技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種提高焊球疲勞壽命的硅島陣列結(jié)構(gòu)，其形成于倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)中的集成電路芯片的有源面，包括：若干陣列布置的柱狀或臺(tái)狀硅島。同時(shí)提供基于前述硅島陣列結(jié)構(gòu)的倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)方法。改變傳統(tǒng)技術(shù)思路，在不改變焊接連接結(jié)構(gòu)的前提下也可有效避免封裝結(jié)構(gòu)在經(jīng)歷熱膨脹過(guò)程中出現(xiàn)的連接失效問(wèn)題。從而提高連接結(jié)構(gòu)的疲勞壽命，確保倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：曾清華;陳兢;金玉豐
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.21
技術(shù)公布日：2017.10.20