相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2016年4月7日和2017年4月4日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2016-0042916號(hào)和第10-2017-0043933號(hào)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,所述申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入本文。
本公開(kāi)涉及有機(jī)發(fā)光二極管和發(fā)光二極管顯示器,更具體地,涉及感知來(lái)自具有有害波長(zhǎng)的光的輻射的最小損害的有機(jī)發(fā)光二極管和發(fā)光二極管顯示器。
背景技術(shù):
近來(lái),包括有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置變得越來(lái)越受歡迎。隨著更多人使用包括有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置,顯示裝置相比以前在更寬范圍的環(huán)境中使用。
然而,在包括有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置中,有機(jī)發(fā)光層容易被環(huán)境要素?fù)p害。這導(dǎo)致不期望的短產(chǎn)品壽命。需要一種可用于各種環(huán)境中并且提供優(yōu)異的光效率而不易受環(huán)境要素?fù)p傷的顯示裝置。
在背景技術(shù)部分中公開(kāi)的上述信息僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解,因此其可以包含不形成對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)在本國(guó)內(nèi)已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
示例性實(shí)施方式提供一種防止被具有有害波長(zhǎng)的光劣化的有機(jī)發(fā)光二極管和發(fā)光二極管顯示器。
然而,本發(fā)明的實(shí)施方式所要解決的目的不限于上述問(wèn)題且可在本發(fā)明所包含的技術(shù)理念的范圍內(nèi)各種擴(kuò)展。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的發(fā)光二極管包括:第一電極;重疊于第一電極的第二電極;設(shè)置于第一電極和第二電極之間的發(fā)光層;以及設(shè)置于第二電極上的覆蓋層,其中所述覆蓋層滿足以下公式1。
公式1
n*k(λ=405nm)≥0.8
在公式1中,n*k(λ=405nm)表示在405nm波長(zhǎng)處的折射率和吸收系數(shù)的乘積的光學(xué)值。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的發(fā)光二極管顯示器包括:基板;設(shè)置于基板上的晶體管;連接到晶體管的發(fā)光二極管;以及設(shè)置于發(fā)光二極管上的封裝層,其中所述發(fā)光二極管包括:第一電極,重疊于第一電極的第二電極,設(shè)置于第一電極和第二電極之間的發(fā)光層以及設(shè)置于第二電極上的覆蓋層,并且所述覆蓋層滿足以下公式1。
公式1
n*k(λ=405nm)≥0.8
在公式1中,n*k(λ=405nm)表示在405nm波長(zhǎng)處的折射率和吸收系數(shù)的乘積的光學(xué)值。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管包括:第一電極;重疊于第一電極的第二電極;設(shè)置于第一電極和第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層;以及設(shè)置于第二電極上的覆蓋層,其中所述覆蓋層在405nm波長(zhǎng)處具有0.25或更大的吸收率,并且所述覆蓋層包括由化學(xué)式a-1至化學(xué)式a-3和化學(xué)式b-1表示的材料中的至少一種。
在化學(xué)式a-1至化學(xué)式a-3中,r1至r10獨(dú)立地為氫、具有1至3個(gè)碳原子的烷基、苯基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基和聯(lián)苯基中的一個(gè),并且x為氧原子、硫原子和氮原子中的一個(gè),而在化學(xué)式b-1中,r11至r14獨(dú)立地為氫、具有1至3個(gè)碳原子的烷基、苯基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基和聯(lián)苯基中的一個(gè)。
根據(jù)示例性實(shí)施方式,當(dāng)有害波長(zhǎng)區(qū)域的光被阻擋時(shí),可以防止有機(jī)發(fā)光層的劣化,并且可以提供不抑制藍(lán)色發(fā)光效率的有機(jī)發(fā)光二極管。
而且,可以提供具有壽命增加的柔性基板的發(fā)光二極管顯示器。
附圖說(shuō)明
圖1為示意性地示出根據(jù)本發(fā)明所描述的技術(shù)的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)的視圖。
圖2為示意性地示出根據(jù)本發(fā)明所描述的技術(shù)的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)的視圖。
圖3為示出對(duì)應(yīng)于示例性實(shí)施方式1的覆蓋層材料的吸收率、折射率、透過(guò)率和日光光譜的圖。
圖4為示出對(duì)應(yīng)于對(duì)比例1的覆蓋層材料的吸收率、折射率、透過(guò)率和日光光譜的圖。
圖5為示意性地示出根據(jù)所描述的技術(shù)的示例性實(shí)施方式的發(fā)光二極管的截面圖。
圖6為示出根據(jù)所描述的技術(shù)的示例性實(shí)施方式的光學(xué)值(折射率和吸收系數(shù)的乘積)與透過(guò)率的關(guān)系的曲線圖。
圖7為示出根據(jù)對(duì)比例的覆蓋層的光學(xué)常數(shù)的曲線圖。
圖8為示出根據(jù)所描述的技術(shù)的示例性實(shí)施方式的光學(xué)值(折射率和吸收系數(shù)的乘積)與藍(lán)色發(fā)光效率降低值的關(guān)系的曲線圖。
圖9為根據(jù)所描述的技術(shù)的示例性實(shí)施方式的發(fā)光二極管顯示器的截面圖。
<符號(hào)說(shuō)明>
110、220:第一電極
120、290:第二電極
130r、250r:紅色發(fā)光層
