于2016年4月8日提交的名稱為“displayapparatus(顯示裝置)”的第10-2016-0043512號韓國專利申請通過引用全部包含于此。

這里描述的一個或更多個實施例涉及一種顯示裝置。

背景技術：

已經(jīng)開發(fā)了各種顯示裝置。一種類型的顯示裝置是可彎曲的，以改善各種角度的可視性和/或減小非顯示區(qū)域。然而，在這樣的裝置中會發(fā)生缺陷。另外，當前用于制造可彎曲顯示器的方法減少壽命并增加制造成本。

技術實現(xiàn)要素：

根據(jù)一個或更多個實施例，顯示裝置包括：基底，包括位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的彎曲區(qū)域并且關于彎曲軸彎曲；顯示器，在第一區(qū)域中位于基底的上表面上；以及保護膜，位于基底的下表面上，保護膜包括位于基底的下表面上并與第一區(qū)域的至少一部分對應的第一保護膜基體以及位于基底與第一保護膜基體之間的第一粘合層，其中，第一保護膜基體包括具有第一厚度的第一厚壁部分以及具有小于第一厚度的第二厚度并且比第一厚壁部分接近彎曲區(qū)域的第一薄壁部分。

第一厚壁部分可以與第一薄壁部分分隔開。第一厚壁部分和第一薄壁部分可以彼此成一體。在第一粘合層中，與第一薄壁部分對應的部分的厚度大于與第一厚壁部分對應的部分的厚度。第一保護膜基體可以包括包含第一厚壁部分和第一薄壁部分的第一錐形部分，第一錐形部分在第一保護膜基體的朝向彎曲區(qū)域的方向上的邊緣處具有朝向彎曲區(qū)域減小的厚度。

從第一保護膜基體的在朝向基底的方向上的上表面到基底的下表面的距離可以從第一錐形部分朝向彎曲區(qū)域增大。從第一保護膜基體的下表面到基底的下表面的距離從第一錐形部分到彎曲區(qū)域可以是恒定的。從第一粘合層的朝向第一保護膜基體的下表面到基底的下表面的距離可以從第一粘合層的與第一錐形部分對應的部分到彎曲區(qū)域增大。第一錐形部分可以位于第一區(qū)域中。

保護膜可以包括與第一保護膜基體分隔開并且針對第二區(qū)域的至少一部分位于基底的下表面上的第二保護膜基體，以及位于基底與第二保護膜基體之間的第二粘合層。第二保護膜基體可以具有恒定的厚度。

第二保護膜基體可以包括具有第三厚度的第二厚壁部分，以及具有小于第三厚度的第四厚度并且比第二厚壁部分接近彎曲區(qū)域的第二薄壁部分。第二厚壁部分可以與第二薄壁部分分隔開。第二厚壁部分與第二薄壁部分可以彼此成一體。在第二粘合層中，與第二薄壁部分對應的部分的厚度可以大于與第二厚壁部分對應的部分的厚度。

第二保護膜基體可以包括包含第二厚壁部分和第二薄壁部分的第二錐形部分，第二錐形部分在第二保護膜基體的朝向彎曲區(qū)域的方向上的邊緣處具有朝向彎曲區(qū)域減小的厚度。從第二保護膜基體在朝向基底的方向上的上表面到基底的下表面的距離可以從第二錐形部分朝向彎曲區(qū)域增大。

從第二保護膜基體的下表面到基底的下表面的距離從第二錐形部分到彎曲區(qū)域可以是恒定的。從第二粘合層在朝向第二保護膜基體的方向上的下表面到基底的下表面的距離可以從第二粘合層的與第二錐形部分對應的部分到彎曲區(qū)域增大。第二錐形部分可以位于第二區(qū)域中。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述示例性實施例，特征對于本領域普通技術人員將變得明顯，在附圖中：

圖1示出了顯示裝置的實施例；

圖2示出了顯示裝置的剖視實施例；

圖3示出了顯示裝置的另一個剖視圖；

圖4示出了顯示裝置的另一個剖視圖；

圖5示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖6示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖7示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖8示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖9示出了圖8中的顯示裝置的另一個剖視圖；

圖10示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖11示出了圖10中的顯示裝置的另一個剖視圖；

圖12示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖13示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖14示出了圖13中的顯示裝置的另一個剖視圖；

圖15示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖16示出了圖15的顯示裝置的另一個剖視圖；

圖17示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖18示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖19示出了圖18的顯示裝置的另一個剖視圖；

圖20示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖21示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖22示出了圖21中的顯示裝置的另一個剖視圖；

圖23示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖24示出了圖23中的顯示裝置的另一個剖視圖；

圖25示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；

圖26示出了顯示裝置的另一個剖視實施例；以及

圖27示出了顯示裝置的另一個剖視實施例。

具體實施方式

在下文中參照附圖更充分地描述示例實施例；然而，示例實施例可以以不同的形式實施并且不應被解釋為局限于這里所闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完整的，并且這些實施例將向本領域技術人員充分地傳達示例性實施方式?？梢越M合實施例(或其部分)以形成另外的實施例。

在圖中，為了圖示的清楚起見，可以夸大層和區(qū)域的尺寸。還將理解的是，當層或元件被稱作“在”另一個層或元件“上”時，該層或元件可以直接在所述另一個層或元件上，或者還可以存在中間層或元件。此外，將理解的是，當層被稱作“在”另一層“下方”時，該層可以直接在所述另一層下方，也可以存在一個或更多個中間層。另外，還將理解的是，當層被稱作“在”兩個層“之間”時，該層可以是所述兩個層之間的唯一層，也可以存在一個或更多個中間層。同樣的附圖標記始終表示同樣的元件。

當元件被稱作“連接”或“結合”到另一元件時，該元件可以直接連接或結合到所述另一個元件，或者間接連接或結合到所述另一個元件并且具有置于其間的一個或多個中間元件。另外，當元件被稱作“包括”組件時，除非有不同的公開，否則這表明所述元件還可以包括另一個組件而不是排除另一個組件。

圖1示出了顯示裝置的實施例，圖2示出了圖1的顯示裝置的剖視實施例。顯示裝置包括至少部分地彎曲的基底100，因此顯示裝置也具有類似于基底100的至少部分地彎曲的形狀。為了便于描述，圖2示出了不處于彎曲或彎折狀態(tài)的顯示裝置。

參照圖1，基底100包括在第一方向(+y方向)上延伸的彎曲區(qū)域ba。彎曲區(qū)域ba在與第一方向交叉的第二方向(+x方向)上位于第一區(qū)域1a和第二區(qū)域2a之間?；?00關于在圖1中的第一方向(+y方向)上延伸的彎曲軸bax彎曲?；?00可以包括具有柔性或可彎曲特性的各種材料。這些材料的示例包括但不限于聚合物樹脂，例如，聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯(par)、聚酰亞胺(pi)、聚碳酸酯(pc)或醋酸丙酸纖維素(cap)。

第一區(qū)域1a包括顯示區(qū)域da。如圖2中所示，第一區(qū)域1a還可以包括與顯示區(qū)域da相鄰的非顯示區(qū)域nda的一部分。第二區(qū)域2a也包括非顯示區(qū)域nda。

