本發(fā)明涉及一種天線(xiàn)裝置及該天線(xiàn)裝置的制造方法。
背景技術(shù):
近幾年,在汽車(chē)等車(chē)輛和房屋等方面,智能鑰匙系統(tǒng)(smartkeysystem)的實(shí)用化越來(lái)越多。
此智能鑰匙系統(tǒng)中,在通過(guò)電磁波發(fā)送及接收無(wú)線(xiàn)id密碼等信息,并且此id密碼通過(guò)了核查的情況下,持有者不需使用機(jī)械式鑰匙就可以,例如對(duì)車(chē)輛和房屋等的門(mén)進(jìn)行上鎖及開(kāi)鎖,或者對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)行啟動(dòng)或者停止的操作。此智能鑰匙系統(tǒng)中,使用了具有發(fā)送和接收信息的線(xiàn)圈天線(xiàn)的天線(xiàn)裝置。
對(duì)于此種天線(xiàn)裝置,例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1就公開(kāi)了相關(guān)的技術(shù)內(nèi)容。被專(zhuān)利文獻(xiàn)1公開(kāi)的天線(xiàn)裝置具有第1磁性體磁芯、第1線(xiàn)圈、第2磁性體磁芯以及第2線(xiàn)圈。
第1磁性體磁芯呈扁平的棒狀,此第1磁性體磁芯的外周側(cè)配置著第1線(xiàn)圈,此第1線(xiàn)圈的一個(gè)端部與第1端子相連接。另外,第2磁性體磁芯是成環(huán)狀的閉合磁路構(gòu)造,在發(fā)送信號(hào)電波時(shí)為磁飽和狀態(tài),而在接收電波信號(hào)時(shí)為非磁飽和狀態(tài)。另外,第2線(xiàn)圈被卷繞在第2磁性體磁芯上。此第2線(xiàn)圈的一個(gè)端部與第1線(xiàn)圈的另一個(gè)端部相連接,該第2線(xiàn)圈的另一個(gè)端部與第2端子相連接。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn):
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:
日本專(zhuān)利授權(quán)公報(bào)專(zhuān)利第5050223號(hào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
要解決的技術(shù)問(wèn)題
但是,在專(zhuān)利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的組成中,由于使用了所謂第2磁性體磁芯的特殊磁性體磁芯,同時(shí),使用了卷繞在第2磁性體磁芯上的第2線(xiàn)圈來(lái)調(diào)整諧振頻率。因此,這種組成具有構(gòu)造變得復(fù)雜的問(wèn)題。
另外,因?yàn)樵趌c調(diào)諧電路中,諧振頻率被限制在狹窄的范圍內(nèi),所以lc的乘積也同樣地只能在狹窄的范圍內(nèi)變化。另一方面,關(guān)于第1線(xiàn)圈,其中存在著緊密地卷繞的部分,而在此緊密卷繞部分中,每1匝的電感值l的變化為,例如約10μh。另外,在調(diào)諧電路中所用的電容器在制造方面一般存在著特性上的標(biāo)準(zhǔn)差(作為一個(gè)例子,例如±5%)。為此,根據(jù)上述要求,本來(lái)需要第1線(xiàn)圈的電感值l能夠以1μh為單位進(jìn)行調(diào)整,不過(guò),實(shí)際上此類(lèi)調(diào)整非常困難。因此,很難把電感值l與電容值c的乘積的標(biāo)準(zhǔn)差控制在諧振范圍內(nèi)。這個(gè)時(shí)候的電感值l為通過(guò)吸收電容值c的標(biāo)準(zhǔn)差來(lái)得到所需的諧振頻率等的時(shí)候所必需的電感值。
本發(fā)明正是鑒于這個(gè)問(wèn)題而做出的,其目的是在提供一種簡(jiǎn)單構(gòu)造的同時(shí),在狹窄的公差范圍內(nèi)也能較容易地調(diào)整電感值的天線(xiàn)裝置及天線(xiàn)裝置的制造方法。
技術(shù)方案
