技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種多層金屬層的蝕刻方法，包括：在上層金屬層表面上涂覆光阻層；對(duì)光阻層進(jìn)行曝光顯影，以在多層金屬層表面上形成蝕刻區(qū)域；對(duì)多層金屬層進(jìn)行濕蝕刻，將蝕刻至預(yù)設(shè)位置的時(shí)間點(diǎn)作為濕蝕刻終點(diǎn)，該預(yù)設(shè)位置位于多層金屬層的內(nèi)部；停止?jié)裎g刻并將襯底基板進(jìn)行干燥處理后，對(duì)預(yù)設(shè)位置以下的多層金屬層部分進(jìn)行干蝕刻并將其蝕刻完；剝離位于上層金屬層上的光阻層，完成蝕刻操作；其中，濕蝕刻至預(yù)設(shè)位置時(shí)，光阻層下表面尚存在可維持其不脫落的上層金屬層，光阻層尚覆蓋在蝕刻區(qū)域外的上層金屬層上。本發(fā)明可以在蝕刻完多層金屬層后，保護(hù)好上層金屬層，進(jìn)而保證光阻層不會(huì)脫落。

技術(shù)研發(fā)人員：武岳;李珊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市華星光電技術(shù)有限公司
文檔號(hào)碼：201710212918
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.01
技術(shù)公布日：2017.06.13