130g、250g:綠色發(fā)光層
130b、250b:藍(lán)色發(fā)光層
bil:輔助層
140、295:覆蓋層
25、150:像素限定層
具體實(shí)施方式
將在下文中參考附圖更全面地描述所描述的技術(shù),在附圖中示出了示例性實(shí)施方式。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的,可以用各種不同的方式改變所描述的實(shí)施方式,而都不背離所描述的技術(shù)的精神或范圍。
為了清楚地解釋所描述的技術(shù),省略了與所描述的技術(shù)不直接相關(guān)的方面或部分,并且整個(gè)說(shuō)明書(shū)通篇相同的附圖標(biāo)記附屬于相同或類似的組成元件。
此外,為了更好地理解和容易描述,任意地示出附圖中所示的每個(gè)配置的尺寸和厚度,而所描述的技術(shù)不限于此。在附圖中,為了清楚起見(jiàn),層、膜、板、區(qū)等的厚度被放大。在附圖中,為了更好地理解和易于描述,一些層和區(qū)域的厚度可以被放大。
應(yīng)當(dāng)理解,當(dāng)比如層、膜、區(qū)或基板的元件被稱為在另一元件“上”時(shí),其可以直接在另一元件上,或者可以存在中間元件。相反,當(dāng)元件被稱為“直接在另一元件上”時(shí),不存在中間元件。另外,在本說(shuō)明書(shū)中,詞語(yǔ)“在……上面”或者“在……上方”意為放置于對(duì)象部分之上或之下,而不一定意為基于重力方向放置于對(duì)象部分的上側(cè)。
此外,除非明確地相反地描述,否則詞語(yǔ)“包括(comprise)”及變化形式(比如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”)將理解為意指包括所述的元件,但不排除任何其它元件。
另外,在本說(shuō)明書(shū)中,短語(yǔ)“平面上的”意為從頂部觀察對(duì)象部分,短語(yǔ)“截面上的”意為觀察從側(cè)面垂直切割的對(duì)象的部分。
圖1為示意性地示出根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)的視圖。如圖1所示,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管包括第一電極110、第二電極120、有機(jī)發(fā)光層130和覆蓋層140。
第一電極110形成在基板上并且可以起到陽(yáng)極的作用,以將電子發(fā)射到有機(jī)發(fā)光層130中。然而,第一電極110不限于此,并且當(dāng)?shù)诙姌O120起到陽(yáng)極的作用時(shí),第一電極110可以為陰極。
根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管可以是頂部發(fā)射有機(jī)發(fā)光二極管。因此,第一電極110可以用作不將從有機(jī)發(fā)光層130發(fā)射的光發(fā)射到后表面的反射層。此處,反射層意為具有反射從有機(jī)發(fā)光層130發(fā)射的光以便通過(guò)第二電極120發(fā)射到外部的特性的層。反射特性可意味著入射光的反射率為約70%或更大至約100%或更小,或約80%或更大至約100%或更小。
根據(jù)本示例性實(shí)施方式的第一電極110可以包括銀(ag)、鋁(al)、鉻(cr)、鉬(mo)、鎢(w)、鈦(ti)、金(au)、鈀(pd)或其合金,用作反射層同時(shí)具有陽(yáng)極功能,并且可以為銀(ag)/氧化銦錫(ito)/銀(ag)或氧化銦錫(ito)/銀(ag)/氧化銦錫(ito)的三層結(jié)構(gòu)。
如后面所述,第二電極120被設(shè)置為經(jīng)由其與第一電極110之間插入的有機(jī)發(fā)光層130重疊于第一電極110。根據(jù)本示例性實(shí)施方式的第二電極120可以起到陰極的作用。然而,其不限于此,并且當(dāng)?shù)谝浑姌O110起到陰極的作用時(shí),第二電極120可以為陽(yáng)極。
根據(jù)本示例性實(shí)施方式的第二電極120可以為用于將從有機(jī)發(fā)光層130發(fā)射的光發(fā)射到外部的透反射電極。此處,透反射電極意為具有將部分入射光透射到第二電極120且將剩余部分的光反射到第一電極110的透反射特性的電極。此處,透反射特性可以意味著對(duì)于入射光的反射率為大于等于約0.1%且小于等于約70%,或大于等于約30%且小于等于約50%。
根據(jù)本示例性實(shí)施方式的第二電極120可以包括具有透反射特性并同時(shí)具有導(dǎo)電性的氧化物比如ito或izo,或者銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鉻(cr)、鉬(mo)、鎢(w)、鈦(ti)、金(au)、鈀(pd)或合金。
在這種情況下,本示例性實(shí)施方式的第二電極120可以順利地將從有機(jī)發(fā)光層130發(fā)射的光向外部發(fā)射,特別地,為了順利地發(fā)射藍(lán)色光,對(duì)于430nm至500nm波長(zhǎng)的光可以具有約20%或更大的透光率。這是通過(guò)根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)顏色的最小透光率,并且更接近100%是優(yōu)選的。
在有機(jī)發(fā)光層130中,分別從第一電極110和第二電極120傳遞的空穴和電子相遇,從而形成激子以發(fā)光。在圖1中,有機(jī)發(fā)光層130包括藍(lán)色發(fā)光層130b,并且還可以包括紅色發(fā)光層130r和綠色發(fā)光層130g,或者可以具有單層結(jié)構(gòu),其中藍(lán)色發(fā)光層130b、紅色發(fā)光層130r和綠色發(fā)光層130g分別設(shè)置在第一電極110上的相同的層中。
藍(lán)色、紅色和綠色是實(shí)現(xiàn)顏色的三原色,并且它們的組合可以實(shí)現(xiàn)各種顏色。藍(lán)色發(fā)光層130b、紅色發(fā)光層130r和綠色發(fā)光層130g分別形成藍(lán)色像素、紅色像素和綠色像素。藍(lán)色發(fā)光層130b、紅色發(fā)光層130r和綠色發(fā)光層130g可以設(shè)置在第一電極110的上表面上。
在第一電極110和有機(jī)發(fā)光層130之間可以進(jìn)一步包括空穴傳遞層160??昭▊鬟f層160可以包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)??昭ㄗ⑷雽佑欣趶牡谝浑姌O110注入空穴,并且空穴傳輸層傳輸來(lái)自空穴注入層的空穴。空穴傳遞層160可以由雙層形成(其中空穴傳輸層形成在空穴注入層上),并且可以由單層形成(其中將形成空穴注入層的材料和形成空穴傳輸層的材料混合)。
