本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種OLED顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光(Organic Light Emitting Diode,OLED)技術(shù)是一種新型的顯示、照明技術(shù)。

目前，很多顯示裝置均采用OLED技術(shù)，比如手機(jī)屏幕、電腦顯示屏、全彩電視等。通常，OLED顯示裝置包括襯底基板、OLED結(jié)構(gòu)和封裝結(jié)構(gòu)，OLED結(jié)構(gòu)位于襯底基板上，封裝結(jié)構(gòu)與襯底基板共同形成封裝空腔，OLED結(jié)構(gòu)封裝在封裝空腔內(nèi)。該OLED結(jié)構(gòu)是通過(guò)真空蒸鍍技術(shù)制備的多層薄膜，即：在真空環(huán)境(約10Pa^-5Pa)中加熱有機(jī)/金屬材料，材料受熱升華，通過(guò)具有特殊圖案的掩膜板,在襯底基板表面形成具有一定形狀的有機(jī)/金屬薄膜。經(jīng)歷多種材料的連續(xù)沉積成膜，即可形成具有多層薄膜的OLED結(jié)構(gòu)。

由于上述OLED結(jié)構(gòu)對(duì)氧和水汽非常敏感，因此，通常對(duì)OLED顯示裝置的封裝效果要求較高。目前，OLED顯示裝置在生產(chǎn)時(shí)，會(huì)對(duì)OLED顯示裝置的封裝效果進(jìn)行監(jiān)控或檢測(cè)，以將封裝失效的OLED顯示裝置(水或/和氧已滲入封裝空腔內(nèi)的OLED顯示裝置)篩選出來(lái)，提高OLED顯示裝置的出廠合格率。如圖1，常見的檢測(cè)裝置包括密閉框體100，位于密閉框體100中的一對(duì)固定板200，測(cè)量傳感器300以及開設(shè)于該密閉框體100上的外部接口400，其中，封裝好的OLED顯示裝置500安裝在該一對(duì)固定板200之間，外部接口400和測(cè)量傳感器300位于OLED顯示裝置500兩側(cè)。當(dāng)水汽和氧氣通過(guò)外部接口400進(jìn)入密閉框體100所圍的空間時(shí)，水汽和氧氣會(huì)正面侵蝕OLED顯示裝置500，此時(shí)，測(cè)量傳感器300可以檢測(cè)水汽和氧氣穿透OLED顯示裝置500的濃度，從而得到OLED顯示裝置500的封裝能力。但是，這種檢測(cè)方法實(shí)際上檢測(cè)的是OLED顯示裝置500中封裝結(jié)構(gòu)(圖中未示出)正面隔絕水汽和氧氣的能力，對(duì)于封裝層四周和沉底接觸的部分的隔絕能力卻無(wú)法測(cè)定，檢測(cè)結(jié)果存在一定的誤差，準(zhǔn)確性低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示面板及顯示裝置，以解決現(xiàn)有OLED顯示裝置只能檢測(cè)正面封裝效果，無(wú)法檢測(cè)邊緣封裝效果的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種OLED顯示面板，包括：基板和OLED結(jié)構(gòu)，所述OLED結(jié)構(gòu)包括位于所述基板上的第一電極層、位于所述第一電極層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)層以及位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上的第二電極層；所述第一電極層包括發(fā)光像素電極組和測(cè)試像素電極組，所述測(cè)試像素電極組圍繞所述發(fā)光像素電極組設(shè)置，且所述發(fā)光像素電極組和測(cè)試像素電極組彼此電絕緣。

進(jìn)一步地，所述測(cè)試像素電極組中單個(gè)測(cè)試像素電極的面積小于或等于所述發(fā)光像素電極組中相應(yīng)的單個(gè)發(fā)光像素電極的面積。

進(jìn)一步地，所述測(cè)試像素電極包括紅光測(cè)試電極、綠光測(cè)試電極和藍(lán)光測(cè)試電極，所述藍(lán)光測(cè)試電極的面積大于或等于所述綠光測(cè)試電極或紅光測(cè)試電極的面積。

進(jìn)一步地，所述紅光測(cè)試電極、綠光測(cè)試電極和藍(lán)光測(cè)試電極均包括至少兩個(gè)子像素電極，所述子像素電極的形狀為塊狀，任意兩個(gè)所述子像素電極間隔設(shè)置或各自采用單獨(dú)陽(yáng)極。

