本申請是申請日為2014年9月24日、中國專利申請?zhí)枮?01410494730.1、發(fā)明名稱為“射頻返回路徑的阻抗的控制”的發(fā)明專利申請的分案申請。

本發(fā)明的實施方式涉及控制射頻(rf)返回路徑的阻抗。

背景技術：

基于等離子體的系統(tǒng)包括用于產(chǎn)生信號的供應源?；诘入x子體的系統(tǒng)進一步包括接收信號以產(chǎn)生等離子體的室。等離子體用于多種操作，包括清潔晶片，在晶片上沉積氧化物和薄膜，以及蝕刻除去一部分晶片或一部分氧化物和薄膜。

等離子體的一些性能，例如等離子體中的駐波等，難以控制以便能控制等離子體蝕刻或沉積的均勻性?？刂频入x子體性能的困難導致蝕刻晶片的材料或者在晶片上沉積材料的不均勻性。例如，晶片在距離其中心的第一位置處比在距離中心的第二位置處被蝕刻多。第二距離到中心的距離比第一距離到中心的距離遠。作為另一個實例，晶片在第一距離比在第二距離蝕刻較少。作為又一個實例，在晶片上在第一距離處比在第二距離處沉積較多的材料。作為還有的一個實例，在晶片上在第二距離處比在第一距離處沉積較多的材料。蝕刻的不均勻性導致晶片的m形蝕刻或w形蝕刻。蝕刻或沉積的不均勻性導致減少的晶片產(chǎn)量。

正是在這種背景下提出本發(fā)明中描述的實施方式。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施方式提供了用于控制射頻(rf)返回路徑的阻抗的設備、方法和計算機程序。應當理解，這些實施方式可以用多種方式實施，這些方式例如，方法、設備、系統(tǒng)、硬件設備或計算機可讀的介質上的方法。以下描述了幾個實施方式。

在一些實施方式中，通過控制等離子體設備中的射頻返回路徑的阻抗來獲得均勻性。通過控制等離子體設備的阻抗匹配電路與等離子體設備的等離子體反應器之間的電容和/或電感來控制阻抗。當阻抗受到控制時，獲得均勻性。

在多種實施方式中，描述了用于控制射頻(rf)返回路徑的阻抗的一種系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括匹配盒，該匹配盒進一步包括匹配電路。該系統(tǒng)進一步包括射頻發(fā)生器，該射頻發(fā)生器與匹配盒聯(lián)接上以經(jīng)由射頻供應路徑的第一部分供應射頻供應信號到匹配盒。射頻發(fā)生器聯(lián)接到匹配盒以經(jīng)由射頻返回路徑的第一部分接收射頻返回信號。該系統(tǒng)還包括匹配電路以及經(jīng)由射頻返回路徑的第二部分與該匹配電路聯(lián)接上的等離子體反應器。等離子體反應器經(jīng)由射頻供應路徑的第二部分聯(lián)接到匹配電路。該系統(tǒng)包括聯(lián)接到所述開關電路上的控制器，所述控制器被配置成基于調節(jié)配方控制所述開關電路以改變所述射頻返回路徑的阻抗。

在多種實施方式中，一種用于控制射頻返回信號的阻抗的系統(tǒng)包括射頻傳輸線，該射頻傳輸線進一步包括射頻棒和接地射頻通道。該系統(tǒng)包括等離子體反應器以及經(jīng)由射頻傳輸線聯(lián)接到等離子體反應器的阻抗匹配電路。射頻傳輸線用于經(jīng)由射頻棒供應射頻供應信號到等離子體反應器并且用于經(jīng)由接地的射頻通道接收來自射頻反應器的射頻返回信號。該系統(tǒng)包括開關電路，該開關電路聯(lián)接在所述阻抗匹配電路與所述等離子體反應器之間，用于控制所述射頻返回信號的阻抗。

在幾個實施方式中，一種用于控制射頻返回路徑的阻抗的方法包括經(jīng)由射頻傳輸線的射頻返回路徑部分接收來自等離子體反應器的射頻返回信號。該方法進一步包括調節(jié)包括所述射頻返回路徑部分的射頻返回路徑的阻抗以獲得可測量的因素；并且經(jīng)由射頻電纜護套將經(jīng)過調節(jié)的射頻返回信號發(fā)送到射頻發(fā)生器。

一些上述實施方式的一些優(yōu)點包括控制作用在襯底上的蝕刻速率或沉積速率的均勻性。例如，開關電路控制射頻返回路徑的阻抗以獲得均勻性。改變開關電路的電容、電感或它們的組合來控制射頻返回路徑的阻抗。射頻返回路徑形成在等離子體室的間隙與用于產(chǎn)生射頻信號的射頻發(fā)生器之間。均勻性控制減小了蝕刻速率和沉積速率的不均勻性。

一些上述實施方式的附加優(yōu)點包括控制等離子體系統(tǒng)的射頻返回路徑的阻抗以獲得蝕刻速率或沉積速率的預定均勻性。預定的均勻性存儲在調節(jié)配方中。此外，均勻性與開關電路的電感、電容或它們的組合之間的一一對應關系存儲在調節(jié)配方中。處理器經(jīng)過編程來獲得調節(jié)配方中的均勻性。處理器從調節(jié)配方檢索與可測量因素(例如，蝕刻速率，或沉積速率，或蝕刻速率的均勻性，或沉積速率的均勻性，或它們的組合等)對應的電感、電容或它們的組合，并且發(fā)送一個或多個信號到開關電路的對應的一個或多個開關。通過信號打開或關閉一個或多個開關以改變開關電路的電感、電容或它們的組合，從而獲得調節(jié)配方的對應電感、對應電容或它們的組合。開關電路的電感、電容或它們的組合的變化允許處理器獲得蝕刻襯底的蝕刻速率的均勻性或在襯底上沉積材料的沉積速率的均勻性。

結合附圖，從以下詳細描述會明白其他方面。具體而言，本發(fā)明的一些方面可以描述如下：

1.一種匹配盒，包括：

殼體；

位于所述殼體內的匹配電路；

位于所述殼體內的開關電路，所述開關電路包括：

多個開關；和

彼此間隔開的多個參數(shù)元件，其中所述參數(shù)元件中的每一個連接到所述開關中的對應一個，其中所述開關中的每一個被配置為連接到射頻(rf)傳輸線的返回路徑以修改所述返回路徑的阻抗。

2.根據(jù)條款1所述的匹配盒，其中所述匹配電路包括多個電路元件，以將耦合到所述匹配電路的負載的阻抗與耦合到所述匹配電路的源的阻抗匹配。

3.根據(jù)條款1所述的匹配盒，其中所述開關中的一個連接到所述參數(shù)元件中的一個，并且所述開關中的另一個連接到所述參數(shù)元件中的另一個，其中所述參數(shù)元件中的每一個是金屬帶。

