技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種氮化鎵基發(fā)光二極管的外延片及其制備方法，屬于半導體技術領域。外延片包括藍寶石襯底、氮化鎵緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱層、P型鋁鎵氮層和P型氮化鎵層，N型氮化鎵層包括N型氮化鎵層本體和多個凸起，N型氮化鎵層本體為柱體結構，N型氮化鎵層本體的底面設置在未摻雜氮化鎵層上，多個凸起以陣列方式布置在N型氮化鎵層本體的頂面上；多量子阱層包括多量子阱層本體和填充部分，填充部分設置在多個凸起之間露出的N型氮化鎵層本體上并將多個凸起之間的空間填滿，填充部分和多個凸起組成柱體結構，多量子阱層本體為柱體結構，多量子阱層本體設置在填充部分和多個凸起組成的柱體結構上。本發(fā)明發(fā)光效率高。

技術研發(fā)人員：王群;郭炳磊;董彬忠;李鵬;王江波
受保護的技術使用者：華燦光電（浙江）有限公司
技術研發(fā)日：2017.03.15
技術公布日：2017.08.22