進(jìn)一步地，在所述紅光測(cè)試電極或綠光測(cè)試電極或藍(lán)光測(cè)試電極中，任意兩個(gè)所述子像素電極共用一個(gè)陽(yáng)極。

進(jìn)一步地，所述紅光測(cè)試電極和綠光測(cè)試電極均包括至少一個(gè)子像素電極，所述藍(lán)光測(cè)試電極包括至少兩個(gè)子像素電極，所述子像素電極的形狀為長(zhǎng)條狀；所述藍(lán)光測(cè)試電極中的兩個(gè)子像素電極相互平行，所述紅光測(cè)試電極中的子像素電極和所述綠光測(cè)試電極中的子像素電極相互平行。

進(jìn)一步地，任意一對(duì)相互平行的兩個(gè)所述子像素電極之間設(shè)有刻度標(biāo)尺，所述刻度標(biāo)尺中刻度的長(zhǎng)度呈階梯狀。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供了一種OLED顯示裝置，包括：

上述任意一種OLED顯示面板和封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)與所述基板之間形成封裝空腔，所述OLED結(jié)構(gòu)位于所述封裝空腔內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述封裝結(jié)構(gòu)包括封裝蓋板和封裝膠，所述封裝蓋板與所述基板相對(duì)設(shè)置，所述封裝膠將所述封裝蓋板粘固在所述基板上，所述測(cè)試像素電極組靠近所述封裝膠。

進(jìn)一步地，所述封裝結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的多層薄膜，所述薄膜的周緣粘固在所述基板上，所述測(cè)試像素電極組靠近所述薄膜的周緣。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供了一種OLED顯示面板及顯示裝置，該OLED顯示面板包括基板和OLED結(jié)構(gòu)，該OLED結(jié)構(gòu)包括位于該基板上的第一電極層、位于該第一電極層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)層以及位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)層上的第二電極層，該第一電極層包括發(fā)光像素電極組和測(cè)試像素電極組，該測(cè)試像素電極組圍繞該發(fā)光像素電極組設(shè)置，且該發(fā)光像素電極組和測(cè)試像素電極組彼此電絕緣，從而在進(jìn)行封裝效果檢測(cè)時(shí)，不僅可以檢測(cè)該OLED顯示裝置的正面封裝效果，還可以檢測(cè)邊緣封裝效果，提高封裝效果的檢測(cè)準(zhǔn)確性。

【附圖說(shuō)明】

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中封裝效果檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中OLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中OLED顯示裝置，非薄膜封裝結(jié)構(gòu)的主視示意圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例中OLED顯示裝置，薄膜封裝結(jié)構(gòu)的主視示意圖。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例中蒸鍍前基板的俯視示意圖。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例中另一蒸鍍前基板的俯視示意圖。

圖7為圖5中OLED顯示裝置，蒸鍍后基板的剖視示意圖。

圖8為圖6中OLED顯示裝置，蒸鍍后基板的剖視示意圖。

圖9為圖6中OLED顯示裝置，另一蒸鍍后基板的剖視示意圖。

【具體實(shí)施方式】

為使本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。

請(qǐng)參見圖2至圖9，本發(fā)明提供了一種OLED顯示裝置，其可以包括OLED顯示面板1和封裝結(jié)構(gòu)2，其中，請(qǐng)參閱圖2，該OLED顯示面板1包括基板11和OLED結(jié)構(gòu)12，該OLED結(jié)構(gòu)12包括位于該基板11上的第一電極層121、位于該第一電極層121上的發(fā)光結(jié)構(gòu)層122以及位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)層122上的第二電極層123；該第一電極層121包括發(fā)光像素電極組(B、G、R)和測(cè)試像素電極組(b、g、r)，該測(cè)試像素電極組(b、g、r)圍繞該發(fā)光像素電極組(B、G、R)設(shè)置，且該發(fā)光像素電極組(B、G、R)和測(cè)試像素電極組(b、g、r)彼此電絕緣。該封裝結(jié)構(gòu)2固定在該基板11上且與該基板11之間形成封裝空腔H，該OLED結(jié)構(gòu)12位于該封裝空腔H內(nèi)。

