本發(fā)明涉及一種用于處理晶片狀物品的系統(tǒng)，其中集成了濕法和干法處理模塊。

背景技術(shù)：

使用各種處理模塊來執(zhí)行半導體晶片的處理。一些處理模塊，例如用于等離子體蝕刻的處理模塊，在真空環(huán)境中進行，并且被認為涉及“干法”處理。其它處理模塊利用各種處理液體并且在環(huán)境壓力環(huán)境中進行，例如濕法蝕刻和/或清潔，并且被認為是“濕法”處理。

美國專利公開no.2008/0057221號描述了一種用于界面工程的受控環(huán)境系統(tǒng)，其中組合實驗室周圍環(huán)境和受控周圍環(huán)境。

然而，實際上，組合濕法和干法處理模塊很少是高效的，因為這些類型的模塊的晶片生產(chǎn)量顯著不同。因此，濕法和干法處理模塊通常彼此獨立地操作。在已經(jīng)在另一類型的模塊中處理之后，在一種類型的模塊中待處理的晶片的等待時間可能是大量的。例如，在半導體制造設(shè)備中，在晶片可以在濕法處理模塊中沖洗之前，晶片在經(jīng)歷等離子體蝕刻之后有幾個小時或更長的等待時間是尋常的。

本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，由于反應(yīng)性蝕刻殘余物(例如保留在晶片表面上的鹵素)，等待其進行濕法處理的晶片可在晶片上形成的器件結(jié)構(gòu)上經(jīng)歷慢速反應(yīng)。這提供了開發(fā)改進的系統(tǒng)的動力，改進的系統(tǒng)集成了濕法和干法處理模塊，大大減少了執(zhí)行晶片的濕法處理和干法處理之間的等待時間。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，一方面，本發(fā)明涉及一種用于處理晶片狀物品的裝置，其包括真空傳送模塊和大氣傳送模塊。第一氣鎖將所述真空傳送模塊和所述大氣傳送模塊互連。大氣處理模塊連接到所述大氣傳送模塊。氣體供應(yīng)系統(tǒng)被配置為將氣體單獨地且以不同的受控流供應(yīng)到所述大氣傳送模塊、所述第一氣鎖和所述大氣處理模塊中的每一個，以便致使：