4.根據(jù)條款1所述的匹配盒，其中所述返回路徑包括圍繞所述射頻傳輸線的射頻棒的射頻通道。

5.根據(jù)條款1所述的匹配盒，其中所述返回路徑包括所述殼體的一部分和將所述匹配電路耦合到射頻發(fā)生器的射頻電纜的射頻護套。

6.根據(jù)條款1所述的匹配盒，其中所述參數(shù)元件中的每一個是電容器或電感器。

7.根據(jù)條款1所述的匹配盒，其中所述匹配電路耦合到所述射頻傳輸線的射頻棒。

8.一種系統(tǒng)，包括：

殼體；

位于所述殼體內的匹配電路；

位于所述殼體外部的開關電路，所述開關電路包括：

多個開關；和

彼此間隔開的多個參數(shù)元件，其中所述參數(shù)元件中的每一個連接到所述開關中的對應一個，其中所述開關中的每一個連接到射頻(rf)傳輸線的返回路徑以修改射頻返回路徑的阻抗。

9.根據(jù)條款8所述的系統(tǒng)，其中所述匹配電路包括多個電路元件，以將耦合到所述匹配電路的負載的阻抗與耦合到所述匹配電路的源的阻抗匹配。

10.根據(jù)條款8所述的系統(tǒng)，其中所述開關中的一個連接到所述參數(shù)元件中的一個，并且所述開關中的另一個連接到所述參數(shù)元件中的另一個，其中每個所述參數(shù)元件是金屬帶。

11.根據(jù)條款8所述的系統(tǒng)，其中所述返回路徑包括圍繞所述射頻傳輸線的射頻棒的射頻通道。

12.根據(jù)條款8所述的系統(tǒng)，其中所述返回路徑包括所述殼體的一部分和將所述匹配電路耦合到射頻發(fā)生器的射頻電纜的射頻護套。

13.根據(jù)條款8所述的系統(tǒng)，其中所述參數(shù)元件中的每一個是電容器或電感器。

14.根據(jù)條款8所述的系統(tǒng)，其中所述匹配電路耦合到所述射頻傳輸線的射頻棒。

15.一種系統(tǒng)，包括：

控制器；

耦合到所述控制器的開關電路，所述開關電路包括：

多個開關；和

彼此間隔開的多個參數(shù)元件，其中所述參數(shù)元件中的每一個連接到所述開關中的每一個，其中所述開關連接到射頻(rf)傳輸線的返回路徑，其中所述控制器是被配置為控制所述開關以修改所述返回路徑的阻抗。

16.根據(jù)條款15所述的系統(tǒng)，其中所述開關電路耦合到匹配電路的殼體，其中所述匹配電路被配置為將連接到所述匹配電路的負載的阻抗與連接到所述匹配電路的源匹配。

17.根據(jù)條款15所述的系統(tǒng)，其中所述開關中的一個連接到所述參數(shù)元件中的一個，并且所述開關中的另一個連接到所述參數(shù)元件中的另一個，其中所述參數(shù)元件中的每一個是金屬帶。

18.根據(jù)條款15所述的系統(tǒng)，其中所述返回路徑包括圍繞所述射頻傳輸線的射頻棒的射頻通道。

19.根據(jù)條款15所述的系統(tǒng)，其中所述返回路徑包括匹配電路的殼體的一部分和將所述匹配電路耦合到射頻發(fā)生器的射頻電纜的射頻護套，其中所述匹配電路耦合到射頻棒的射頻傳輸線。

20.根據(jù)條款15所述的系統(tǒng)，其中所述參數(shù)元件中的每一個是電容器或電感器。

附圖說明

結合附圖，參照以下描述可以理解實施方式。

圖1是用于說明根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的歸一化電壓在60mhz信號的高階諧波的不均勻性的坐標圖的實施方式。

圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的等離子體中駐波波長λ隨著射頻(rf)信號的頻率的變化和間隙的變化而變化的曲線圖。

圖3是曲線圖，示出了根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的蝕刻速率的不均勻性隨著與上電極的輸入連接上的濾波器的電容值的增大以及射頻信號的諧波的增大而變化。

圖4a是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的系統(tǒng)的視圖，該系統(tǒng)用于控制射頻返回路徑的阻抗以控制蝕刻速率或沉積速率的不均勻性。

圖4b是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的系統(tǒng)的視圖，該系統(tǒng)用于控制射頻返回路徑的阻抗以控制蝕刻速率或沉積的不均勻性。

圖5a是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的開關電路的視圖，該開關電路用于控制射頻返回路徑的阻抗。

圖5b是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的電容器作為參數(shù)元件的視圖。

圖5c是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的電感器作為參數(shù)元件的視圖。

圖5d是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的電容器和電感器的組合作為參數(shù)元件的視圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的系統(tǒng)的視圖，圖示了射頻信號的射頻返回路徑的一部分。

圖7是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的系統(tǒng)的視圖，圖示了射頻返回信號的射頻返回路徑的一部分。

圖8是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的電感器系統(tǒng)的視圖，該電感器系統(tǒng)連接在匹配盒殼體與射頻通道之間以調節(jié)射頻返回信號的阻抗。

圖9是曲線圖，示出了根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的對于不同數(shù)量的電感器帶，蝕刻襯底的蝕刻速率與襯底的半徑的關系。

圖10是曲線圖，示出了根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的對于兩種不同數(shù)量的電感器帶，蝕刻襯底的蝕刻速率與襯底的半徑之間的關系。

圖11是曲線圖，示出了根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的對于不同數(shù)量的電感器帶，射頻返回信號的相位與射頻返回信號的頻率的關系曲線圖。

圖12是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個實施方式的系統(tǒng)的實施方式的視圖，用于說明反饋控制來獲得蝕刻速率，或沉積速率，或蝕刻速率的均勻性，或沉積速率的均勻性。

具體實施方式

以下實施方式描述了用于控制射頻(rf)返回路徑的阻抗的系統(tǒng)和方法。這些實施方式可以在沒有一些或所有的這些具體細節(jié)的情況下實施將是顯而易見的。在其他實例中，未詳細描述公知的方法操作以便不會不必要地模糊這些實施方式。

圖1是用于說明歸一化電壓在60mhz信號的高階諧波的不均勻性的坐標圖100的實施方式。高階諧波在等離子體中形成駐波電壓，并且駐波電壓導致蝕刻襯底的不均勻性或在襯底上沉積材料的不均勻性。

在多種實施方式中，高階諧波是三階或更高階諧波。在一些實施方式中，高階諧波是二階或更高階諧波。

坐標圖100圖示了在等離子體室的上電極輸入處測得的射頻信號的歸一化電壓幅值與射頻信號的頻率的坐標圖。在幾個實施方式中，在上電極的輸入處測得電壓，并且電壓被歸一化以產(chǎn)生歸一化電壓。

如坐標圖100所示，在射頻信號的三階諧波，對于與上電極的輸入聯(lián)接上的濾波器的三種不同的電容值，在上電極的輸入處測得的電壓存在不均勻性。例如，b3c1條與濾波器的電容值c1對應，b3c2條與濾波器的電容值c2對應。

