技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及一種鰭式晶體管的源漏區(qū)中的共形緩沖層，其提供鰭式晶體管制造方法及結構，包括例如：設置至少部分延伸于鰭片上方的柵極結構，該鰭片延伸于襯底結構上方，該柵極結構鄰近該鰭片的至少一個區(qū)域設置；在該柵極結構上方及該鰭片的該至少一個區(qū)域上方共形設置保護膜；改性位于該鰭片的該至少一個區(qū)域上方的該保護膜以形成共形緩沖層，其中，該改性選擇性改變位于該至少一個區(qū)域上方的該保護膜的結晶結構，從而使其成為該共形緩沖層，而不改變設于該柵極結構上方的該保護膜的該結晶結構；以及移除位于該柵極結構上方的該未被改變的保護膜，而保留位于該至少一個區(qū)域上方的該共形緩沖層，以形成該鰭式晶體管的源區(qū)及漏區(qū)。

技術研發(fā)人員：C·D·謝拉弗;裴成文;E·T·哈利;柯玥;亨利·K·烏托摩;Y·楊;任志斌
受保護的技術使用者：格羅方德半導體公司
技術研發(fā)日：2017.02.10
技術公布日：2017.08.18