(i)當所述第一氣鎖和所述大氣傳送模塊朝向彼此打開時，氣體從所述第一氣鎖流向所述大氣傳送模塊，以及

(ii)當所述大氣傳送模塊和所述大氣處理模塊朝向彼此打開時，氣體從所述大氣傳送模塊流向所述大氣處理模塊。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括第一氣體噴頭，所述第一氣體噴頭位于所述第一氣鎖的上部區(qū)域中，并且被配置成在所述第一氣鎖內(nèi)向下分配氣體。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述第一氣鎖被配置為容納具有預定直徑的至少一個晶片狀物品，并且所述第一氣體噴頭包括向下定向的氣體排出開口，當具有預定直徑的晶片狀物品定位在所述第一氣鎖中時，所述氣體排出開口位于該晶片狀物品的徑向外部。優(yōu)選地，所述氣體排出開口位于距所述第一氣鎖的豎直室壁小于5cm的距離處。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括第二氣體噴頭，所述第二氣體噴頭位于所述大氣傳送模塊的上部區(qū)域中，并且被配置成在所述大氣傳送模塊內(nèi)向下分配氣體。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述大氣傳送模塊被配置為容納具有預定直徑的至少一個晶片狀物品，并且所述第二氣體噴頭包括向下定向的氣體排出開口，當具有預定直徑的晶片狀物品定位在所述大氣傳送模塊中時，所述氣體排出開口位于該晶片狀物品的徑向外部。優(yōu)選地，所述氣體排出開口位于距所述大氣傳送模塊的豎直室壁小于5cm的距離處。替代地，所述氣體排出開口環(huán)形地布置在具有比待處理的晶片狀物品的直徑大至少5mm的直徑的環(huán)中。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括第一排放口(exhaust)，所述第一排放口位于所述大氣傳送模塊的下部區(qū)域中，并且被配置成遠離所述大氣傳送模塊、所述第一氣鎖和所述大氣處理模塊中的每一個排放從所述第二氣體噴頭排出的氣體的至少一部分。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述大氣傳送模塊不配備真空泵。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括第三氣體噴頭，所述第三氣體噴頭位于所述大氣處理模塊的上部區(qū)域中并且被配置成在所述大氣處理模塊內(nèi)向下分配氣體。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述第三氣體噴頭鄰近來自所述大氣傳送模塊的入口開口定位。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括第二排放口，所述第二排放口位于所述大氣處理模塊中，并且被配置為遠離所述大氣傳送模塊和所述大氣處理模塊排放從所述第三氣體噴頭排出的氣體的至少一部分。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述大氣處理模塊不配備真空泵。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述大氣處理模塊包括連接到所述大氣傳送模塊的外室以及配置成執(zhí)行晶片狀物品的濕法處理的內(nèi)室。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述內(nèi)室包括下碗和上蓋，其中所述下碗和所述上蓋可相對于彼此豎直移動。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述內(nèi)室容納用于保持和旋轉(zhuǎn)經(jīng)歷處理的晶片狀物品的旋轉(zhuǎn)卡盤。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述旋轉(zhuǎn)卡盤是懸浮卡盤。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述大氣處理模塊包括連接到所述大氣傳送模塊的外室和配置成執(zhí)行晶片狀物品的濕法處理的內(nèi)室，并且所述第三氣體噴頭定位在所述外室內(nèi)且在所述內(nèi)室外部。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，至少一個真空處理模塊獨立于所述第一氣鎖附接到所述真空傳送模塊。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，設(shè)備前端模塊經(jīng)由至少一個第二氣鎖連接到所述真空傳送模塊，所述設(shè)備前端模塊包括至少一個正面開口標準箱，所述至少一個正面開口標準箱用于將晶片狀物品引入所述設(shè)備前端模塊中并用于從所述設(shè)備前端模塊移除晶片狀物品。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，僅通過穿過所述大氣傳送模塊、所述第一氣鎖和所述真空傳送模塊，可以將晶片狀物品引入到所述大氣處理模塊中以及從所述大氣處理模塊移除晶片狀物品。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，加熱器定位在所述大氣傳送模塊和所述第一氣鎖中的至少一個中，所述加熱器配置成蒸發(fā)存在于從所述大氣處理模塊返回到所述真空傳送模塊的晶片狀物品上的任何殘留水分。這種加熱器可以包括諸如led加熱元件的輻射加熱器。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述真空傳送模塊包括真空傳送機械手，所述真空傳送機械手能操作以將晶片狀物品從所述真空傳送模塊傳送到所述第一氣鎖。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述真空傳送模塊包括真空傳送機械手，所述真空傳送機械手能操作以將晶片狀物品從至少一個第二氣鎖傳送到所述真空傳送模塊，以及從所述真空傳送模塊到所述第一氣鎖。

在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述大氣傳送模塊包括大氣傳送機械手，所述大氣傳送機械手能操作以將晶片狀物品從所述第一氣鎖傳送到所述大氣傳送模塊，以及從所述大氣傳送模塊傳送到所述大氣處理模塊。

具體而言，本發(fā)明的一些方面可以闡述如下：

1.一種用于處理晶片狀物品的裝置，其包括：

真空傳送模塊；

大氣傳送模塊；

第一氣鎖，其將所述真空傳送模塊和所述大氣傳送模塊互連；

大氣處理模塊，其連接到所述大氣傳送模塊；以及

氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其被配置為單獨地且以不同的受控流將氣體供應(yīng)到所述大氣傳送模塊、所述第一氣鎖和所述大氣處理模塊中的每一個，以便致使：