優(yōu)選的，該基板11的材料可以為玻璃，該第一電極層121的材料可以是透明無(wú)機(jī)化合物，如ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)等，也可以為半透明金屬，如Al(鋁)、Ag(銀)、Au(金)等，其可采用濺射、蒸鍍等方法制作成形，該第一電極層121通常為陽(yáng)極。該第二電極層123可以采用現(xiàn)有技術(shù)公開的任意材料，其可以采用真空熱蒸鍍、濺射或其他方法制作成形，該第二電極層123通常為陰極。該發(fā)光結(jié)構(gòu)層122的材料可以采用現(xiàn)有技術(shù)公開的任意材料，其可采用旋涂、噴涂、滴涂或其他公知方法制作成形，當(dāng)然也可以采用真空熱蒸鍍或者濺射方法制作成形，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層122可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層(圖中均未示出)。發(fā)光過(guò)程中，從空穴注入層注入的空穴和從電子注入層注入的電子在發(fā)光層復(fù)合，激發(fā)發(fā)光層產(chǎn)生單態(tài)激子，單態(tài)激子輻射衰減發(fā)光。

具體的，該OLED顯示面板1大致有兩種封裝形式，薄膜封裝和非薄膜封裝，當(dāng)非薄膜封裝為玻璃封裝時(shí)，該封裝結(jié)構(gòu)2可以包括封裝蓋板21和封裝膠22，該封裝蓋板21與該基板11相對(duì)設(shè)置，該封裝膠22粘固在該基板11上，該測(cè)試像素電極組(b、g、r)靠近該封裝膠22，具體請(qǐng)參閱圖3。優(yōu)選的，該封裝膠22可以為玻璃膠或UV膠(無(wú)影膠)，其將該基板11和蓋板21粘固在一起，以對(duì)該OLED結(jié)構(gòu)12進(jìn)行密封。當(dāng)為薄膜封裝時(shí)，該封裝結(jié)構(gòu)2可以包括層疊設(shè)置的多層薄膜23，該薄膜23的周緣粘固在該基板11上，該測(cè)試像素電極組(b、g、r)靠近該薄膜23的周緣，具體請(qǐng)參閱圖4。

考慮到發(fā)光像素電極組(B、G、R)主要用于畫面顯示，測(cè)試像素電極組(b、g、r)主要用于監(jiān)測(cè)封裝能力，鑒于兩者不同的使用目的，該發(fā)光像素電極組(B、G、R)和測(cè)試像素電極組(b、g、r)最好使用獨(dú)立端子分別點(diǎn)亮，也即彼此電絕緣。每一測(cè)試像素電極組(或發(fā)光像素電極組)均包括若干個(gè)測(cè)試像素電極(或發(fā)光像素電極)，其中，該測(cè)試像素電極組(b、g、r)中單個(gè)測(cè)試像素電極的面積小于或等于該發(fā)光像素電極組(B、G、R)中相應(yīng)的單個(gè)發(fā)光像素電極的面積。在每一發(fā)光像素電極組(B、G、R)中，該發(fā)光像素電極可以包括紅光發(fā)光電極R、綠光發(fā)光電極G和藍(lán)光發(fā)光電極B，該藍(lán)光發(fā)光電極B的面積大于或等于該綠光發(fā)光電極G或紅光發(fā)光電極RB的面積。在每一測(cè)試像素電極組(b、g、r)中，該測(cè)試像素電極可以包括紅光測(cè)試電極r、綠光測(cè)試電極g和藍(lán)光測(cè)試電極b，該藍(lán)光測(cè)試電極b的面積大于或等于該綠光測(cè)試電極g或紅光測(cè)試電極r的面積。優(yōu)選的，該紅光發(fā)光電極R、綠光發(fā)光電極G和藍(lán)光發(fā)光電極B的排布可以與紅光測(cè)試電極r、綠光測(cè)試電極g和藍(lán)光測(cè)試電極b的排布幾乎保持一致。

優(yōu)選的，在每一測(cè)試像素電極組(b、g、r)中，紅光測(cè)試電極r、綠光測(cè)試電極g和藍(lán)光測(cè)試電極b的形狀和數(shù)量可以根據(jù)實(shí)際需求而定，比如該形狀可以為塊狀、條狀或者其他形狀，該數(shù)量可以為2個(gè)、4個(gè)或8個(gè)等。

