件如下所述硼擴(kuò)散步驟形成的硼 擴(kuò)M厚度為60t5Mm;所述掩膜氧化步驟形成的氧化a錄度至少為1.2nm; 所述雙面一次光刻步驟是至少在1萬級(jí)凈化環(huán)境下進(jìn)行雙面光刻，形成第一 光刻圖形和第二光刻圖形，其尺寸均為400(orn x 800(am,第一光刻圖形和第 二光刻圖形兩者的內(nèi)側(cè)邊線的水平垂直距離為0.05mm 0.3mm;所述磷擴(kuò)散 步驟是磷原子在第一光刻圖形和第二光刻圖形內(nèi)擴(kuò)散形成^勒廣散層，其厚度為15~18(om;所述鍍4l^^合金化步驟是先用漂洗液漂洗，再用4ft鎳液形成 鎳金屬層，其厚度為3~4畔，然后將得到的具有4臬金屬層的石圭片;^A600土3 'C的氮?dú)鉅t內(nèi)完成合^^匕。
上述方法中，所述鍍4^A合金化步驟使用的漂洗液是由氫氟酸和去離子 7]<*氫氟酸去離子水二lml : 15ml組成;鍍鎳使用的鍍鎳液是由A液和B 液組成，A液和B液的配比為4L: 140 ~ 180ml,其中A液是氯化鎳、氯化 銨、檸檬酸氫二銨、次亞磷酸鈉和去離子水的混合液，其配比為氯化鎳氯 化銨4寧檬酸氫二4妄次亞石舞酸鈉去離子7j^30g : 50g : 65g : 10g :1000ml， B液是氨水。
所述原料硅片是由N型單晶棒經(jīng)過線切割成為圓硅片，其電阻率 p=4±in.cm,厚度為200土10iom。 上述方法的具體"l喿作如下 (一 )準(zhǔn)備原料
① 制備硅片:將采購的N型單晶棒經(jīng)過線切割成圓形作為原料硅片，其電 阻率p=4±lQ.cm，厚度為200土10nm;
② 配制化學(xué)拋光步驟使用的腐蝕液按氫氟酸、冰乙酸和硝酸體積比l: 1~3: 25 30〉V給均勻；
③ 配制鍍to合金化步驟使用的漂洗液按氫氟酸去離子水=1 : 15 的配比混合均勻；
④ 配制鍍4I^^合金化步驟使用的鍍鎳液A液按氯化鎳氯化銨檸檬 酸氯二銨次亞石岸酸鈉去離子水-30g : 50g : 65g : 10g :1000ml配比混合均 勻；
⑤ 配制酸洗步驟使用的混合酸液按氫氟酸、硝酸、醋酸和石克酸體積比 9: 9: 9~15: 4混合均勻;
⑥ 配制光刻步驟使用的腐蝕液按氫氟酸氟化銨水=3: 6: 9 〉V曰d^ 均勻；
⑦ 用采購的硅橡膠作為保護(hù)膠；用采購的環(huán)氧模塑料作為封彩f牛； (二 )按下述步驟依次處理原料硅片
(a) 化學(xué)拋光
將原料硅片放入腐蝕液中，在常溫下均勻腐蝕3-5分鐘后，放入清洗 機(jī)內(nèi)清洗多次，然后再^A漂洗槽內(nèi)用常溫去離子水沖洗，將硅片甩干，再 ^L^90~ ll(TC的烘箱干燥至少半小時(shí)，取出得到表面為亞光的硅片；
(b) 硼擴(kuò)散
每兩個(gè)步驟(a)得到的硅片之間夾一張硼紙，^/^5英舟內(nèi)后，i^v擴(kuò) 散爐內(nèi)，擴(kuò)散爐溫度設(shè)定在1240土rC,直至在硅片的上、下表面均形成厚度為60±5Mm的硼擴(kuò)散層為止；
(c) 掩膜氧化
將步驟(b)得到的具有硼擴(kuò)^b&的硅片^A高溫爐內(nèi)，采用干氧、濕 氧和干氧的方式，在硼擴(kuò)M表面形成氧化膜，其厚度至少為1.2^m;
(d) 雙面一次光刻
