技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的一種提取存儲單元版圖的方法及裝置，包括：獲取存儲單元的版圖，所述版圖包括有源區(qū)、與所述有源區(qū)相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅；將所述有源區(qū)中靠近所述第一多晶硅的兩側(cè)定義為體區(qū)；將所述第一多晶硅中靠近所述有源區(qū)的兩側(cè)定義為浮柵極，所述浮柵極上的第二多晶硅定義為控制柵極；將所述體區(qū)之間的部分所述第一多晶硅定義為選擇柵極；將所述體區(qū)與所述選擇柵極之間的所述有源區(qū)定義為選擇柵晶體管的源區(qū)/漏區(qū)；將所述第一多晶硅兩側(cè)的所述有源區(qū)定義為控制柵晶體管的源區(qū)/漏區(qū)。本發(fā)明中直接分辨出不同晶體管的源極、漏極、柵極，便于器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計。

技術(shù)研發(fā)人員：曹云;于明;鄭舒靜
受保護的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
文檔號碼：201710080030
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.14
技術(shù)公布日：2017.06.20