例如，該紅光測(cè)試電極、綠光測(cè)試電極和藍(lán)光測(cè)試電極均包括至少兩個(gè)子像素電極，該子像素電極的形狀為塊狀，任意兩個(gè)該子像素電極間隔設(shè)置。優(yōu)選的，請(qǐng)參見圖5，該紅光測(cè)試電極r和綠光測(cè)試電極g均由四個(gè)該子像素電極組成，該藍(lán)光測(cè)試電極b由八個(gè)該子像素電極組成，每一顏色(比如紅光、藍(lán)光或綠光)的子像素電極可以通過(guò)同一端子點(diǎn)亮，也可以通過(guò)不同的端子點(diǎn)亮，具體可以根據(jù)實(shí)際需求而定，比如，該紅光測(cè)試電極r或綠光測(cè)試電極g或藍(lán)光測(cè)試電極b中任意兩個(gè)子像素電極可以共用一個(gè)陽(yáng)極，也即通過(guò)同一端子點(diǎn)亮。該紅光測(cè)試電極r或綠光測(cè)試電極g或藍(lán)光測(cè)試電極b中每個(gè)子像素電極也可以各自采用單獨(dú)陽(yáng)極，也即通過(guò)獨(dú)立端子點(diǎn)亮。當(dāng)然，該子像素電極還可以是其他點(diǎn)亮方式，比如共用端子和獨(dú)立端子交叉設(shè)置，等等。

例如，請(qǐng)參見圖6，該紅光測(cè)試電極r和綠光測(cè)試電極g均包括至少一個(gè)子像素電極，該藍(lán)光測(cè)試電極b包括至少兩個(gè)該子像素電極，該子像素電極的形狀為長(zhǎng)條狀，其中，該藍(lán)光測(cè)試電極b中的兩個(gè)子像素電極相互平行，該紅光測(cè)試電極r中的子像素電極和該綠光測(cè)試電極g中的子像素電極相互平行。優(yōu)選的，為便于測(cè)量該長(zhǎng)條狀子像素電極的發(fā)光長(zhǎng)度，任意一對(duì)相互平行的兩個(gè)該子像素電極之間可以設(shè)有刻度標(biāo)尺M(jìn)，該刻度標(biāo)尺M(jìn)中刻度的長(zhǎng)度呈階梯狀，通常，靠近該第一電極層121邊緣的刻度長(zhǎng)度最短。

需要說(shuō)明的是，圖5和圖6所示出的只是OLED顯示面板1的一部分，并非全部，測(cè)試像素電極組(b、g、r)和發(fā)光像素電極組(B、G、R)的數(shù)量可以根據(jù)實(shí)際需求而定，不局限于圖中示出的數(shù)量，其中，箭頭左邊所指的圖案是發(fā)光像素電極組(B、G、R)，箭頭右邊所指的圖案是測(cè)試像素電極組(b、g、r)。在制作過(guò)程中，可以通過(guò)光刻工藝在基板11上形成發(fā)光像素電極組(B、G、R)和測(cè)試像素電極組(b、g、r)，之后，通過(guò)蒸鍍工藝在基板11上依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和第二電極層123，其中，在空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層的蒸鍍過(guò)程中，可以利用共通型掩膜板(圖中未示出)覆蓋該發(fā)光像素電極組(B、G、R)和測(cè)試像素電極組(b、g、r)，在發(fā)光層的蒸鍍過(guò)程中，可以利用綠光、藍(lán)光和紅光各自對(duì)應(yīng)的精密型掩膜板(圖中未示出)覆蓋對(duì)應(yīng)的像素電極，蒸鍍之后的結(jié)構(gòu)具體可以參見圖7至圖9。

具體的，在一種蒸鍍方式中，請(qǐng)參見圖7，在藍(lán)光發(fā)光電極(B)之上形成一層邊緣為圓弧狀藍(lán)光發(fā)光層，綠光發(fā)光電極(G)上形成一層邊緣為圓弧狀綠光發(fā)光層，紅光發(fā)光電極(R)之上形成一層邊緣為圓弧狀紅光發(fā)光層。在藍(lán)光測(cè)試電極(b)上覆蓋邊緣為圓弧狀藍(lán)光發(fā)光層，綠光測(cè)試電極(g)上覆蓋邊緣為圓弧狀綠光發(fā)光層，紅光測(cè)試電極(r)上覆蓋邊緣為圓弧狀紅光發(fā)光層。在另一種蒸鍍方式中，請(qǐng)參見圖8和圖9，藍(lán)光測(cè)試電極(b)、綠光測(cè)試電極(g)、藍(lán)光測(cè)試電極(b)的邊緣均形成圓弧狀膜層，其中，每一藍(lán)光測(cè)試電極(b)對(duì)應(yīng)的藍(lán)光發(fā)光層可以是一個(gè)發(fā)光圖案，也可以是兩個(gè)獨(dú)立的發(fā)光圖案。