在一些實施方式中，上電極的輸出是在上電極的底面。頂面與上電極的底面相反并且是上電極的輸入。上電極的底面面對等離子體室內的間隙。間隙形成在上電極與例如靜電卡盤(esc)之類的卡盤之間。卡盤位于等離子體室內并且包括面對上電極的下電極。卡盤設置在下電極下方的設施板上。

此外，如坐標圖100所示，在射頻信號的五階諧波和十階諧波處，在上電極測得的電壓存在不均勻性。例如，b5c1條與電容值c1對應，b5c2條與電容值c2對應，并且b5c3條與濾波器的電容值c3對應。作為另一個實例，在第十階諧波處，b10c2條與電容值c2對應，并且b10c3條與電容值c3對應。

另外，坐標圖100示出了與電容值c1對應的b1c1條，與電容值c2對應的b1c2條，以及與電容值c3對應的b1c3條。

此外，以下提供的表1示出了等離子體的駐波波長λ隨著射頻信號的頻率的增大而減小。

表1

應該指出的是，在多種實施方式中，表1是針對等離子體室內上下電極之間的間隙與射頻信號的電壓而生成的。

在一些實施方式中，等離子體中的駐波波長被確定為所施加的射頻電壓、射頻信號的頻率和間隙的函數(shù)。用以下方程來表示函數(shù)：

其中，v0是所施加的射頻電壓，l是間隙的長度，λ0是真空中測得的駐波波長，并且f是射頻信號的頻率。間隙的長度l是下電極與上電極之間的距離。所施加的射頻電壓施加在等離子體室的電極上。

駐波波長λ隨著射頻信號的諧波頻率的增大而減小導致蝕刻速率或沉積速率的不均勻性。蝕刻速率的不均勻性包括在等離子體室中的襯底(例如，晶片)或用來制造集成電路的晶片的蝕刻速率的不均勻性。此外，沉積速率的不均勻性包括在襯底上沉積材料的速率的不均勻性。以下圖3示出了蝕刻速率的不均勻性。

圖2是曲線圖110的實施方式，示出了等離子體中駐波波長λ隨著射頻信號的頻率的變化和/或上下電極之間的間隙的變化而變化。曲線圖110示出了駐波波長λ與射頻信號的頻率的關系。在曲線圖110中，射頻信號的頻率以兆赫茲(mhz)示出，并且駐波波長以米(m)示出。如曲線圖110所示，對于每種間隙1cm、3cm和5cm，駐波波長λ隨著射頻信號的頻率的增大而減小。

圖3是曲線圖121的實施方式，用于圖示蝕刻速率沿著襯底半徑隨距離的變化而出現(xiàn)的蝕刻速率的不均勻性。曲線圖121示出了蝕刻速率與襯底的半徑的關系曲線，蝕刻速率以埃每分鐘(a/min)計，并且襯底有三種不同的電容值c1至c3。襯底的半徑以毫米(mm)計。

要注意，在曲線圖121中與電容值c1對應的曲線是通過射頻信號的第三諧波形成的。曲線圖121中與電容值c2和c3對應的曲線是通過射頻信號的第二諧波形成的。曲線圖121中與電容值c2和c3對應的曲線比曲線圖121中與電容值c1對應的曲線具有較高的均勻性。

應該指出的是，曲線圖121是為工藝條件而生成的，工藝條件包括間隙大小，或等離子體室內的壓力，或供應到等離子體室中的一種或多種工藝氣體的組合，或供應工藝氣體的時間，或開啟的射頻發(fā)生器的標識，或它們的組合等。當產(chǎn)生的射頻通電并供應功率時，就開啟了射頻發(fā)生器。

射頻發(fā)生器的實例包括xmhz射頻發(fā)生器、ymhz射頻發(fā)生器和zmhz射頻發(fā)生器。x、y、z的實例包括2、27和60。應當指出的是，射頻發(fā)生器的工作頻率不限于且包含在預定的頻率工作范圍內的其他頻率。例如，盡管發(fā)生器在本文中指的是2mhz的射頻發(fā)生器，但是發(fā)生器在1mhz與3mhz之間工作。又如，盡管發(fā)生器在本文中指的是27mhz的射頻發(fā)生器，但是發(fā)生器在25mhz與29mhz之間工作。再如，盡管發(fā)生器在本文中指的是60mhz的射頻發(fā)生器，但是發(fā)生器在57mhz與63mhz之間工作。

圖4a是用于控制系統(tǒng)200的射頻返回路徑的阻抗的系統(tǒng)200的實施方式的示意圖。系統(tǒng)200包括射頻發(fā)生器204，射頻電纜系統(tǒng)283，匹配盒202，射頻傳輸線282，等離子體反應器218和控制器253。射頻電纜系統(tǒng)283將射頻發(fā)生器204聯(lián)接到匹配盒202，射頻傳輸線282將匹配盒202聯(lián)接到等離子體反應器218。

本文中使用的控制器包括處理器和存儲設備。本文中使用的處理器可以是中央處理器、或微處理器、或專用集成電路、或數(shù)字信號處理器、或可編程邏輯器件。存儲設備的實例包括隨機存取處理器(ram)和只讀存儲器(rom)。在一些實施方式中，存儲設備是閃存、或硬盤，或存儲磁盤冗余陣列(raid)或它們的組合。

射頻發(fā)生器204的實例包括x、y、或zmhz射頻發(fā)生器。在一些實施方式中，任意數(shù)量的射頻發(fā)生器，例如，xmhz射頻發(fā)生器、ymhz射頻發(fā)生器和/或zmhz射頻發(fā)生器等聯(lián)接到匹配盒202上。

射頻電纜系統(tǒng)283包括射頻電纜232和射頻電纜護套238。射頻電纜護套238包圍射頻電纜232以保護射頻電纜232。在一些實施方式中，本文中所指的射頻電纜和射頻電纜護套是由導體制成的，導體例如，金屬等。金屬的實例包括銅，或鋁，或它們的組合等。在一些實施方式中，射頻電纜護套238封閉射頻電纜232。射頻電纜系統(tǒng)283聯(lián)接到射頻發(fā)生器204和匹配盒202上。

類似地，射頻傳輸線282包括射頻棒234和射頻通道240。射頻通道240包圍射頻棒234。在多種實施方式中，射頻通道240是由金屬制成的，包圍并封閉射頻棒234，并且通過絕緣材料與射頻棒234隔開。射頻傳輸線282聯(lián)接到匹配盒202上并且聯(lián)接到等離子體反應器218上。在一些實施方式中，射頻通道240接地，例如，聯(lián)接到接地電位，或者聯(lián)接到參考電位，或者聯(lián)接到零電位等。

