本發(fā)明屬于可印刷電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于制備低漏電高介電絕緣材料的、可大面積均勻成膜的前驅(qū)體溶液的制備方法及其應(yīng)用。

背景技術(shù)：

近年來，以噴墨打印技術(shù)為代表的印刷電子技術(shù)越來越受到產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注，主要原因有兩個(gè)方面。一方面，印刷電子器件可以實(shí)現(xiàn)低成本電子器件，如rfid電子標(biāo)簽。rfid電子標(biāo)簽將大幅改善庫存控制、工廠自動(dòng)化以及超市收銀等應(yīng)用領(lǐng)域的現(xiàn)狀。另一方面，是來源于柔性大面積顯示的要求，它將有望在電子紙、大面積顯示等領(lǐng)域應(yīng)用。對(duì)于這些應(yīng)用，傳統(tǒng)鍍膜工藝要么達(dá)不到成本要求，要么不符合機(jī)械柔性或者工藝兼容性(如低成本大面積柔性顯示)，因此打印方式正好適用于這些應(yīng)用領(lǐng)域。同時(shí)，噴墨打印技術(shù)發(fā)展迅速，商用打印系統(tǒng)已能實(shí)現(xiàn)線寬小于20μm并且平整度好的膜。

驅(qū)動(dòng)其顯示的薄膜晶體管(tft)，一方面要求器件具有較低的處理工藝溫度，以符合柔性基板的需求；另一方面要求工作電壓不能過高，移動(dòng)電源可以滿足其供電的需求。此外，顯示器件的分辨率越來越高，要求tft器件功耗越來越小,柵絕緣層單位電容必須進(jìn)一步提高。在傳統(tǒng)的mosfet中，柵介質(zhì)材料大部分采用二氧化硅，因?yàn)閟io2具有良好的絕緣性能及穩(wěn)定的二氧化硅-硅襯底界面。然而對(duì)于納米線寬的集成電路，需要高介電常數(shù)(高k)的柵極介質(zhì)材料代替二氧化硅以保持優(yōu)良的漏電性能。這些柵極候選材料必須有較高的介電常數(shù)，合適的禁帶寬度，與硅襯底間有良好界面和高熱穩(wěn)定性。此外，其制備加工技術(shù)最好能與現(xiàn)行的硅集成電路工藝相兼容。

為了解決未來可穿戴柔性顯示產(chǎn)品對(duì)器件和材料的需求，低溫制備具有高介電常數(shù)、低漏電流的絕緣層材料，是實(shí)現(xiàn)柔性可低壓驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管器件及陣列電路的關(guān)鍵。相對(duì)于真空制備方法，濕化學(xué)溶液沉積法具有低成本、高效率等優(yōu)點(diǎn)，近年來在氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的研究中受到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。濕化學(xué)法成膜的材料體系選擇、溶液配制、成膜工藝，將為未來直接噴墨印刷柔性電子器件提供非常重要的材料與技術(shù)積累。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明為彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種用于制備低漏電高介電絕緣材料的前驅(qū)體溶液的制備方法。