在第二電極120和有機(jī)發(fā)光層130之間可以進(jìn)一步包括電子傳遞層170。電子傳遞層170可以包括電子注入層和電子傳輸層中的至少一個(gè)。電子注入層有利于從第二電極120注入電子,并且電子傳輸層傳輸從電子注入層傳遞的電子。電子傳遞層170可以由雙層形成(其中電子傳輸層形成在電子注入層上),并且可以由單層形成(其中將形成電子注入層的材料和形成電子傳輸層的材料混合)。
然而,本發(fā)明構(gòu)思不限于此,并且根據(jù)示例性變化方式的有機(jī)發(fā)光二極管可以包括具有多層結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光層130。該有機(jī)發(fā)光層130將參考圖2進(jìn)一步描述。
圖2示意性地示出根據(jù)所描述的技術(shù)的另一示例性實(shí)施方式的包括具有多層結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光層130的有機(jī)發(fā)光二極管。
在圖2所示的示例性實(shí)施方式中,除了有機(jī)發(fā)光層130之外的配置與根據(jù)參照?qǐng)D1描述的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的配置類似。因此,第一電極110和第二電極120被設(shè)置為是重疊的,有機(jī)發(fā)光層130在第一電極110和第二電極120之間,電子傳遞層170設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層130和第二電極120之間,并且覆蓋層140在第二電極120上。
在這種情況下,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光層130通過(guò)沉積多個(gè)層130a、130b和130c形成。有機(jī)發(fā)光層130的層130a、130b和130c分別表示不同的顏色,從而通過(guò)組合發(fā)射白色光。
如圖2所示,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光層130可以具有其中沉積三個(gè)層130a、130b和130c的三層結(jié)構(gòu);然而,本發(fā)明構(gòu)思不限于此,且有機(jī)發(fā)光層130可以具有由兩個(gè)層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。
作為一個(gè)示例,三層結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光層130可以包括藍(lán)色發(fā)光層130a、黃色發(fā)光層130b和藍(lán)色發(fā)光層130c。然而,這不是對(duì)其所公開(kāi)的構(gòu)思的限制,并且在所描述的技術(shù)的示例性實(shí)施方式范圍內(nèi)可以包括任何能夠通過(guò)顏色組合發(fā)射白光的發(fā)光層。
而且,雖然在圖中未示出,但在兩層結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光層的情況下,所述兩層結(jié)構(gòu)可以包括藍(lán)色發(fā)光層和黃色發(fā)光層。
此外,雖然在圖中未示出,但是電荷產(chǎn)生層可以在圖2的多個(gè)層130a、130b和130c中的相鄰層之間。
在使用根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置中,為了將發(fā)射的白光轉(zhuǎn)換為其它顏色,可以進(jìn)一步包括設(shè)置在第二電極120上的濾色層。
例如,濾色層可以將通過(guò)第二電極120的白光轉(zhuǎn)換為藍(lán)色、紅色或綠色,并且為此,可以包括分別對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光二極管的多個(gè)子像素的多個(gè)子濾色層。濾色層轉(zhuǎn)換從第二電極120發(fā)射的光的顏色,使得如果濾色層僅設(shè)置在第二電極120上,則各種位置設(shè)計(jì)可以是可能的。
為了保護(hù)顯示裝置免受外部濕氣或氧氣的影響,濾色層可以設(shè)置在封裝層之上或之下,并且濾色層的各種布置結(jié)構(gòu)是可能的,使得可以將本示例性實(shí)施方式的實(shí)施范圍應(yīng)用到這些布置結(jié)構(gòu)。
除了通過(guò)包括由堆疊在彼此之上的多個(gè)層130a、130b和130c構(gòu)成的有機(jī)發(fā)光層130來(lái)發(fā)射白光之外,圖2所示的根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管與圖1所示的示例性實(shí)施方式相同。因此,下面參照?qǐng)D1所示的有機(jī)發(fā)光二極管進(jìn)行描述。對(duì)于有機(jī)發(fā)光二極管的以下描述可以同樣地應(yīng)用于圖2所示的示例性實(shí)施方式。
包括在根據(jù)本示例性實(shí)施方式的藍(lán)色發(fā)光層130b中的藍(lán)色發(fā)光材料在光致發(fā)光(pl)光譜中具有約430nm至500nm的峰波長(zhǎng)的范圍。
如圖1所示,用于提高藍(lán)色發(fā)光層130b的效率的輔助層bil可以在藍(lán)色發(fā)光層130b之下。輔助層bil可以具有通過(guò)控制空穴電荷平衡來(lái)提高藍(lán)色發(fā)光層130b的效率的功能。
同樣地,如圖1所示,紅色共振輔助層130r'和綠色共振輔助層130g'可以分別在紅色發(fā)光層130r和綠色發(fā)光層130g之下。添加紅色共振輔助層130r'和綠色共振輔助層130g'以便匹配每種顏色的共振距離?;蛘?,單獨(dú)的共振輔助層可以不形成在藍(lán)色發(fā)光層130b和輔助層bil之下。
像素限定層150可以在第一電極110上。如圖1所示,像素限定層150分別在藍(lán)色發(fā)光層130b、紅色發(fā)光層130r和綠色發(fā)光層130g之間,從而針對(duì)每種顏色劃分發(fā)光層。
覆蓋層140形成在第二電極120上,以控制元件的光路的長(zhǎng)度,從而調(diào)整光學(xué)干涉距離。在這種情況下,如圖1所示,不同于輔助層bil、紅色共振輔助層130r'和綠色共振輔助層130g',根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140可以被共同地包括在藍(lán)色像素、紅色像素和綠色像素中的每一個(gè)中。
