厚膜高功率低阻值貼片電阻器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，采用高含銀量及一定含鈀量的電極漿料在絕緣基板上制作一層背面電極，再連續(xù)制作第一及第二兩層正面電極，然后在第二正面電極上制作電阻層，該正面電極由三個(gè)相對(duì)獨(dú)立的區(qū)塊所組成，該正面電極將電阻切分為兩個(gè)串聯(lián)且分布盡量靠近折條線兩端的電阻，且靠近折條線兩端的電阻層可以完全影射到電阻的背電極上，使電阻能得到最短的散熱路徑。另采用平均分配切線長(zhǎng)度的多刀重復(fù)對(duì)刀切割方式進(jìn)行切割，使電阻能達(dá)到最小的切割損傷，這樣的設(shè)計(jì)及工藝制作出來(lái)的產(chǎn)品具有高穩(wěn)定性、高功率、低TCR指標(biāo)及低成本特性，具有很強(qiáng)的市場(chǎng)應(yīng)用及產(chǎn)品推廣價(jià)值。
【專利說(shuō)明】
厚膜高功率低阻值貼片電阻器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種厚膜高功率電阻器，尤其是涉及一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步，時(shí)代的發(fā)展及人們對(duì)電子產(chǎn)品小型化要求的不斷提升，性能可靠及工藝穩(wěn)定的厚膜貼片電阻也應(yīng)電子產(chǎn)品的特性需求呈現(xiàn)著多樣化的發(fā)展趨勢(shì)，眾所周知，各種電子產(chǎn)品為了確保使其穩(wěn)定工作，都會(huì)制作一個(gè)供電電源，來(lái)確保其正常及穩(wěn)定的工作，而每種電源的穩(wěn)定工作都離不開(kāi)一種連接在反饋電路上起電流檢測(cè)作用的低阻值電阻，這種電阻就是人們常講的電流檢測(cè)電阻，隨著電子產(chǎn)品小型化的加劇，高功率低阻值的電流檢測(cè)電阻越來(lái)越受到市場(chǎng)的追捧。目前，現(xiàn)有普通低阻值貼片電阻通常包括絕緣基板、背電極、二次或三次正面電極、電阻層、第一保護(hù)層、第二保護(hù)層、字碼、側(cè)面電極、鍍鎳層和鍍錫層，如圖18所示，這種產(chǎn)品之所以功率不高，主要是因?yàn)楫a(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造工藝上還存在著如下的缺點(diǎn):
[0003]第一，電阻層靠近絕緣基板的中心部分，距離側(cè)面電極較遠(yuǎn)，電阻的熱量往往聚集在電阻層的中間，電阻的熱量在從中間向兩端電極及側(cè)面電極進(jìn)行散發(fā)的過(guò)程中，存在散熱路徑過(guò)長(zhǎng)而使散熱不良的問(wèn)題。
[0004]第二，普通的低阻值電阻在進(jìn)行鐳射阻值修正時(shí)，不管是采用單刀切割還是采用對(duì)刀切割，其鐳射調(diào)阻對(duì)電阻層的損傷都較大，而使電阻的耐功率能力降低。
[0005]第三，普通的低阻值電阻均采用減小電阻層的長(zhǎng)度，加長(zhǎng)兩端電極長(zhǎng)度的方式來(lái)制作，這樣，因兩端電極長(zhǎng)度加大而造成兩端電極(銀)的內(nèi)阻加大，而使電阻的溫度系數(shù)過(guò)大。
[0006]高功率低阻值電流檢測(cè)電阻目前行業(yè)上另一種較為通用的解決方案是采用合金箔通過(guò)膠質(zhì)將合金箔貼到瓷基板上，并通過(guò)印刷線路板的制作工藝加工生產(chǎn)，這種制作工藝的電阻主要存在材料成本高,制作工藝復(fù)雜,生產(chǎn)成本高及交貨周期過(guò)長(zhǎng)的問(wèn)題,因此這也給性能穩(wěn)定，工藝可靠的厚膜高功率低阻值貼片電阻帶來(lái)很大的市場(chǎng)潛力。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提出一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，通過(guò)對(duì)普通厚膜電流檢測(cè)電阻的結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)，并對(duì)材料進(jìn)行合理選擇，能夠使產(chǎn)品的功率得到提升，同時(shí)還能提高電流檢測(cè)電阻的TCR(溫度系數(shù))指標(biāo)。較低的制作成本和優(yōu)良的電阻特性指標(biāo)會(huì)給這一厚膜高功率電流檢測(cè)貼片電阻器帶來(lái)更多的及更廣泛的應(yīng)用。