顯示裝置包括在基底100的上表面(在+z方向上)的顯示區(qū)域da中的顯示器件300和薄膜晶體管210。顯示器件300可以電連接到薄膜晶體管210。在圖2中，有機發(fā)光器件位于顯示區(qū)域da中并且與顯示器件300對應。有機發(fā)光器件到薄膜晶體管210的電連接可以涉及將像素電極310連接到薄膜晶體管210。

另一個薄膜晶體管也可以位于基底100的顯示區(qū)域da外部的外圍區(qū)域上。外圍區(qū)域上的薄膜晶體管可以是例如用于控制將施加到顯示區(qū)域da的電信號的電路的一部分。在另一個實施例中，如果必要，顯示器件300可以至少部分地位于彎曲區(qū)域ba中或至少部分地位于第二區(qū)域2a中。

薄膜晶體管210可以包括半導體層211、柵電極213、源電極215a和漏電極215b。半導體層211可以包括非晶硅、多晶硅或有機半導體材料。柵極絕緣層120可以在半導體層211和柵電極213之間。柵極絕緣層120可以包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無機材料。

層間絕緣層130可以在柵電極213上。源電極215a和漏電極215b可以在層間絕緣層130上。例如，層間絕緣層130可以包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無機材料。包括無機材料的絕緣層可以通過例如化學氣相沉積(cvd)或原子層沉積(ald)來形成。

緩沖層110可以在薄膜晶體管210(具有上述結構)和基底100之間。緩沖層110可以包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無機材料。緩沖層110可以改善基底100的上表面的平整度，或者可以防止或減少雜質從基底100滲透到薄膜晶體管210的半導體層211中。

平坦化層140可以在薄膜晶體管210上。例如，如圖2中所示，當有機發(fā)光器件在薄膜晶體管210上時，平坦化層140可以將薄膜晶體管210的上部平坦化。例如，平坦化層140可以包括諸如亞克力、苯并環(huán)丁烯(bcb)和六甲基二硅氧烷(hmdso)的有機材料。在圖2中，平坦化層140具有單層結構。在另一個實施例中，平坦化層140可以具有多層結構。另外，平坦化層140可以具有在顯示區(qū)域da外部的開口，從而平坦化層140的位于顯示區(qū)域da中的一部分和平坦化層140的位于第二區(qū)域2a中的一部分彼此物理地分離。因此，外部雜質不會經(jīng)由平坦化層140到達顯示區(qū)域da。

在顯示區(qū)域da中，有機發(fā)光器件可以在平坦化層140上。有機發(fā)光器件包括位于像素電極310和對電極330之間的中間層320。中間層320可以包括發(fā)射層。如在圖2中，像素電極310可以經(jīng)由平坦化層140中的開口與源電極215a和漏電極215b中的一個接觸，并且可以電連接到薄膜晶體管210。

像素限定層150可以在平坦化層140上。像素限定層150包括分別與子像素對應的開口(例如，暴露像素電極310的中心部分的至少一個開口)以限定像素。另外，在圖2中，像素限定層150增大了像素電極310的邊緣與像素電極310上方的對電極330之間的距離，以防止在像素電極310的邊緣處產(chǎn)生電弧。像素限定層150可以包括有機材料，例如，pi或hmdso。

顯示器件300的中間層320可以包括低分子量有機材料或聚合物材料。當中間層包括低分子量有機材料時，中間層320可以以單層結構或多層結構包括空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、發(fā)射層(eml)、電子傳輸層(etl)和/或電子注入層(eil)。有機材料的示例包括銅酞菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-聯(lián)苯胺(npb)和三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)。可以通過例如真空沉積法沉積低分子量有機材料。

當中間層320包括聚合物材料時，中間層320可以包括htl和eml。例如，htl可以包括pedot，eml可以包括聚苯撐乙烯撐(ppv)類或聚芴類的聚合物材料?？梢酝ㄟ^例如絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法或激光誘導熱成像(liti)法形成如上所述的中間層320。

在另一個實施例中，中間層320可以具有不同的結構。另外，中間層320可以包括遍及多個像素電極310一體地形成的層或者被圖案化為與每個像素電極310對應的層。

如圖2中所示，對電極330在顯示區(qū)域da中或顯示區(qū)域da上方并且可以覆蓋顯示區(qū)域da。例如，對電極330可以相對于多個有機發(fā)光器件一體地形成，以對應于多個像素電極310。

由于有機發(fā)光器件會容易地被外部濕氣或氧損壞，所以包封層400可以覆蓋有機發(fā)光器件以保護有機發(fā)光器件。包封層400覆蓋顯示區(qū)域da，并且可以延伸到顯示區(qū)域da的外部。如圖2中所示，包封層400可以包括第一無機包封層410、有機包封層420和第二無機包封層430。

第一無機包封層410覆蓋對電極330，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果必要，諸如蓋層的其它層可以在第一無機包封層410和對電極330之間。由于第一無機包封層410根據(jù)其下的結構而形成，所以第一無機包封層410可以具有不平坦的上表面。有機包封層420覆蓋第一無機包封層410。

與第一無機包封層410不同，有機包封層420可以具有均勻的上表面。例如，有機包封層420可以在對應于顯示區(qū)域da的部分處具有基本上均勻的上表面。

有機包封層420可以包括pet、pen、pc、pi、聚乙烯磺酸鹽、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一種。第二無機包封層430覆蓋有機包封層420，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。

第二無機包封層430可以在第一無機包封層410的位于顯示區(qū)域da外部的邊緣處與第一無機包封層410接觸，以不將有機包封層420暴露于外部。

根據(jù)本實施例，如果在包封層400中發(fā)生裂紋，則裂紋不會導致斷開形成在第一無機包封層410與有機包封層420之間或者在有機包封層420與第二無機包封層430之間(例如，或者不會在它們之間傳播)。這是因為由第一無機包封層410、有機包封層420和第二無機包封層430形成的包封層400的多層結構。因此，可以減少或防止外部濕氣或氧可以穿過其滲透到顯示區(qū)域da中的路徑的形成。

偏振板520可以經(jīng)由光學透明粘合劑(oca)510附連在包封層400上。偏振板520可以減少外部光的反射。例如，當穿過偏振板520的外部光被對電極330的上表面反射然后再次穿過偏振板520時，外部光兩次穿過偏振板520，可以改變外部光的相位。因此，反射的光的相位與進入偏振板520的外部光的相位不同，因此發(fā)生相消干涉。結果，可以減少外部光的反射，并且可以改善可視性。如在圖2中，oca510和偏振板520可以覆蓋平坦化層140中的開口。

在一些實施例中，顯示裝置可以不包括偏振板520。例如，可以省略偏振板520或由其它元件代替偏振板520。在一個實施例中，可以省略偏振板520，并且可以使用黑矩陣和濾色器來減少外部光的反射。

另外，緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130可以包括無機材料，因此可以被統(tǒng)稱為無機絕緣層。如在圖2中，無機絕緣層可以包括與彎曲區(qū)域ba對應的開口。例如，緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130可以分別包括對應于彎曲區(qū)域ba的開口110a、120a和130a。在開口與彎曲區(qū)域ba疊置的意義上，開口可以對應于彎曲區(qū)域ba。

