1.一種微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭的制備方法，其特征在于，包括：
S1、利用圖形化的第一光刻膠層作為掩膜，使用主離子源轟擊金屬靶材，產(chǎn)生的濺射粒子沉積在工件的襯底表面上形成金屬層，所述金屬層包括位于測(cè)試區(qū)內(nèi)的測(cè)試圓點(diǎn)、位于引線區(qū)內(nèi)的引出焊盤以及兩者之間的連接線；
S2、利用圖形化的第二光刻膠層作為掩膜，使用主離子源轟擊絕緣靶材，產(chǎn)生的濺射粒子沉積在工件的測(cè)試圓點(diǎn)之外的區(qū)域上形成絕緣保護(hù)膜；
S3、利用圖形化的第三光刻膠層作為掩膜，使用主離子源轟擊金屬靶材，產(chǎn)生的濺射粒子沉積在工件的測(cè)試圓點(diǎn)所在區(qū)域上形成測(cè)試圓柱；
S4、使用輔離子源轟擊工件進(jìn)行拋光打磨，打磨所述測(cè)試圓柱的平面圓周邊沿倒角形成球面后，制成平面結(jié)構(gòu)的微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭的制備方法，其特征在于，所述方法還包括步驟：
S5、將所述平面結(jié)構(gòu)的微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭折疊形成上方開(kāi)口的矩形盒子，其中所述測(cè)試區(qū)位于所述矩形盒子的底面，所述引線區(qū)位于所述矩形盒子的側(cè)面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭的制備方法，其特征在于，所述平面結(jié)構(gòu)的微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭呈八邊形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中生成的測(cè)試圓點(diǎn)的間距為0.5～20μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭的制備方法，其特征在于，步驟S1中生成金屬層的厚度為10nm～20nm，測(cè)試圓點(diǎn)的直徑為50～100nm，引出焊盤的直徑為400～600nm，連接線的寬度為40nm～60nm；所述步驟S3中形成的測(cè)試圓柱的高度為50～100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭的制備方法，其特征在于：
所述襯底由聚酰亞胺制成；和/或
所述金屬靶材為金靶材；和/或
所述絕緣靶材為二氧化硅靶材。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭的制備方法，其特征在于，所述步驟S1～S3中主離子源的離子能量為200～600eV，束流為20～60mA；所述步驟S4中輔離子源的離子能量為100～400eV，束流為10～40mA，工件臺(tái)沉積角度為45°，工件臺(tái)轉(zhuǎn)速為15rpm。
8.一種微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭，其特征在于，采用權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭的制備方法制得。
9.一種微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭，其特征在于，包括從下至上依次設(shè)置的襯底、金屬層和絕緣保護(hù)層：所述金屬層包括位于測(cè)試區(qū)內(nèi)的測(cè)試圓點(diǎn)、位于測(cè)試區(qū)外的引出焊盤以及兩者之間的連接線；所述測(cè)試圓點(diǎn)上設(shè)有突出于絕緣保護(hù)層表面的測(cè)試圓球。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭，其特征在于，所述微納米級(jí)晶片測(cè)試探頭的形狀為上方開(kāi)口的矩形盒子，其中所述測(cè)試區(qū)位于所述矩形盒子的底面，所述引線區(qū)位于所述矩形盒子的側(cè)面。