本發(fā)明為達(dá)到其目的，采用的技術(shù)方案如下：

一種用于制備低漏電高介電絕緣材料的前驅(qū)體溶液的制備方法，包括以下步驟：

1)配制摩爾濃度為0.05～0.1mol/l的乙酰丙酮金屬鹽原溶液；

2)摻雜o2：在步驟1)制得的原溶液中通入1～60mino2；

3)制備前驅(qū)體溶液：密封步驟2)得到的溶液，并在水浴加熱條件下攪拌6～24h；

4)后處理：將反應(yīng)完全的前驅(qū)體溶液通過濾嘴過濾。

進(jìn)一步地，步驟1)所述的乙酰丙酮金屬鹽原溶液以乙酰丙酮金屬鹽為溶質(zhì)，n,n-二甲基甲酰胺為溶劑，在手套箱中配制而成。

進(jìn)一步地，步驟3)中水浴加熱的溫度為80～90℃。

進(jìn)一步地，步驟4)中濾嘴的尺寸為0.22～0.25μm。

優(yōu)選地，步驟2)中采用橡膠管直接往步驟1)制得的原溶液中通入30mino2。

優(yōu)選地，步驟3)中采用防水膠帶密封步驟2)得到的溶液，并在80℃水浴加熱條件下攪拌12h。

優(yōu)選地，步驟4)中濾嘴的尺寸為0.22μm。

相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述的用于制備低漏電高介電絕緣材料的前驅(qū)體溶液的制備方法制得的前驅(qū)體溶液在親水性上，優(yōu)于單純手套箱環(huán)境下制備的前驅(qū)體溶液，更有利于溶液旋涂鋪展，生成均勻的薄膜；在制備多層薄膜時(shí)，本發(fā)明所述制備方法制得的前驅(qū)體溶液所制備的絕緣層薄膜更加耐壓，在多層的薄膜旋涂中可以更加的均勻致密，更加適合于大面積絕緣層的工業(yè)生產(chǎn)。同時(shí)，本發(fā)明所述制備方法處理溫度低，能耗小，制得的前驅(qū)體溶液親水性強(qiáng)，與塑料柔性襯底有很好的兼容性，在信息存儲(chǔ)、柔性電子學(xué)、集成電路等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

本發(fā)明還提供一種低漏電高介電絕緣材料的制備方法，將根據(jù)上述制備方法制得的前驅(qū)體溶液在襯底上旋涂后，進(jìn)行預(yù)退火和總退火處理，得到低漏電高介電絕緣材料。

進(jìn)一步地，所述預(yù)退火溫度為160℃，時(shí)間為10min；所述總退火溫度為160℃，時(shí)間為60min。

相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述的低漏電高介電絕緣材料的制備方法制得的絕緣層薄膜更加耐壓，更加適合于大面積絕緣層的工業(yè)生產(chǎn)。

本發(fā)明還提供一種通過上述低漏電高介電絕緣材料的制備方法制備而成的低漏電高介電絕緣材料。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述的低漏電高介電絕緣材料介電常數(shù)大、致密性好，采用該材料制得的otft器件漏電低。

附圖說明

圖1是對(duì)比實(shí)施例制得的前驅(qū)體溶液的粘度測(cè)試圖

圖2是實(shí)施例1制得的前驅(qū)體溶液的粘度測(cè)試圖

圖3是實(shí)施例1中前驅(qū)體溶液在p型重?fù)焦枭闲?～6層并退火處理后的金屬氧化物相應(yīng)的afm圖

圖4是對(duì)比實(shí)施例中前驅(qū)體溶液在p型重?fù)焦枭闲?～6層并退火處理后的金屬氧化物相應(yīng)的afm圖

圖5是采用實(shí)施例1中前驅(qū)體溶液制得的6層金屬氧化物的tem和介電常數(shù)圖

圖6是采用實(shí)施例1中前驅(qū)體溶液制得的1～6層mim結(jié)構(gòu)的i-v圖

圖7是采用實(shí)施例1中前驅(qū)體溶液制得的1～6層mim結(jié)構(gòu)的c-f圖

圖8是采用對(duì)比實(shí)施例中前驅(qū)體溶液制得的1～6層mim結(jié)構(gòu)的i-v圖

圖9是采用對(duì)比實(shí)施例中前驅(qū)體溶液制得的1～6層mim結(jié)構(gòu)的c-f圖

圖10是實(shí)施例1與對(duì)比實(shí)施例制得的多層薄膜擊穿電壓對(duì)比圖

圖11是采用實(shí)施例1中的前驅(qū)體溶液制得的otft結(jié)構(gòu)pet/au/6layermox/pαms/pentacene/cu的id-vg圖

