技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種通孔缺陷的檢測方法，包括：提供晶圓，在所述晶圓中形成測試結(jié)構(gòu)，所述測試結(jié)構(gòu)包括依次分布的多段硅化物層、位于各段硅化物層兩端的通孔及連接相鄰兩段硅化物上通孔的多段金屬線；將所述測試結(jié)構(gòu)的一端連接地端，另一端連接電流源；依次增加所述電流源的電流值，檢測所述測試結(jié)構(gòu)的阻值，當(dāng)阻值增大至預(yù)定比例時，記錄此時的電流值為所述通孔的電流耐受值。本發(fā)明中，可以排除測試結(jié)構(gòu)中金屬線和硅化物層對測試的干擾，保證測試的可靠性。此外，將測試結(jié)構(gòu)置于晶圓的切割道中，充分利用晶圓的空間。

技術(shù)研發(fā)人員：尹彬鋒;吳奇?zhèn)?范慶言;周柯;高金德
受保護的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.21
技術(shù)公布日：2017.07.14