技術(shù)編號：11289710
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大體上涉及場效應(yīng)晶體管。更具體地說，本發(fā)明涉及在有源器件的輸入端與輸出端之間具有屏蔽結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管、其中帶有該場效應(yīng)晶體管的封裝半導(dǎo)體器件以及制造此類場效應(yīng)晶體管的方法。背景技術(shù)典型的高功率半導(dǎo)體器件封裝可包括一個或多個輸入引線、一個或多個輸出引線、一個或多個晶體管、將(多個)輸入引線耦合到(多個)晶體管的引線鍵合，以及將(多個)晶體管耦合到(多個)輸出引線的引線鍵合。在此類高功率半導(dǎo)體器件封裝中的場效應(yīng)晶體管(FET)可包括叉指形漏極流道和柵極流道。FET的柵極通過從柵極流道分接的輸...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。