圖12是實(shí)施例1與對(duì)比實(shí)施例制得的未經(jīng)退火處理的薄膜對(duì)水的接觸角示意圖

圖13是實(shí)施例1與對(duì)比實(shí)施例制得的經(jīng)退火處理后的薄膜對(duì)溶液的接觸角示意圖

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步說明：

下列實(shí)施例中，實(shí)施例1～6中的步驟1)～步驟4)即為本發(fā)明所述的用于制備低漏電高介電絕緣材料的前驅(qū)體溶液的制備方法，由于該制備方法為低漏電高介電絕緣材料(即金屬氧化物絕緣層薄膜)制備方法的一部分，因此僅提供低漏電高介電絕緣材料的實(shí)施例。下述實(shí)施例中步驟1)的原溶液均以乙酰丙酮鑭為溶質(zhì)，制得的前驅(qū)體溶液為氧化鑭前驅(qū)體溶液，僅作為一種較佳的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行示例，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，步驟1)配制其他乙酰丙酮金屬鹽原溶液亦可達(dá)到相同的發(fā)明目的。

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供了一種低漏電高介電絕緣材料的制備方法，包括以下步驟：

1)配制乙酰丙酮金屬鹽原溶液：在手套箱中，以乙酰丙酮金屬鹽為溶質(zhì)，n,n-二甲基甲酰胺(dmf)為溶劑，配制成摩爾濃度為0.05mol/l的溶液；

2)摻雜o2：從手套箱中取出原溶液，用橡膠管直接通入30mino2；

3)前驅(qū)體溶液制備：防水膠帶密封，在80℃的水浴加熱下攪拌12h；

4)后處理：將反應(yīng)完全的前驅(qū)體溶液通過0.22μm的濾嘴過濾；

5)氧化物絕緣層制備：在洗干凈的重?fù)焦杵希缘退?00rpm，5s、高速2000rpm，40s的轉(zhuǎn)速旋涂，在熱板上160℃下預(yù)退火10min；

6)致密化：將多層結(jié)構(gòu)的氧化物絕緣層放在熱板上160℃下總退火60min。

在室溫環(huán)境下，利用安捷倫b1500a高精度半導(dǎo)體分析儀對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試。溶液旋涂的薄膜均勻平整，6層薄膜疊加的粗糙度為3.119nm，其擊穿電壓可以達(dá)到5.7v，漏電流為3.6×10-7a/cm2(@2mv/cm)，比常規(guī)手套箱配置的溶液具有巨大的優(yōu)勢(shì)。

實(shí)施例2

本實(shí)施例提供了一種低漏電高介電絕緣材料的制備方法，包括以下步驟：

1)配制乙酰丙酮金屬鹽原溶液：在手套箱中，以乙酰丙酮金屬鹽為溶質(zhì)，n,n-二甲基甲酰胺(dmf)為溶劑，配制成摩爾濃度為0.05mol/l的溶液；

2)摻雜o2：從手套箱中取出原溶液，用橡膠管直接通入1mino2；

3)前驅(qū)體溶液制備：防水膠帶密封，在80℃的水浴加熱下攪拌12h；

4)后處理：將反應(yīng)完全的前驅(qū)體溶液通過0.22μm的濾嘴過濾；

5)氧化物絕緣層制備：在洗干凈的重?fù)焦杵希缘退?00rpm，5s、高速2000rpm，40s的轉(zhuǎn)速旋涂，在熱板上160℃下預(yù)退火10min；

6)致密化：將多層結(jié)構(gòu)的氧化物絕緣層放在熱板上160℃下總退火60min。

在室溫環(huán)境下，利用安捷倫b1500a高精度半導(dǎo)體分析儀對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試。由于摻氧的時(shí)長不夠長，導(dǎo)致溶液羥基生產(chǎn)不夠，親水性下降，旋涂所得的氧化物薄膜相比于實(shí)施例1不夠均勻，性能下降。但是相比對(duì)比實(shí)施例中不摻氧溶液所制備的薄膜漏電流更加小，旋涂更加均勻。