(i)當所述第一氣鎖和所述大氣傳送模塊朝向彼此打開時，氣體從所述第一氣鎖流向所述大氣傳送模塊，以及

(ii)當所述大氣傳送模塊和所述大氣處理模塊朝向彼此打開時，氣體從所述大氣傳送模塊流向所述大氣處理模塊。

2.根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括第一氣體噴頭，所述第一氣體噴頭位于所述第一氣鎖的上部區(qū)域中，并且被配置成在所述第一氣鎖內(nèi)向下分配氣體。

3.根據(jù)條款2所述的裝置，其中所述第一氣鎖被配置為容納具有預定直徑的至少一個晶片狀物品，并且其中所述第一氣體噴頭包括向下定向的氣體排出開口，當具有所述預定直徑的晶片狀物品定位在所述第一氣鎖中時，所述氣體排出開口位于該晶片狀物品的徑向外部。

4.根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括第二氣體噴頭，所述第二氣體噴頭位于所述大氣傳送模塊的上部區(qū)域中，并且被配置為在所述大氣傳送模塊內(nèi)向下分配氣體。

5.根據(jù)條款4所述的裝置，其中所述大氣傳送模塊被配置為容納具有預定直徑的至少一個晶片狀物品，并且其中所述第二氣體噴頭包括向下定向的氣體排出開口，當具有所述預定直徑的晶片狀物品定位在所述大氣傳送模塊中時，所述氣體排出開口位于該晶片狀物品的徑向外部。

6.根據(jù)條款4所述的裝置，其中，所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括第一排放口，所述第一排放口位于所述大氣傳送模塊的下部區(qū)域中，并且被配置為遠離所述大氣傳送模塊、所述第一氣鎖和所述大氣處理模塊中的每一個排放從所述第二氣體噴頭排出的氣體的至少一部分。

7.根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述大氣傳送模塊不配備真空泵。

8.根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括第三氣體噴頭，所述第三氣體噴頭位于所述大氣處理模塊的上部區(qū)域中，并且被配置成在所述大氣處理模塊內(nèi)向下分配氣體。

9.根據(jù)條款8所述的裝置，其中所述第三氣體噴頭鄰近來自所述大氣傳送模塊的入口開口定位。

10.根據(jù)條款8所述的裝置，其中所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括第二排放口，所述第二排放口位于所述大氣處理模塊中，并且被配置為遠離所述大氣傳送模塊和所述大氣處理模塊中的每一個排放從所述第三氣體噴頭排出的氣體的至少一部分。

11.根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述大氣處理模塊不配備真空泵。

12.根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述大氣處理模塊包括連接到所述大氣傳送模塊的外室以及配置成執(zhí)行晶片狀物品的濕法處理的內(nèi)室。

13.根據(jù)條款12所述的裝置，其中所述內(nèi)室包括下碗和上蓋，其中所述下碗和所述上蓋能相對于彼此豎直移動。

14.根據(jù)條款12所述的裝置，其中所述內(nèi)室容納用于在處理所述晶片狀物品時保持和旋轉(zhuǎn)所述晶片狀物品的旋轉(zhuǎn)卡盤。

15.根據(jù)條款14所述的裝置，其中所述旋轉(zhuǎn)卡盤是懸浮卡盤。

16.根據(jù)條款8所述的裝置，其中所述大氣處理模塊包括連接到所述大氣傳送模塊的外室以及配置成執(zhí)行晶片狀物品的濕法處理的內(nèi)室，并且其中所述第三氣體噴頭位于所述外室內(nèi)并且在所述內(nèi)室的外部。

17.根據(jù)條款1所述的裝置，其還包括獨立于所述第一氣鎖附接到所述真空傳送模塊的至少一個真空處理模塊。

18.根據(jù)條款1所述的裝置，其還包括經(jīng)由至少一個第二氣鎖連接到所述真空傳送模塊的設(shè)備前端模塊，所述設(shè)備前端模塊包括至少一個正面開口標準箱，所述至少一個正面開口標準箱用于將晶片狀物品引入所述設(shè)備前端模塊中以及用于從所述設(shè)備前端模塊移除晶片狀物品。