[0008]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0009]一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，包括一方形絕緣基板，沿所述絕緣基板的長(zhǎng)度方向，所述絕緣基板下表面的兩端處分別覆蓋有一層背面電極，兩個(gè)所述背面電極之間相距設(shè)定距離，形成第一間隙；所述絕緣基板上表面的兩端處和中心處分別覆蓋有一層第一正面電極，兩端處的兩個(gè)所述第一正面電極分別與中心處的所述第一正面電極相距設(shè)定距離，形成兩個(gè)第二間隙；三個(gè)所述第一正面電極上表面分別覆蓋有一層第二正面電極，兩個(gè)所述第二間隙內(nèi)的絕緣基板上分別覆蓋有一層電阻層，兩個(gè)所述電阻層相向延伸覆蓋住中心處的所述第二正面電極，兩個(gè)所述電阻層背向延伸覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；所述電阻層上表面依次覆蓋有一層第一保護(hù)層和一層第二保護(hù)層；所述第一保護(hù)層完全覆蓋住所述電阻層，所述第二保護(hù)層完全覆蓋住所述第一保護(hù)層，且所述第二保護(hù)層延伸并覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；
[0010]另設(shè)有側(cè)面電極、鍍鎳層和鍍錫層，所述側(cè)面電極完全覆蓋住所述絕緣基板兩端的端面、兩端處的所述第一正面電極的端面、兩端處的所述第二正面電極的端面和兩端處的所述背面電極的端面；所述鍍鎳層完全覆蓋住所述第二正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極，且所述鍍鎳層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上；所述鍍錫層覆蓋住所述鍍鎳層，且所述鍍錫層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上。
[0011]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，沿所述絕緣基板的長(zhǎng)度方向，兩端處的兩個(gè)所述第一正面電極的長(zhǎng)度小于中心處的所述第一正面電極的長(zhǎng)度。
[0012]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二正面電極與其對(duì)應(yīng)的所述第一正面電極完全重疊。
[0013]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，沿所述絕緣基板的厚度方向，兩個(gè)所述第二間隙分別向下對(duì)穿影射到所述絕緣基板下表面對(duì)應(yīng)的所述背面電極上。
[0014]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，兩端處的兩個(gè)所述第二正面電極與所述鍍鎳層之間、中心處的所述電阻層與中心處的所述第一保護(hù)層之間分別設(shè)有一層第三正面電極，兩端處的兩個(gè)所述第三正面電極與中心處的所述第三正面電極之間相距設(shè)定距離，形成兩個(gè)第三間隙，且所述第二保護(hù)層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述第二保護(hù)層外覆蓋有一層第三保護(hù)層，所述第三保護(hù)層完全覆蓋住所述第二保護(hù)層，且所述第三保護(hù)層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述鍍鎳層和所述鍍錫層分別搭接在所述第三保護(hù)層的端面上。
[0015]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，沿所述絕緣基板的長(zhǎng)度方向，兩端處的兩個(gè)所述第三正面電極的長(zhǎng)度小于中心處的所述第三正面電極的長(zhǎng)度，且兩個(gè)所述第二間隙分別向上對(duì)稱影射到對(duì)應(yīng)的兩個(gè)所述第三間隙上。
[0016]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，兩端處的兩個(gè)所述電阻層為通過(guò)激光鐳射調(diào)整至設(shè)定阻值的電阻層，所述第三保護(hù)層外部分覆蓋有一層字碼標(biāo)識(shí)層。
[0017]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型提供了一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，與現(xiàn)有技術(shù)中厚膜普通功率低阻值貼片電阻器相比，本實(shí)用新型厚膜高功率低阻值貼片電阻能達(dá)到如下的有益效果:
[0018]1、通過(guò)在絕緣基板上表面形成兩層正面電極，即第一正面電極和第二正面電極，每層正面電極均由位于絕緣基板兩端處和中心處的三個(gè)獨(dú)立的區(qū)塊所組成，兩端處的第一、第二正面電極與中心處的第一、第二正面電極之間形成第二間隙，兩個(gè)第二間隙內(nèi)形成電阻層，較佳的，兩端處的正面電極的長(zhǎng)度小于中心處的正面電極的長(zhǎng)度，這樣做的好處是使兩端處的正面電極盡量的短，中間處的正面電極盡量的長(zhǎng)，從而使位于第二間隙內(nèi)的電阻層盡量的靠近絕緣基板的兩端，因此，能夠?qū)①N片電阻器的電阻層的發(fā)熱點(diǎn)從絕緣基板的中間移到絕緣基板的兩端，解決由于散熱路徑過(guò)長(zhǎng)而使貼片電阻器散熱不良的問(wèn)題，以達(dá)到提升貼片電阻器功率的目的。
[0019]2、通過(guò)在相對(duì)拉開(kāi)設(shè)定距離的兩個(gè)第二間隙內(nèi)形成電阻層，電阻層完全覆蓋到中心處的第二正面電極上并跨接到兩端處的第二正面電極上，與普通低阻值貼片電阻器相t匕，電阻層被極大地加長(zhǎng)了，正面電極被極大地縮短了，因此，能夠降低正面電極內(nèi)阻對(duì)貼片電阻器溫度系數(shù)(TCR)指標(biāo)的影響，極大地改善和提升了電阻的溫度系數(shù)指標(biāo)。
[0020]3、貼片電阻器的正面電極包括兩端處的第一、第二、第三正面電極，它們由三層印刷電極材料層疊形成，這種分層設(shè)置的正面電極可以極大的降低正面電極的阻抗，從而達(dá)到提升貼片電阻器的散熱能力，改善和提升了貼片電阻器的溫度系數(shù)指標(biāo)目的。
[0021]4、中心處的第一、第二正面電極形成于電阻層的下方，中心處的第三正面電極形成于電阻層的上方，三個(gè)獨(dú)立區(qū)塊組成的三層正面電極(第一正面電極、第二正面電極和第三正面電極)將電阻層切分為兩個(gè)串聯(lián)的且分布盡量靠近兩端的電阻，在對(duì)貼片電阻器進(jìn)行鐳射調(diào)阻時(shí)，可以分別用多刀重復(fù)的方式對(duì)這兩顆串聯(lián)的電阻進(jìn)行對(duì)向切割，這樣，能夠相對(duì)降低對(duì)電阻層的損傷，提升電阻層的耐功率特性。
[0022]5、通過(guò)將第二間隙內(nèi)的電阻層映射到絕緣基板下表面上對(duì)應(yīng)的背面電極上，能夠達(dá)到極大地改善散熱路徑及散熱條件，確保貼片電阻器功率的進(jìn)一步提升的目的，其原理是，電阻層如果要映射到背面電極上，就要相應(yīng)加長(zhǎng)背面電極在長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度，這樣，通過(guò)加長(zhǎng)的背面電極能夠迅速將電阻層的熱量散發(fā)到PCB板上。
[0023]6、三層正面電極(第一正面電極、第二正面電極和第三正面電極)材料和背面電極材料均選用具有一定的含鈀量及高含銀量的銀鈀漿料，這樣，可以確保貼片電阻器在高溫、高濕環(huán)境下工作的可靠性及穩(wěn)定性。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為本實(shí)用新型所述步驟a后的絕緣基板不意圖；
[0025]圖2為本實(shí)用新型所述步驟b后的絕緣基板下表面示意圖；
[0026]圖3為本實(shí)用新型所述步驟c后的絕緣基板上表面不意圖；
[0027]圖4為本實(shí)用新型所述步驟d后的絕緣基板上表面不意圖；
[0028]圖5為本實(shí)用新型所述步驟e后的絕緣基板不意圖；
[0029]圖6為本實(shí)用新型所述步驟f后的絕緣基板不意圖；
[0030]圖7為本實(shí)用新型所述步驟g后的絕緣基板不意圖；
[0031]圖8為本實(shí)用新型所述步驟h后的絕緣基板不意圖；
[0032]圖9為本實(shí)用新型所述步驟i后的絕緣基板不意圖；
[0033]圖10為本實(shí)用新型所述步驟j后的絕緣基板不意圖；
[0034]圖11為本實(shí)用新型所述步驟k后的絕緣基板不意圖；
[0035]圖12為本實(shí)用新型所述步驟I后的絕緣基板不意圖；
[0036]圖13為本實(shí)用新型所述步驟m后的粒狀半成品示意圖；
[0037]圖14為本實(shí)用新型所述步驟m后的粒狀半成品示意圖；
[0038]圖15為本實(shí)用新型所述步驟O后的粒狀半成品示意圖；