實(shí)施例3

本實(shí)施例提供了一種低漏電高介電絕緣材料的制備方法，包括以下步驟：

1)配制乙酰丙酮金屬鹽原溶液：在手套箱中，以乙酰丙酮金屬鹽為溶質(zhì)，n,n-二甲基甲酰胺(dmf)為溶劑，配制成摩爾濃度為0.05mol/l的溶液；

2)摻雜o2：從手套箱中取出原溶液，用橡膠管直接通入60mino2；

3)前驅(qū)體溶液制備：防水膠帶密封，在80℃的水浴加熱下攪拌12h；

4)后處理：將反應(yīng)完全的前驅(qū)體溶液通過0.22μm的濾嘴過濾；

5)氧化物絕緣層制備：在洗干凈的重?fù)焦杵希缘退?00rpm，5s、高速2000rpm，40s的轉(zhuǎn)速旋涂，在熱板上160℃下預(yù)退火10min；

6)致密化：將多層結(jié)構(gòu)的氧化物絕緣層放在熱板上160℃下總退火60min。

在室溫環(huán)境下，利用安捷倫b1500a高精度半導(dǎo)體分析儀對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試。摻氧60min溶液所制備的薄膜性能沒有很大的改善，從更深層的紅外光譜和核磁共振表征來看，摻氧30min可以反應(yīng)飽和了。但是相比不摻氧溶液所制備的薄膜漏電流更加小，旋涂更加均勻。

實(shí)施例4

本實(shí)施例提供了一種低漏電高介電絕緣材料的制備方法，包括以下步驟：

1)配制乙酰丙酮金屬鹽原溶液：在手套箱中，以乙酰丙酮金屬鹽為溶質(zhì)，n,n-二甲基甲酰胺(dmf)為溶劑，配制成摩爾濃度為0.05mol/l的溶液；

2)摻雜o2：從手套箱中取出原溶液，用橡膠管直接通入30mino2；

3)前驅(qū)體溶液制備：防水膠帶密封，在90℃的水浴加熱下攪拌12h；

4)后處理：將反應(yīng)完全的前驅(qū)體溶液通過0.22μm的濾嘴過濾；

5)氧化物絕緣層制備：在洗干凈的重?fù)焦杵希缘退?00rpm，5s、高速2000rpm，40s的轉(zhuǎn)速旋涂，在熱板上160℃下預(yù)退火10min；

6)致密化：將多層結(jié)構(gòu)的氧化物絕緣層放在熱板上160℃下總退火60min。

在室溫環(huán)境下，利用安捷倫b1500a高精度半導(dǎo)體分析儀對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試。溶液反應(yīng)需要80℃左右的溫度，90℃的反應(yīng)可以使溶液加熱攪拌更加均勻，旋涂更加均勻，但是性能變化不大，80℃使化學(xué)反應(yīng)可以很好地完成了。但是相比不摻氧溶液所制備的薄膜漏電流更加小，旋涂更加均勻。

實(shí)施例5

本實(shí)施例提供了一種低漏電高介電絕緣材料的制備方法，包括以下步驟：

1)配制乙酰丙酮金屬鹽原溶液：在手套箱中，以乙酰丙酮金屬鹽為溶質(zhì)，n,n-二甲基甲酰胺(dmf)為溶劑，配制成摩爾濃度為0.05mol/l的溶液；

2)摻雜o2：從手套箱中取出原溶液，用橡膠管直接通入30mino2；

3)前驅(qū)體溶液制備：防水膠帶密封，在80℃的水浴加熱下攪拌6h；

4)后處理：將反應(yīng)完全的前驅(qū)體溶液通過0.22μm的濾嘴過濾；

5)氧化物絕緣層制備：在洗干凈的重?fù)焦杵?，以低?00rpm，5s、高速2000rpm，40s的轉(zhuǎn)速旋涂，在熱板上160℃下預(yù)退火10min；

6)致密化：將多層結(jié)構(gòu)的氧化物絕緣層放在熱板上160℃下總退火60min。

在室溫環(huán)境下，利用安捷倫b1500a高精度半導(dǎo)體分析儀對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試。溶液攪拌時(shí)長為6h，導(dǎo)致溶液攪拌不均勻，反應(yīng)也沒有進(jìn)行完全，導(dǎo)致旋涂不均勻，mim結(jié)構(gòu)性能有所下降。但是相比不摻氧溶液所制備的薄膜漏電流要小，旋涂更加均勻。