19.根據(jù)條款1所述的裝置，其中，僅通過穿過所述大氣傳送模塊、所述第一氣鎖和所述真空傳送模塊，可以將晶片狀物品引入所述大氣處理模塊中以及從所述大氣處理模塊移除晶片狀物品。

20.根據(jù)條款1所述的裝置，其還包括設(shè)置在所述大氣傳送模塊和所述第一氣鎖中的至少一個中的加熱器，所述加熱器被配置為蒸發(fā)從所述大氣處理模塊返回到所述真空傳送模塊的晶片狀物品上存在的任何殘余水分。

21.根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述真空傳送模塊包括真空傳送機械手，所述真空傳送機械手能操作以將晶片狀物品從所述真空傳送模塊傳送到所述第一氣鎖。

22.根據(jù)條款15所述的裝置，其中所述真空傳送模塊包括真空傳送機械手，所述真空傳送機械手能操作以將晶片狀物品從所述至少一個第二氣鎖傳送到所述真空傳送模塊，以及從所述真空傳送模塊傳送到所述第一氣鎖。

23.根據(jù)條款1所述的裝置，其中所述大氣傳送模塊包括大氣傳送機械手，所述大氣傳送機械手能操作以將晶片狀物品從所述第一氣鎖傳送到所述大氣傳送模塊，以及從所述大氣傳送模塊傳送到所述大氣處理模塊。

附圖說明

在閱讀了參照附圖給出的本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的以下詳細描述之后，本發(fā)明的其它目的、特征和優(yōu)點將變得更加明顯，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的包括集成的濕法處理模塊和干法處理模塊的裝置的俯視平面圖；

圖2是沿圖1的線ii-ii截取的示意性剖視圖；

圖3是適用于根據(jù)本發(fā)明的裝置中的濕法處理裝置的剖視圖；以及

圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的包括集成的濕法處理模塊和干法處理模塊的裝置的俯視平面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在參考附圖，圖1的系統(tǒng)包括一系列正面開口標準箱(foup)50，foup50是晶片進出裝置的入口和出口點。包括efem機械手56的設(shè)備前端模塊(efem)53被設(shè)置用于將晶片從foup50經(jīng)由槽閥(slotvalve)58傳送到in氣鎖59。efem機械手56同樣將晶片從out氣鎖62經(jīng)由槽閥61傳送到foup50。可選的大氣檢查模塊65經(jīng)由槽閥68連接到efem53。

in氣鎖59和out氣鎖62又經(jīng)由相應(yīng)的槽閥60和63連接到真空傳送模塊(vtm)71。vtm71配備有vtm機械手74，vtm機械手74從in氣鎖59移動晶片通過槽閥60，經(jīng)由相應(yīng)的槽閥81或84到達第一真空處理模塊80和第二真空處理模塊83中選定的一個。真空處理模塊80和83例如是用于等離子體蝕刻的處理模塊。

替代地，vtm機械手74從in氣鎖59移動晶片通過槽閥60，經(jīng)由槽閥119到達第三真空處理模塊122。第三真空處理模塊122例如是沉積模塊。

vtm機械手74還被配置成從in氣鎖59移動晶片通過槽閥60，經(jīng)由與可選的真空檢查模塊77相關(guān)聯(lián)的槽閥78到達可選的真空檢查模塊77，或經(jīng)由與直通模塊(ptm)87相關(guān)聯(lián)的槽閥86到達直通模塊(ptm)87。