為了解決上述課題,本發(fā)明的天線(xiàn)設(shè)備的一個(gè)方面是,其特征為具有磁芯,該磁芯由磁性材料形成的,繞線(xiàn)骨架體,該繞線(xiàn)骨架體被配置在磁芯的外周側(cè),同時(shí),在其縱向方向的中間存在著分區(qū)部,以及線(xiàn)圈,該線(xiàn)圈是把導(dǎo)線(xiàn)卷繞在繞線(xiàn)骨架體上而成的,線(xiàn)圈上設(shè)置著緊密繞線(xiàn)部以及稀疏繞線(xiàn)部,緊密繞線(xiàn)部是從繞線(xiàn)骨架體的一端到分區(qū)部把導(dǎo)線(xiàn)卷繞成卷繞密度較密的狀態(tài)的部分,稀疏繞線(xiàn)部是從分區(qū)部到繞線(xiàn)骨架體的另一端把導(dǎo)線(xiàn)卷繞成卷繞密度較稀疏的狀態(tài)的部分,稀疏繞線(xiàn)部設(shè)置著第1層以及第2層,第1層和第2層的繞線(xiàn)方向不同,并且構(gòu)成第1層的導(dǎo)線(xiàn)和構(gòu)成第2層的導(dǎo)線(xiàn)以交叉的狀態(tài)重疊,
另外,本發(fā)明的天線(xiàn)裝置的其他另一方面是在上述的發(fā)明的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)選,繞線(xiàn)骨架體的一側(cè)上設(shè)置著安裝端子部件的端子安裝部,緊密繞線(xiàn)部設(shè)置得比稀疏繞線(xiàn)部更加靠近端子安裝部側(cè)。
并且,本發(fā)明的天線(xiàn)裝置的其他另一方面是在上述的發(fā)明的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)選,稀疏繞線(xiàn)部中,位于該繞線(xiàn)骨架體的側(cè)壁部上構(gòu)成第1層的導(dǎo)線(xiàn)與構(gòu)成第2層的導(dǎo)線(xiàn)被配置在同一層內(nèi)。
另外,本發(fā)明的天線(xiàn)裝置的其他另一方面是在上述的發(fā)明的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)選,構(gòu)成第1層的導(dǎo)線(xiàn)與構(gòu)成第2層的導(dǎo)線(xiàn),相對(duì)于與繞線(xiàn)骨架體的縱向方向垂直相交的幅寬方向,以3度~177度的范圍內(nèi)的夾角交叉。
并且,本發(fā)明的天線(xiàn)裝置的其他另一方面是在上述的發(fā)明的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)選,稀疏繞線(xiàn)部的長(zhǎng)度在緊密繞線(xiàn)部的長(zhǎng)度以上。
另外,本發(fā)明的天線(xiàn)裝置的其他另一方面是在上述的發(fā)明的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)選,稀疏繞線(xiàn)部的長(zhǎng)度與緊密繞線(xiàn)部的長(zhǎng)度相同。
并且,本發(fā)明的天線(xiàn)裝置的其他另一方面是在上述的發(fā)明的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)選,在繞線(xiàn)骨架體的縱向方向,位于最靠近另一端的相鄰的導(dǎo)線(xiàn)間的距離,與位于最靠近一端的相鄰的導(dǎo)線(xiàn)間的距離有所不同。
另外,本發(fā)明的天線(xiàn)裝置的其他另一方面是在上述的發(fā)明的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)選,在繞線(xiàn)骨架體的縱向方向,位于最靠近另一端的相鄰的導(dǎo)線(xiàn)間的距離被設(shè)置得比與位于最靠近一端的相鄰的導(dǎo)線(xiàn)間的距離短。
并且,本發(fā)明的天線(xiàn)裝置的制造方法的一個(gè)方面是,其特征為具有磁芯插入步驟以及線(xiàn)圈成型步驟,在磁芯插入步驟中把由磁性材料形成的磁芯插入在縱向方向的中間存在著分區(qū)部的繞線(xiàn)骨架體的磁芯插入部中,而在線(xiàn)圈成型步驟中,把導(dǎo)線(xiàn)卷繞在上述繞線(xiàn)骨架體上來(lái)形成線(xiàn)圈,在線(xiàn)圈成型步驟中,通過(guò)繞線(xiàn)骨架體的一端到分區(qū)部把導(dǎo)線(xiàn)卷繞成的卷繞密度較密的狀態(tài)來(lái)形成緊密繞線(xiàn)部,并通過(guò)從分區(qū)部到繞線(xiàn)骨架體的另一端把導(dǎo)線(xiàn)卷繞成卷繞密度較稀疏的狀態(tài)來(lái)形成稀疏繞線(xiàn)部,在稀疏繞線(xiàn)部中,在卷繞第1層后,使繞線(xiàn)方向異于第1層來(lái)卷繞第2層,從而使構(gòu)成第1層的導(dǎo)線(xiàn)與構(gòu)成第2層的導(dǎo)線(xiàn)交叉。
