1.一種可實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)穩(wěn)定的高功率半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，包括激光芯片和加熱裝置，其特征在于：還包括第一導(dǎo)熱襯底和第二導(dǎo)熱襯底，分別與激光芯片的N面和P面鍵合，并在鍵合面形成電連接；所述加熱裝置采用通過(guò)薄膜工藝或厚膜工藝生成的平面加熱元件，位于其中一個(gè)導(dǎo)熱襯底的外側(cè)表面并與該導(dǎo)熱襯底保持絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)穩(wěn)定的高功率半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述平面加熱元件為薄膜電阻或厚膜電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)穩(wěn)定的高功率半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述平面加熱元件在激光芯片腔長(zhǎng)方向和寬度方向的尺寸均小于其安裝平面，對(duì)應(yīng)于激光芯片的正上方；用于對(duì)平面加熱元件加電的正、負(fù)電極為金屬鍍層，分別位于安裝平面在激光芯片寬度或者腔長(zhǎng)方向的兩端區(qū)域，并延及平面加熱元件相應(yīng)兩端的下方區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)穩(wěn)定的高功率半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一導(dǎo)熱襯底和第二導(dǎo)熱襯底均為導(dǎo)電導(dǎo)熱襯底，平面加熱元件與相應(yīng)的導(dǎo)電導(dǎo)熱襯底之間設(shè)置有絕緣導(dǎo)熱基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)穩(wěn)定的高功率半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣導(dǎo)熱基板在激光芯片腔長(zhǎng)和/或?qū)挾确较蛏系某叽缧∮谙鄳?yīng)的導(dǎo)電導(dǎo)熱襯底，設(shè)置在該導(dǎo)電導(dǎo)熱襯底上，對(duì)應(yīng)于激光芯片的正上方，留出的空間便于實(shí)現(xiàn)激光芯片電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)穩(wěn)定的高功率半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述其中一個(gè)導(dǎo)熱襯底為絕緣導(dǎo)熱襯底，直接與平面加熱元件接觸，另一個(gè)導(dǎo)熱襯底為導(dǎo)電導(dǎo)熱襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)穩(wěn)定的高功率半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣導(dǎo)熱襯底采用DBC或者DPC結(jié)構(gòu)，通過(guò)覆銅結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)與激光芯片的電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)穩(wěn)定的高功率半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述其中一個(gè)導(dǎo)熱襯底的外側(cè)覆銅層有一部分區(qū)域與平面加熱元件及正、負(fù)電極所覆蓋區(qū)域絕緣隔離，該部分區(qū)域具有從平面加熱元件到激光芯片方向貫通的導(dǎo)電通道，將外側(cè)覆銅層與內(nèi)側(cè)覆銅層連通，使激光芯片與平面加熱元件在同側(cè)分別實(shí)現(xiàn)電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)穩(wěn)定的高功率半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述平面加熱元件設(shè)置于第二導(dǎo)熱襯底的外側(cè)面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)穩(wěn)定的高功率半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一導(dǎo)熱襯底采用Kovar合金、Invar系列合金、CuW或者Cu-Diamond復(fù)合材料，或者采用Cu/Invar/Cu、Cu/Kovar/Cu、Cu/W/Cu、Cu/Mo/Cu或Cu/Diamond/Cu復(fù)合結(jié)構(gòu)；所述第二導(dǎo)熱襯底采用CuW或者Cu-Diamond復(fù)合材料，或者采用Cu/W/Cu、Cu/Mo/Cu或Cu/Diamond/Cu復(fù)合結(jié)構(gòu)。