技術(shù)編號(hào)：11546536
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種基于導(dǎo)電基底直接生長氮摻雜碳-鈷復(fù)合物微片陣列的超級(jí)電容器負(fù)極及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于新能源電極材料領(lǐng)域，具體涉及一種基于導(dǎo)電基底直接生長氮摻雜碳-鈷復(fù)合物微片陣列的超級(jí)電容器負(fù)極及其制備方法。背景技術(shù)目前全世界范圍都面臨著嚴(yán)重的能源危機(jī)，為解決這一問題，研究人員開發(fā)了大量基于電化學(xué)存儲(chǔ)的能源存儲(chǔ)裝置。超級(jí)電容器因其高功率密度、快速充放電和循環(huán)穩(wěn)定性的特點(diǎn)，不僅在消費(fèi)性電子產(chǎn)品領(lǐng)域，而且在新能源汽車、太陽能能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、電力、鐵路、通信、國防等領(lǐng)域都存在廣泛的應(yīng)用。不僅在消費(fèi)性電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。