有益效果
通過(guò)本發(fā)明,就可以提供一種構(gòu)造更加簡(jiǎn)單的同時(shí),也能較容易地調(diào)整電感值的天線(xiàn)裝置。
附圖說(shuō)明
圖1是表示涉及本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的天線(xiàn)裝置的整部組成的立體圖。
圖2是表示從圖1所表示的天線(xiàn)裝置中除去線(xiàn)圈時(shí)的狀態(tài)的立體圖。
圖3是表示圖1所表示的天線(xiàn)裝置的組成的側(cè)截面圖。
圖4是表示圖1所表示的天線(xiàn)裝置的繞線(xiàn)骨架體組成的立體圖。
圖5是表示圖1所表示的天線(xiàn)裝置的繞線(xiàn)骨架部中,卷繞有線(xiàn)圈的部分的頂視圖。
圖6是表示擴(kuò)大涉及本實(shí)施形態(tài)的天線(xiàn)裝置的下層導(dǎo)線(xiàn)和上層導(dǎo)線(xiàn)的卷繞狀態(tài)的頂視圖。
圖7是表示擴(kuò)大比較例子的天線(xiàn)裝置的下層導(dǎo)線(xiàn)和上層導(dǎo)線(xiàn)的卷繞狀態(tài)的頂視圖。
圖8是表示涉及本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的天線(xiàn)裝置的組成的立體圖。
圖9是圖8所表示的天線(xiàn)裝置的繞線(xiàn)骨架體及接線(xiàn)端子的組成的立體圖。
圖10是圖8所表示的天線(xiàn)裝置所具備的3個(gè)接線(xiàn)端子的形狀的頂視圖。
符號(hào)說(shuō)明:
10a,10b…天線(xiàn)裝置,20a,20b…磁芯,30a,30b…繞線(xiàn)骨架體,31a,31b…繞線(xiàn)骨架部,32a,32b…繞線(xiàn)部,32a1,32a2…側(cè)壁部,32a2,32b2…頂面,32a3,32b3…底面,32a4,32b4…鏤空部,32a5,32b5…縫隙部,32a6,32b6…磁芯保持凸出,33a,33b…分區(qū)部,34a,34b…磁芯插入部,35a,35b…端子安裝部,35a1,35b1…開(kāi)口部,35a2…隔離壁,35b3…底壁,40a,40b…接線(xiàn)器連接部,41a…分割壁部,42a…端子細(xì)孔,43b…凸緣部,44b…臺(tái)階部,50a,50b…線(xiàn)圈,51a,51b…導(dǎo)線(xiàn),53a,53b…緊密繞線(xiàn)部,54a,54b…稀疏繞線(xiàn)部,60a,60a1,60a2,60b,60b1,60b2,60b3…連接端子,61a,61b…插入片部,62a,62b…捆扎部,63b…上下延伸部,64b…片式元件支護(hù)片部,90a…殼體,100b…電容,s1…間隙
具體實(shí)施方式
第1實(shí)施例:
以下,對(duì)涉及本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的天線(xiàn)裝置10a,參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。
另外,在以下的敘述中有時(shí)會(huì)采用xyz直角座標(biāo)系進(jìn)行說(shuō)明。其中,x方向?yàn)樘炀€(xiàn)裝置10a的縱向方向,x1側(cè)為后述的接線(xiàn)器連接部40a所處的一側(cè),x2為其相反側(cè)。另外,z方向?yàn)樘炀€(xiàn)裝置10a的厚度方向,z1側(cè)為圖2中的上側(cè),z2側(cè)為圖2的下側(cè)。另外,y方向?yàn)榕cxz方向垂直相交的方向(幅寬方向),y1側(cè)為圖1的右手前側(cè),y2側(cè)為相反的左里側(cè)。
天線(xiàn)裝置10a的整體組成:
圖1是表示涉及本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的天線(xiàn)裝置10a的整部組成的立體圖。圖2是表示從圖1所表示的天線(xiàn)裝置10a中除去線(xiàn)圈50a時(shí)的狀態(tài)的立體圖。圖3是表示圖1所表示的天線(xiàn)裝置10a的組成的側(cè)截面圖。如圖1至圖3所示,天線(xiàn)裝置10a的主要構(gòu)成要素為磁芯20a、繞線(xiàn)骨架體30a、線(xiàn)圈50a、接線(xiàn)端子60a、以及殼體90a。