在一些實施方式中，參考電壓是非零電壓。在多種實施方式中，絕緣體包圍射頻棒234，并且射頻通道240封閉絕緣體。絕緣體位于射頻棒234與射頻通道240之間。

應該指出的是，在一些實施方式中，射頻電纜232、射頻電纜護套238、射頻棒234和射頻通道240中的每一個具有任意形狀的截面，例如，圓形、多邊形、方形等。

匹配盒202包括殼體224。在一些實施方式中，殼體224封閉并包圍匹配電路214以保護匹配電路214。此外，殼體224封閉并包圍匹配盒202的開關電路216以保護開關電路216。在一些實施方式中，在打開用于形成殼體224的壁的聯(lián)接機構(例如，螺釘、螺栓等)之后，從殼體224內進入開關電路216。匹配電路214聯(lián)接到射頻電纜232且聯(lián)接到射頻棒234。此外，開關電路216聯(lián)接到射頻通道240并且經(jīng)由連接件225聯(lián)接到殼體224，在一些實施方式中，連接件225包括一個或多個射頻帶，或者一個或多個射頻棒，或者一個或多個射頻帶和一個或多個射頻棒的組合。

匹配電路214包括電路元件(例如，電阻器，或電容器，或電感器，或它們的組合等)的組合，以使源的阻抗與負載的阻抗匹配。源供應射頻信號到匹配電路214，并且負載消耗由匹配電路214供應的射頻信號。匹配電路214從源接收的射頻信號通過匹配電路214進行組合以產(chǎn)生經(jīng)由射頻棒234供應到等離子體反應器218的射頻信號。

源的實例包括：x、y和zmhz射頻發(fā)生器中的一個或多個，將射頻發(fā)生器聯(lián)接到匹配電路214的一個或多個射頻電纜系統(tǒng)，以及聯(lián)接在射頻發(fā)生器與匹配電路214之間的任意的其他電路。負載的實例包括聯(lián)接在等離子體反應器218與匹配電路214之間的射頻傳輸線282以及任意的其他電路，例如，開關電路216等。

射頻發(fā)生器204產(chǎn)生經(jīng)由射頻電纜232供應(例如，輸送等)到匹配電路214的射頻信號206。例如，射頻發(fā)生器204的驅動器及放大器系統(tǒng)產(chǎn)生射頻信號206。匹配電路214將射頻信號206與從一個或多個其他的射頻發(fā)生器接收到的一個或多個射頻信號結合以產(chǎn)生經(jīng)由射頻棒234供應到等離子體反應器218的射頻供應信號264。在多種實施方式中，匹配電路214將射頻信號206與從一個或多個其他的射頻發(fā)生器接收到的一個或多個射頻信號結合，以使源的阻抗與負載的阻抗匹配。在一些實施方式中，當源的阻抗與負載的阻抗匹配時，就產(chǎn)生射頻信號264和210。

等離子體反應器218的等離子體室具有工藝氣體，例如，含氧氣體，或氧氣，或含氟氣體，或四氟甲烷(cf4)，或六氟化硫(sf6)，或六氟乙烷(c2f6)，或它們的組合等。射頻供應信號264點燃工藝氣體以在等離子體室內產(chǎn)生等離子體。

等離子體產(chǎn)生從等離子體反應器218朝著射頻發(fā)生器204反射的返回射頻信號210。返回射頻信號210經(jīng)由射頻通道240輸送到開關電路216。

開關電路216控制(例如，調節(jié)等)射頻返回信號210的阻抗以產(chǎn)生射頻返回信號263。例如，開關電路216改變射頻返回信號210的電容，或電感，或它們的組合。又如，閉合開關電路216的一個或多個開關s1至s8，并且斷開開關s1至s8的剩余部分以調節(jié)射頻返回信號210的阻抗。

當閉合開關電路216的開關時，參數(shù)元件(p)，例如，電感器、電容器或它們的組合等，經(jīng)由開關聯(lián)接到射頻通道240，并且調節(jié)射頻返回信號210的阻抗。例如，當閉合開關電路216的開關時，從等離子體反應器218接收的射頻返回信號210的阻抗加上或減去聯(lián)接到開關的參數(shù)元件的阻抗。此外，當閉合開關電路216的開關時，參數(shù)元件經(jīng)由連接件225聯(lián)接到接地的殼體224的一部分上。另一方面，當斷開開關電路216的開關時，從射頻通道240斷開聯(lián)接到開關的參數(shù)元件。

射頻返回信號263經(jīng)由連接件225和殼體224的聯(lián)接到連接件225上的接地部分以及經(jīng)由射頻電纜護套238被輸送到射頻發(fā)生器204。例如，射頻返回信號263經(jīng)由射頻電纜護套238朝著射頻發(fā)生器204的射頻驅動器及放大器系統(tǒng)反射。

在一些實施方式中，射頻供應路徑219包括第一部分219a，匹配電路214的電路元件，第二部分219b，以及射頻棒234與等離子體反應器218的射頻棒之間的連接件。在圖4a中，射頻供應路徑219由點線表示，虛線從射頻發(fā)生器204行進到等離子體反應器218。射頻供應路徑的第一部分219a包括射頻電纜232，并且第二部分219b包括射頻棒234。等離子體反應器218的射頻棒聯(lián)接到卡盤的下電極上。匹配電路214的電路元件的實例包括電感器，或電容器，使電感器與另一個電感器或電容器聯(lián)接上的導體，或它們的組合。

在多種實施方式中，射頻返回路徑221的至少一部分接地，例如，聯(lián)接到接地電壓，或者聯(lián)接到參考電壓，或者聯(lián)接到零電壓等。射頻返回路徑221包括第一部分221a和第二部分221b。在圖4a中，射頻返回路徑221沿著點線從等離子體反應器214行進到射頻發(fā)生器204。射頻返回路徑的第一部分221a包括射頻電纜護套238，并且射頻返回路徑的第二部分221b包括射頻通道240。

在一些實施方式中，射頻返回路徑221包括等離子體室的c形覆蓋物，等離子體反應器218的接地環(huán)，等離子體反應器218的射頻帶，等離子體反應器218的底電極殼體，等離子體反應器218的接地罩，第二部分221b，開關電路216，連接件225，使連接件225和第一部分221a聯(lián)接上的殼體224的接地部分221c，和第一部分221a。

在多種實施方式中，控制器253聯(lián)接到開關電路216上?？刂破?53包括開關選擇電路287，例如，處理器等。開關選擇電路287選擇開關s1至s8中的一個或多個，以使開關電路216的參數(shù)元件p1至p8中的一個或多個對應的參數(shù)元件與射頻通道240聯(lián)接上，或者不選擇開關s1至s8中的一個或多個，從而使參數(shù)元件p1至p8中的一個或多個對應的參數(shù)元件與開關s1至s8斷開，進而獲得蝕刻速率和/或均勻性。當開關s1至s8中的一個或多個聯(lián)接到參數(shù)元件p1至p8中的一個或多個對應的參數(shù)元件或者從其斷開時，控制射頻返回信號210的阻抗、電感、電容或它們的組合以獲得蝕刻襯底的蝕刻速率和/或蝕刻襯底的蝕刻速率的均勻性。