將步驟(c)得到的具有氧化膜的硅片的上表面和下表面進(jìn)行勻膠，然后 放入烘箱內(nèi)，預(yù)烘干、烘烤后，在至少1萬級(jí)凈化環(huán)境中進(jìn)行雙面光刻、顯 影、堅(jiān)膜、冷卻，然后用光刻腐蝕液腐蝕掉光刻圖形部位的氧化膜，再用熱 硝酸去膠并清洗，最后再清洗一次，在步驟(c)得到的具有氧化膜的硅片的 上表面和下表面形成第一光刻圖形和第二光刻圖形，其尺寸均為400nmx 800[om,第一光刻圖形和第二光刻圖形兩者的內(nèi)側(cè)邊線的水平垂直距離為 0.05mm 0.3mm;
(e) 磷擴(kuò)散
每兩個(gè)步驟(d)得到的光刻后的硅片之間夾一張磷紙，磷紙放在光刻圖 形表面，^^5英舟內(nèi)后，i^擴(kuò)散爐內(nèi)，擴(kuò)散爐的溫度設(shè)定在1160土rC， 磷原子在第一光刻圖形和第二光刻圖形內(nèi)擴(kuò)散，直至形成厚度為15~18nm 的磷擴(kuò)，為止；
(f) 鍍4議合金化
將步驟(e)得到的^岸擴(kuò)散后的石圭片，先用光刻腐蝕液腐蝕掉硼擴(kuò)M表 面剩余的氧化膜，然后依次用去離子水沖洗、漂洗液漂洗、去離子水沖洗后， 浸入溫度為70 ~ 90。C的鍍鎳液的A液中，加/vlft4臬液的B液使鍍鎳液的pH 值達(dá)到8,在磷擴(kuò)散后的硅片的上、下最外表面形成鎳金屬層，其厚度為 3-4nm，然后將得到的具有鎳金屬層的硅片》認(rèn)600 ± 3 。C的氮?dú)鉅t內(nèi)完成合 金化；
(g) 劃片
將步驟(f)得到的合金化后的硅片》1^劃片機(jī)內(nèi)，按預(yù)先設(shè)定的尺寸進(jìn) 行切割；
(h) 焊接
在步驟(g)得到的切割后的硅片的上、下最外表面，用焊接劑焊粉同質(zhì) 帶引線的電極；
(i) 酸洗
用混合酸液浸泡腐蝕步驟(h)得到的帶有電極的硅片外周，形成腐蝕層 而獲得電性能； (j)保護(hù)
對(duì)步驟(i)得到的腐蝕層，用保護(hù)膠覆蓋，穩(wěn)定已獲得的電性能；(k)封裝
用封裝料將步驟(j)得到的半成品進(jìn)行封裝，除了部分引線棵露外，其 余部分4^被封裝料包裹，成型后形成封裝體，從而制得成品高壓雙向觸發(fā)
本發(fā)明的技術(shù)效果是由于只需通過化學(xué)拋光—硼擴(kuò)散—掩膜氧化—雙 面 一次光刻—磷擴(kuò)散—鍍鎳及合金化—?jiǎng)澠附印嵯础Ｗo(hù)—封裝即 可得到高壓雙向觸發(fā)二f及管，簡化了操作工序，因而本發(fā)明制作方法的總成
本約是現(xiàn)有制作方法總成本的三分之一；由于采用化學(xué)拋光工藝，不僅降低 了生產(chǎn)成本，還保證不損傷硅片；由于采用一次雙面光刻，且在l萬級(jí)的凈 化環(huán)境中進(jìn)行光刻，就可以得到電壓(230V)高于用現(xiàn)有方法制得的二才及管 產(chǎn)品，不僅降低了制造要求、降低了成本，還提高了產(chǎn)品質(zhì)量；由于對(duì)焊才妄 步驟得到的硅片的外周進(jìn)行了酸洗形成腐蝕層，因而芯片的結(jié)深比較深，增 強(qiáng)了芯片的抗燒蝕能力，提高了芯片的可靠性。


圖1是本發(fā)明方法制作的高壓雙向觸發(fā)二才及管的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明制作方法作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，但不 局限于此。
