技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭及制備方法，其中方法包括：使用主離子源轟擊金屬靶材在工件的襯底表面上形成金屬層，所述金屬層包括位于測(cè)試區(qū)內(nèi)的測(cè)試圓點(diǎn)、位于引線區(qū)內(nèi)的引出焊盤以及兩者之間的連接線；使用主離子源轟擊絕緣靶材在工件的測(cè)試圓點(diǎn)之外的區(qū)域上形成絕緣保護(hù)膜；使用主離子源轟擊金屬靶材在工件的測(cè)試圓點(diǎn)所在區(qū)域上形成測(cè)試圓柱；使用輔離子源轟擊工件進(jìn)行拋光打磨，打磨所述測(cè)試圓柱的平面圓周邊沿倒角形成球面后，制成平面結(jié)構(gòu)的微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭。本發(fā)明制備出的探頭測(cè)試間距為0.5～20μm，既可以檢測(cè)普通晶片的四周引腳，又可以測(cè)試薄膜晶片表面的凸點(diǎn)，滿足了微納米級(jí)晶片測(cè)試的需求。

技術(shù)研發(fā)人員：刁克明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京埃德萬(wàn)斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司
文檔號(hào)碼：201710085165
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.17
技術(shù)公布日：2017.06.13