在這些實施方式中，開關選擇電路287應用調節(jié)配方289以標識將要閉合(例如，聯(lián)接等)或斷開(例如，分開等)的開關s1至s8中的一個或多個。調節(jié)配方289存儲在控制器253的存儲設備內。調節(jié)配方289包括蝕刻速率e1至e4與調節(jié)參數(shù)t1至t4之間的對應關系。例如，蝕刻速率e1映射到調節(jié)參數(shù)t1，蝕刻速率e2映射到調節(jié)參數(shù)t2，蝕刻速率e3映射到調節(jié)參數(shù)t3，并且蝕刻速率e4映射到調節(jié)參數(shù)t4。調節(jié)配方289包括蝕刻速率的均勻性u1至u4與調節(jié)參數(shù)t1至t4之間的對應關系。例如，調節(jié)參數(shù)t1映射到蝕刻速率的均勻性u1，調節(jié)參數(shù)t2映射到蝕刻速率的均勻性u2，調節(jié)參數(shù)t3映射到蝕刻速率的均勻性u3，并且調節(jié)參數(shù)t4映射到蝕刻速率的均勻性u4。

在一些實施方式中，蝕刻速率或蝕刻速率的均勻性，或者沉積速率或沉積速率的均勻性在本文中指的是可測量的因素。

調節(jié)參數(shù)的實例包括阻抗，或電感(l)，或電容(c)，或電壓，或電流，或復電壓和復電流，或它們的組合。蝕刻速率的均勻性的實例包括表示蝕刻速率與襯底的半徑之間的關系的曲線。例如，圖示蝕刻襯底的氧化物蝕刻速率與襯底的半徑之間的關系的每條曲線表示蝕刻襯底的均勻性。在一些實施方式中，蝕刻速率的均勻性包括處于蝕刻速率的預定標準偏差內的蝕刻速率。

應該指出的是，在一些實施方式中，開關電路216包括任意數(shù)量的開關和相同數(shù)量的參數(shù)元件。此外，在多種實施方式中，調節(jié)配方289包括任意數(shù)量的蝕刻速率與相同數(shù)量的調節(jié)參數(shù)之間的對應關系。在幾個實施方式中，調節(jié)配方289包括任意數(shù)量的均勻性與相同數(shù)量的調節(jié)參數(shù)之間的對應關系。

在一些實施方式中，不是蝕刻速率e1至e4，而是使用沉積速率d1至d4，并且沉積速率與調節(jié)參數(shù)t1至t4具有一一對應的關系。例如，沉積速率d1與調節(jié)參數(shù)t1對應，沉積速率d2與調節(jié)參數(shù)t2對應，如此等等。此外，在這些實施方式中，均勻性u1至u4是沉積速率的均勻性，并且每種均勻性與調節(jié)參數(shù)具有一一對應的關系。例如，沉積速率中的均勻性u1映射到調節(jié)參數(shù)t1，沉積速率的均勻性u2映射到調節(jié)參數(shù)t2，如此等等。在一些實施方式中，圖示在襯底上沉積氧化物的氧化物沉積速率與晶片半徑的曲線關系的每條曲線代表在襯底上沉積的均勻性。在一些實施方式中，沉積速率的均勻性包括處于沉積速率的預定標準偏差內的沉積速率。

圖4b是用于控制射頻返回路徑的阻抗的系統(tǒng)300的實施方式的視圖。系統(tǒng)300包括射頻發(fā)生器204，射頻電纜系統(tǒng)283，匹配盒230，射頻傳輸線282，等離子體反應器218，和控制器253。系統(tǒng)300類似于系統(tǒng)200，不同之處在于開關電路216位于匹配盒230的殼體226之外。開關電路216經(jīng)由連接件304(例如，射頻帶或射頻導體等)并且經(jīng)由殼體226的壁聯(lián)接到匹配電路214。射頻電纜系統(tǒng)283將匹配盒230連接到射頻發(fā)生器204。

殼體226包圍并封閉匹配電路214以保護匹配電路214。當開關電路216位于殼體226之外時，容易接觸到開關電路216。例如，當殼體226包括門以進入殼體226的外殼時，與殼體226內的匹配電路相比，接觸到殼體226外的開關電路216是容易的。

在一些實施方式中，殼體226比殼體224小(圖4a)。例如，殼體226的體積小于殼體224的體積。

射頻返回信號210被發(fā)送到開關電路216，該開關電路調節(jié)射頻返回信號210以產(chǎn)生射頻返回信號263。射頻返回信號被提供作為從開關電路216經(jīng)由連接件304到殼體226的接地部分的輸出。射頻返回信號263經(jīng)由殼體226的接地部分和射頻電纜護套238被輸送到射頻發(fā)生器204。

在幾個實施方式中，不是開關s1至s8和參數(shù)元件p1至p8，開關電路216而是包括可變電容器，或可變電感器，或與可變電容器串聯(lián)的可變電感器?？勺冸娙萜鞯碾娙萦砷_關選擇電路287經(jīng)由馬達和馬達的驅動器進行控制以獲得蝕刻速率e1至e4之一并且/或者獲得均勻性u1至u4中的一個或多個。類似地，可變電感器的電感由開關選擇電路287和馬達的驅動器經(jīng)由馬達進行控制以獲得蝕刻速率e1至e4之一和/或均勻性u1至u4中的一個或多個。

在多種實施方式中，射頻返回路徑212的至少一部分接地，例如，聯(lián)接到接地電壓，或者聯(lián)接到參考電壓，或者聯(lián)接到零電壓等。射頻返回路徑212包括第一部分221a和第二部分221b。

在一些實施方式中，射頻返回路徑212包括等離子體室的c形覆蓋物，等離子體反應器218的接地環(huán)，等離子體反應器218的射頻帶，等離子體反應器218的底電極殼體，等離子體反應器218的接地罩，第二部分221b，開關電路216，連接件304，使連接件304和第一部分221a連接上的殼體226的接地部分212a，和第一部分221a。射頻返回路徑212沿著圖4b的點線設置。

在多種實施方式中，系統(tǒng)200或系統(tǒng)300中包括任意數(shù)量的射頻帶。

圖5a是開關電路216的實施方式的視圖。開關電路216包括開關與參數(shù)元件之間的串聯(lián)。例如，開關電路216包括開關s1與參數(shù)元件p1之間的串聯(lián)，開關s2與參數(shù)元件p2之間的串聯(lián)，開關s3與參數(shù)元件p3之間的串聯(lián)，開關s4與參數(shù)元件p4之間的串聯(lián)，開關s5與參數(shù)元件p5之間的串聯(lián)，開關s6與參數(shù)元件p6之間的串聯(lián)，開關s7與參數(shù)元件p7之間的串聯(lián)，以及開關s8與參數(shù)元件p8之間的串聯(lián)。