實(shí)施例所用原料除另有說明外，均為半導(dǎo)體行業(yè)常規(guī)使用的原料且均為 市售品。其中所用磷紙主要成分為氧化磷，規(guī)恭為p75xk;所用硼紙主要成 分為硼，頰j各是B40xto。
實(shí)施例制作高壓雙向觸發(fā)二極管
(一 )準(zhǔn)備原料
① 制備硅片:將采購的N型單晶棒經(jīng)過線切割成圓形作為原料硅片，其電 阻率p=4±iacm,厚度為200土10jam;
② 配制化學(xué)拋光步驟使用的腐蝕液按氬氟酸、水乙酸和硝酸體積比l: 1: 2: 27';t曰^均勻；
③ 配制鍍4I^^合金化步驟使用的漂洗液按氫氟酸去離子水=1 : 15 的配比混合均勻；
④ 配制鍍4I^合金化步驟使用的鍍鎳液A液按氯化鎳氯化銨檸檬 酸氪二銨次亞石岸酸鈉去離子水二30g : 50g : 65g : 10g :1000ml配比混合均 勻；
⑤ 配制酸洗步驟佳月的混合酸液按氫氟酸、硝酸、醋酸和碌u酸體積比 9: 9: 12: 4〉V曰c^均勻；
⑥ 配制光刻步驟使用的腐蝕液按氫氟酸氟化銨水=3: 6: 9混合均勻；
⑦用采購的硅橡膠作為保護(hù)膠；用采購的環(huán)^i莫塑料作為封^^; (二)按下述步驟依次處理原料硅片
(a) 化學(xué)拋光
將原料硅片力t/v腐蝕液中，在常溫下均勻腐蝕3~5分鐘后，放入清洗 機(jī)內(nèi)清洗多次即注入70-9(TC洗滌液，超聲波清洗20^4中，去離子水換水 沖洗5分鐘以上，1: 1的氫氟酸水溶液漂洗1分鐘，去離子水自動(dòng)換水沖洗 三次以上；清洗機(jī)內(nèi)注入70-90。C洗滌液，超聲波清洗20分鐘,去離子水自 動(dòng)換水沖洗三次以上；清洗機(jī)內(nèi)注入70 ~ 90。C去離子水，超聲波清洗20分 鐘，去離子水自動(dòng)換水沖洗三次以上；清洗機(jī)內(nèi)注入70 9(TC去離子水，超 聲波清洗20分鐘，1: 9氫氟酸7^溶液漂洗30秒；然后再放入漂洗槽內(nèi)用常 溫去離子水至少?zèng)_洗8次，將石圭片甩干，再力文入90 11(TC的烘箱干燥至少 半小時(shí)，取出得到表面為亞光的硅片1;
(b) 硼擴(kuò)散
每兩個(gè)步驟(a)得到的化學(xué)拋光后的硅片l之間夾一張硼紙，^石英 舟內(nèi)后，iM^擴(kuò)散爐內(nèi)，擴(kuò)散爐溫度設(shè)定在1240土rC，直至在化學(xué)拋M的 硅片1的上、下表面均形成厚度為60土5^m的硼擴(kuò)M 2為止；
(c) 掩膜氧化
將步驟(b)得到的具有硼擴(kuò)"RJr2的硅片1 i^v高溫爐內(nèi)，采用干氧、 濕氧和干氧的方式，在硼擴(kuò)散層2表面形成氧化膜，其厚度至少為1.2fom;
(d) 又又面一次光刻
將步驟(c)得到的具有氧化膜的硅片1的上表面和下表面進(jìn)行勻膠，然 后力人烘箱內(nèi)，預(yù)烘干、烘烤后，在至少1萬級(jí)凈化環(huán)境中進(jìn)行雙面光刻、 顯影、堅(jiān)膜、冷卻，然后用光刻腐蝕液腐蝕掉光刻圖形部位的氧化膜，再用 熱硝酸去膠并清洗，最后再清洗一次，在步驟(c)得到的具有氧化膜的硅片 1的上表面和下表面形成第一光刻圖形3 - 1和第二光刻圖形3 - 2，其尺寸均 為400|om x 800[irn,第一光刻圖形3 - 1和第二光刻圖形3 -2，兩者的內(nèi)側(cè) 邊線的水平垂直距離為O.lmm;
