本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

TFT-LCD(薄膜晶體管-液晶顯示器)行業(yè)中，扭曲向列(Twisted Nematic，TN)型液晶顯示器因其具有工藝簡(jiǎn)單、成熟、良率更高的優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、掌上終端等電子顯示終端產(chǎn)品中。

在TN模式的液晶顯示器中，公共電極線是由不透光的金屬制成的，為了保證TN模式液晶顯示器的開口率，需要將公共電極線設(shè)置的比較窄，而TN模式液晶顯示器的存儲(chǔ)電容是由公共電極線和像素電極之間的正對(duì)面積決定的，因此存儲(chǔ)電容受限于開口率會(huì)比較低，導(dǎo)致TN模式的液晶顯示器在電容耦合效應(yīng)以及關(guān)態(tài)電流I_off的影響下可能出現(xiàn)Flicker(閃爍)和殘影等不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，能夠在不影響顯示裝置的開口率的情況下提高顯示裝置的存儲(chǔ)電容，改善顯示裝置的顯示效果。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種顯示基板的制作方法，包括在襯底基板上形成公共電極線的步驟，形成所述公共電極線的步驟包括：

形成延伸方向相同的透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形，所述透明導(dǎo)電圖形與所述金屬圖形相接觸組成至少部分所述公共電極線，所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影具有超出所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影的部分。

進(jìn)一步地，形成所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形包括：

在所述襯底基板上依次形成所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形，所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影與所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影部分重合；或

在所述襯底基板上依次形成所述金屬圖形和所述透明導(dǎo)電圖形，所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影與所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影部分重合。

進(jìn)一步地，形成所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形包括：

通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形，所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影完全落入所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形包括：

依次形成透明導(dǎo)電層和金屬層；

在所述金屬層上涂覆光刻膠，利用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域；

刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的透明導(dǎo)電層和金屬層，形成所述透明導(dǎo)電圖形；

去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；

刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的金屬層，形成所述金屬圖形；

去除光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。

進(jìn)一步地，所述顯示基板還包括薄膜晶體管的柵極和柵線，在形成所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形的同一次構(gòu)圖工藝中，還形成所述薄膜晶體管的柵極和柵線。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板，包括位于襯底基板上的公共電極線，至少部分所述公共電極線由延伸方向相同的透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形組成，所述透明導(dǎo)電圖形與所述金屬圖形相接觸，且所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影具有超出所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影的部分。

進(jìn)一步地，所述公共電極線包括層疊設(shè)置的所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形，所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影與所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影部分重合，所述金屬圖形覆蓋所述透明導(dǎo)電圖形的部分區(qū)域；或所述透明導(dǎo)電圖形覆蓋所述金屬圖形的部分區(qū)域。

進(jìn)一步地，所述公共電極線包括所述金屬圖形和覆蓋所述金屬圖形的所述透明導(dǎo)電圖形，所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影完全落入所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影內(nèi)；或

所述公共電極線包括所述透明導(dǎo)電圖形和位于所述透明導(dǎo)電圖形上的所述金屬圖形，所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影完全落入所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述公共電極線包括并排設(shè)置的所述金屬圖形和所述透明導(dǎo)電圖形。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。

本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果：

上述方案中，至少部分公共電極線由延伸方向相同的透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形組成，透明導(dǎo)電圖形在襯底基板上的正投影具有超出金屬圖形在襯底基板上的正投影的部分，這樣能夠使得公共電極線與像素電極的正對(duì)面積大于金屬圖形與像素電極的正對(duì)面積，使得顯示裝置的存儲(chǔ)電容得到了提高；同時(shí)由于公共電極線與像素電極的正對(duì)面積增加的部分是由透明導(dǎo)電圖形導(dǎo)致的，而透明導(dǎo)電圖形因其具有的透光性不影響顯示裝置的開口率，因此能夠在不影響顯示裝置的開口率的情況下提高顯示裝置的存儲(chǔ)電容，改善顯示裝置的顯示效果。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有顯示基板的平面示意圖；

圖2為現(xiàn)有顯示基板的AA’方向的截面示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例顯示基板的平面示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例顯示基板的AA’方向的截面示意圖。

