技術(shù)編號(hào)：11289548
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體制造方法[相關(guān)申請(qǐng)]本申請(qǐng)享有以日本專利申請(qǐng)2016-50105號(hào)(申請(qǐng)日：2016年3月14日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造方法。背景技術(shù)已知有將形成有半導(dǎo)體元件或集成電路的芯片在襯底上積層多段，而減小半導(dǎo)體裝置的占用面積的技術(shù)。有時(shí)為了謀求所積層的各芯片間的電導(dǎo)通，而形成被稱為TSV(ThroughSiliconVia：硅穿孔)的貫通電極。對(duì)導(dǎo)孔填埋金屬通常是利用電場(chǎng)鍍覆等鍍覆處理進(jìn)行。在貫通電極的鍍覆處理中，有...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。