根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光層130(特別地,對(duì)暴露于比如日光的光的反應(yīng))被405nm附近的波長(zhǎng)損害,使得有機(jī)發(fā)光二極管的性能可能被變差。因此,405nm是造成有機(jī)發(fā)光二極管變差的光的波長(zhǎng),并且在本文中將被稱為“有害波長(zhǎng)”。
根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140通過(guò)包括阻擋入射到有機(jī)發(fā)光層130的光中的405nm附近(其為有害波長(zhǎng)區(qū)域)的光的材料來(lái)形成,以防止包括在有機(jī)發(fā)光二極管中的有機(jī)發(fā)光層130的劣化。
為了阻擋作為有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm區(qū)域的光,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140可以具有0.25或更大的k1作為405nm處的吸收率。當(dāng)k1小于0.25時(shí),根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140不能有效地阻擋有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm波長(zhǎng)的光,使得難以獲得防止有機(jī)發(fā)光層130劣化的效果。
根據(jù)本示例性實(shí)施方式,在通過(guò)將有機(jī)材料沉積在硅基板上作為具有70nm厚度的薄膜的來(lái)形成根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140之后,使用filmetricsf10-rt-uv設(shè)備測(cè)量吸收率k1和k2以及下述折射率的值。
隨著k1增加,在有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm處的更多的光被阻擋。作為本示例性實(shí)施方式的一個(gè)示例,可以選擇形成覆蓋層140的材料使得k1為0.8或更小,并且優(yōu)選地,可以選擇形成覆蓋層140的材料使得k1為1.0或更小。然而,這僅是一個(gè)示例,并且形成覆蓋層140的材料的選擇范圍可以通過(guò)考慮各種因素比如覆蓋層140的厚度和使用環(huán)境來(lái)確定。
另一方面,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光層130對(duì)于作為藍(lán)色光的430nm波長(zhǎng)的光具有高透過(guò)率,同時(shí)阻擋作為在有害波長(zhǎng)區(qū)域中的405nm波長(zhǎng)的光。因而,在不削弱藍(lán)色系列光的效率的情況下阻擋有害波長(zhǎng)。為此,對(duì)于作為藍(lán)色系列光的波長(zhǎng)的430nm波長(zhǎng)的光,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140可以具有小于0.25的吸收率k2。
當(dāng)k2大于0.25時(shí),被覆蓋層140吸收的藍(lán)色光的比率增加,使得可能難以通過(guò)根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)各種顏色。
當(dāng)k2更接近0時(shí),被覆蓋層140吸收的藍(lán)色光的比率減小,使得藍(lán)色光的效率可以增加。
在這種情況下,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140可以包括對(duì)于藍(lán)色系列光具有高折射率的材料。這樣,不削弱藍(lán)色區(qū)域中的發(fā)光效率。具體地,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140在430nm至470nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)可以具有2.0或更大的折射率。如果覆蓋層140的折射率增加,則可以通過(guò)折射進(jìn)一步產(chǎn)生共振效應(yīng),使得可以提高發(fā)光效率。
為了平穩(wěn)地產(chǎn)生共振效應(yīng),根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140可以具有200nm或更小(不包括0)的厚度。作為一個(gè)示例,可以形成具有60nm至80nm的厚度的覆蓋層140,但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。
根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140可以包括滿足以下公式a的材料。
k1-k2>0.10[公式a]
在公式a中,k1為具有405nm波長(zhǎng)的光的吸收率,且k2為具有430nm波長(zhǎng)的光的吸收率。
在以上公式a中,優(yōu)選的是k1和k2之間的差大。因此,在式a中,k1和k2之間的差可以大于0.1,這是對(duì)于作為有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm波長(zhǎng)的光的吸收率k1與對(duì)于作為藍(lán)色系列光的波長(zhǎng)區(qū)域的430nm波長(zhǎng)的光的吸收率k2之間的差的下限。
在k1和k2之間的差小于0.1的情況下,有害波長(zhǎng)區(qū)域的光仍然可以被阻擋,但是藍(lán)色光的發(fā)光效率將可能降低?;蛘?,可以保持藍(lán)色光的發(fā)光效率,但是可能不能有效地阻擋有害波長(zhǎng)區(qū)域的光,以至于不可能防止有機(jī)發(fā)光層130的劣化。
因此,為了獲得期望水平的藍(lán)色光的發(fā)光效率同時(shí)有效地阻擋有害波長(zhǎng)區(qū)域中的光,優(yōu)選的是,對(duì)于有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm波長(zhǎng)的光的吸收率k1與對(duì)于藍(lán)色光的波長(zhǎng)區(qū)域的430nm波長(zhǎng)的光的吸收率k2之間的差大于0.1。隨著差k1-k2增加,藍(lán)色區(qū)域的光的吸收率減小,同時(shí)有害波長(zhǎng)區(qū)域的大百分比的光被吸收,使得總效率可以提高。進(jìn)一步優(yōu)選的是,對(duì)于有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm波長(zhǎng)的光的吸收率k1與對(duì)于藍(lán)色光的波長(zhǎng)區(qū)域的430nm波長(zhǎng)的光的吸收率k2之間的差大于0.3,并且更優(yōu)選地,對(duì)于有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm波長(zhǎng)的光的吸收率k1與對(duì)于藍(lán)色光的波長(zhǎng)區(qū)域的430nm波長(zhǎng)的光的吸收率k2之間的差大于0.5。k1和k2之間的差越大,藍(lán)色區(qū)域的透光率可以越高,同時(shí)更多的有害波長(zhǎng)區(qū)域的光被吸收。