附圖標(biāo)記

1襯底基板 2金屬圖形 3柵絕緣層 4鈍化層

5像素電極 6透明導(dǎo)電圖形

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

如圖1和圖2所示，現(xiàn)有TN模式的液晶顯示器中，公共電極線為不透光的金屬圖形2，TN模式液晶顯示器的存儲(chǔ)電容是由公共電極線和像素電極之間的正對(duì)面積決定的，為了提高TN模式的液晶顯示器的存儲(chǔ)電容，需要將金屬圖形2設(shè)計(jì)的比較寬，但這樣又會(huì)降低液晶顯示器的開口率，影響液晶顯示器的顯示效果，因此TN模式的液晶顯示器的存儲(chǔ)電容和開口率不能兼顧。

為了解決上述問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，能夠在不影響顯示裝置的開口率的情況下提高顯示裝置的存儲(chǔ)電容，改善顯示裝置的顯示效果。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供一種顯示基板的制作方法，包括在襯底基板上形成公共電極線的步驟，形成所述公共電極線的步驟包括：

形成延伸方向相同的透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形，所述透明導(dǎo)電圖形與所述金屬圖形相接觸組成至少部分所述公共電極線，所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影具有超出所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影的部分。

本實(shí)施例中，至少部分公共電極線由延伸方向相同的透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形組成，透明導(dǎo)電圖形在襯底基板上的正投影具有超出金屬圖形在襯底基板上的正投影的部分，這樣能夠使得公共電極線與像素電極的正對(duì)面積大于金屬圖形與像素電極的正對(duì)面積，使得顯示裝置的存儲(chǔ)電容得到了提高；同時(shí)由于公共電極線與像素電極的正對(duì)面積增加的部分是由透明導(dǎo)電圖形導(dǎo)致的，而透明導(dǎo)電圖形因其具有的透光性不影響顯示裝置的開口率，因此能夠在不影響顯示裝置的開口率的情況下提高顯示裝置的存儲(chǔ)電容，改善顯示裝置的顯示效果。

其中，可以是公共電極線的一部分由透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形組成，也可以是公共電極線的全部均由透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形組成。

具體實(shí)施例中，形成所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形包括：

在所述襯底基板上依次形成所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形，所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影與所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影部分重合；或

在所述襯底基板上依次形成所述金屬圖形和所述透明導(dǎo)電圖形，所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影與所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影部分重合。

即可以通過兩次構(gòu)圖工藝分別形成透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形，可以先形成透明導(dǎo)電圖形再形成金屬圖形，也可以先形成金屬圖形再形成透明導(dǎo)電圖形，但是透明導(dǎo)電圖形需要具有超出金屬圖形即未被金屬圖形覆蓋的部分，這樣由透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形組成的公共電極線部分與像素電極的正對(duì)面積將大于對(duì)應(yīng)區(qū)域金屬圖形與像素電極的正對(duì)面積，從而能夠提高顯示基板的存儲(chǔ)電容。

優(yōu)選實(shí)施例中，形成所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形包括：

通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形，所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影完全落入所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。即采用同一次構(gòu)圖工藝形成透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形，這樣能夠在不增加顯示基板構(gòu)圖工藝次數(shù)的前提下形成透明導(dǎo)電圖形，減少顯示基板構(gòu)圖工藝的次數(shù)，降低顯示基板的生產(chǎn)成本。

進(jìn)一步地，所述通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形具體包括：

依次形成透明導(dǎo)電層和金屬層；

在所述金屬層上涂覆光刻膠，利用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域；

刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的透明導(dǎo)電層和金屬層，形成所述透明導(dǎo)電圖形；

去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；

刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的金屬層，形成所述金屬圖形；

去除光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。

進(jìn)一步地，所述顯示基板還包括薄膜晶體管的柵極和柵線，在形成所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形的同一次構(gòu)圖工藝中，還形成所述薄膜晶體管的柵極和柵線。

下面以通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形，且金屬圖形為利用柵金屬層制成為例，對(duì)本實(shí)施例顯示基板的制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹，本實(shí)施例的顯示基板的制作方法具體包括以下步驟：

步驟1、提供一襯底基板1，在襯底基板1上形成透明導(dǎo)電層和柵金屬層；

其中，襯底基板1可為玻璃基板或石英基板。

具體地，在襯底基板1上通過濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積厚度約為的透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以是ITO、IZO或者其他的透明金屬氧化物。

可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在透明導(dǎo)電層上沉積厚度約為的柵金屬層，柵金屬層可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金，柵金屬層可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。

步驟2、對(duì)透明導(dǎo)電層和柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖形成透明導(dǎo)電圖形6、金屬圖形2、柵線和薄膜晶體管的柵極；