[0039]圖16為本實(shí)用新型實(shí)施例1剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖17為本實(shí)用新型實(shí)施例2剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖18為現(xiàn)有技術(shù)普通低阻值貼片電阻器剖面結(jié)構(gòu)示意。
[0042]結(jié)合附圖，作以下說(shuō)明:
[0043]10—絕緣基板11一折粒線
[0044]12 一折條線21—上表面
[0045]22—第一正面電極23—第二正面電極
[0046]24一電阻層25—第三正面電極
[0047]26—第一保護(hù)層 27—錯(cuò)射切線
[0048]28—第二保護(hù)層 29—第三保護(hù)層
[0049]30 一標(biāo)識(shí)層31—下表面
[0050]32—背面電極 33—側(cè)面電極
[0051]40—鎳鍍層50—鍍錫層

【具體實(shí)施方式】
[0052]實(shí)施例1
[0053]如圖16所示，一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，包括一方形絕緣基板10，沿所述絕緣基板的長(zhǎng)度方向，所述絕緣基板下表面31的兩端處分別覆蓋有一層背面電極32，兩個(gè)所述背面電極之間相距設(shè)定距離，形成第一間隙；所述絕緣基板上表面21的兩端處和中心處分別覆蓋有一層第一正面電極22，兩端處的兩個(gè)所述第一正面電極分別與中心處的所述第一正面電極相距設(shè)定距離，形成兩個(gè)第二間隙；三個(gè)所述第一正面電極外分別覆蓋有一層第二正面電極23，兩個(gè)所述第二間隙內(nèi)的絕緣基板上分別覆蓋有一層電阻層24，兩個(gè)所述電阻層相向延伸覆蓋住中心處的所述第二正面電極，兩個(gè)所述電阻層背向延伸覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；所述電阻層外依次覆蓋有一層第一保護(hù)層26和一層第二保護(hù)層28 ;所述第一保護(hù)層完全覆蓋住所述電阻層，所述第二保護(hù)層完全覆蓋住所述第一保護(hù)層，且所述第二保護(hù)層延伸并覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；
[0054]另設(shè)有側(cè)面電極33、鍍鎳層40和鍍錫層50，所述側(cè)面電極完全覆蓋住所述絕緣基板兩端的端面、兩端處的所述第一正面電極的端面、兩端處的所述第二正面電極的端面和兩端處的所述背面電極的端面；所述鍍鎳層完全覆蓋住所述第二正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極，且所述鍍鎳層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上；所述鍍錫層覆蓋住所述鍍鎳層，且所述鍍錫層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上。與現(xiàn)有技術(shù)中厚膜普通功率低阻值貼片電阻器相比，本實(shí)用新型上述結(jié)構(gòu)中通過(guò)在絕緣基板上表面形成兩層正面電極，即第一正面電極和第二正面電極，每層正面電極均由位于絕緣基板兩端處和中心處的三個(gè)獨(dú)立的區(qū)塊所組成，兩端處的第一、第二正面電極與中心處的第一、第二正面電極之間形成第二間隙，兩個(gè)第二間隙內(nèi)形成電阻層，這樣，能夠?qū)①N片電阻器的電阻層的發(fā)熱點(diǎn)從絕緣基板的中間移到絕緣基板的兩端，解決由于散熱路徑過(guò)長(zhǎng)而使貼片電阻器散熱不良的問(wèn)題，以達(dá)到提升貼片電阻器功率的目的。此外，通過(guò)在相對(duì)拉開(kāi)設(shè)定距離的兩個(gè)第二間隙內(nèi)形成電阻層，電阻層完全覆蓋到中心處的第二正面電極上并跨接到兩端處的第二正面電極上，與普通低阻值貼片電阻器相比，電阻層被極大地加長(zhǎng)了，正面電極被極大地縮短了，因此，能夠降低正面電極內(nèi)阻對(duì)貼片電阻器溫度系數(shù)(TCR)指標(biāo)的影響，極大地改善和提升了電阻的溫度系數(shù)指標(biāo)。
[0055]優(yōu)選的，沿所述絕緣基板的長(zhǎng)度方向，兩端處的兩個(gè)所述第一正面電極的長(zhǎng)度小于中心處的所述第一正面電極的長(zhǎng)度.這樣做的好處是使兩端處的正面電極盡量的短，中間處的正面電極盡量的長(zhǎng)，從而使位于第二間隙內(nèi)的電阻層盡量的靠近絕緣基板的兩端，進(jìn)一步縮短散熱路徑，提聞貼片電阻器的散熱能力。
[0056]優(yōu)選的，所述第二正面電極與其對(duì)應(yīng)的所述第一正面電極完全重疊。這種分層設(shè)置的正面電極可以極大的降低正面電極的阻抗，從而達(dá)到提升貼片電阻器的散熱能力，改善和提升了貼片電阻器的溫度系數(shù)指標(biāo)目的。