實(shí)施例6

本實(shí)施例提供了一種低漏電高介電絕緣材料的制備方法，包括以下步驟：

1)配制乙酰丙酮金屬鹽原溶液：在手套箱中，以乙酰丙酮金屬鹽為溶質(zhì)，n,n-二甲基甲酰胺(dmf)為溶劑，配制成摩爾濃度為0.05mol/l的溶液；

2)摻雜o2：從手套箱中取出原溶液，用橡膠管直接通入30mino2；

3)前驅(qū)體溶液制備：防水膠帶密封，在80℃的水浴加熱下攪拌24h；

4)后處理：將反應(yīng)完全的前驅(qū)體溶液通過0.22μm的濾嘴過濾；

5)氧化物絕緣層制備：在洗干凈的重?fù)焦杵希缘退?00rpm，5s、高速2000rpm，40s的轉(zhuǎn)速旋涂，在熱板上160℃下預(yù)退火10min；

6)致密化：將多層結(jié)構(gòu)的氧化物絕緣層放在熱板上160℃下總退火60min。

在室溫環(huán)境下，利用安捷倫b1500a高精度半導(dǎo)體分析儀對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試。溶液攪拌時(shí)長為24h，溶液反應(yīng)比較充分，攪拌均勻，但性能相比摻氧30min的沒有太大的提升；通過核磁共振和紅外光譜測(cè)試表明，溶液攪拌12h可以使溶液反應(yīng)完畢。但是相比不摻氧溶液所制備的薄膜漏電流更加小，旋涂更加均勻。

實(shí)施例7

本實(shí)施例提供了一種低漏電高介電絕緣材料的制備方法，包括以下步驟：

1)配制乙酰丙酮金屬鹽原溶液：在手套箱中，以乙酰丙酮金屬鹽為溶質(zhì)，n,n-二甲基甲酰胺(dmf)為溶劑，配制成摩爾濃度為0.05mol/l的溶液；

2)摻雜o2：從手套箱中取出原溶液，用橡膠管直接通入30mino2；

3)前驅(qū)體溶液制備：防水膠帶密封，在80℃的水浴加熱下攪拌12h；

4)后處理：將反應(yīng)完全的前驅(qū)體溶液通過0.25μm的濾嘴過濾；

5)氧化物絕緣層制備：在洗干凈的重?fù)焦杵?，以低?00rpm，5s、高速2000rpm，40s的轉(zhuǎn)速旋涂，在熱板上160℃下預(yù)退火10min；

6)致密化：將多層結(jié)構(gòu)的氧化物絕緣層放在熱板上160℃下總退火60min。

在室溫環(huán)境下，利用安捷倫b1500a高精度半導(dǎo)體分析儀對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試。濾嘴使用過大，多余的雜質(zhì)沒有過濾掉，旋涂不均勻，mim結(jié)構(gòu)性能有所下降，但相比不摻氧的薄膜要均勻，漏電流也要相對(duì)小。

對(duì)比實(shí)施例

本實(shí)施例提供了一種低漏電高介電絕緣材料的制備方法，包括以下步驟：

1)配制乙酰丙酮金屬鹽原溶液：在手套箱中，以乙酰丙酮金屬鹽為溶質(zhì)，n,n-二甲基甲酰胺(dmf)為溶劑，配制成摩爾濃度為0.05mol/l的溶液；

2)前驅(qū)體溶液制備：防水膠帶密封，在80℃的水浴加熱下攪拌12h；

3)后處理：將反應(yīng)完全的前驅(qū)體溶液通過0.22μm的濾嘴過濾；

4)氧化物絕緣層制備：在洗干凈的重?fù)焦杵?，以低?00rpm，5s、高速2000rpm，40s的轉(zhuǎn)速旋涂，在熱板上160℃下預(yù)退火10min；