開口的面積可以大于彎曲區(qū)域ba的面積。為了實現(xiàn)這一點，在圖2中，開口的寬度ow大于彎曲區(qū)域ba的寬度。可以將開口的面積限定為例如緩沖層110的開口110a、柵極絕緣層120的開口120a和層間絕緣層130的開口130a的面積中的最小的面積。在圖2中，開口的面積由緩沖層110中的開口110a的面積來限定。

在圖2中，緩沖層110的開口110a的內側表面與柵極絕緣層120中的開口120a的內側表面彼此對應。在另一個實施例中，柵極絕緣層120的開口120a的面積可以大于緩沖層110中的開口110a的面積。在一個實施例中，柵極絕緣層120中的開口120a的內側表面和層間絕緣層130中的開口130a的內側表面可以彼此對應。無論哪種情況，也可以將開口的面積限定為例如緩沖層110的開口110a、柵極絕緣層120的開口120a和層間絕緣層130的開口130a的面積中的最小的面積。

在本實施例中，顯示裝置包括至少部分地填充無機絕緣層中的開口的有機材料層160。在圖2中，有機材料層160完全填充開口。另外，根據(jù)本實施例，顯示裝置包括從第一區(qū)域1a通過彎曲區(qū)域ba延伸到第二區(qū)域2a并且在有機材料層160上方的第一導電層215c。如果省略有機材料層160，則第一導電層215c可以在諸如以層間絕緣層130為例的無機絕緣層上。在一個實施例中，第一導電層215c可以使用與源電極215a或漏電極215b的材料相同的材料與源電極215a或漏電極215b同時形成。

為了方便描述，圖2示出了在剖視圖中不處于彎曲狀態(tài)的顯示裝置。然而，基底100在圖1中的彎曲區(qū)域ba中是彎曲的。為了實現(xiàn)這一點，在制造工藝期間，制造顯示裝置使得基底100是平坦的(例如，如在圖2中)。然后，在彎曲區(qū)域ba處彎曲基底100，從而顯示裝置可以具有如圖1中所示的形狀。當基底100在彎曲區(qū)域ba處彎曲時，會將拉應力施加到第一導電層215c。然而，在根據(jù)本實施例的顯示裝置中，可以減少或防止在彎曲工藝期間在第一導電層215c中出現(xiàn)缺陷。

如果包括緩沖層110、柵極絕緣層120和/或層間絕緣層130的無機絕緣層不包括對應于彎曲區(qū)域ba的開口，而是從第一區(qū)域1a連續(xù)地延伸到第二區(qū)域2a，并且如果第一導電層215c在上述無機絕緣層上，則將基底100彎曲期間，大的拉應力被施加到第一導電層215c。例如，由于無機絕緣層具有比有機材料層的硬度大的硬度，所以會在彎曲區(qū)域ba中的無機絕緣層中形成裂紋。當在無機絕緣層中形成裂紋時，也會在無機絕緣層上的第一導電層215c中發(fā)生裂紋。因此，產(chǎn)生缺陷(例如，第一導電層215c中的斷開)的概率大大增大。

然而，根據(jù)本實施例，無機絕緣層包括對應于彎曲區(qū)域ba的開口，第一導電層215c的對應于彎曲區(qū)域ba的部分位于至少部分地填充無機絕緣層的開口的有機材料層160上。由于無機絕緣層包括對應于彎曲區(qū)域ba的開口，所以無機絕緣層中發(fā)生裂紋的可能性非常低。另外，由于有機材料的特性，有機材料層160不太可能具有裂紋。因此，可以減少或防止第一導電層215c的位于有機材料層160上的部分中的裂紋的發(fā)生，其中，第一導電層215c的所述部分對應于彎曲區(qū)域ba。另外，由于有機材料層160具有比無機材料層的硬度低的硬度，所以有機材料層160可以吸收由于基底100的彎曲而產(chǎn)生的拉應力，從而減少拉應力在第一導電層215c上的集中。

除了第一導電層215c之外，根據(jù)本實施例的顯示裝置還可以包括第二導電層213a和213b。第二導電層213a和213b以與第一導電層215c的層水平不同的層水平形成在第一區(qū)域1a或第二區(qū)域2a中，并且也可以電連接到第一導電層215c。在圖2中，第二導電層213a和213b可以包括與薄膜晶體管210的柵電極213的材料相同的材料，并且與柵電極213在同一層，例如在柵極絕緣層120上。另外，第一導電層215c經(jīng)由層間絕緣層130中的接觸孔與第二導電層213a和213b接觸。另外，第二導電層213a在第一區(qū)域1a中，第二導電層213b在第二區(qū)域2a中。

第一區(qū)域1a中的第二導電層213a可以電連接到顯示區(qū)域da中的薄膜晶體管210。因此，第一導電層215c可以經(jīng)由第二導電層213a電連接到顯示區(qū)域da的薄膜晶體管210。第二區(qū)域2a中的第二導電層213b也可以經(jīng)由第一導電層215c電連接到顯示區(qū)域da的薄膜晶體管。這樣，顯示區(qū)域da外部的第二導電層213a和213b可以電連接到顯示區(qū)域da中的元件，或者可以朝向顯示區(qū)域da延伸從而第二導電層213a和213b的至少一些部分在顯示區(qū)域da中。

在圖2中示出了顯示裝置未彎曲的狀態(tài)，但是本實施例的顯示裝置實際上處于圖1中的基底100在彎曲區(qū)域ba中彎曲的狀態(tài)。為了實現(xiàn)這一點，在制造工藝期間，如在圖2中，制造顯示裝置從而基底100是平坦的。然后，在彎曲區(qū)域ba中彎曲基底100，從而顯示裝置可以具有圖1中的形狀。當基底100在彎曲區(qū)域ba中彎曲時，拉應力會被施加到彎曲區(qū)域ba中的元件。

因此，跨過彎曲區(qū)域ba的第一導電層215c包括具有高伸長率的材料，從而可以防止諸如第一導電層215c中的裂紋或者斷開第一導電層215c的缺陷。另外，在第一區(qū)域1a或第二區(qū)域2a中，形成包括具有比第一導電層215c的伸長率低的伸長率和與第一導電層215c的電特性/物理特性不同的電特性/物理特性的材料的第二導電層213a和213b。因此，可以改善顯示裝置中的傳送電信號的效率，或者可以降低在顯示裝置的制造工藝期間的缺陷率。第二導電層213a和213b可以包括例如鉬，第一導電層215c可以包括例如鋁。第一導電層215c以及第二導電層213a和213b可以具有多層結構。