[0057]優(yōu)選的，沿所述絕緣基板的厚度方向，兩個(gè)所述第二間隙分別向下對(duì)穿影射到所述絕緣基板下表面對(duì)應(yīng)的所述背面電極上。這樣，能夠達(dá)到極大地改善散熱路徑及散熱條件，確保貼片電阻器功率的進(jìn)一步提升的目的，其原理是，電阻層如果要映射到背面電極上，就要相應(yīng)加長(zhǎng)背面電極在長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度，這樣，通過(guò)加長(zhǎng)的背面電極能夠迅速將電阻層的熱量散發(fā)到PCB板上。
[0058]實(shí)施例2
[0059]如圖17所示，本實(shí)施例2包括實(shí)施例1中的全部技術(shù)特征，其區(qū)別在于:兩端處的兩個(gè)所述第二正面電極與所述鍍鎳層之間、中心處的所述電阻層與中心處的所述第一保護(hù)層之間分別設(shè)有一層第三正面電極25，兩端處的兩個(gè)所述第三正面電極與中心處的所述第三正面電極之間相距設(shè)定距離，形成兩個(gè)第三間隙，且所述第二保護(hù)層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述第二保護(hù)層外覆蓋有一層第三保護(hù)層29，所述第三保護(hù)層完全覆蓋住所述第二保護(hù)層，且所述第三保護(hù)層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述鍍鎳層和所述鍍錫層分別搭接在所述第三保護(hù)層的端面上。上述結(jié)構(gòu)中，貼片電阻器的正面電極包括兩端處的第一、第二、第三正面電極，它們由三層印刷電極材料層疊形成，這種分層設(shè)置的正面電極可以極大的降低正面電極的阻抗，從而達(dá)到提升貼片電阻器的散熱能力，改善和提升了貼片電阻器的溫度系數(shù)指標(biāo)目的。上述結(jié)構(gòu)中，中心處的第一、第二正面電極形成于電阻層的下方，中心處的第三正面電極形成于電阻層的上方，三個(gè)獨(dú)立區(qū)塊組成的三層正面電極(第一正面電極、第二正面電極和第三正面電極)將電阻層切分為兩個(gè)串聯(lián)的且分布盡量靠近兩端的電阻，在對(duì)貼片電阻器進(jìn)行鐳射調(diào)阻時(shí)，可以分別用多刀重復(fù)的方式對(duì)這兩顆串聯(lián)的電阻進(jìn)行對(duì)向切割，這樣，能夠相對(duì)降低對(duì)電阻層的損傷，提升電阻層的耐功率特性。
[0060]優(yōu)選的，沿所述絕緣基板的長(zhǎng)度方向，兩端處的兩個(gè)所述第三正面電極的長(zhǎng)度小于中心處的所述第三正面電極的長(zhǎng)度，且兩個(gè)所述第二間隙分別向上對(duì)稱影射到對(duì)應(yīng)的兩個(gè)所述第三間隙上。這樣，兩端處和中心處的第三正面電極分別要比第一、第二正面電極的長(zhǎng)度要短些，可以減少印刷位置偏差帶來(lái)品質(zhì)不良的影響。
[0061]優(yōu)選的，兩端處的兩個(gè)所述電阻層為通過(guò)激光鐳射調(diào)整至設(shè)定阻值的電阻層，所述第二保護(hù)層外部分覆蓋有一層字碼標(biāo)識(shí)層30。上述結(jié)構(gòu)中，中心處的第一、第二正面電極形成于電阻層的下方，中心處的第三正面電極形成于電阻層的上方，三個(gè)獨(dú)立區(qū)塊組成的三層正面電極(第一正面電極、第二正面電極和第三正面電極)將電阻層切分為兩個(gè)串聯(lián)的且分布盡量靠近兩端的電阻，在對(duì)貼片電阻器進(jìn)行鐳射調(diào)阻時(shí)，可以分別用多刀重復(fù)的方式對(duì)這兩顆串聯(lián)的電阻進(jìn)行對(duì)向切割，這樣，能夠相對(duì)降低對(duì)電阻層的損傷，提升電阻層的耐功率特性。
[0062]本實(shí)用新型一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器的制造方法，包括如下步驟:
[0063]a、如圖1所示,制備一大片絕緣基板10，在所述絕緣基板的上表面21和下表面31均勻形成若干條沿寬度方向的折條線12和若干條沿長(zhǎng)度方向的折粒線11，所述折條線和所述折粒線交叉形成格子狀，每個(gè)格子對(duì)應(yīng)最終制造的一個(gè)厚膜高功率低阻值貼片電阻器。
[0064]b、如圖2所示，以每條折條線為對(duì)稱軸，在所述絕緣基板下表面的折條線處，通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式對(duì)稱印刷一層銀鈀漿料，然后進(jìn)行干燥，形成背面電極32 ;其中，以每個(gè)格子為單元，兩端處的兩個(gè)所述背面電極之間相距設(shè)定距離，形成第一間隙；這樣，印刷的背面電極位于寬度方向的折條線處，且呈對(duì)稱狀。