5)致密化：將多層結(jié)構(gòu)的氧化物絕緣層放在熱板上160℃下總退火60min。

在室溫環(huán)境下，利用安捷倫b1500a高精度半導(dǎo)體分析儀對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試。不摻氧溶液所制備的氧化物薄膜漏電流相比摻氧溶液所制備的氧化物薄膜大，而且旋涂不均勻，旋涂不到邊沿，由于缺陷多層的堆積，導(dǎo)致多層薄膜漏電流呈現(xiàn)拋物線先升后降的趨勢(shì)；另外一方面頻率電容測(cè)試相比下降比較大，成膜不致密。

上述實(shí)施例中，實(shí)施例1為最佳實(shí)施例；以下結(jié)合附圖簡要分析下實(shí)施例1所制得的絕緣材料的性能。

從圖1和圖2可以看出摻氧前驅(qū)體溶液(實(shí)施例1)和不摻氧前驅(qū)體溶液(對(duì)比實(shí)施例)的粘度都在0.9cp左右，說明反應(yīng)過程中沒有團(tuán)聚聚合生成其他大分子物質(zhì)，粘度沒有太大的變化，摻氧溶液并沒有觸發(fā)其他副反應(yīng)。

從圖3可以看出，不摻氧溶液所制備的薄膜的粗糙度(rms)隨著層數(shù)的增加而減??；而圖4中情況正好相反，摻氧溶液所制備的薄膜的rms隨著層數(shù)的增加而增大，6層薄膜缺陷疊加起來rms為3.119nm，制作器件時(shí)可以通過添加修飾層摸除。

從圖5中的tem圖可以看出，6層la2o3的厚度大約是74.14nm，在頻率為10khz時(shí)，la2o3的介電常數(shù)大約為8，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于sio2的介電常數(shù)。

圖6～9中的樣品mim(metal-insulator-metal)結(jié)構(gòu)是在實(shí)施例1和對(duì)比實(shí)施例制得的薄膜蒸電極后得到的；從圖5～8中相比較可以看出，摻氧溶液氧化物薄膜的整體漏電特性比不摻氧所制備的薄膜好，c-f圖中摻氧溶液氧化物薄膜基本呈現(xiàn)一條直線，致密性也較好。

從圖10可以看出，摻氧溶液制備的氧化物薄膜擊穿電壓隨著層數(shù)增大而增大，6層可以達(dá)到5.7v，相反不摻氧溶液制備的氧化物薄膜呈現(xiàn)拋物線規(guī)律，隨著缺陷的堆積，5、6層的擊穿電壓反而減小。

以pet為襯底，蒸鍍30nm厚的au為底柵電極，旋涂實(shí)施例1中的前驅(qū)體溶液并退火得到絕緣層，再旋涂pams修飾層，然后采用熱蒸鍍法在pams修飾層上沉積40nm厚的并五苯有源層，最后蒸鍍40nmcu作為源漏電極，得到otft器件。從圖11可以看出，采用6層摻氧溶液制備出來的otft器件漏電流只有220pa左右，接近c(diǎn)vd沉積的氧化物薄膜漏電水平。

從圖12可以看出，摻氧溶液未經(jīng)退火的氧化物薄膜對(duì)水的接觸角比較小，所以溶液自身帶有的極性相對(duì)大，這也是旋涂均勻致密的原因之一。

從圖13可以看出，摻氧溶液已經(jīng)退火的氧化物薄膜對(duì)溶液的接觸角比較小，所以在多層的薄膜旋涂中可以更加的均勻致密，這也是多層薄膜擊穿電壓呈現(xiàn)不同規(guī)律的原因。

需要說明的是，本發(fā)明所述的低漏電高介電絕緣材料的制備方法中，乙酰丙酮金屬鹽原溶液的摩爾濃度對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果影響較小，其在0.05％～0.1％效果較佳，上述6個(gè)實(shí)施例中的上述幾個(gè)參數(shù)均采用最佳值(0.05％)，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容選用較佳的其他參數(shù)亦可達(dá)到本發(fā)明的目的。

本發(fā)明的技術(shù)方案中未進(jìn)行特別說明之處，均為本技術(shù)人員根據(jù)所掌握的現(xiàn)有技術(shù)或公知常識(shí)可以理解或知曉的，在此不再贅述。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，故凡未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。