與圖2不同，第二區(qū)域2a中的第二導電層213b的上部的至少一部分可以不被平坦化層140覆蓋，而是暴露于外部，以電連接到各種電子器件或印刷電路板。

另外，在圖2中，有機材料層160可以覆蓋無機絕緣層中的開口的內側表面。如上所述，由于第一導電層215c可以與源電極215a和漏電極215b包括相同的材料并且可以同時形成，所以導電層可以形成在基底100的整個表面上并且可以被圖案化為形成源電極215a、漏電極215b和第一導電層215c。如果有機材料層160不覆蓋緩沖層110中的開口110a的內側表面、柵極絕緣層120中的開口120a的內側表面或層間絕緣層130中的開口130a的內側表面，那么導電層的導電材料可以不從緩沖層110中的開口110a的內側表面、柵極絕緣層120中的開口120a的內側表面或層間絕緣層130中的開口130a的內側表面去除，而是可以保留在其上。在這種情況下，剩余的導電材料會導致在不同的導電層之間形成電短路。

因此，當形成有機材料層160時，有機材料層160可以覆蓋無機絕緣層中的開口的內側表面。盡管有機材料層160已經(jīng)被描述為具有恒定的厚度，但是有機材料層160可以具有例如根據(jù)位置而變化的厚度。例如，有機材料層160可以具有圍繞緩沖層110的開口110a的內側表面、柵極絕緣層120的開口120a的內側表面或層間絕緣層130中的開口130a的內側表面的具有平緩斜坡的上表面。因此，當導電層被圖案化為形成源電極215a、漏電極215b和第一導電層215c時，可以完全去除應當已被去除的導電材料。

如在圖2中，有機材料層160可以沿+z方向在其上表面的至少一部分中具有不平坦表面160a。由于有機材料層160包括不平坦表面160a，所以有機材料層160上的第一導電層215c可以包括具有與有機材料層160的不平坦表面160a對應的形狀的上表面和/或下表面。

如上所述，由于在制造工藝中當基底100在彎曲區(qū)域ba處彎曲時，會將拉應力施加到第一導電層215c，所以當?shù)谝粚щ妼?15c的上表面和/或下表面具有與有機材料層160的不平坦表面160a對應的形狀時，可以減小施加到第一導電層215c的拉應力的量。因此，可以經(jīng)由具有相對小的硬度的有機材料層160的形狀的變形來減小在彎曲工藝期間產(chǎn)生的拉應力。在彎曲工藝之前至少具有不平坦形狀的第一導電層215c可以變形為與由于彎曲工藝而變形的有機材料層160的形狀對應。因此，可以防止缺陷(例如，第一導電層215c中的斷開)的發(fā)生。

另外，由于不平坦表面160a至少部分地形成在有機材料層160的上表面(在+z方向上)中，所以可以增大有機材料層160在開口中的上表面的表面積以及第一導電層215c在開口中的上表面和下表面的表面積。有機材料層160的上表面以及第一導電層215c的上表面和下表面的大的表面積可以允許變形裕量變大，以減小由基底100的彎曲造成的拉應力。

由于第一導電層215c位于有機材料層160上，因此第一導電層215c的下表面具有與有機材料層160的不平坦表面160a對應的形狀。然而，第一導電層215c的上表面可以具有與有機材料層160的不平坦表面160a的形狀獨立的形狀的不平坦表面。

例如，在有機材料層160上形成導電材料層之后，可以將光致抗蝕劑施用到導電材料層?？梢允褂锚M縫掩?；虬肷{掩模在根據(jù)光致抗蝕劑的位置而改變曝光量的同時對光致抗蝕劑顯影。因此，蝕刻由于光致抗蝕劑的顯影而暴露的導電材料層。然后，去除光致抗蝕劑。因此，形成第一導電層215c。

由于使用狹縫掩?；虬肷{掩模根據(jù)光致抗蝕劑的位置來改變曝光量，所以可以根據(jù)導電材料層的位置來改變蝕刻導電材料層的程度。因此，不平坦表面可以人工地形成在第一導電層215c的上表面中。在這種情況下，第一導電層215c的上表面可以具有與有機材料層160的不平坦表面160a的形狀獨立的形狀的不平坦表面。

即使如上所述地執(zhí)行在第一導電層215c的上表面中人工形成不平坦表面的工藝，第一導電層215c的上表面上的不平坦表面也可以與有機材料層160的不平坦表面160a對應。

可以以各種方式形成有機材料層160的上表面(在+z方向上)上的不平坦表面160a。例如，當形成有機材料層160時可以使用光致抗蝕劑材料。可以使用狹縫掩?；虬肷{掩模根據(jù)其上表面是平坦的有機材料層160的位置來改變曝光量。因此，可以比其它部分更多地蝕刻(去除)特定的部分。比其它部分更多地蝕刻的所述部分可以是有機材料層160的上表面中的凹陷部分。在另一個實施例中，在形成具有平坦上表面的有機材料層160之后，可以通過干法蝕刻或其它方法來去除特定的部分。

為了使有機材料層160在其上表面(在+z方向上)中具有不平坦表面160a，有機材料層160可以在其上表面(在+z方向上)中包括多個凹槽。凹槽可以在第一方向(+y方向)上延伸。有機材料層160上的第一導電層215c的上表面的形狀可以與有機材料層160的上表面的形狀對應。

有機材料層160的不平坦表面160a可以僅在無機絕緣層的開口內。在圖2中，有機材料層160的不平坦表面160a的寬度uew小于無機絕緣層的開口的寬度ow。如果有機材料層160具有遍及無機絕緣層中的開口的內部和外部的不平坦表面160a，那么有機材料層160的不平坦表面160a接近緩沖層110中的開口110a的內表面、柵極絕緣層120中的開口120a的內表面或層間絕緣層130中的開口130a的內表面。在這種情況下，有機材料層160的凹陷部分具有比突出部分相對小的厚度。

因此，當凹陷部分位于緩沖層110中的開口110a的內表面、柵極絕緣層120中的開口120a的內表面或層間絕緣層130中的開口130a的內表面的周圍時，會使有機材料層160斷開。因此，有機材料層160的不平坦表面160a可以僅在無機絕緣層的開口內。因此，可以防止在緩沖層110中的開口110a的內表面、柵極絕緣層120的開口120a的內表面或層間絕緣層130中的開口130a的內表面的周圍的有機材料層160的斷開。

如上所述，為了防止第一導電層215c在彎曲區(qū)域ba中斷開，有機材料層160可以在彎曲區(qū)域ba上方具有不平坦表面160a。因此，有機材料層160的不平坦表面160a的面積可以大于彎曲區(qū)域ba的面積并小于開口的面積。例如，如圖2中所示，有機材料層160的不平坦表面160a的寬度uew大于彎曲區(qū)域ba的寬度且小于開口的寬度ow。

彎曲保護層(bpl)600可以位于顯示區(qū)域da外側。例如，bpl600可以位于第一導電層215c上方且可以至少對應于彎曲區(qū)域ba。

當堆疊結構彎曲時，在堆疊結構中存在應力中性面。因為第一導電層215c的位置不會對應于應力中性面，所以如果沒有bpl600，則當基底100彎曲時，過量的拉應力會被施加到彎曲區(qū)域ba中的第一導電層215c。然而，通過形成bpl600并調整bpl600的厚度和模量，可以調整包括基底100、第一導電層215c和bpl600的結構中的應力中性面的位置。因此，可以經(jīng)由bpl600將應力中性面調整為在第一導電層215c周圍。因此，可以減小施加到第一導電層215c的拉應力。