[0065]C、如圖3所示，以每條折條線為對(duì)稱軸，在所述絕緣基板上表面的折條線處，通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式對(duì)稱印刷第一層銀鈀漿料，并在每個(gè)格子的中心處印刷第一層銀鈀漿料，然后進(jìn)行干燥，形成第一正面電極22;其中，以每個(gè)格子為單元，兩端處的兩個(gè)所述第一正面電極分別與中心處的所述第一正面電極之間相距設(shè)定距離，形成兩個(gè)第二間隙，且該兩個(gè)所述第二間隙在垂直方向上向下對(duì)穿影射到絕緣基板下表面對(duì)應(yīng)的背面電極上；兩端處的兩個(gè)所述第一正面電極沿長(zhǎng)度方向的長(zhǎng)度分別小于中心處的第一正面電極沿長(zhǎng)度方向的長(zhǎng)度；上述結(jié)構(gòu)中，以每個(gè)格子為單元，第一正面電極是由三個(gè)獨(dú)立的區(qū)塊所組成，兩端處的兩個(gè)第一正面電極和中心處的一個(gè)第一正面電極，且兩端處的第一正面電極與中心處的第一正面電極間的第二間隙盡量靠近折條線。
[0066]d、如圖4所示，在所述第一正面電極表面通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式對(duì)稱印刷第二層銀鈀漿料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第二正面電極23;其中，所述第二正面電極與所述第一正面電極完全重疊；這樣，第二正面電極也由三個(gè)獨(dú)立的區(qū)塊所組成，且三個(gè)區(qū)塊間的間隙也盡量靠近折條線，該間隙在垂直方向上向下也對(duì)穿影射到絕緣基板下表面的背面電極上。
[0067]e、如圖5所示，以每個(gè)格子為單元，在兩個(gè)所述第二間隙內(nèi)的絕緣基板上通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式印刷電阻漿料，兩個(gè)所述第二間隙內(nèi)印刷的電阻漿料相向延伸并完全覆蓋住中心處的所述第二正面電極，且兩個(gè)所述第二間隙內(nèi)印刷的電阻漿料背向延伸覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成電阻層24 ;這樣，電阻層位于第二間隙內(nèi)部分形成兩個(gè)串聯(lián)的電阻，并對(duì)稱分布于兩相鄰的折條線之間。
[0068]f、如圖6所示，以每個(gè)格子為單元，在兩端處的所述第二正面電極的表面和位于其間的電阻層的中心處的表面上通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式印刷一銀鈀漿料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第三正面電極25 ;其中，兩端處的兩個(gè)所述第三正面電極與中心處的所述第三正面電極之間相距設(shè)定距離，形成兩個(gè)第三間隙，兩個(gè)所述第二間隙在垂直方向上向上對(duì)稱影射到對(duì)應(yīng)的第三間隙上。這樣，第三正面電極的外形與第一、二正面電極相似，也是由三個(gè)獨(dú)立區(qū)塊所組成，只是三個(gè)獨(dú)立區(qū)塊之間所形成的間距要略大于第一、二正面電極之間的間距，并能對(duì)稱影射到第一、二正面電極之間的間隙上。
[0069]g、如圖7所示，以每個(gè)格子為單元，在所述電阻層表面和中心處的所述第三正面電極表面通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式印刷玻璃漿料，且印刷的第一層玻璃漿料向兩端延伸覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第一保護(hù)層26 ;這樣，第一保護(hù)層完全覆蓋住電阻層，起到保護(hù)電阻層的作用。
[0070]h、如圖8所示，以每個(gè)格子為單元，采用鐳射激光對(duì)刀切割方式，穿過(guò)所述第一保護(hù)層，在兩個(gè)所述第二間隙內(nèi)的兩個(gè)所述電阻層上分別進(jìn)行多刀重復(fù)鐳射激光切割，形成鐳射切線27，調(diào)整所述電阻層的電阻值達(dá)到所需要的阻值；這樣，可以實(shí)現(xiàn)電阻層電阻值的精確調(diào)整，滿足電阻器的實(shí)際需要。
