1.一種高光效光源組件,其特征在于:自上而下依次包括硅膠層、熒光粉層、LED芯片層、銀漿線路層和基板,其中所述基板內(nèi)部設(shè)有多個用于散熱的導(dǎo)流孔,所述熒光粉層采用高光效熒光粉制備而成。
2.如權(quán)利要求1所述的高光效光源組件,其特征在于:所述高光效熒光粉含式(I)化合物:
M1yM25OzCx:M3w……………………………………(I)
其中,2.25≦x≦3.75,2.7≦y≦3,0.01<w≦0.3,且4.5≦z≦7.5;
M1選自下組:Sc3+、Y3+、La3+、Sm3+、Gd3+、Tb3+、Pm3+、Er3+、Lu3+、及其組合;
M2選自下組:Al3+、In3+、Ga3+、及其組合;及
M3選自下組:Tm3+、Bi3+、Tb3+、Ce3+、Eu3+、Mn3+、Er3+、Yb3+、Ho3+、Gd3+、Pr3+、Dy3+、Nd3+、及其組合。
3.如權(quán)利要求1或2所述的高光效光源組件,其特征在于:所述高光效熒光粉為Y2.98Al5O7.5C2.25:Tm0.02、Y2.95Al5O6C3:Bi0.05、Y2.94Al5O6C3:Tb0.06、Y2.95Al5O7.5C2.25:Ce0.05、Y2.95Al5O6C3:Ce0.05、Y2.95Al5O4.5C3.75:Ce0.05、Y2.95Al5O6C3:Mn0.05、Y2.75GaAl4O6C3:Mn0.25、Y2.94Al5O4.5C3.75:Bi0.06、Y2.94Al5O4.5C3.75:Tm0.06、Y2.94Al5O4.5C3.75:Ce0.04Tb0.02、Y2.95Al5O4.5C3.75:Mn0.05、Y2.95Ga5O4.5C3.75:Mn0.05、Y2.94Al5O6C3:Bi0.06、Y2.94Al5O6C3:Mn0.06、Y2.94Al5O6C3:Ce0.06、Lu1.72Gd1.2Al5O6C3:Ce0.05Pr0.03、Lu1.72Er1Ga5O4.5C3.75:Mn0.25Dy0.03、Lu1.92Sc1Al5O6C3:Ce0.05Yb0.03、Sm1.92La1Al5O6C3:Ce0.05Ho0.03、Y2.32Gd0.6In1Al4O6C3:Ce0.05Nd0.03、或Lu1.95Pm1Al5O6C3:Ce0.05。
4.如權(quán)利要求1-3任一所述的高光效光源組件,其特征在于:所述基板為陶瓷基板。
5.一種基于權(quán)利要求1-4任一所述的高光效光源組件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1:將高導(dǎo)熱陶瓷材料經(jīng)過擠壓機或者成型模具形成基板,該基板內(nèi)部設(shè)有多個用于散熱的導(dǎo)流孔;
S2:對基板進行微波固形;
S3:對固形后的基板進行預(yù)熱處理和烘烤處理;
S4:在基板上印刷導(dǎo)電銀漿,形成銀漿線路層;
S5:利用固晶機將一個或者多個LED芯片固定在銀漿線路層上,形成LED芯片層;
S6:在LED芯片層上印刷高光效熒光粉,形成熒光粉層;
S7:將硅膠固定在熒光粉層上,形成硅膠層。
6.如權(quán)利要求5所述的高光效光源組件的制備方法,其特征在于,所述步驟S2具體包括:
將基板放入工業(yè)微波爐中,以2455MHZ的頻率進行固形,3分鐘后取出。
7.如權(quán)利要求5或6所述的高光效光源組件的制備方法,其特征在于,所述步驟S3具體包括:
將固形后的基板放入烘箱中,將溫度設(shè)置為200℃,預(yù)熱8h后取出,放入高溫烘箱中;
將高溫烘箱溫度設(shè)置為1600℃,烘烤5h后取出。
8.如權(quán)利要求5-7任一所述的高光效光源組件的制備方法,其特征在于,所述步驟S4具體包括:
通過電路板印刷機在基板上印刷導(dǎo)電銀漿,形成銀漿線路層;
放入烘箱中,將溫度設(shè)置在130℃-150℃之間,烘烤20-30min后取出。
9.如權(quán)利要求5-8任一所述的高光效光源組件的制備方法,其特征在于,所述步驟S6具體包括:
采用全自動熒光粉涂布機在LED芯片層上印刷高光效熒光粉,形成熒光粉層;
將其放入烘箱中,將溫度設(shè)置在145℃-155℃之間,烘烤25-30min后取出。
10.如權(quán)利要求5-9任一所述的高光效光源組件的制備方法,其特征在于,所述步驟S7具體包括:
利用全自動點膠機將硅膠固定在熒光粉層上,形成硅膠層;
將其放置于烘箱中,將溫度設(shè)置為50℃,60min后取出。