因此,可以證實(shí),對(duì)于有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm波長(zhǎng)的光的吸收率k1與對(duì)于藍(lán)色光的波長(zhǎng)區(qū)域的430nm波長(zhǎng)的光的吸收率k2之間的差大于0.1是能夠保持藍(lán)色區(qū)域光的透射效率同時(shí)吸收有害波長(zhǎng)區(qū)域的光的最低值的閾值。
作為包括碳原子和氫原子的有機(jī)材料的根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140可以包括選自包括芳族烴化合物、芳族雜環(huán)化合物和胺化合物的組中的至少一種,所述芳族烴化合物包括取代基,所述取代基具有選自包括氧原子、硫原子、氮原子、氟原子、硅原子、氯原子、溴原子和碘原子的組中的至少一種。
可以用作根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140的化合物的具體示例可以為根據(jù)下面的化學(xué)式1至化學(xué)式7的材料。
化學(xué)式1
化學(xué)式2
化學(xué)式3
化學(xué)式4
化學(xué)式5
化學(xué)式6
化學(xué)式7
在下文中,為了證實(shí)根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的效果,在化學(xué)式1至化學(xué)式7中,選擇化學(xué)式1至化學(xué)式6作為示例性實(shí)施方式1至示例性實(shí)施方式6,并且選擇比如化學(xué)式8和化學(xué)式9的材料作為對(duì)比例1和對(duì)比例2,以測(cè)量吸收率、折射率和阻擋率,并確認(rèn)阻擋效果。
化學(xué)式8
化學(xué)式9
圖3為示出對(duì)應(yīng)于示例性實(shí)施方式1的覆蓋層材料的吸收率、折射率、透過(guò)率和日光光譜的圖,并且圖4為示出對(duì)應(yīng)于對(duì)比例1的覆蓋層材料的吸收率、折射率、透過(guò)率和日光光譜的圖,同時(shí)測(cè)量了對(duì)應(yīng)于示例性實(shí)施方式1至示例性實(shí)施方式6以及對(duì)比例1和對(duì)比例2的每種材料的吸收率、折射率和阻擋率,且計(jì)算結(jié)果匯總于表1中?!白钃趼省币馕吨?入射光-透射光)/入射光×100%”。
(表1)
如表1中描述的,根據(jù)對(duì)比例1和對(duì)比例2的用于覆蓋層140的材料在405nm波長(zhǎng)處具有小于0.25的吸收率k1。k2為0的對(duì)比例1滿足本示例性實(shí)施方式的條件。然而,在對(duì)比例1中在450nm波長(zhǎng)處的折射率n小于2,并且根據(jù)公式a的k1和k2之間的差小于0.1。在對(duì)比例1中,除了k2之外根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層140的條件沒(méi)有被全部滿足。在對(duì)比例2中,k2為0,并且根據(jù)公式a的k1和k2之間的差大于0.1,然而材料具有0.248的吸收率k1,其小于0.25。
在這種情況下,基于對(duì)比例1阻擋有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm波長(zhǎng)的光的阻擋率,相對(duì)地計(jì)算示例性實(shí)施方式1至示例性實(shí)施方式6和對(duì)比例2的阻擋率,并將其描述為阻擋效應(yīng)。
即使像對(duì)比例2一樣滿足全部其他條件而只是k1小于0.25,也可以證實(shí)與對(duì)比例1相比,阻擋有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm波長(zhǎng)的阻擋效果提高了20%或更大。
然而,如表1所示,在示例性實(shí)施方式1至示例性實(shí)施方式6的情況中,可以證實(shí)與對(duì)比例1相比,以最小超過(guò)50%的比率發(fā)揮阻擋有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm波長(zhǎng)的光的效果。
而且,當(dāng)將對(duì)比例1與示例性實(shí)施方式1至示例性實(shí)施方式6進(jìn)行比較時(shí),參考其中阻擋效果被測(cè)量為最低的示例性實(shí)施方式3,其與對(duì)比例1相比提高了57%,可以證實(shí)示例性實(shí)施方式3相對(duì)于對(duì)比例1阻擋效果提高了多于一半。
接下來(lái),在將包括根據(jù)示例性實(shí)施方式1至示例性實(shí)施方式6以及對(duì)比例1和對(duì)比例2的覆蓋層140的有機(jī)發(fā)光二極管暴露于包括有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm波長(zhǎng)的光源持續(xù)預(yù)定的時(shí)間時(shí),包括在有機(jī)發(fā)光二極管中的有機(jī)發(fā)光層130的劣化程度的比較結(jié)果描述于表2。根據(jù)本示例性實(shí)施方式使用的光源是發(fā)射類似于日光光譜的人造光的人造日光源。
(表2)
如在0周期暴露時(shí)間中測(cè)量的,每個(gè)樣品被制造為具有7200k的色溫。接下來(lái),如果每個(gè)樣品暴露于包括有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm波長(zhǎng)的光源持續(xù)預(yù)定的時(shí)間,則包括在每個(gè)樣品中的有機(jī)發(fā)光層130被有害波長(zhǎng)損壞,從而色溫變化。因此,可以認(rèn)為當(dāng)色溫變化量大時(shí),有機(jī)發(fā)光層130的劣化大量地產(chǎn)生。
如表2所示,在對(duì)比例1和對(duì)比例2的情況中,溫度變化大于400k。當(dāng)色溫變化量為400k或更大時(shí),白色變化可以被用戶或者通過(guò)肉眼檢測(cè)到,從而認(rèn)為樣品是缺陷板。相反,在示例性實(shí)施方式1至示例性實(shí)施方式6的情況中,色溫的變化小,在10k至80k的范圍內(nèi),這與能夠通過(guò)肉眼檢測(cè)到的色溫變化量的400k非常不同。