與圖2的示例不同，bpl600可以延伸到顯示裝置中的基底100的端部。例如，在第二區(qū)域2a中，第一導電層215c、第二導電層213b和/或電連接到第一導電層215c和第二導電層213b的其它導電層可以不被層間絕緣層130或平坦化層140至少部分地覆蓋，而是可以電連接到各種電子器件或印刷電路板。因此，第一導電層215c、第二導電層213b和/或電連接到第一導電層215c和第二導電層213b的其它導電層可以具有電連接到各種電子器件或印刷電路板的部分?？梢员Ｗo電連接的部分免受諸如外部濕氣的外部雜質。因此，bpl600可以覆蓋電連接的部分，以便也用作保護層。為了實現(xiàn)這一點，bpl600可以例如延伸到顯示裝置的基底100的端部。

在圖2中，bpl600的在朝向顯示區(qū)域da的方向(-x方向)上的上表面與偏振板520的在+z方向上的上表面一致。在一個或更多個其它實施例中，bpl600在顯示區(qū)域da方向(-x方向)上的端部可以部分地覆蓋偏振板520的端部處的上表面。另外，bpl600在顯示區(qū)域da方向(-x方向)上的端部可以不接觸偏振板520和/或oca510。在后一種情況下，在形成bpl600期間或形成bpl600之后，可以防止從bpl600產(chǎn)生的氣體在朝向顯示區(qū)域da的方向(-x方向)上的移動和顯示器件300(例如，有機發(fā)光器件)的劣化。

如圖2中所示，如果bpl600在朝向顯示區(qū)域da的方向(-x方向)上的上表面與偏振板520在+z方向上的上表面一致，如果bpl600在顯示區(qū)域da方向(-x方向)上的端部部分地覆蓋偏振板520的端部處的上表面，或者如果bpl600在顯示區(qū)域da方向(-x方向)上的端部接觸oca510，那么bpl600的與顯示區(qū)域da(-x方向)對應的厚度可以大于bpl600中的其它部分的厚度。

由于可以施用液相材料或漿型材料并將其硬化以形成bpl600，所以會通過硬化工藝減小bpl600的體積。如果bpl600的對應于顯示區(qū)域da(-x方向)的部分與偏振板520和/或oca510接觸，則bpl600的所述部分被固定在該位置處。因此，在bpl600的剩余部分中出現(xiàn)體積減小。因此，bpl600的與顯示區(qū)域da(-x方向)對應的厚度可以大于bpl600中的其它部分的厚度。

另外，在圖2中，保護膜pf位于基底100的下表面上。保護膜pf是用于保護基底100的下表面的下保護膜，并且可以包括第一保護膜基體171以及位于第一保護膜基體171和基底100之間的用于將第一保護膜基體171附著到基底100的第一粘合層181(例如，壓敏粘合劑(psa))。第一保護膜基體171可以包括pet或pi并且可以對應于第一區(qū)域1a的至少一部分。

第一保護膜基體171包括具有第一厚度的第一厚壁部分171a以及具有小于第一厚度的第二厚度且比第一厚壁部分171a接近彎曲區(qū)域ba的第一薄壁部分171b。另外，第一保護膜基體171在第一區(qū)域1a中。第一粘合層181位于第一保護膜基體171與基底100之間。因此，第一粘合層181在對應于第一薄壁部分171b的部分處可以具有比對應于第一厚壁部分171a的部分處的厚度大的厚度。

為了實現(xiàn)這一點，第一粘合層181的對應于第一薄壁部分171b的部分可以具有多層結構。這將應用于稍后將描述的其它實施例及其修改示例。在圖2中，保護膜pf在朝向彎曲區(qū)域ba的方向上的端部對應于有機材料層160中不平坦表面160a的朝向第一區(qū)域1a的端部。這在其它實施例中可以不同。

如上所述，為了便于描述，圖2示出了不處于彎曲狀態(tài)的顯示裝置。然而，顯示裝置實際上在圖1中的彎曲區(qū)域ba處處于彎曲狀態(tài)。圖3是彎曲的顯示裝置的一部分的示意性剖視圖。還可以在基底100的下表面和保護膜pf之間的空間中設置框架或墊層。

由于保護膜pf的第一保護膜基體171保護基底100的下表面，所以第一保護膜基體171可以具有其自身的強度。因此，如果第一保護膜基體171具有低的柔性，則當基底100彎曲時，第一保護膜基體171與基底100會彼此分開。否則，由于第一保護膜基體171的強度，在第一保護膜基體171的朝向彎曲區(qū)域ba的方向上的端部周圍的基底100或基底100上方的第一導電層215c會被損壞。然而，根據(jù)本實施例的顯示裝置，因為第一保護膜基體171在第一區(qū)域1a中而不在彎曲區(qū)域ba中，所以可以有效地防止基底100與第一保護膜基體171的分開或對基底100的損壞。

例如，應力會由于彎曲區(qū)域ba中的彎曲而被施加到彎曲區(qū)域ba或與彎曲區(qū)域ba相鄰的第一區(qū)域1a。然而，在根據(jù)本實施例的顯示裝置中，第一保護膜基體171中的第一薄壁部分171b(其厚度小于第一厚壁部分171a的厚度)更接近彎曲區(qū)域ba。由于第一薄壁部分171b的厚度小于第一厚壁部分171a的厚度，所以第一薄壁部分171b具有相對低的強度和更大的柔性。因此，由于第一薄壁部分171b與彎曲區(qū)域ba相鄰，所以可以減少或防止第一保護膜基體171與基底100的分開或對基底100的損壞。

圖4是示出了顯示裝置的一部分的示意性剖視圖。在圖4中，第一保護膜基體171不僅可以位于第一區(qū)域1a中，而且可以部分地位于彎曲區(qū)域ba中。這可以是有意的或者可以是保護膜pf和基底100未對齊的結果。然而，根據(jù)本實施例，第一保護膜基體171的其厚度小于第一厚壁部分171a的厚度的第一薄壁部分171b與彎曲區(qū)域ba的中心相鄰。因此，即使第一保護膜基體171的一部分在彎曲區(qū)域ba中，也是第一薄壁部分171b而不是第一厚壁部分171a位于彎曲區(qū)域ba中。

如上所述，由于第一薄壁部分171b的厚度小于第一厚壁部分171a的厚度，所以第一薄壁部分171b具有比第一厚壁部分171a的強度低的強度和比第一厚壁部分171a的柔性大的柔性。因此，即使第一保護膜基體171部分地位于彎曲區(qū)域ba中，也是第一薄壁部分171b位于彎曲區(qū)域ba中。因此，可以有效地減少或防止第一保護膜基體171與基底100的分開或對基底100的損壞。另外，由于包括psa的第一粘合層181比第一保護膜基體171相對更加柔性，所以可以經(jīng)由第一粘合層181來減小應力。

在圖2至圖4中，第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b彼此分隔開。在其它實施例中，例如，如圖5和圖6中所示，第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b可以彼此接觸和/或一體地形成。

在圖5和圖6中，第一保護膜基體171在第一區(qū)域1a中，而不在彎曲區(qū)域ba中。因此，可以有效地減少或防止第一保護膜基體171與基底100的分開或對基底100的損壞。另外，由于具有相對低的強度且更加柔性的第一薄壁部分171b比第一厚壁部分171a接近彎曲區(qū)域ba，因此可以有效地減少或防止第一保護膜基體171與基底100的分開和對基底100的損壞。