每兩個(gè)步驟(d)得到的光刻后的硅片l之間夾一張磷紙，磷紙放在第一 光刻圖形3-l和第二光刻圖形3-2表面，^^S英舟內(nèi)后，^X擴(kuò)散爐內(nèi)， 擴(kuò)散爐的溫度設(shè)定在1160土rC，磷原子在第一光刻圖形3 - 1和第二光刻圖 形3 - 2內(nèi)擴(kuò)散，直至形成厚度為15 ~ 18nm的磷擴(kuò)M 4為止； (f)鍍!級(jí)合金化
將步驟(e)得到的磷擴(kuò)散后的硅片1,先用光刻腐蝕液腐蝕掉硼擴(kuò)M2表面剩余的氧化膜，然后依次用去離子水沖洗、漂洗液漂洗、去離子水沖 洗后，浸入溫度為70 90。C的鍍鎳液的A液中，加入444臬液的B液{吏4^鎳 液的pH值iiJU8，在磷擴(kuò)散后的硅片l的上、下最外表面形成鎳金屬層5， 其厚度為3~4|im,然后將得到的具有鎳金屬層5的硅片1 it/v 600 ± 3。C的氮 氣爐內(nèi)，放置半小時(shí)完成合^M匕；
(g) 片
將步驟(f)得到的合金化后的硅片1力l/v劃片機(jī)內(nèi)，按預(yù)先設(shè)定的尺寸 進(jìn)行切割；
(h) 焊接
在步驟(g)得到的切割后的硅片l的上、下最外表面，用焊接劑6焊接 銅質(zhì)帶引線7-1的電才及7;
(i) 酸洗
用-;t曰洽酸液浸泡腐蝕步驟(h)得到的帶有電極的硅片l外周，形成腐蝕 層8而獲得電性能； (j)保護(hù)
對(duì)步驟(i)得到的腐蝕層8，用保護(hù)膠9覆蓋，穩(wěn)定已獲得的電性能； (k)封裝
用封裝料將步驟(j)得到的半成品進(jìn)行封裝，除了部分引線7-1棵露 外，其余部分^被封裝料包裹，成型后形成封裝體10，從而制得成品高壓 雙向觸發(fā)^4及管。
本發(fā)明的制作方法中，鍍4^A合金化步驟也可以根據(jù)客戶要求，采用現(xiàn) 有鍍金、鍍銀、或鍍柏方法代#^鎳，然后再合金化。
權(quán)利要求
1、一種制作高壓雙向觸發(fā)二極管的方法，其特征在于，按下述步驟依次處理原料硅片化學(xué)拋光→硼擴(kuò)散→掩膜氧化→雙面一次光刻→磷擴(kuò)散→鍍鎳及合金化→劃片→焊接→酸洗→保護(hù)→封裝后，制得高壓雙向觸發(fā)二極管成品；所述化學(xué)拋光步驟是將原料硅片用腐蝕液在常溫下均勻腐蝕3～5分鐘后，經(jīng)多次清洗并干燥得到表面為亞光的硅片(1)，其中所用腐蝕液是由氫氟酸、冰乙酸和硝酸按體積比1∶1～3∶25～30混合形成的；所述酸洗步驟是用混合酸液浸泡腐蝕焊接步驟得到的硅片(1)的外周，形成腐蝕層(8)而獲得電性能，其中所用混合酸液是由氫氟酸、硝酸、乙酸和硫酸按體積比9∶9∶9～15∶4混合形成的。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟的主要控制條件 如下所述硼擴(kuò)散步驟形成的硼擴(kuò)散層(2)厚度為60i5nm;所述掩膜氧化步驟形成的氧化,度至少為1.2Mm;所述雙面一次光刻步驟是至少在1萬級(jí)凈化環(huán)境下進(jìn)行雙面光刻，形成 第一光刻圖形(3 - 1)和第二光刻圖形(3 - 2 )，其尺寸均為400nm x 800阿， 第一光刻圖形(3-1)和第二光刻圖形(3-2)兩者的內(nèi)側(cè)邊線的7K平垂直 if巨離為0.05mm 0.3mm;所述磷擴(kuò)散步驟是磷原子在第一光刻圖形(3 - 1)和第二光刻圖形(3 -2)內(nèi)擴(kuò)^:形成石岸擴(kuò)絲(4),其厚度為15 ~ 18Mm;所述鍍鎳及合金化步驟是先用漂洗液漂洗，再用鍍鎳液形成鎳金屬層 (5),其厚度為3^4jom, ^A600土3。