技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實施方式提供一種不會產(chǎn)生鍍覆遺漏不良的半導體制造方法。所述方法具備如下步驟：在晶片(Wafer)的一主面上，利用第1鍍覆處理形成第1金屬膜；一邊從與晶片的一主面離開配置的清洗器朝一主面上噴射清洗液，一邊使清洗器及晶片的至少一個旋轉(zhuǎn)，而清洗第1金屬膜的表面；以及在第1金屬膜上，利用第2鍍覆處理形成第2金屬膜。在清洗器，設有沿一方向配置的多個噴嘴。多個噴嘴和與晶片的中心位置對向的位置偏離配置，且在晶片的周緣部側(cè)比晶片的中心側(cè)配置更多。配置在晶片的周緣部側(cè)的噴嘴對從一方向傾斜的方向的第1范圍內(nèi)噴射清洗液，配置在晶片的中心側(cè)的噴嘴中的1個對包含晶片的中心位置的第2范圍內(nèi)噴射清洗液。

技術(shù)研發(fā)人員：右田達夫;莊子史人;小木曾浩二
受保護的技術(shù)使用者：東芝存儲器株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.06
技術(shù)公布日：2017.09.22