1.一種薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管包括：源極金屬層，位于所述源極金屬層之上的第一歐姆接觸層，位于所述第一歐姆接觸層之上的第一絕緣層，位于所述第一絕緣層之上且與所述第一歐姆接觸層接觸的有源層，位于所述有源層之上的第二歐姆接觸層；位于所述第二歐姆接觸層之上的漏極金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層完全覆蓋所述第一絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層在所述第一絕緣層兩側(cè)分別與所述第一歐姆接觸層接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層包括非晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一歐姆接觸層和所述第二歐姆接觸層包括電子型摻雜非晶硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：
位于所述漏極金屬層之上的第二絕緣層；
位于所述第二絕緣層之上的柵極金屬層。
7.一種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1～6任一權(quán)利要求所述的薄膜晶體管。
8.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的陣列基板。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8所述的顯示面板。
10.一種薄膜晶體管制備方法，其特征在于，該方法包括：
在源極金屬層之上設(shè)置第一歐姆接觸層；
在所述第一歐姆接觸層之上設(shè)置第一絕緣層；
在所述第一絕緣層之上設(shè)置與所述第一歐姆接觸層接觸的有源層；
在所述有源層之上設(shè)置第二歐姆接觸層。