技術特征：

技術總結
本申請?zhí)峁┝艘环N阻變存儲器的存儲狀態(tài)的調控方法。阻變存儲器包括兩個電極層與兩個電極層之間的絕緣層，兩個電極層分別是第一電極層與第二電極層，至少一個電極層為鐵磁電極層，存儲狀態(tài)的調控方法包括：步驟S1，向兩個電極層之間施加第一電壓，使得至少一個鐵磁電極層的電勢高于另一個電極層的電勢，使得絕緣層中形成磁通道；步驟S2，向兩個電極層之間施加第二電壓，使得一個鐵磁電極層中的鐵磁材料發(fā)生相變。該調控方法不涉及到導電細絲的斷裂過程，緩解了電阻轉變的波動性，使得RRAM形成的RRAM陣列得到更廣泛地應用，該調控方法操作簡單，能降低存儲器外圍電路設計成本低，有利于其大規(guī)模集成和實際應用。

技術研發(fā)人員：龍世兵;李磊磊;滕蛟;劉琦;呂杭炳;劉明
受保護的技術使用者：中國科學院微電子研究所
技術研發(fā)日：2017.04.20
技術公布日：2017.09.05