在柵金屬層上涂覆一層光刻膠，用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，其中，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵線、薄膜晶體管的柵極和金屬圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于透明導(dǎo)電圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度變小；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的柵金屬層和透明導(dǎo)電層，形成透明導(dǎo)電圖形5；去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，對(duì)光刻膠部分保留區(qū)域的柵金屬層進(jìn)行刻蝕，形成金屬圖形2、薄膜晶體管的柵極和柵線(未圖示)，剝離剩余的光刻膠。

經(jīng)過本步驟即可形成由透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形組成的公共電極線，其中，對(duì)于公共電極線來說，組成其的金屬圖形位于透明導(dǎo)電圖形之上，且透明導(dǎo)電圖形的線寬大于金屬圖形的線寬。另外，薄膜晶體管的柵極和柵線下仍保留有透明導(dǎo)電層，保留的透明導(dǎo)電層不會(huì)對(duì)顯示基板的性能造成影響，并且還能夠降低薄膜晶體管的柵極和柵線的電阻率，對(duì)于薄膜晶體管的柵極和柵線來說，保留的透明導(dǎo)電層在襯底基板1的正投影與其上的柵金屬層在襯底基板1的正投影重合。

步驟3、在完成步驟2的襯底基板1上形成柵絕緣層3；

具體地，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法在完成步驟2的襯底基板1上沉積厚度為的柵絕緣層3，柵絕緣層3可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體是SiH₄、NH₃、N₂或SiH₂Cl₂、NH₃、N₂。

步驟4、在完成步驟3的襯底基板1上形成有源層(未圖示)；

具體地，在完成步驟3的襯底基板1上沉積一層半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體材料上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于有源層的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于有源層的圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變，通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的半導(dǎo)體材料，形成有源層的圖形，剝離剩余的光刻膠。

步驟5、在經(jīng)過步驟4的襯底基板1上形成薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線(未圖示)；

具體地，可以在完成步驟4的襯底基板1上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層厚度約為的源漏金屬層，源漏金屬層可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金。源漏金屬層可以是單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在源漏金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬層，形成漏極、源極以及數(shù)據(jù)線，剝離剩余的光刻膠。

步驟6、在經(jīng)過步驟5的襯底基板1上形成鈍化層4；

具體地，可以在完成步驟5的襯底基板1上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)、PECVD或其它成膜方法沉積厚度為的鈍化層4，鈍化層4可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，具體地，鈍化層材料可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x，鈍化層4還可以使用Al₂O₃。鈍化層4可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是采用氮化硅和氧化硅構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。其中，硅的氧化物對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH₄，N₂O；氮化物或者氧氮化合物對(duì)應(yīng)氣體可以是SiH₄，NH₃，N₂或SiH₂Cl₂，NH₃，N₂。通過一次構(gòu)圖工藝形成包括有過孔的鈍化層的圖形，具體地，可以在鈍化層上涂覆一層厚度約為的有機(jī)樹脂，有機(jī)樹脂可以是苯并環(huán)丁烯(BCB)，也可以是其他的有機(jī)感光材料，曝光顯影后，通過一次刻蝕工藝形成有像素電極過孔的鈍化層4的圖形。

步驟7、在鈍化層4上形成像素電極5，像素電極5通過貫穿鈍化層4的像素電極過孔與薄膜晶體管的漏極連接。

具體地，在完成步驟6的襯底基板1上通過濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積厚度約為的透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以是ITO、IZO或者其他的透明金屬氧化物，在透明導(dǎo)電層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極5的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的透明導(dǎo)電層薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成像素電極5的圖形，像素電極5通過像素電極過孔與漏極連接。

經(jīng)過上述步驟即可形成如圖3和圖4所示的顯示基板，與現(xiàn)有顯示基板相比，本實(shí)施例的顯示基板可以在不降低顯示基板的存儲(chǔ)電容的前提下將金屬圖形設(shè)計(jì)的比較窄，從而可以提高應(yīng)用該顯示基板的顯示裝置的開口率；或者可以在不改變金屬圖形的線寬的前提下，通過增加透明導(dǎo)電圖形的線寬增加顯示基板的存儲(chǔ)電容；或者可以在將金屬圖形設(shè)計(jì)的比較窄，提高應(yīng)用該顯示基板的顯示裝置的開口率的同時(shí)，通過增加透明導(dǎo)電圖形的線寬增加顯示基板的存儲(chǔ)電容。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供了一種顯示基板，如圖3和圖4所示，包括位于襯底基板1上的公共電極線，至少部分所述公共電極線由延伸方向相同的透明導(dǎo)電圖形6和金屬圖形2組成，所述透明導(dǎo)電圖形6與所述金屬圖形2相接觸，且所述透明導(dǎo)電圖形6在所述襯底基板上的正投影具有超出所述金屬圖形2在所述襯底基板1上的正投影的部分。