圖7示出了根據(jù)另一個實施例的顯示裝置的一部分的示意性剖視圖。在圖7中，第一保護膜基體171(其包括相接觸的或一體地形成的第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b)不僅可以在第一區(qū)域1a中，而且可以部分地在彎曲區(qū)域ba中。這可以是有意的或者可以是保護膜pf和基底100未對齊的結果。

根據(jù)本實施例，在第一保護膜基體171中，第一薄壁部分171b(其厚度小于第一厚壁部分171a的厚度)比具有足夠厚度的第一厚壁部分171a接近彎曲區(qū)域ba的中心。因此，即使第一保護膜基體171的一部分在彎曲區(qū)域ba中，也是第一薄壁部分171b而不是第一厚壁部分171a位于彎曲區(qū)域ba中。因此，由于具有相對低的強度的且更加柔性的第一薄壁部分171b的一部分位于彎曲區(qū)域ba中，所以可以有效地減少或防止第一保護膜基體171與基底100的分開或對基底100的損壞。另外，由于包括psa的第一粘合層181比第一保護膜基體171更加柔性，因此可以通過第一粘合層181減小應力。

圖8示出了根據(jù)另一個實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖，圖9示出了圖8的顯示裝置的所述部分的另一個剖視圖。該實施例的顯示裝置與圖2和圖3中的顯示裝置的不同之處在于：除了第一保護膜基體171和第一粘合層181之外，保護膜pf還包括第二保護膜基體172和第二粘合層182。

第二保護膜基體172與第一保護膜基體171分隔開，位于基底100的下表面上方，并且對應于第二區(qū)域2a的至少一部分。第二粘合層182位于基底100和第二保護膜基體172之間，以將第二保護膜基體172固定到基底100上。如上所述，由于保護膜pf包括第二保護膜基體172和第二粘合層182，所以保護膜pf可以保護基底100的下表面上的更多部分。

在圖8中，保護膜pf的第一保護膜基體171和第二保護膜基體172之間的間隔距離等于有機材料層160的不平坦表面160a的寬度uew。在另一個實施例中，間隔距離可以具有不同的量。

與第一保護膜基體171不同，第二保護膜基體172可以具有如圖8和圖9中的恒定厚度。這是因為第二保護膜基體172在第二區(qū)域2a中，即在基底100的沒有遭受損壞的導電層或者只有少量導電層的邊緣中。

這在其它實施例中可以不同，例如，如圖10和圖11的實施例中所示。在圖10和圖11中，與第一保護膜基體171相似，第二保護膜基體172包括具有第三厚度的第二厚壁部分172a以及比第二厚壁部分172a接近彎曲區(qū)域ba并具有小于第三厚度的第四厚度的第二薄壁部分172b。另外，第二保護膜基體172可以在第二區(qū)域2a中。第二粘合層182位于第二保護膜基體172與基底100之間。因此，第二粘合層182的對應于第二薄壁部分172b的部分可以比對應于第二厚壁部分172a的部分厚。

與第一保護膜基體171一樣，保護膜pf的第二保護膜基體172可以具有其自身的強度。因此，如果第二保護膜基體172具有低的柔性，那么當基底100彎曲時，第二保護膜基體172會與基底100分開。否則，由于第二保護膜基體172的強度，會在第二保護膜基體172的朝向彎曲區(qū)域ba的方向上的端部周圍損壞基底100或基底100上方的第一導電層215c。然而，在根據(jù)實施例的顯示裝置中，第二保護膜基體172位于第二區(qū)域2a中，而不是位于彎曲區(qū)域ba中。因此，可以有效地減少或防止第二保護膜基體172與基底100的分開或對基底100的損壞。

由于彎曲區(qū)域ba中的彎曲，應力會被施加到彎曲區(qū)域ba或者第二區(qū)域2a的與彎曲區(qū)域ba相鄰的部分。然而，根據(jù)本實施例，第二保護膜基體172中的第二薄壁部分172b比具有足夠厚度的第二厚壁部分172a接近彎曲區(qū)域ba。由于第二薄壁部分172b的厚度小于第二厚壁部分172a的厚度，所以第二薄壁部分172b具有相對低的強度且更加柔性。因此，因為第二薄壁部分172b與彎曲區(qū)域ba相鄰，所以可以有效地減少或防止第二保護膜基體172與基底100的分開或對基底100的損壞。

圖12示出了顯示裝置的一部分的示意性剖視圖。在圖12中，第一保護膜基體171不僅可以位于第一區(qū)域1a中，第二保護膜基體172不僅可以位于第二區(qū)域2a中，而且第一保護膜基體171和/或第二保護膜基體172可以部分地位于彎曲區(qū)域ba中。這可以是有意的或者可以是保護膜pf和基底100未對齊的結果。

然而，根據(jù)本實施例，第一保護膜基體171中的第一薄壁部分171b可以比具有足夠厚度的第一厚壁部分171a接近彎曲區(qū)域ba的中心。另外，第二保護膜基體172中的第二薄壁部分172b比具有足夠厚度的第二厚壁部分172a接近彎曲區(qū)域ba的中心。因此，即使第一保護膜基體171和/或第二保護膜基體172部分地位于彎曲區(qū)域ba中，也是第一薄壁部分171b而不是第一厚壁部分171a，或者是第二薄壁部分172b而不是第二厚壁部分172a，可以在彎曲區(qū)域ba中。

由于第一薄壁部分171b比第一厚壁部分171a薄，且第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a薄，所以第一薄壁部分171b和第二薄壁部分172b具有相對低的強度且更加柔性。因此，即使第一保護膜基體171和/或第二保護膜基體172部分地位于彎曲區(qū)域ba中，也是第一薄壁部分171b和/或第二薄壁部分172b位于彎曲區(qū)域ba中。因此，可以有效地減少或防止第一保護膜基體171和/或第二保護膜基體172與基底100的分開或對基底100的損壞。另外，由于包括psa的第一粘合層181或第二粘合層182比第一保護膜基體171或第二保護膜基體172相對更加柔性，所以可以通過第一粘合層181或第二粘合層182來減小應力。

圖13示出了根據(jù)另一個實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖，圖14示出了圖13的顯示裝置的一部分的剖視圖。該實施例的顯示裝置與圖5和圖6中的顯示裝置的不同之處在于：除了第一保護膜基體171和第一粘合層181之外，保護膜pf還包括第二保護膜基體172和第二粘合層182。

第二保護膜基體172與第一保護膜基體171分隔開，并且位于基底100的下表面上方，以對應于第二區(qū)域2a的至少一部分。第二粘合層182位于基底100與第二保護膜基體172之間，以將第二保護膜基體172固定到基底100上。如上所述，當保護膜pf包括第二保護膜基體172和第二粘合層182時，可以保護基底100的下表面的更多部分。

與第一保護膜基體171不同，第二保護膜基體172可以具有如圖13和圖14中示出的恒定厚度。這是因為第二保護膜基體172在作為基底100的邊緣的第二區(qū)域2a中，在第二區(qū)域2a中沒有會被損壞的導電層或僅有少量導電層。