[0071]1、如圖9所示，以每個(gè)格子為單元，在所述第一保護(hù)層表面通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式印刷第一層樹(shù)脂漿料，然后進(jìn)行干燥，形成第二保護(hù)層28，其中，所述第二保護(hù)層完全覆蓋住所述第一保護(hù)層，且所述第二保護(hù)層沿長(zhǎng)度方向延伸并覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分，所述第二保護(hù)層沿寬度方向延伸至折粒線處；這樣，第二保護(hù)層完全覆蓋住第一保護(hù)層，起到進(jìn)一步保護(hù)電阻層的作用。
[0072]j、如圖10所示，以每個(gè)格子為單元，在所述第二保護(hù)層表面通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式印刷第二層樹(shù)脂漿料，進(jìn)行干燥后，再在第二層樹(shù)脂漿料的表面印刷一層標(biāo)識(shí)材料，進(jìn)行干燥后，再進(jìn)行燒結(jié)；第二層樹(shù)脂漿料形成第三保護(hù)層29，標(biāo)識(shí)材料形成字碼標(biāo)識(shí)層30，所述第三保護(hù)層與第二保護(hù)層完全重疊；這樣，第三保護(hù)層完全覆蓋住第二保護(hù)層，起到進(jìn)一步保護(hù)電阻層的作用。標(biāo)識(shí)層起到標(biāo)識(shí)產(chǎn)品的作用。
[0073]k、如圖11所示，沿所述絕緣基板的每條折條線將經(jīng)過(guò)步驟a?j后的絕緣基板依序折成條狀半成品；
[0074]1、如圖12所示，采用真空濺射機(jī)對(duì)所述條狀半成品折條形成的側(cè)面進(jìn)行濺射，形成側(cè)面電極33，所述側(cè)面電極延伸覆蓋住所述第一正面電極的端面、所述第二正面電極的端面、所述第三正面電極的端面和所述背面電極的端面；側(cè)面電極起到連通第一正面電極、第二正面電極、第三正面電極和背面電極的作用。
[0075]m、如圖13所示，沿所述條狀半成品上的每條折粒線將經(jīng)過(guò)步驟a?I后的條狀半成品依序折成粒狀半成品；
[0076]η、如圖14所示，在所述粒狀半成品的第三正面電極、側(cè)面電極和背面電極上采用滾鍍方式電鍍一層金屬鎳，形成鍍鎳層40，所述鍍鎳層完全覆蓋住所述第三層正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極，且所述鎳鍍層搭接在第三保護(hù)層的兩個(gè)端面上；
[0077]O、如圖15所示，在所述鍍鎳層的表面采用滾鍍方式電鍍一層金屬錫，形成一層鍍錫層50，所述鍍錫層完全覆蓋住所述鍍鎳層，且所述鍍錫層搭接在所述第三保護(hù)層的兩個(gè)端面上，即形成本實(shí)用新型厚膜高功率低阻值貼片電阻器。
[0078]綜上，本實(shí)用新型所制作的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，是采用高含銀量及一定含鈀量的電極漿料在一絕緣基板上制作一層背面電極，再連續(xù)制作兩層正面電極(第一、第二正面電極)，然后在第二正面電極上制作電阻層，該正面電極(第一、第二正面電極)由三個(gè)相對(duì)獨(dú)立的區(qū)塊所組成，該正面電極(第一、第二正面電極)將電阻切分為兩個(gè)串聯(lián)且分布盡量靠近折條線兩端的電阻，且靠近折條線兩端的電阻層可以完全影射到電阻的背面電極上，以得到最短的散熱路徑，同時(shí)電阻層完全覆蓋中心處的正面電極并跨接到兩端處的正面電極上，再制作一第三正面電極，而獲得高功率的貼片電阻器。
[0079]由于本實(shí)用新型是從貼片電阻器的材料、結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)提升功率及提升溫度系數(shù)(TCR)指標(biāo)，而非使用金屬材料來(lái)替換或包覆正面電極。因此，本實(shí)用新型能夠大大降低厚膜高功率低阻值貼片電阻器的生產(chǎn)成本，使其能夠廣泛應(yīng)用到各類電子產(chǎn)品中。
[0080]本實(shí)用新型厚膜高功率低阻值貼片電阻器可作為電流檢測(cè)電阻廣泛應(yīng)用于供電電源的制作中。