本實(shí)施例中，至少部分公共電極線由延伸方向相同的透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形組成，透明導(dǎo)電圖形在襯底基板上的正投影具有超出金屬圖形在襯底基板上的正投影的部分，這樣能夠使得公共電極線與像素電極的正對(duì)面積大于金屬圖形與像素電極的正對(duì)面積，使得顯示裝置的存儲(chǔ)電容得到了提高；同時(shí)由于公共電極線與像素電極的正對(duì)面積增加的部分是由透明導(dǎo)電圖形導(dǎo)致的，而透明導(dǎo)電圖形因其具有的透光性不影響顯示裝置的開口率，因此能夠在不影響顯示裝置的開口率的情況下提高顯示裝置的存儲(chǔ)電容，改善顯示裝置的顯示效果。

其中，可以是公共電極線的一部分由透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形組成，也可以是公共電極線的全部均由透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形組成。

進(jìn)一步地，所述公共電極線包括層疊設(shè)置的所述透明導(dǎo)電圖形和所述金屬圖形，所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影與所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影部分重合，所述金屬圖形覆蓋所述透明導(dǎo)電圖形的部分區(qū)域；或所述透明導(dǎo)電圖形覆蓋所述金屬圖形的部分區(qū)域。即可以是透明導(dǎo)電圖形位于金屬圖形的上方，也可以是金屬圖形位于透明導(dǎo)電圖形的上方，但是透明導(dǎo)電圖形需要具有超出金屬圖形即未被金屬圖形覆蓋的部分，這樣由透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形組成的公共電極線部分與像素電極的正對(duì)面積將大于對(duì)應(yīng)金屬圖形與像素電極的正對(duì)面積，從而能夠提高顯示基板的存儲(chǔ)電容。

一具體實(shí)施例中，透明導(dǎo)電圖形的寬度大于金屬圖形的寬度，所述公共電極線包括所述金屬圖形和覆蓋所述金屬圖形的所述透明導(dǎo)電圖形，所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影完全落入所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影內(nèi)；或

所述公共電極線包括所述透明導(dǎo)電圖形和位于所述透明導(dǎo)電圖形上的所述金屬圖形，所述金屬圖形在所述襯底基板上的正投影完全落入所述透明導(dǎo)電圖形在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

另一具體實(shí)施例中，所述公共電極線包括并排設(shè)置的所述金屬圖形和所述透明導(dǎo)電圖形，這樣由金屬圖形和透明導(dǎo)電圖形組成的公共電極線的部分的面積等于金屬圖形和透明導(dǎo)電圖形之和，公共電極線與像素電極正對(duì)面積的增加量等于透明導(dǎo)電圖形的面積，大大增加了顯示基板的存儲(chǔ)電容。

實(shí)施例三

本實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。所述顯示裝置可以為：液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，其中，所述顯示裝置還包括柔性電路板、印刷電路板和背板。

本實(shí)施例的顯示裝置可以為TN模式的液晶顯示器，由于顯示裝置的至少部分公共電極線由延伸方向相同的透明導(dǎo)電圖形和金屬圖形組成，透明導(dǎo)電圖形在襯底基板上的正投影具有超出金屬圖形在襯底基板上的正投影的部分，這樣能夠使得公共電極線與像素電極的正對(duì)面積大于金屬圖形與像素電極的正對(duì)面積，使得顯示裝置的存儲(chǔ)電容得到了提高；同時(shí)由于公共電極線與像素電極的正對(duì)面積增加的部分是由透明導(dǎo)電圖形導(dǎo)致的，而透明導(dǎo)電圖形因其具有的透光性不影響顯示裝置的開口率，因此能夠在不影響顯示裝置的開口率的情況下提高顯示裝置的存儲(chǔ)電容，改善顯示裝置的顯示效果。

在本發(fā)明各方法實(shí)施例中，所述各步驟的序號(hào)并不能用于限定各步驟的先后順序，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，對(duì)各步驟的先后變化也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

可以理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。