圖15示出了根據(jù)另一個實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖，圖16示出了圖15的顯示裝置的一部分的剖視圖。在圖15和圖16中，與第一保護膜基體171相似，第二保護膜基體172可以包括具有第三厚度的第二厚壁部分172a以及比第二厚壁部分172a接近彎曲區(qū)域ba且具有小于第三厚度的第四厚度的第二薄壁部分172b。第二厚壁部分172a和第二薄壁部分172b可以彼此接觸或一體地形成。

與第一保護膜基體171一樣，保護膜pf的第二保護膜基體172可以具有其自身的強度。因此，如果第二保護膜基體172具有低的柔性，那么當基底100彎曲時，第二保護膜基體172會與基底100分開。否則，由于第二保護膜基體172的強度，會在第二保護膜基體172的朝向彎曲區(qū)域ba的方向上的端部周圍損壞基底100或基底100上方的第一導電層215c。

然而，在本實施例中，第二保護膜基體172在第二區(qū)域2a中，而不在彎曲區(qū)域ba中。因此，可以有效地減少或防止第二保護膜基體172與基底100的分開或對基底100的損壞。

由于彎曲區(qū)域ba的彎曲，應力會被施加到彎曲區(qū)域ba或第二區(qū)域2a的與彎曲區(qū)域ba相鄰的部分。然而，根據(jù)本實施例，第二保護膜基體172中的第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a接近彎曲區(qū)域ba，其中，第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a薄。由于第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a薄，所以第二薄壁部分172b具有比第二厚壁部分172a的強度相對低的強度并且比第二厚壁部分172a更加柔性。因此，由于第二薄壁部分172b更接近彎曲區(qū)域ba，因此可以有效地減少或防止第二保護膜基體172與基底100的分開或對基底100的損壞。

圖17示出了根據(jù)另一個實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。在圖17中，第一保護膜基體171不僅可以位于第一區(qū)域1a中，第二保護膜基體172不僅可以位于第二區(qū)域2a中，而且第一保護膜基體171和/或第二保護膜基體172可以部分地位于彎曲區(qū)域ba中。這可以是有意的或者可以是保護膜pf和基底100之間未對齊的結果。

然而，根據(jù)本實施例，第一保護膜基體171中的第一薄壁部分171b比第一厚壁部分171a接近彎曲區(qū)域ba的中心，其中第一薄壁部分171b比第一厚壁部分171a薄。另外，第二保護膜基體172中的第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a接近彎曲區(qū)域ba的中心，其中第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a薄。因此，即使第一保護膜基體171和/或第二保護膜基體172部分地位于彎曲區(qū)域ba中，也是第一薄壁部分171b而不是第一厚壁部分171a，或者是第二薄壁部分172b而不是第二厚壁部分172a，可以位于彎曲區(qū)域ba中。

由于第一薄壁部分171b比第一厚壁部分171a薄，并且第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a薄，所以第一薄壁部分171b和第二薄壁部分172b具有比第一厚壁部分171a和第二厚壁部分172a相對低的強度并且比第一厚壁部分171a和第二厚壁部分172a更加柔性。因此，即使第一保護膜基體171和/或第二保護膜基體172部分地位于彎曲區(qū)域ba中，也是第一薄壁部分171b和/或第二薄壁部分172b可以位于彎曲區(qū)域ba中。因此，可以有效地減少或防止第一保護膜基體171和/或第二保護膜基體172與基底100的分開或對基底100的損壞。

另外，包括psa的第一粘合層181或第二粘合層182比第一保護膜基體171或第二保護膜基體172更加柔性。因此，可以通過第一粘合層181和第二粘合層182來減小應力。

在一個或更多個先前的實施例中，當?shù)谝槐Ｗo膜基體171包括第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b并且第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b相接觸或一體地形成時，第一保護膜基體171的厚度在第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b之間不連續(xù)地變化。另外，當?shù)诙Ｗo膜基體172包括第二厚壁部分172a和第二薄壁部分172b并且第二厚壁部分172a和第二薄壁部分172b相接觸或一體地形成時，第二保護膜基體172的厚度在第二厚壁部分172a與第二薄壁部分172b之間不連續(xù)地變化。這在其它實施例中可以不同。

圖18示出了根據(jù)另一個實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖，圖19示出了彎曲的顯示裝置的一部分的剖視圖。在圖18和圖19中，第一保護膜基體171可以包括第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b，以及在朝向彎曲區(qū)域ba的方向上的邊緣處具有朝向彎曲區(qū)域ba減小的厚度的第一錐形部分。

在第一錐形部分中，從第一保護膜基體171在基底100方向上的上表面到基底100的下表面的距離可以朝向彎曲區(qū)域ba的中心部分增大。因此，在第一粘合層181的與第一錐形部分對應的部分中，從第一粘合層181的朝向第一保護膜基體171的方向上的下表面到基底100的下表面的距離可以朝向彎曲區(qū)域ba的中心部分增大。另外，在第一錐形部分中，從第一保護膜基體171的下表面到基底100的下表面的距離朝向彎曲區(qū)域ba的中心部分可以是恒定的。

在一個實施例中，第一保護膜基體171可以在第一區(qū)域1a中，而不在彎曲區(qū)域ba中。因此，可以減少或防止第一保護膜基體171與基底100的分開或對基底100的損壞。另外，由于第一保護膜基體171包括具有根據(jù)朝向彎曲區(qū)域ba減小的厚度而減小的強度的第一錐形部分，所以第一保護膜基體171變得更加柔性。因此，可以有效地減少或防止第一保護膜基體171與基底100的分開或對基底100的損壞。

圖20示出了根據(jù)另一個實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。在圖20中，第一保護膜基體171的第一錐形部分不僅可以位于第一區(qū)域1a中，而且可以部分地位于彎曲區(qū)域ba中。這可以是有意的或者可以是保護膜pf和基底100之間未對齊的結果。

然而，即使第一錐形部分部分地位于彎曲區(qū)域ba中，第一錐形部分也具有朝向彎曲區(qū)域ba而減小的厚度，并且具有根據(jù)厚度而降低的強度。因此，第一錐形部分朝向彎曲區(qū)域ba變得更加柔性。因此，可以有效地減少或防止第一保護膜基體171與基底100的分開或對基底100的損壞。另外，由于包括psa的第一粘合層181比第一保護膜基體171更加柔性，所以可以通過第一粘合層181來減小應力。

圖21示出了根據(jù)另一個實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖，圖22示出了圖21中的顯示裝置的一部分的剖視圖。根據(jù)該實施例的顯示裝置與圖18和圖19中的顯示裝置的不同之處在于：除了第一保護膜基體171和第一粘合層181之外，保護膜pf還包括第二保護膜基體172和第二粘合層182。

第二保護膜基體172與第一保護膜基體171分隔開，并且位于基底100的下表面上方以對應于第二區(qū)域2a的至少一部分。第二粘合層182位于基底100和第二保護膜基體172之間，以將第二保護膜基體172固定到基底100上。如上所述，當保護膜pf包括第二保護膜基體172和第二粘合層182時，可以保護基底100的下表面上的更多部分。