需要指出的是，對(duì)于蒸鍍制程，由于蒸鍍機(jī)臺(tái)實(shí)際運(yùn)行使用的基板11尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于OLED顯示屏的屏幕尺寸，所以蒸鍍機(jī)臺(tái)可以對(duì)應(yīng)的膜層范圍很大，在基板11邊緣增加圖案不影響材料蒸鍍，不會(huì)增加封裝膜層，影響封裝成本，而且對(duì)于現(xiàn)有的共同型掩膜板和精密型掩膜板，只需進(jìn)行局部調(diào)整即可得到本實(shí)施例所需的掩膜板，不會(huì)增加掩膜板數(shù)量，影響生產(chǎn)成本。

此外，在封裝效果檢測(cè)中，當(dāng)對(duì)OLED顯示裝置進(jìn)行高溫、高濕、以及長(zhǎng)時(shí)間大電流驅(qū)動(dòng)等苛刻環(huán)境處理后，通過(guò)點(diǎn)亮測(cè)試像素電極組(b、g、r)，并觀察該測(cè)試像素電極組(b、g、r)的發(fā)光面積、亮度和顏色等發(fā)光特性的變化情況，可以得出該測(cè)試像素電極組(b、g、r)的侵蝕情況，進(jìn)而評(píng)定該OLED顯示裝置的整個(gè)封裝能力，通常，侵蝕程度越重，發(fā)光面積越小，發(fā)光亮度和顏色越暗。具體地，當(dāng)外部的水和/或氧氣從正面和四周進(jìn)入OLED顯示裝置中的封裝空腔H時(shí)，水和/或氧氣會(huì)侵蝕該封裝空腔H內(nèi)的OLED結(jié)構(gòu)12，并且由于該測(cè)試像素電極組(b、g、r)設(shè)置在靠近封裝邊緣的地方，故相較于發(fā)光像素電極組(B、G、R)，測(cè)試像素電極組(b、g、r)會(huì)先發(fā)生腐蝕，此時(shí)，通過(guò)觀察該測(cè)試像素電極組(b、g、r)的發(fā)光面積，亮度和顏色等發(fā)光特性信息，可以得出該OLED顯示裝置的整個(gè)(包括正面和側(cè)面)封裝能力，檢測(cè)準(zhǔn)確性高。比如，對(duì)于圖7中的OLED顯示裝置，可以檢測(cè)發(fā)光的塊狀子像素電極的數(shù)量，以及每一子像素電極的發(fā)光面積、亮度和顏色等信息，通常，侵蝕程度越嚴(yán)重，數(shù)量越少，發(fā)光面積越小。對(duì)于圖8和圖9中的OLED顯示裝置，可以檢測(cè)每一長(zhǎng)條狀子像素電極的發(fā)光長(zhǎng)度，通常，侵蝕程度越嚴(yán)重，發(fā)光長(zhǎng)度越短，具體可以通過(guò)刻度標(biāo)尺M(jìn)了解侵蝕的實(shí)際位置。當(dāng)檢測(cè)出每個(gè)OLED顯示裝置的封裝能力時(shí)，可以過(guò)濾掉封裝能力不達(dá)標(biāo)的OLED顯示裝置，提高產(chǎn)品的出廠合格率。

上述OLED顯示面板1及顯示裝置，該OLED顯示面板1包括基板11和OLED結(jié)構(gòu)12，該OLED結(jié)構(gòu)12包括位于該基板11上的第一電極層121、位于該第一電極層121上的發(fā)光結(jié)構(gòu)層122以及位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)層122上的第二電極層123，該第一電極層121包括發(fā)光像素電極組(B、G、R)和測(cè)試像素電極組(b、g、r)，該測(cè)試像素電極組(b、g、r)圍繞該發(fā)光像素電極組(B、G、R)設(shè)置，且該發(fā)光像素電極組(B、G、R)和測(cè)試像素電極組(b、g、r)彼此電絕緣，從而在進(jìn)行封裝效果檢測(cè)時(shí)，不僅可以檢測(cè)該OLED顯示裝置的正面封裝效果，還可以檢測(cè)邊緣封裝效果，提高封裝效果的檢測(cè)準(zhǔn)確性。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。