對于所有上述傳送，vtm機械手還被配置為沿著相反的路徑移動晶片通過與out氣鎖62關(guān)聯(lián)的氣鎖61到達out氣鎖62，以及在任一方向上在任何選定的真空處理模塊80、83、122之一和ptm87之間。

ptm87本身是通過真空側(cè)上的槽閥86和大氣側(cè)上的槽閥89連接vtm71和大氣傳送模塊(atm)92的氣鎖。atm92配備有atm機械手98，atm機械手98被配置為從ptm87傳送晶片通過槽閥89，經(jīng)由槽閥96到達大氣處理模塊(apm)101。apm101例如是用于濕法清潔半導體晶片的處理模塊。在該實施方式中，apm101包括封閉旋轉(zhuǎn)卡盤的內(nèi)室110，如下面將更詳細地描述的。

atm機械手98還被配置成從ptm87傳送晶片通過槽閥89，經(jīng)由槽閥113到達可選的大氣檢查模塊116。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖2，當vtm機械手74傳送晶片時，第一壓強p1在vtm71內(nèi)主導(prevail)。直通模塊87配備有環(huán)形氣體分配器88，其向ptm87提供惰性氣體(例如氮氣)。環(huán)形氣體分配器88優(yōu)選地具有大于裝置設(shè)計成處理的晶片的直徑的內(nèi)徑，使得分配器88的氣體出口在晶片存在于ptm87中時位于晶片的徑向外部。以這種方式，當一個晶片存在于ptm87中時，從氣體分配器88排出的氣體將不會以壓迫的方式撞擊在晶片的面向上的表面上。

由氣體分配器88產(chǎn)生的用于吹掃ptm87的氣流在圖2中標記為g1。v1表示用于從ptm87排出吹掃氣體的通風口(vent)。操作氣體分配器88和通風口v1，使得壓強p2在ptm87內(nèi)主導。在晶片已經(jīng)在主導ptm87內(nèi)的條件下穩(wěn)定之后，atm機械手98通過槽閥89從ptm87取出晶片并將其帶入atm92。

atm92裝備有其自身的用于用惰性氣體吹掃atm92的氣體分配器95和用于接收氣體以便排空atm92的氣體收集器94。由氣體分配器95產(chǎn)生的氣流在圖2中標記為g2，并且排放口被指定為e1。氣體分配器95和氣體收集器94被控制成使得壓強p3在atm92內(nèi)主導。

atm機械手98接下來將晶片從atm92經(jīng)由槽閥96傳送到apm101。在apm101中，存在內(nèi)室110，內(nèi)室110包含其上安裝晶片的旋轉(zhuǎn)卡盤，如下文更詳細地描述。apm101內(nèi)的在內(nèi)室110外部的空間被保持為在主導壓強p4下的受控環(huán)境。特別地，氣體分配器104位于apm101的外室內(nèi)，鄰近槽閥96，并且產(chǎn)生向下的氣流g3。內(nèi)室110還接收其自身的氣流g4。用于內(nèi)室110的排放口e2和用于外部環(huán)境107的排放口e3這兩個排放口與apm101相關(guān)聯(lián)。

本文提及的真空處理模塊意味著其中主導壓強小于大氣壓強的10％(優(yōu)選10托或更小，更優(yōu)選小于1托)的模塊。本文中提及大氣處理模塊意味著其中主導壓強在0.5至1.5巴，優(yōu)選0.9至1.1巴的范圍內(nèi)的模塊。

各自獨立地控制上述惰性氣體流g1、g2、g3、g4以及通風口和排放口v1、e1、e2和e3，使得主導壓強p1-p4滿足關(guān)系：p1>p2>p3>p4，而與晶片通過裝置的傳輸方向無關(guān)。以這種方式，(當模塊朝向彼此打開時)存在從ptm87到atm92、從atm92到外室環(huán)境107以及從外室環(huán)境107到排放口e3的氣流。這使得能夠在真空處理模塊中處理晶片，在大氣處理模塊中傳送待處理的晶片，然后使晶片返回通過真空系統(tǒng)，同時從真空系統(tǒng)中排除氧。

該實施方式的atm92與常規(guī)大氣傳送模塊的不同之處在于優(yōu)選地不使用真空泵。相反，atm92內(nèi)的壓強通過氣流g2和洗滌過的排放口e1控制。此外，該實施方式的atm92優(yōu)選地是完全密封的，這使得晶片能夠從efem53轉(zhuǎn)移到真空處理模塊，然后轉(zhuǎn)移到大氣處理模塊，然后返回到真空環(huán)境和efem53。該密封環(huán)境還有助于防止晶片在等離子體蝕刻之后且在液體清潔之前暴露于氧。