開關電路216的開關和參數(shù)元件的每個組合與開關電路216的另一個開關和另一個參數(shù)元件的組合并聯(lián)。例如，開關s1和參數(shù)元件p1的組合與開關s2和參數(shù)元件p2的組合并聯(lián)。又如，開關s2和參數(shù)元件p2的組合與開關s3和參數(shù)元件p3的組合并聯(lián)。

開關s1至s8聯(lián)接到射頻通道240，并且參數(shù)元件p1至p8聯(lián)接到連接件310，該連接件310是連接件255(圖4a)或連接件304(圖4b)的實施例。

在一些實施方式中，每個開關是繼電器，例如，固態(tài)繼電器，或電磁繼電器，或真空繼電器等。在多種實施方式中，射頻返回信號210的功率在開關電路216的閉合的開關之間等分。

圖5a中以點線示出了射頻返回路徑231的一部分，這是射頻返回路徑221或212(圖4a，圖4b)的實例。

圖5b是電容器250作為參數(shù)元件的實施方式的視圖。電容器250與開關252串聯(lián)。電容器250是參數(shù)元件p1至p8中的任意一個的實例，并且開關252是開關s1至s8中的任意一個的實例。

圖5c是電感器254作為參數(shù)元件的實施方式的視圖。電感器254與開關252串聯(lián)。電感器254是參數(shù)元件p1至p8中的任意一個的實例。在一些實施方式中，每個電感器254是射頻帶。

圖5d是電容器250和電感器254的組合作為參數(shù)元件的實施方式的視圖。電感器254與電容器250串聯(lián)，并且電容器250與開關252串聯(lián)。

圖6是用于說明射頻信號的返回路徑的一部分的系統(tǒng)的實施方式的視圖。系統(tǒng)包括等離子體反應器320和射頻傳輸線324。射頻傳輸線324聯(lián)接到等離子體反應器320上。

等離子體反應器320是等離子體反應器218的實例(圖4a和圖4b)。此外，射頻傳輸線324是射頻傳輸線282的實例(圖4a和圖4b)。射頻傳輸線324包括射頻棒261和接地的射頻通道262。比如，射頻通道262聯(lián)接到接地電位或參考電位或零電位。接地射頻通道262是射頻通道240的實例(圖4a和圖4b)，并且射頻棒261是射頻棒234的實例(圖4a和圖4b)。

射頻反應器320包括等離子體室326和射頻圓柱體360，該射頻圓柱體經(jīng)由射頻帶368聯(lián)接到射頻棒261。等離子體反應器320進一步包括返回射頻帶274和277，接地罩280和底電極殼體276。c形覆蓋物、接地罩和返回射頻帶的實例詳見于2012年11月21日提交的申請?zhí)枮?3/684,098，美國公開號為2013-0133834的專利申請，該申請的全部內容通過引用的方式并入本文中。

等離子體室326包括上電極260，上電極延伸體328，c形覆蓋物270，接地環(huán)272和卡盤組件。卡盤組件包括卡盤258和設施板330。襯底291位于用于加工襯底291的卡盤258的頂部上。加工襯底291的實例包括清潔襯底291，或者蝕刻襯底291，或者蝕刻襯底291頂部上的氧化物，或者在襯底291上沉積材料(例如，氧化物，二氧化物，光致抗蝕材料等)，或者它們的組合。

c形覆蓋物270包括用于控制等離子體室326內的壓力的狹槽。例如，打開狹槽以增大流過狹槽的氣體流量，從而減小等離子體室326的間隙370中的氣壓。關閉狹槽以減小氣體流量，從而增大間隙370中的氣壓。

在多種實施方式中，底電極殼體276具有任意形狀，例如，圓柱形，方形，多邊形等。

在多種實施方式中，射頻圓柱體360不是圓柱體并且具有多邊形形狀，例如，矩形形狀，方形形狀等。

上電極延伸體328包圍上電極260。c形覆蓋物270包括部分270a和270b。接地環(huán)272包括接地環(huán)部分272a和另一個接地環(huán)部分272b。底電極殼體276包括底電極殼體部分276a，另一個底電極殼體部分276b，和還有的另一個底電極殼體部分276c。每個底電極殼體部分276a和276b形成底電極殼體276的側壁。底電極殼體276c形成導電殼體276的底壁。接地罩280包括接地罩部分280a和另一個接地罩部分280b。

卡盤258的頂面面對上電極260的底面336。等離子體室326被上電極260和上電極延伸體328包圍，上電極延伸體包圍上電極260。等離子體室326進一步被c形覆蓋物270和卡盤258包圍。

接地環(huán)272位于c形覆蓋物270下方。在一些實施方式中，接地環(huán)272位于c形覆蓋物270下方并與其相鄰。返回射頻帶274連接到接地環(huán)部分272a，并且返回射頻帶277連接到接地環(huán)部分272b。返回射頻帶274連接到底電極殼體部分276a，并且返回射頻帶277連接到底電極殼體部分276b。底電極殼體部分276a連接到接地罩部分280a，并且底電極殼體部分276b連接到接地罩部分280b。接地罩部分280a經(jīng)由底電極殼體部分276a連接到接地的射頻通道262，接地罩部分280b經(jīng)由底電極殼體部分276c連接到接地的射頻通道262。

在一些實施方式中，底電極殼體部分276是包圍射頻圓柱體360的筒體。射頻圓柱體360是輸送射頻供應信號264的介質。射頻供應信號264經(jīng)由射頻棒261、射頻帶368和射頻圓柱體360供應到卡盤258的下電極以在等離子體室326的間隙370內產(chǎn)生等離子體。間隙370形成在上電極260與卡盤258下電極之間。

射頻返回信號210的一部分350從上電極260的底面336傳送到上電極延伸體328的底面部分338a，進一步傳送到c形覆蓋物部分270a，進一步傳送到接地環(huán)部分272a，進一步傳送到返回射頻帶274，進一步傳送到底電極殼體部分276a，進一步傳送到接地罩部分280a，傳送到接地的射頻通道262。

在一些實施方式中，射頻返回信號210的部分350從上電極260的底面336，進一步沿著上電極延伸體328的底面部分338a，進一步沿著c形覆蓋物部分270a，進一步沿著接地環(huán)部分272a，進一步沿著返回射頻帶274，進一步沿著底電極殼體部分276a，進一步沿著接地罩部分280a，傳送到接地的射頻通道262。

在一些實施方式中，射頻返回信號210的部分350沿著射頻返回路徑221(圖4a)的一部分或射頻返回路徑212(圖4b)的一部分傳送。

此外，射頻返回信號210的一部分352從底面336傳送到上電極延伸體328的底面部分338b，進一步傳送到c形覆蓋物部分270b，進一步傳送到接地環(huán)部分272b，進一步傳送到返回射頻帶277，進一步傳送到底電極殼體部分276b，進一步傳送到接地罩部分280b，進一步傳送到底電極殼體部分276c的一部分，進一步傳送到底電極殼體部分276b，傳送到接地的射頻通道262。

