技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
晶體管包括具有固有有源器件、第一端和第二端的半導(dǎo)體襯底。該晶體管也包括在該半導(dǎo)體襯底的上表面上的由多層介電材料和導(dǎo)電材料形成的互連結(jié)構(gòu)。該互連結(jié)構(gòu)包括由該導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)柱、分接頭互連件和屏蔽結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)柱電接觸該第一端、延伸穿過(guò)該介電材料，并且連接到第一流道。該分接頭互連件電接觸該第二端、延伸穿過(guò)該介電材料，并且連接到第二流道。該屏蔽結(jié)構(gòu)從屏蔽流道穿過(guò)該介電材料朝向該半導(dǎo)體襯底延伸。該屏蔽結(jié)構(gòu)被安置在該導(dǎo)柱與該分接頭互連件之間以限制該分接頭互連件與該導(dǎo)柱之間的反饋電容。

技術(shù)研發(fā)人員：戴蒙·霍爾默斯;大衛(wèi)·伯丹克斯;帕塔·查克拉伯帝;易卜拉欣·哈利勒;埃爾納·魯埃達(dá)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：恩智浦美國(guó)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.24
技術(shù)公布日：2017.09.22