技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明描述了用于非平面半導(dǎo)體器件架構(gòu)的精密電阻器。在第一示例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在襯底上方的第一半導(dǎo)體鰭狀物和第二半導(dǎo)體鰭狀物。電阻器結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物上方，但不設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體鰭狀物上方。晶體管結(jié)構(gòu)由所述第二半導(dǎo)體鰭狀物形成，但不由所述第一半導(dǎo)體鰭狀物形成。在第二示例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在襯底上方的第一半導(dǎo)體鰭狀物和第二半導(dǎo)體鰭狀物。隔離區(qū)設(shè)置在所述襯底上方、位于所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物之間、并且位于小于所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物的高度處。電阻器結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述隔離區(qū)上方，但不設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物上方。第一晶體管結(jié)構(gòu)和第二晶體管結(jié)構(gòu)分別由所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物形成。

技術(shù)研發(fā)人員：J-Y·D·葉;P·J·范德沃爾;W·M·哈菲茲;C-H·簡;C·蔡;J·樸
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英特爾公司
技術(shù)研發(fā)日：2013.06.18
技術(shù)公布日：2017.07.21