C的氮?dú)鉅t內(nèi)完成合金化。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述鍍4^^合金化步驟 使用的漂洗液是由氫氟酸和去離子水按氫氟酸去離子水4ml : 15ml組成； 鍍鎳使用的鍍鎳液是由A液和B液組成，A液和B液的配比為4L: 140 ~ 180ml,其中A液是氯化鎳、氯化銨、杼檬酸氫二銨、次亞石岸酸鈉和去離子 水的混合液，其配比為氯化4臬氯化銨檸檬酸氫二銨次亞石舞酸鈉去離 子水-30g : 50g : 65g : 10g :1000ml， B液是氨水。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述原料硅片是由N型 單晶棒經(jīng)過線切割成為圓形硅片，其電阻率p^4土iacm,厚度為200土10fam。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，具體才喿作如下 ( 一 )準(zhǔn)備原料①制備硅片:將采購的N型單晶棒經(jīng)過線切割成圓形作為原料硅片，其電阻率p=4±lQ.cm,厚度為200土10jjm;② 配制化學(xué)拋光步驟使用的腐蝕液按氫氟酸、冰乙酸和硝酸體積比l: 1~3: 25 30^曰^均勻；③ 配制鍍lfc^合金化步驟使用的漂洗液按氬氟酸去離子水=1 : 15 的配比〉V曰t/^均勻；④ 配制鍍4^A合金化步驟使用的鍍鎳液A液按氯化鎳氯化銨杵檬 酸氫二銨次亞石岸酸鈉去離子7K;30g : 50g : 65g : 10g :1000ml配比混合均 勻；⑤ 配制酸洗步驟使用的混合酸液按氫氟酸、硝酸、醋酸和石克酸體積比 9: 9: 9~15: 4混合均勻；⑥ 配制光刻步驟使用的腐蝕液按氫氟酸氟化銨水=3: 6: 9混合均勻；⑦ 用采購的硅橡膠作為保護(hù)膠；用采購的環(huán)^^莫塑^H乍為封^f牛； (二 )按下述步驟依次處理原料硅片(a) 化學(xué)拋光將原料硅片it^腐蝕液中，在常溫下均勻腐蝕3~5分鐘后，放入清洗 機(jī)內(nèi)清洗多次，然后再》tA漂洗槽內(nèi)用常溫去離子水沖洗，將硅片甩千，再 ^^v90-110。C的烘箱干燥至少半小時(shí)，取出得到表面為亞光的硅片(1);(b) 硼擴(kuò)散每兩個(gè)步驟(a)得到的化學(xué)拋光后的硅片(l)之間夾一張硼紙， 石英舟內(nèi)后，3^/v擴(kuò)散爐內(nèi)，擴(kuò)散爐溫度設(shè)定在1240土rC,直至在化學(xué)拋光 后的硅片(1)的上、下表面均形成厚度為60土5^m的硼擴(kuò)散層(2)為止；(c) 掩膜氧化將步驟(b)得到的具有硼擴(kuò)散層(2)的硅片(1)送入高溫爐內(nèi)，采 用干氧、濕氧和干氧的方式，在硼擴(kuò)散層(2)表面形成氧化膜，其厚度至少 為1.2(om;(d) 雙面一次光刻將步驟(c)得到的具有氧化膜的硅片(1)的上表面和下表面進(jìn)行勻膠， 然后放入烘箱內(nèi)，預(yù)烘干、烘烤后，在至少1萬級(jí)凈化環(huán)境中進(jìn)行雙面光刻、 顯影、堅(jiān)膜、冷卻，然后用光刻腐蝕液腐蝕掉光刻圖形部位的氧化膜，再用 熱硝酸去膠并清洗，最后再清洗一次，在步驟(c)得到的具有氧化膜的硅片 (1)的上表面和下表面形成第一光刻圖形(3 - 1)和第二光刻圖形(3 - 2), 其尺寸均為400拜x 800拜，第一光刻圖形(3 - 1)和第二光刻圖形(3 - 2) 兩者的內(nèi)側(cè)邊線的水平垂直距離為0.05mm 0.3mm;(e) 磷擴(kuò)散每兩個(gè)步驟(d)得到的光刻后的硅片(l)之間夾一張磷紙，磷紙放在第一光刻圖形(3-l)和第二光刻圖形(3-2)表面，^/v^英舟內(nèi)后，送 入擴(kuò)散爐內(nèi)，擴(kuò)散爐的溫度設(shè)定在1160土rC,磷原子在第一光刻圖形(3-1) 和第二光刻圖形(3-2)內(nèi)擴(kuò)散，直至形成厚度為15-18拜的磷擴(kuò)絲(4) 為止；(f) 鍍敘合金化..將步驟(e)得到的磷擴(kuò)散后的硅片(1),先用光刻腐蝕液腐蝕掉硼擴(kuò)散 層(2)表面剩余的氧化膜，然后依次用去離子水沖洗、漂洗液漂洗、去離子 水沖洗后，浸入溫度為70 90。C的鍍鎳液的A液中，加入鍍鎳液的B液使 鍍鎳液的pH值ii^8,在磷擴(kuò)^的硅片(1)的上、下最外表面形成鎳金 屬層(5),其厚度為3 4nm,然后將得到的具有鎳金屬層(5)的硅片(1) 》t/v 600 ± 3 。C的氮?dú)鉅t內(nèi)完成合金化；(g) 劃片將步驟(f)得到的合金化后的硅片(1)^A劃片機(jī)內(nèi)，按預(yù)先設(shè)定的 尺寸進(jìn)行切割；(h) 焊接在步驟(g)得到的切割后的硅片(l)的上、下最外表面，用焊接劑(6) 焊#4同質(zhì)帶引線(7-1)的電極(7);(i) 酸洗用混合酸液浸泡腐蝕步驟(h)得到的帶有電極(7)的硅片(1)外周，形 成腐蝕層(8)而^y尋電性能； (j)保護(hù)對(duì)步驟(i)得到的腐蝕層(8),用保護(hù)膠(9)覆蓋，穩(wěn)定已獲得的電 性能；(k)封裝用封裝料將步驟(j)得到的半成品進(jìn)行封裝，除了部分引線(7 - 1)棵露外，其^分4^被封^^牛包裹，成型后形成封裝體(io),從而制得成品高壓雙向觸發(fā)二極管。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制作高壓雙向觸發(fā)二極管的方法，該方法按下述步驟依次處理原料硅片化學(xué)拋光→硼擴(kuò)散→掩膜氧化→雙面一次光刻→磷擴(kuò)散→鍍鎳及合金化→劃片→焊接→酸洗→保護(hù)→封裝后，制得高壓雙向觸發(fā)二極管成品；其化學(xué)拋光步驟是將原料硅片用腐蝕液在常溫下均勻腐蝕3～5分鐘后，經(jīng)多次清洗并干燥得到表面為亞光的硅片(1)，其中所用腐蝕液是由氫氟酸、冰乙酸和硝酸按體積比1∶1～3∶25～30混合形成的；其酸洗步驟是用混合酸液浸泡腐蝕焊接步驟得到的硅片(1)外周，形成腐蝕層(8)而獲得電性能，其中所用混合酸液是由氫氟酸、硝酸、乙酸和硫酸按體積比9∶9∶9～15∶4混合形成的。工序簡化，成本低，性能可靠，抗燒蝕。
文檔編號(hào)H01L21/329GK101593693SQ20091003164
公開日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2009年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月19日
發(fā)明者唐國琴, 良 孫, 王興龍 申請(qǐng)人:常州銀河電器有限公司