如上所述，惰性氣體(例如氮氣)通過所公開的氣體分配器供應(yīng)，所述氣體分配器在該實施方式中是環(huán)形的，其直徑大于待處理的晶片的直徑，并且位于它們各自的室的頂部附近以便向下分配氣體。替代地，氣體分配器可以采取側(cè)安裝擴散器的形式。

由于氣體優(yōu)選不再循環(huán)，例如，氮的流量限于約500slm。

或者，本文所述的氣體分配器中的一個或多個可以采用過濾器風扇單元(ffu)的形式，其中氣體在這種情況下被再循環(huán)。

atm92和/或ptm87優(yōu)選地配備有加熱器(例如，諸如藍色led加熱組件之類的輻射加熱器)，以便在晶片進入真空系統(tǒng)之前(在晶片進入vtm之前)，從(來自液體處理的)晶片解吸吸附的水分。

現(xiàn)在參考圖3，示出了大氣處理模塊101的示例。該裝置通常如在共同擁有的共同未決申請公開no.2013/0062839中描述的，并且可參考該申請中關(guān)于本文未完整闡述的任何結(jié)構(gòu)細節(jié)。

外處理室101優(yōu)選由涂覆有pfa(全氟烷氧基)樹脂的鋁制成。該實施方式中的室具有主圓柱形壁10、下部12和上部15。從上部15延伸出較窄的圓柱形壁34，圓柱形壁34由蓋36封閉。晶片優(yōu)選地經(jīng)由側(cè)開口(未示出)被裝載和卸載到室101中。

旋轉(zhuǎn)卡盤30設(shè)置在室1的上部，并且被圓柱形壁34圍繞。旋轉(zhuǎn)卡盤30在裝置的使用期間可旋轉(zhuǎn)地支撐晶片w。旋轉(zhuǎn)卡盤30包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器，該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器包括環(huán)形齒輪38，環(huán)形齒輪38接合并驅(qū)動多個偏心可移動夾持構(gòu)件40，夾持構(gòu)件40用于選擇性地接觸和釋放晶片w的外圍邊緣，如下面將詳細描述的。

在該實施方式中，旋轉(zhuǎn)卡盤30是鄰近圓柱形壁34的內(nèi)表面設(shè)置的環(huán)形轉(zhuǎn)子。定子32設(shè)置成與環(huán)形轉(zhuǎn)子相對，鄰近圓柱形壁34的外表面。轉(zhuǎn)子30和定子32用作馬達，通過該馬達，環(huán)形轉(zhuǎn)子30(以及從而被支撐的晶片w)可以通過主動磁軸承旋轉(zhuǎn)和懸浮。例如，定子34可以包括多個電磁線圈或繞組，多個電磁線圈或繞組可以被主動地控制以通過設(shè)置在轉(zhuǎn)子上的對應(yīng)的永久磁體可旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動旋轉(zhuǎn)卡盤30。旋轉(zhuǎn)卡盤30的軸向和徑向軸承也可以通過定子的主動控制或通過永磁體來實現(xiàn)。因此，可懸浮并可旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動旋轉(zhuǎn)卡盤30而無機械接觸。替代地，轉(zhuǎn)子可以由被動軸承保持，其中轉(zhuǎn)子的磁體由相應(yīng)的高溫超導磁體(hts-磁體)保持，所述高溫超導磁體周向地布置在室外部的外轉(zhuǎn)子上。使用該替代實施方式，環(huán)形轉(zhuǎn)子的每個磁體被銷接到外轉(zhuǎn)子的其相應(yīng)的hts磁體。因此，內(nèi)轉(zhuǎn)子在沒有與外轉(zhuǎn)子物理連接的情況下進行與外轉(zhuǎn)子相同的運動。