因此,與對(duì)比例1和對(duì)比例2相比,作為有害波長(zhǎng)區(qū)域的405nm波長(zhǎng)的光被示例性實(shí)施方式1至示例性實(shí)施方式6中包括的覆蓋層140阻擋。覆蓋層140的存在減少了有機(jī)發(fā)光層130的劣化。
在上文中,已經(jīng)描述了根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管。根據(jù)所描述的技術(shù),可以通過(guò)阻擋有害波長(zhǎng)區(qū)域的光來(lái)防止有機(jī)發(fā)光層130的劣化,并且可以提供其中不變差藍(lán)色發(fā)光效率的有機(jī)發(fā)光二極管。
圖5為示意性地示出根據(jù)所描述的技術(shù)的示例性實(shí)施方式的發(fā)光二極管的截面圖。
圖5中要描述的示例性實(shí)施方式與圖1中描述的示例性實(shí)施方式幾乎相同。首先將對(duì)區(qū)別進(jìn)行說(shuō)明。參考圖5,分別對(duì)應(yīng)于紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素的發(fā)光二極管設(shè)置于基板23上。多個(gè)第一電極220設(shè)置于基板23上的與每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的位置處,并且像素限定層25形成于多個(gè)第一電極220中的相鄰的第一電極220之間。空穴傳遞層230形成于第一電極220和像素限定層25上。紅色發(fā)光層250r、綠色發(fā)光層250g和藍(lán)色發(fā)光層250b可以由有機(jī)發(fā)光層或無(wú)機(jī)材料(比如量子點(diǎn))形成。在圖5中,示出了紅色發(fā)光層250r、綠色發(fā)光層250g、藍(lán)色發(fā)光層250b、紅色諧振輔助層250r'、綠色諧振輔助層250g'和輔助層bil僅設(shè)置于像素限定層25的開(kāi)口中,然而每個(gè)構(gòu)成元件的至少一部分可以形成于像素限定層25上。
在圖1的示例性實(shí)施方式中描述的電子傳遞層170體現(xiàn)在本示例性實(shí)施方式中的電子傳輸層260和電子注入層280中。電子傳輸層260設(shè)置成與發(fā)光層250相鄰,并且電子注入層280設(shè)置成與第二電極290相鄰。
電子傳輸層260可以包括有機(jī)材料。例如,電子傳輸層260可以由選自包括以下的組中的至少一個(gè)制成:alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)、pbd(2-[4-聯(lián)苯基-5-[4-叔丁基苯基]]-1,3,4-噁二唑)、taz(1,2,4-三唑)、螺-pbd(螺-2-[4-聯(lián)苯基-5-[4-叔丁基苯基]]-1,3,4-噁二唑)和balq(8-羥基喹啉鈹鹽),但不限于此。
電子注入層280可以包括鑭系元素。作為鑭系元素,可以使用功函為2.6ev的鐿(yb)、功函為2.7ev的釤(sm)或功函為2.5ev的銪(eu)。
在圖1的示例性實(shí)施方式中描述的內(nèi)容以及上述內(nèi)容都可以應(yīng)用于本示例性實(shí)施方式。并且,圖2的示例性實(shí)施方式中描述的內(nèi)容都可以應(yīng)用于本示例性實(shí)施方式。
然而,本示例性實(shí)施方式對(duì)應(yīng)于描述防止發(fā)光層250在另一方面劣化所需的覆蓋層295的條件的示例性實(shí)施方式。為了阻擋包括在有害波長(zhǎng)區(qū)域中的405納米波長(zhǎng)的光,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層295可以滿足以下公式1。有害波長(zhǎng)區(qū)域可以是約380納米至420納米。
公式1
n*k(λ=405nm)≥0.8
在公式1中,n*k(λ=405nm)表示在405nm波長(zhǎng)處的折射率和吸收系數(shù)的乘積的光學(xué)值。在本公開(kāi)中,表明值k的吸收系數(shù)和吸收率使用時(shí)具有相同含義。
關(guān)于公式1表示的數(shù)值范圍,將參照?qǐng)D6和圖7來(lái)描述數(shù)值范圍的平均值。
圖6為示出根據(jù)所描述的技術(shù)的示例性實(shí)施方式的光學(xué)值(折射率和吸收系數(shù)的乘積)與透過(guò)率的關(guān)系的曲線圖。圖7為示出對(duì)比例的覆蓋層的光學(xué)常數(shù)的曲線圖。
參考圖6,將具有不同光學(xué)值(折射率和吸收系數(shù)的乘積)的各種材料暴露于包括405納米波長(zhǎng)的光源以測(cè)量透過(guò)率,并且從所測(cè)量的透過(guò)率結(jié)果可以獲得基本上滿足圖6中所示的二次函數(shù)的曲線圖。
參考圖7,在通過(guò)使用由化學(xué)式8表示的化合物作為對(duì)比例形成圖5的覆蓋層295的情況下,示出了覆蓋層295取決于波長(zhǎng)的吸收系數(shù)k、折射率n和光學(xué)值(折射率和吸收系數(shù)的乘積)。在包括在有害波長(zhǎng)區(qū)域中的405nm波長(zhǎng)處,根據(jù)對(duì)比例的覆蓋層295表現(xiàn)出約0.5的光學(xué)值(折射率和吸收系數(shù)的乘積)。再次參考圖6,如果通過(guò)使用根據(jù)具有約0.5的光學(xué)值(折射率和吸收系數(shù)的乘積)的對(duì)比例的覆蓋層295形成發(fā)光二極管,可以獲得約43%的透過(guò)率。
化學(xué)式8
相反,為了將405nm波長(zhǎng)的光的透過(guò)率降低到約30%或更小,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層295優(yōu)選具有0.8或更大的光學(xué)值(折射率和吸收的乘積系數(shù))。隨著405納米波長(zhǎng)的透光率降低,發(fā)光層的劣化程度可能降低。當(dāng)考慮透過(guò)率與發(fā)光層的劣化程度的相關(guān)性時(shí),與透過(guò)率為約43%的對(duì)比例相比,如果像具有約30%的透過(guò)率的本示例性實(shí)施方式那樣可以獲得0.8或更大的光學(xué)值,可能具有1.43倍或更大的壽命延長(zhǎng)效果。當(dāng)對(duì)比例的壽命為1時(shí),通過(guò)1:x=30:43的反比例關(guān)系計(jì)算1.43倍的x值。
為了最小化460納米波長(zhǎng)的藍(lán)光的效率降低,同時(shí)防止包括在有害波長(zhǎng)區(qū)域中的405納米波長(zhǎng)的光,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層295可以滿足以下公式2。