[0081]以上實(shí)施例是參照附圖，對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過(guò)對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行各種形式上的修改或變更，但不背離本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)的情況下，都落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:包括一方形絕緣基板(10)，沿所述絕緣基板的長(zhǎng)度方向，所述絕緣基板下表面(31)的兩端處分別覆蓋有一層背面電極(32)，兩個(gè)所述背面電極之間相距設(shè)定距離，形成第一間隙；所述絕緣基板上表面(21)的兩端處和中心處分別覆蓋有一層第一正面電極(22)，兩端處的兩個(gè)所述第一正面電極分別與中心處的所述第一正面電極相距設(shè)定距離，形成兩個(gè)第二間隙；三個(gè)所述第一正面電極上表面分別覆蓋有一層第二正面電極(23)，兩個(gè)所述第二間隙內(nèi)的絕緣基板上分別覆蓋有一層電阻層(24)，兩個(gè)所述電阻層相向延伸覆蓋住中心處的所述第二正面電極，兩個(gè)所述電阻層背向延伸覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；所述電阻層上表面依次覆蓋有一層第一保護(hù)層(26)和一層第二保護(hù)層(28);所述第一保護(hù)層完全覆蓋住所述電阻層，所述第二保護(hù)層完全覆蓋住所述第一保護(hù)層，且所述第二保護(hù)層延伸并覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分； 另設(shè)有側(cè)面電極(33)、鍍鎳層(40)和鍍錫層(50)，所述側(cè)面電極完全覆蓋住所述絕緣基板兩端的端面、兩端處的所述第一正面電極的端面、兩端處的所述第二正面電極的端面和兩端處的所述背面電極的端面；所述鍍鎳層完全覆蓋住所述第二正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極，且所述鍍鎳層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上；所述鍍錫層覆蓋住所述鍍鎳層，且所述鍍錫層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:沿所述絕緣基板的長(zhǎng)度方向，兩端處的兩個(gè)所述第一正面電極的長(zhǎng)度小于中心處的所述第一正面電極的長(zhǎng)度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:所述第二正面電極與其對(duì)應(yīng)的所述第一正面電極完全重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:沿所述絕緣基板的厚度方向，兩個(gè)所述第二間隙分別向下對(duì)穿影射到所述絕緣基板下表面對(duì)應(yīng)的所述背面電極上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:兩端處的兩個(gè)所述第二正面電極與所述鍍鎳層之間、中心處的所述電阻層與中心處的所述第一保護(hù)層之間分別設(shè)有一層第三正面電極(25)，兩端處的兩個(gè)所述第三正面電極與中心處的所述第三正面電極之間相距設(shè)定距離，形成兩個(gè)第三間隙，且所述第二保護(hù)層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述第二保護(hù)層外覆蓋有一層第三保護(hù)層(29)，所述第三保護(hù)層完全覆蓋住所述第二保護(hù)層，且所述第三保護(hù)層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述鍍鎳層和所述鍍錫層分別搭接在所述第三保護(hù)層的端面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:沿所述絕緣基板的長(zhǎng)度方向，兩端處的兩個(gè)所述第三正面電極的長(zhǎng)度小于中心處的所述第三正面電極的長(zhǎng)度，且兩個(gè)所述第二間隙分別向上對(duì)稱影射到對(duì)應(yīng)的兩個(gè)所述第三間隙上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:兩端處的兩個(gè)所述電阻層為通過(guò)激光鐳射調(diào)整至設(shè)定阻值的電阻層，所述第三保護(hù)層外部分覆蓋有一層字碼標(biāo)識(shí)層(30)。
【文檔編號(hào)】H01C1/14GK203941772SQ201420334779
【公開(kāi)日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2014年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月20日
【發(fā)明者】彭榮根, 郝濤, 徐玉花, 杜杰霞, 董錦 申請(qǐng)人:昆山厚聲電子工業(yè)有限公司