技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于導電基底直接生長氮摻雜碳?鈷復合物微片陣列的超級電容器負極及其制備方法，所述負極包括導電基底、N摻雜碳微片，所述導電基底呈多孔狀，所述N摻雜碳微片呈葉片狀并陣列垂直分布于導電基底上，所述N摻雜碳微片包含均勻分布的Co納米粒子。發(fā)明公開的負極結(jié)構(gòu)氮摻雜碳?鈷復合物微片陣列直接生長在導電基底上，其具有很高的電子遷移率，有利于實現(xiàn)快速充放電，將所述負極進行電化學性質(zhì)測試，在不同的掃速下，所述電極的循環(huán)伏安均顯示相似的矩形形狀，不同的電流密度下充放電曲線均顯示線性特點，其表現(xiàn)了碳材料雙電層特征。在增大電流密度時，所述電極的質(zhì)量比容量變化較小，表明其作為超電容器負極有較好的倍率特性。

技術(shù)研發(fā)人員：李振湖;劉雙翼
受保護的技術(shù)使用者：重慶石墨烯研究院有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.04
技術(shù)公布日：2017.08.15