在多種實施方式中，射頻返回信號210的一部分352從底面336，沿著上電極延伸體328的底面部分338b，進一步沿著c形覆蓋物部分270b，進一步沿著接地環(huán)部分272b，進一步沿著返回射頻帶277，進一步沿著底電極殼體部分276b，進一步沿著接地罩部分280b，進一步沿著底電極殼體部分276c，進一步沿著底電極殼體部分276b，傳送到接地的射頻通道262。

在一些實施方式中，射頻返回信號210的部分352沿著射頻返回路徑221(圖4a)的一部分或射頻返回路徑212(圖4b)的一部分傳送。

應當指出的是，射頻返回信號210的射頻返回路徑221或212(圖4a，圖4b)的一部分從上電極260的底面336，進一步沿著上電極延伸體328的底面部分338a，進一步沿著c形覆蓋物部分270a，進一步沿著接地環(huán)部分272a，進一步沿著返回射頻帶274，進一步沿著底電極殼體部分276a，進一步沿著接地罩部分280a，傳送到接地的射頻通道262。

此外，射頻返回信號210的射頻返回路徑221或212(圖4a，圖4b)的一部分從上電極260的底面336，沿著上電極延伸體328的底面部分338b，進一步沿著c形覆蓋物部分270b，進一步沿著接地環(huán)部分272b，進一步沿著返回射頻帶277，進一步沿著底電極殼體部分276b，進一步沿著接地罩部分280b，進一步沿著底電極殼體部分276c，傳送到接地的射頻通道262。在圖6中以虛線示出了射頻返回信號210的路徑。

在一些實施方式中，上電極260接地。

在多種實施方式中，不是一個射頻帶368，而是多個射頻帶用于將射頻圓柱體360聯(lián)接到射頻棒261。

圖7是系統(tǒng)382的實施方式的視圖，圖示了射頻返回信號210的射頻返回路徑的一部分。射頻棒261延伸穿過底電極殼體部分276a。此外，射頻棒261經(jīng)由射頻通道延伸體388連接到匹配盒的殼體384。射頻通道延伸體388是射頻通道262的一部分，并且附接到，例如，通過螺釘?shù)雀浇拥綒んw384的側壁390。在一些實施方式中，附接到側壁390上的接地板被去除，以便將射頻通道延伸體388附接到側壁390上。殼體384是殼體224(圖4a)或殼體226(圖4b)的實例。

射頻返回信號210經(jīng)由射頻通道262的一部分、射頻通道延伸體388和側壁390輸送到殼體384的底壁392上。此外，射頻返回信號210經(jīng)由射頻通道262的一部分、射頻通道延伸體388和側壁390輸送到殼體384的頂壁394。圖7以虛線示出了射頻返回信號210的路徑。

圖8是電感器系統(tǒng)400的實施方式的視圖，該電感器系統(tǒng)聯(lián)接在匹配盒殼體與射頻通道之間以調節(jié)射頻返回信號的阻抗。電感器系統(tǒng)400包括一個或多個電感器帶a至h，例如，由導電金屬制成的帶，由銅制成的帶，由鋁制成的帶等。

帶a至h將射頻通道262聯(lián)接到匹配盒的殼體402。殼體402是殼體384(圖7)的實例，并且接地，例如，聯(lián)接到接地電位，或者聯(lián)接到參考電位，或者聯(lián)接到零電位，等。

由于射頻通道262與殼體402之間的多個帶a至h發(fā)生變化，例如，被去除或有所增加，或它們的組合等，作為輸出從殼體402到與殼體402聯(lián)接上的射頻電纜護套238(圖4a，圖4b)返回的射頻返回信號，(例如，射頻返回信號263(圖4a，圖4b)等)的阻抗發(fā)生變化。

應該指出的是，在一些實施方式中，電感器系統(tǒng)400包括任意數(shù)量的帶。

圖9是曲線圖410的實施方式，示出了對于不同數(shù)量的電感器帶，蝕刻襯底的蝕刻速率與襯底的半徑的曲線關系圖。隨著電感器帶的數(shù)量從3增加到6，蝕刻速率的不均勻性增大。此外，隨著電感器帶的數(shù)量從10增加到19，蝕刻速率的不均勻性減小。應該指出的是，當電感器帶的數(shù)量為3時，靠近襯底的中心的蝕刻速率有均勻性，例如，靠近零半徑，在距離襯底中心預定的距離內等處，蝕刻速率有均勻性。通過控制電感器帶的數(shù)量，實現(xiàn)了對蝕刻速率的不均勻性的控制(例如，減少等)。

在一些實施方式中，蝕刻速率的不均勻性靠近襯底的中心測得。

圖10是曲線圖420的實施方式，示出了對于兩種不同數(shù)量的電感器帶，蝕刻襯底的蝕刻速率與襯底半徑的關系。如曲線圖420所示，隨著電感器帶的數(shù)量增加，蝕刻速率的不均勻性減小。

圖11是曲線圖430的實施方式，示出了對于不同數(shù)量的電感器帶，射頻返回信號的相位與射頻返回信號的曲線關系圖。如曲線圖430所示，在射頻返回信號的第三個諧波處，與在使用4個電感器帶時的射頻返回信號的相位進行比較，在使用19個電感器帶時的射頻返回信號的相位減小。相位的減小有助于控制(例如，獲得等)蝕刻襯底的蝕刻速率的均勻性或在襯底上沉積材料的沉積速率的均勻性。

應該指出的是，在一些實施方式中，除使用開關電路之外，還通過控制等離子體室的上電極與下電極之間的間隙來控制蝕刻速率或沉積速率的不均勻性。例如，處理器，例如，開關選擇電路287(圖4a和圖4b)等，經(jīng)由馬達驅動器連接到與上電極和/或下電極連接上的馬達。處理器發(fā)送信號到馬達驅動器，從而使馬達的轉子轉動。轉子轉動導致上下電極之間的距離發(fā)生變化以控制間隙，該間隙包括上下電極之間的距離。間隙的變化用于減小不均勻性。在幾個實施方式中，上下電極之間的間隙包括上下電極之間的空間體積。在多種實施方式中，處理器經(jīng)由馬達驅動器控制馬達以控制間隙，同時通過發(fā)送信號到開關電路216來控制開關電路216(圖4a，圖4b)，從而減小不均勻性。

在多種實施方式中，通過控制等離子體室內的壓力大小并且通過使用開關電路來減小蝕刻速率或沉積速率的不均勻性。例如，處理器，例如，開關選擇電路287(圖4a，圖4b)等，連接到與閥門連接上的馬達。閥門經(jīng)由管材聯(lián)接到存儲一種或多種氣體的氣源。處理器發(fā)送信號到馬達驅動器以操作馬達的轉子，從而打開或關閉閥門。閥門打開和關閉以控制(例如，增大或減小等)一種或多種氣體進入等離子體室內在上下電極之間的間隙中的流量。流量的增大使室中的壓力增大，并且流量的減小使壓力減小。除使用開關電路216(圖4a和圖4b)之外，壓力用于減小不均勻性。在一些實施方式中，處理器在控制開關電路216的同時控制間隙中的壓力，以減小不均勻性。