公式2
n*k(λ=460nm)≤0.035
與公式2所表示的值范圍相關(guān),將參照?qǐng)D8描述值范圍的含義。
圖8為示出根據(jù)所描述的技術(shù)的示例性實(shí)施方式的光學(xué)值(折射率和吸收系數(shù)的乘積)與藍(lán)色發(fā)光效率降低值的關(guān)系的曲線圖。參考圖8,作為對(duì)比例,圖5的覆蓋層295由化學(xué)式8表示的化合物形成。在該情況下,基于460納米波長(zhǎng)的光吸收率,測(cè)量具有不同光學(xué)值(折射率和吸收系數(shù)的乘積)的各種材料在460納米波長(zhǎng)處的光吸收率的下降值。將測(cè)量的光吸收率下降值解釋為藍(lán)色發(fā)光效率下降值,可獲得基本上滿足圖8中顯示的直線的圖。
參考圖8,對(duì)于與對(duì)比例相比,約5%或更小的藍(lán)色發(fā)光效率下降值,優(yōu)選地根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層的光學(xué)值(折射率和吸收系數(shù)的乘積)是約0.035或更小。
根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層可滿足下面的公式3。
公式3
n*k(λ=380nm)≥2
在公式3中,n*k(λ=380nm)表示在380納米波長(zhǎng)處的折射率和吸收系數(shù)的乘積的光學(xué)值。
通過(guò)使用在380納米波長(zhǎng)處光學(xué)值為2或更大的覆蓋層,可通過(guò)阻擋紫外線而提高效率和壽命。
滿足上述公式1和公式2的覆蓋層包括第一材料,其中第一材料基本上包括碳原子和氫原子,并且可包括選自包括下述的組中的至少一種:芳族烴化合物,所述芳族烴化合物包含選自氧原子、硫原子、氮原子、氟原子、硅原子、氯原子、溴原子和碘原子的一個(gè)或多個(gè)的取代基;芳族雜環(huán)化合物;和胺化合物。
根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層包括由化學(xué)式a和化學(xué)式b表示的至少一種材料,同時(shí)光學(xué)值(折射率和吸收系數(shù)的乘積)滿足公式1和公式2的至少一個(gè)。
化學(xué)式a
化學(xué)式b
在化學(xué)式a中,m是2至4,在化學(xué)式a和化學(xué)式b中,ar1至ar8獨(dú)立地為單鍵、亞苯基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基和聯(lián)苯基中的一個(gè),且har1至har8為氫、具有1至3個(gè)碳原子的烷基、苯基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基和聯(lián)苯基中的一個(gè)。
化學(xué)式a包括下面化學(xué)式a-1至化學(xué)式a-3中的一種,并且化學(xué)式b包括化學(xué)式b-1。
化學(xué)式a-1
化學(xué)式a-2
化學(xué)式a-3
化學(xué)式b-1
在化學(xué)式a-1至化學(xué)式a-3中,r1至r10獨(dú)立地為氫、具有1至3個(gè)碳原子的烷基、苯基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基和聯(lián)苯基中的一個(gè),并且x為氧原子、硫原子和氮原子中的一個(gè)。在化學(xué)式b-1中,r11至r14獨(dú)立地為氫、具有1至3個(gè)碳原子的烷基、苯基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基和聯(lián)苯基中的一個(gè)。
具體而言,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的覆蓋層可包括由下面化學(xué)式1至化學(xué)式7表示的材料的至少一種。
化學(xué)式1
化學(xué)式2
化學(xué)式3
化學(xué)式4
化學(xué)式5
化學(xué)式6
化學(xué)式7
另外,形成覆蓋層的設(shè)置的材料可滿足公式3。
圖9為根據(jù)所描述的技術(shù)的示例性實(shí)施方式的發(fā)光二極管顯示器的截面圖。
參考圖9,根據(jù)本示例性實(shí)施方式的顯示器裝置包括基板23、驅(qū)動(dòng)晶體管30、第一電極220、發(fā)光二極管層200和第二電極290。第一電極220可以是陽(yáng)極并且第二電極290可以是陰極,但是第一電極220可以是陰極并且第二電極290可以是陽(yáng)極。
基板緩沖層26可設(shè)置在基板23上。基板緩沖層26用于防止雜質(zhì)元素的滲透并且是表面平坦化,但是,基板緩沖層26不是必須的構(gòu)造,并且可根據(jù)基板23的類型和加工條件而被省略。
驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層37在基板緩沖層26上形成。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層37可由包括多晶硅的材料形成。而且,驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層37包括未被雜質(zhì)摻雜的溝槽區(qū)35,并且源區(qū)34以及在溝槽區(qū)35的代表側(cè)摻雜雜質(zhì)的漏區(qū)36。摻雜的離子材料可以是p型雜質(zhì),比如硼(b),并且可通常使用b2h6。雜質(zhì)取決于薄膜晶體管的類型。
柵絕緣層27設(shè)置在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層37上。包括驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O33的柵線設(shè)置在柵絕緣層27上。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O33與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層37的至少一部分,并且特別是溝槽區(qū)35重疊。
覆蓋柵電極33的夾層絕緣層28在柵絕緣層27上形成。分別暴露驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層37的源區(qū)34和漏區(qū)36的第一接觸孔22a和第二接觸孔22b在柵絕緣層27和夾層絕緣層28中形成。包括驅(qū)動(dòng)源電極73和驅(qū)動(dòng)漏電極75的數(shù)據(jù)線可設(shè)置在夾層絕緣層28上。驅(qū)動(dòng)源電極73和驅(qū)動(dòng)漏電極75通過(guò)分別在夾層絕緣層28和柵絕緣層27中形成的第一接觸孔22a和第二接觸孔22b與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層37的源區(qū)34和漏區(qū)36連接。