與第一保護膜基體171不同，第二保護膜基體172可以具有如圖21和圖22中的恒定厚度。這是因為第二保護膜基體172在第二區(qū)域2a中，即在基底100的在第二區(qū)域2a中沒有會被損壞的導電層或者僅存在少量導電層的邊緣中。

圖23示出了根據(jù)另一個實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖，圖24示出了圖23中的顯示裝置的一部分的剖視圖。在圖23和圖24中，與第一保護膜基體171相似，第二保護膜基體172可以包括第二厚壁部分172a、第二薄壁部分172b以及具有朝向彎曲區(qū)域ba減小的厚度的第二錐形部分。第二保護膜基體172可以在第二區(qū)域2a中。

在第二錐形部分中，從第二保護膜基體172在朝向基底100的方向上的上表面到基底100的下表面的距離可以朝向彎曲區(qū)域ba的中心部分增大。因此，在第二粘合層182的與第二錐形部分對應的部分中，從第二粘合層182在朝向第二保護膜基體172的方向上的下表面到基底100的下表面的距離可以朝向彎曲區(qū)域ba的中心部分增大。另外，在第二錐形部分中，從第二保護膜基體172的下表面到基底100的下表面的距離朝向彎曲區(qū)域ba的中心部分可以是恒定的。

與第一保護膜基體171一樣，保護膜pf的第二保護膜基體172可以具有其自身的強度。因此，如果第二保護膜基體172具有低的柔性，那么當基底100彎曲時，第二保護膜基體172會與基底100分開。否則，由于第二保護膜基體172的強度，會在第二保護膜基體172的朝向彎曲區(qū)域ba的方向上的端部周圍損壞基底100或基底100上方的第一導電層215c。

然而，在本實施例中，第二保護膜基體172在第二區(qū)域2a中，而不在彎曲區(qū)域ba中。因此，可以有效地減少或防止第二保護膜基體172與基底100的分開或對基底100的損壞。

具體地，由于在彎曲區(qū)域ba處的彎曲，應力會被施加到彎曲區(qū)域ba或與彎曲區(qū)域ba相鄰的第二區(qū)域2a。然而，在本實施例中，第二保護膜基體172包括具有朝向彎曲區(qū)域ba而減小的厚度的第二錐形部分和降低的強度，因此第二保護膜基體172變得更加柔性。結果，可以有效地減少或防止第二保護膜基體172與基底100的分開或對基底100的損壞。

圖25示出了根據(jù)另一個實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。在圖25中，第一保護膜基體171不僅可以位于第一區(qū)域1a中，第二保護膜基體172不僅可以位于第二區(qū)域2a中，而且第一保護膜基體171和/或第二保護膜基體172可以部分地位于彎曲區(qū)域ba中。這可以是有意的或者可以是保護膜pf和基底100之間未對齊的結果。

然而，即使第一錐形部分和/或第二錐形部分部分地位于彎曲區(qū)域ba中，第一錐形部分和第二錐形部分中的每個也具有朝向彎曲區(qū)域ba而減小的厚度，并且具有根據(jù)厚度而降低的強度。因此，第一錐形部分或第二錐形部分朝向彎曲區(qū)域ba變得更加柔性。因此，可以有效地減少或防止第一保護膜基體171和/或第二保護膜基體172與基底100的分開或對基底100的損壞。另外，由于包括psa的第一粘合層181或第二粘合層182比第一保護膜基體171或第二保護膜基體172更具柔性，所以也可以通過第一粘合層181或第二粘合層182來減小應力。

另外，在圖2和用于描述前述實施例的其它附圖中，顯示裝置的無機絕緣層包括對應于彎曲區(qū)域ba的開口。

在其它實施例中，無機絕緣層可以不包括在對應于彎曲區(qū)域ba的部分中完全穿透其的開口，而是可以包括位于與彎曲區(qū)域ba對應的部分中的凹槽。例如，緩沖層110可以遍及第一區(qū)域1a、彎曲區(qū)域ba和第二區(qū)域2a連續(xù)地形成。

另外，柵極絕緣層120可以包括對應于彎曲區(qū)域ba的開口120a。層間絕緣層130也可以包括對應于彎曲區(qū)域ba的開口130a。因此，包括緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130的無機絕緣層可以被理解為具有對應于彎曲區(qū)域ba的凹槽。然而，無機絕緣層可以包括各種類型的凹槽。例如，可以部分地去除緩沖層110的上表面(在+z方向上)，而可以不去除柵極絕緣層120的下表面(在-z方向上)。

在凹槽與彎曲區(qū)域ba疊置的意義上，凹槽可以對應于彎曲區(qū)域ba。凹槽的面積可以大于彎曲區(qū)域ba的面積。凹槽的面積可以被限定為在柵極絕緣層120的開口120a與層間絕緣層130的開口130a之間具有最小面積的一個的面積。如上所述，當無機絕緣層包括凹槽時，有機材料層160可以至少部分地填充凹槽。另外，第一導電層215c在形成有有機材料層160的區(qū)域內位于有機材料層160上。

與無機絕緣層包括開口的情況相關的以上描述可以適用于無機絕緣層包括凹槽的情況。例如，有機材料層160可以覆蓋凹槽的內側表面。另外，有機材料層160可以包括在凹槽內至少部分地位于有機材料層160的上表面中的不平坦表面160a。另外，在彎曲區(qū)域ba中，有機材料層160的不平坦表面160a的面積可以大于彎曲區(qū)域ba的面積，但是可以小于凹槽的面積。保護膜pf的結構或特性可以適用于根據(jù)這些實施例的顯示裝置。

圖26示出了根據(jù)另一個實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。在圖26中，可以遍及第一區(qū)域1a、彎曲區(qū)域ba和第二區(qū)域2a連續(xù)地設置緩沖層110、柵極絕緣層120和層間絕緣層130。另外，有機材料層160位于基底100(例如，層間絕緣層130)的上方，并且可以在至少對應于彎曲區(qū)域ba的上表面中具有不平坦表面160a。根據(jù)前面描述的實施例的保護膜pf的結構和特性可以適用于本實施例。

圖27示出了根據(jù)另一個實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。在圖27中，根據(jù)前面描述的實施例的保護膜pf的結構和特性可以適用于有機材料層160在其上表面中不包括不平坦表面160a的情況。另外，根據(jù)前面描述的實施例的保護膜pf的結構和特性可以適用于不設置有機材料層160的情況。

根據(jù)一個或更多個實施例，可以減少與用于制造顯示裝置的工藝對應的缺陷率。

在此已經(jīng)公開了示例實施例，雖然采用了特定術語，但是特定術語只是以一般的和描述性的意義來使用和解釋，而不是出于限制目的。在一些情形下，如到本申請的提交為止本領域技術人員將清楚的是，除非另外指出，否則結合具體實施例描述的特征、特性和/或元件可以單獨使用或者與結合其它實施例描述的特征、特性和/或元件組合使用。因此，本領域的技術人員將理解的是，在不脫離權利要求中闡述的實施例的情況下，可以做出形式上和細節(jié)上的各種改變。