蓋36具有安裝在其外部的歧管42，其提供橫穿蓋36并通向晶片w上方的室中的介質(zhì)入口44。將注意到，本實施方式中的晶片w從旋轉(zhuǎn)卡盤30向下懸掛，由夾持構(gòu)件60支撐，使得通過入口44供應(yīng)的流體將撞擊晶片w的面向上的表面。晶片優(yōu)選地從下方裝載到卡盤30上，因此卡盤30的內(nèi)徑可以小于晶片w的直徑。此外，蓋36不需要是可移除的。

在晶片30是半導體晶片(例如直徑為300mm或450mm)的情況下，晶片w的面向上的一側(cè)可以是晶片w的器件側(cè)或正面，這取決于晶片如何定位在旋轉(zhuǎn)卡盤30上，其又由在室1內(nèi)執(zhí)行的特定處理決定。

圖3的裝置還包括可相對于處理室1移動的內(nèi)部蓋2。圖3中所示的內(nèi)部蓋2處于其第一或打開位置，在該位置處旋轉(zhuǎn)卡盤30與室1的外圓柱形壁10連通。蓋2在本實施方式中是大致杯形的，包括由直立的圓柱形壁21圍繞的基部20。蓋2還包括支撐基部20并橫穿室101的下壁14的中空軸22。

中空軸22被形成在主室101中的凸臺(boss)12包圍，并且這些元件通過動態(tài)密封件連接，動態(tài)密封件允許中空軸22相對于凸臺12移位，同時保持與室101的氣密密封。

在圓柱形壁21的頂部附接有環(huán)形偏轉(zhuǎn)構(gòu)件24，環(huán)形偏轉(zhuǎn)構(gòu)件24在其面向上的表面上承載墊26。蓋2優(yōu)選地包括橫穿基部20的流體介質(zhì)入口28，使得工藝流體和沖洗液體可以被引入到室中在晶片w的面向下的表面上。

蓋2還包括通向排出管25的處理液體排出開口23。雖然管25剛性地安裝到蓋2的基部20，但是其經(jīng)由動態(tài)密封件17穿過室1的底壁14，使得管可以相對于底壁14軸向滑動，同時保持氣密密封。

排放開口16穿過室1的壁10，而單獨的排放開口46在旋轉(zhuǎn)卡盤30的內(nèi)表面附近穿過蓋36。每個排放開口連接到合適的排放管道(未示出)，通過相應(yīng)的閥和通風裝置優(yōu)選獨立地控制該排放管道。

圖3中所示的位置對應(yīng)于晶片w的裝載或卸載。特別地，晶片w可以通過蓋36或者更優(yōu)選地通過側(cè)門(未示出)裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤30上。然而，當蓋36處于適當位置并且當任何側(cè)門已經(jīng)關(guān)閉時，室101是氣密的并且能夠保持限定的內(nèi)部壓強。

下杯2可相對于外室101豎直移動，直到蓋2上的密封墊26接觸室101的內(nèi)部，且室101的內(nèi)側(cè)上的墊18接觸偏轉(zhuǎn)器24，從而形成其中進行晶片w的處理的密封的內(nèi)室110。

如上所述，氣流g3被提供到室101內(nèi)部的體積中以及內(nèi)室110的外部，并且通過排放口e3排出，而入口46例如可以用于接納內(nèi)部氣流g4，內(nèi)部氣流g4然后可以例如通過管道25被排出(e2)。

圖4示出了另一實施方式，其中在apm101旁邊提供了第二大氣處理模塊。因此，該實施方式的atm128訪問兩個apm以及兩個ptm，使得一個可以用于進入，而另一個用于退出。圖4的實施方式另外如結(jié)合圖1-3所描述的。

雖然已經(jīng)結(jié)合本發(fā)明的各種優(yōu)選實施方式描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當理解，提供這些實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明，而不應(yīng)當被用作限制由所附權(quán)利要求的真實范圍和精神所賦予的保護范圍的借口。