如上述,形成了包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層37、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O33、驅(qū)動(dòng)源電極73和驅(qū)動(dòng)漏電極75的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管30。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管30的構(gòu)造不限于上述的例子,并且可被不同地修飾為可容易被本領(lǐng)域技術(shù)人員實(shí)施的已知構(gòu)造。
另外,覆蓋數(shù)據(jù)線的平坦化層24在夾層絕緣層28上形成。平坦化層24用于去除和平坦化臺(tái)階,以便提高將在其上形成的發(fā)光二極管的發(fā)光效率。平坦化層24具有第三接觸孔22c,以電連接稍后描述的驅(qū)動(dòng)漏電極75和第一電極。
本公開(kāi)的該示例性實(shí)施方式不限于上述構(gòu)造,并且在一些情況下可省略平坦化層24和夾層絕緣層28之一。
發(fā)光二極管ld的第一電極220設(shè)置在平坦化層24上。像素限定層25設(shè)置在平坦化層24和第一電極220上。像素限定層25具有與第一電極220的一部分重疊的開(kāi)孔。在該情況下,可為在像素限定層25中形成的每個(gè)開(kāi)孔設(shè)置發(fā)光二極管層100。
另一方面,發(fā)光二極管層200設(shè)置在第一電極220上。發(fā)光二極管層200對(duì)應(yīng)圖5中描述的發(fā)光二極管中的空穴傳遞層230、發(fā)光層250、電子傳輸層260和電子注入層280。
在圖9中,發(fā)光二極管層200僅僅設(shè)置在像素限定層25的開(kāi)孔中,但是如圖5中所顯示,配置發(fā)光二極管層200的部分層也可如第二電極290樣設(shè)置在像素限定層25的上表面。
第二電極290和覆蓋層295設(shè)置在發(fā)光二極管層200上。覆蓋層295可滿足圖5至圖8描述的公式1和公式2的至少一個(gè),或可另外滿足公式3。與上述覆蓋層295相關(guān)的內(nèi)容可都適用于本示例性實(shí)施方式。
薄膜封裝層300設(shè)置在覆蓋層295上。薄膜封裝層300封裝在基板23和驅(qū)動(dòng)電路上形成的發(fā)光二極管ld,以將它們與外部隔離開(kāi)。
薄膜封裝層300包括可選地相繼沉積的第一無(wú)機(jī)層300a、有機(jī)層300b和第二無(wú)機(jī)層300c。在圖9中,通過(guò)可選地相繼沉積兩個(gè)無(wú)機(jī)層300a和300c和一個(gè)有機(jī)層300b配置薄膜封裝層300作為例子,但是這不限于此。在修改的實(shí)施方式中,包括有機(jī)層300b和無(wú)機(jī)層300c的結(jié)果可被沉積多個(gè)。雖然未顯示,但是根據(jù)本示例性實(shí)施方式的發(fā)光二極管顯示器可進(jìn)一步包括在薄膜封裝層300上的反射阻擋層。
在下面的表3中,對(duì)比例表示當(dāng)形成820埃厚度由化學(xué)式8表示的化合物的覆蓋層,和在其上形成7000埃厚度的sinx層時(shí)405納米波長(zhǎng)下的透過(guò)率和吸收率。參考實(shí)施例1與對(duì)比例幾乎相同,但是是其中覆蓋層厚度增加10%的結(jié)果,參考實(shí)施例2是其中sinx層的厚度增加10%的結(jié)構(gòu),并且參考實(shí)施例1和2表示每一種這些結(jié)構(gòu)在405納米波長(zhǎng)下的透過(guò)率和吸收率。參考實(shí)施例3與對(duì)比例幾乎相同,只是其是其中覆蓋層厚度和sinx層厚度分別增加10%的沉積結(jié)構(gòu)。示例性實(shí)施方式4表示僅僅使用抵抗太陽(yáng)光的強(qiáng)覆蓋層的結(jié)構(gòu)中在405納米波長(zhǎng)下的透過(guò)率和吸收率。在本公開(kāi)中,強(qiáng)覆蓋層意思是通過(guò)使用滿足上述公式1和公式2的至少一個(gè)或另外滿足公式3的材料形成的覆蓋層。示例性實(shí)施方式2表示其中第一覆蓋層是由化學(xué)式8表示的化合物形成,厚度為410埃,第二覆蓋層是由覆蓋層形成,厚度為410埃,并且sinx層的厚度7000埃形成的多層結(jié)構(gòu)在405納米波長(zhǎng)下的透過(guò)率和吸收率。
[表3]
在表3中,即使改變根據(jù)對(duì)比例的覆蓋層和sinx層的厚度,僅僅增加2.1至2.2%,出現(xiàn)了有害波長(zhǎng)吸收率的程度,但是可確認(rèn)當(dāng)形成如本示例性實(shí)施方式的強(qiáng)覆蓋層時(shí),對(duì)于405納米波長(zhǎng)光的吸收率大大增加了。而且,在示例性實(shí)施方式2包括強(qiáng)覆蓋層的的多層結(jié)構(gòu)中,與僅僅形成強(qiáng)覆蓋層的示例性實(shí)施方式1相比,405納米波長(zhǎng)的光吸收率增加的程度不大,但是可確認(rèn)與沒(méi)有強(qiáng)覆蓋層的參考實(shí)施例1、2和3相比有害的波長(zhǎng)吸收率增加。
本示例性實(shí)施方式的發(fā)光二極管顯示器的基板23可包括柔性材料。表4表示當(dāng)在每個(gè)剛性發(fā)光二極管顯示器、沒(méi)有應(yīng)用強(qiáng)覆蓋層的柔性發(fā)光二極管顯示器和包括強(qiáng)覆蓋層的柔性發(fā)光二極管顯示器中照射405納米波長(zhǎng)的光時(shí)透過(guò)每個(gè)層的透過(guò)率。
[表4]
參考表4,在包括強(qiáng)覆蓋層的柔性發(fā)光二極管顯示器中,到達(dá)發(fā)光二極管的有害波長(zhǎng)中包括的405納米波長(zhǎng)的光相對(duì)非常少。因此,在柔性發(fā)光二極管顯示器中,如果應(yīng)用強(qiáng)覆蓋層,實(shí)現(xiàn)了與沒(méi)有強(qiáng)覆蓋層結(jié)構(gòu)相比壽命增加76%的效果。
盡管已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為是實(shí)用的示例性實(shí)施方式描述了本發(fā)明,但是應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施方式,而相反,旨在覆蓋在所附權(quán)利要求書(shū)的精神和范圍內(nèi)包括的各種修改和等同布置。