圖12是使用反饋回路的系統(tǒng)450的實施方式的視圖，該反饋回路用于控制蝕刻速率的均勻性，或沉積速率的均勻性，或者獲得蝕刻速率，或者獲得沉積速率。系統(tǒng)450包括等離子體反應器452，其為等離子體反應器218(圖4a，圖4b)的實例。等離子體反應器452包括等離子體室454，等離子體室454為等離子體室326(圖6)的實例。等離子體反應器452進一步包括底電極殼體456，底電極殼體456為導電殼體276(圖6)的實例。

底電極殼體456聯(lián)接到射頻通道240。傳感器458，例如，電壓電流探針，電壓探針等，聯(lián)接到射頻通道240。傳感器458測量射頻返回信號210的參數(shù)，例如，電壓或復電壓和電流等。

在一些實施方式中，傳感器458沿著射頻返回路徑212或221(圖4a，圖4b)連接到任意點上。例如，傳感器458連接到射頻通道240上的任意點。

在一些實施方式中，傳感器458沿著射頻傳輸路徑219(圖4a，圖4b)連接到任意點上。例如，傳感器458聯(lián)接到射頻棒234上的任意點。

傳感器458提供所測得的參數(shù)到開關選擇電路287。開關選擇電路287確定所測得的參數(shù)是否類似于調節(jié)配方289(圖4a，圖4b)內的調節(jié)參數(shù)，例如，等于該調節(jié)參數(shù)或在該調節(jié)參數(shù)的預定范圍內等。調節(jié)參數(shù)與蝕刻速率的均勻性或沉積速率的均勻性或沉積速率或蝕刻速率對應。在確定所測得的參數(shù)不類似于調節(jié)參數(shù)時，開關選擇電路287發(fā)送信號到開關電路216以打開或關閉開關s1至s8中的一個或多個，從而使參數(shù)元件p1至p8中的對應的一個或多個與接地的匹配盒殼體，例如，殼體224或殼體226(圖4a，圖4b)斷開或連接上。發(fā)送信號以獲得用于確定所測得的參數(shù)是否類似于調節(jié)參數(shù)的調節(jié)參數(shù)。另一方面，在確定所測得的參數(shù)類似于調節(jié)參數(shù)時，開關選擇電路287不發(fā)送允許打開或關閉開關s1至s8中的一個或多個的信號到開關電路216。

要指出的是，盡管參照例如電容耦合等離子體室等平行板等離子體室描述了上述操作，但是在一些實施方式中，上述操作適用于其他類型的等離子體室，例如，包括電感耦合等離子體(icp)反應器、變壓器耦合等離子體(tcp)反應器、導體工具、電介質工具的等離子體室，包括電子回旋共振(ecr)反應器的等離子體室等。例如，xmhz射頻發(fā)生器、ymhz射頻發(fā)生器和/或zmhz射頻發(fā)生器聯(lián)接至icp等離子體室內的電感器。

還要指出的是，盡管上述操作被描述為由開關選擇電路287(圖4a和圖4b)實施，但是在一些實施方式中，可以由xmhz射頻發(fā)生器、ymhz射頻發(fā)生器和zmhz射頻發(fā)生器中的一個或多個的一個或多個數(shù)字信號處理器實施。

應該指出的是，在上述實施方式的一些中，射頻供應信號提供給卡盤的下電極，并且上電極接地。在多種實施方式中，射頻供應信號提供給上電極，并且卡盤的下電極接地。

在一些實施方式中，本文所述的操作用各種計算機系統(tǒng)配置實施，這些計算機系統(tǒng)配置包括手持式硬件單元，微處理器系統(tǒng)，基于微處理器或可編程的消費電子產(chǎn)品，微型計算機，大型計算機等。實施方式還可以由分布式計算環(huán)境來實施，其中任務由通過網(wǎng)絡聯(lián)接的遠程處理硬件設備來執(zhí)行。

在閱讀上述實施方式之后，應當理解實施方式可以采用涉及存儲在計算機系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)的多種由計算機實施的操作。這些操作是需要對物理量進行物理操作的操作。本文中所述的構成實施方式的一部分的任意上述操作是可用的機械操作。實施方式還涉及硬件設備或用于執(zhí)行這些操作的設備。在多種實施方式中，設備還可以專門構造成用于專用計算機。當限定為專用計算機時，計算機在能進行專用操作的同時還可以執(zhí)行并非專用的的一部分的其他處理、程序運行或子程序。在一些實施方式中，這些操作由存儲在計算機內存、緩存中或通過網(wǎng)絡獲得的一個或多個計算機程序選擇性地激活或配置的通用計算機來執(zhí)行。當通過網(wǎng)絡獲得數(shù)據(jù)時，由網(wǎng)絡上的其他計算機，例如，云計算資源來處理這些數(shù)據(jù)。

一個或多個實施方式還可以制造成非臨時性計算機可讀介質上的計算機可讀的代碼。非臨時性計算機可讀介質是可以存儲數(shù)據(jù)的任意的存儲設備等，這些數(shù)據(jù)隨后可以被計算機系統(tǒng)讀取。非臨時性計算機可讀介質的實例包括硬盤驅動器、網(wǎng)絡附加存儲(nas)、rom、ram、緊湊型只讀存儲器(cd-rom)、可記錄光盤驅動器(cd-r)、可擦寫光盤驅動器(cd-rw)、磁帶和其他的光學和非光學數(shù)據(jù)存儲硬件設備。非臨時性計算機可讀介質可以包括分布在網(wǎng)絡耦合的計算機系統(tǒng)上的計算機可讀的有形介質，使得計算機可讀的代碼以分布方式存儲和執(zhí)行。

盡管按照一些實施方式中的特定順序描述了一些上述方法操作，但應當理解，在多種實施方式中，在操作之間執(zhí)行其他的內務操作，或者操作經(jīng)過調節(jié)使得這些操作在稍微不同的時間執(zhí)行，或者分布在允許加工操作在與加工相關的多個間隔進行的系統(tǒng)中，只要按照期望的方式執(zhí)行疊加操作的加工即可。

在一些實施方式中，在不脫離由本發(fā)明描述的多個實施方式中描述的范圍內，任何實施方式的一個或多個特征與任何其他實施方式的一個或多個特征結合。

盡管為了理解清楚的目的描述了上述實施方式的一些細節(jié)，但是應當認識到，在所附權利要求書的范圍內可以進行某些變化和修改。因此，本發(fā)明的實施方式應當看成是說明性的而不是限制性的，并且實施方式不限于本文給出的細節(jié)，但是可以在所附權利要求書的范圍和等同方案內進行修改。