如圖2及圖3所示,磁芯20a是由磁性材料形成的,同時(shí),被形成為沿著x方向的長(zhǎng)條狀(棒狀)。另外,磁芯20a從正面看時(shí),其截面為長(zhǎng)方形狀。另外,磁芯20a,其材質(zhì)為磁性材料,作為磁性材料,例如,可以是鎳系的鐵氧體或錳系的鐵氧體等各種鐵氧體,坡莫合金,鐵鋁硅合金等各種磁性材料及各種磁性材料的混合物。
另外,如圖2所示,在磁芯20a的外周側(cè)安裝著繞線(xiàn)骨架體30a的繞線(xiàn)骨架部31a。此繞線(xiàn)骨架體30a優(yōu)選在絕緣性出色的熱塑性樹(shù)脂或熱固性樹(shù)脂為其材質(zhì)。另外,作為構(gòu)成繞線(xiàn)骨架體30a的材質(zhì),能舉出pbt(聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯,polybutyleneterephthalate)的例子,不過(guò)也可以采用其他的樹(shù)脂作為材質(zhì)。另外,鑒于由于焊錫焊和焊接加工等,繞線(xiàn)骨架體30a會(huì)受到熱損傷的情況,所以?xún)?yōu)選耐熱樹(shù)脂作為其材質(zhì)。
圖4是表示繞線(xiàn)骨架體30a的組成的立體圖。如圖1至圖4所示,繞線(xiàn)骨架體30a中設(shè)置了繞線(xiàn)骨架部31a、端子安裝部35a以及接線(xiàn)器連接部40a。繞線(xiàn)骨架部31a上設(shè)置了繞線(xiàn)骨架部32a、分區(qū)部33a以及磁芯插入部34a。
繞線(xiàn)骨架部32a也可以被形成為筒形,另外,在本實(shí)施例,其被適宜地設(shè)置成貫通的形狀。具體而言,如圖4所示,其中側(cè)壁部32a1被留下,而在上表面32a2側(cè)(上表面;z1側(cè))及底面32a3側(cè)(下表面;z2側(cè))上具有設(shè)置了一部分鏤空部32a4以及縫隙部32a5的組成。特別是,縫隙32a5被設(shè)置在縱向方向(x方向)的另一端側(cè)(x2側(cè))。另外,縫隙32a5的另一端側(cè)(x2側(cè))呈開(kāi)放狀態(tài)。因此,通過(guò)給予導(dǎo)線(xiàn)51a以規(guī)定的拉力,使其呈纏繞在繞線(xiàn)骨架部32a上的狀態(tài),就可以使被插入磁芯20a的磁芯插入部34a被其卷繞緊固住,從而可以部分性地固定住磁芯20a。
另外,在繞線(xiàn)骨架部31a設(shè)置了分區(qū)部33a。分區(qū)部33a是為了分開(kāi)線(xiàn)圈50a的緊密繞線(xiàn)部53a與稀疏繞線(xiàn)部54a的部分。在圖4所表示的組成中,分區(qū)部33a呈例如從側(cè)壁部32a1的凸出去的突起狀的部分,不過(guò)也可以使其從繞線(xiàn)骨架部32a的頂面32a2和底面32a3側(cè)凸出去。
另外,磁芯插入部34a是沿縱向方向(x方向)貫穿繞線(xiàn)骨架部31a的孔狀的部分,也是插入磁芯20a的部分。另外,在面向磁芯插入部34a的側(cè)壁32a1的內(nèi)壁側(cè)上還設(shè)置有與磁芯20a相接觸的磁芯保持凸出32a6。磁芯保持凸出32a6的個(gè)數(shù),可以被設(shè)置成任意數(shù)目,而在如圖4所表示的組成中,被設(shè)置在偏向磁芯插入部34a的縱向方向(x方向)的一側(cè)的部分(x1側(cè))上。通過(guò)磁芯保持凸出32a6,以及另一端側(cè)(x2側(cè))的被導(dǎo)線(xiàn)卷繞緊固的繞線(xiàn)骨架部31a的內(nèi)壁,從而使磁芯20a呈被固定保持在磁芯插入部34a里面的狀態(tài)。
另外,端子安裝部35a是安裝接線(xiàn)端子60a(參照?qǐng)D1及圖2)的部分。端子安裝部35a上還設(shè)置著貫通上下方向的開(kāi)口部35a1,一對(duì)接線(xiàn)端子60a的捆扎部62a露出于此開(kāi)口部35a1內(nèi)。線(xiàn)圈50a的導(dǎo)線(xiàn)51a的末端被分別捆扎在捆扎部62a上,在捆扎好之后,通過(guò)焊錫焊等,把線(xiàn)圈50a和接線(xiàn)端子60a電連接在一起。
另外,為了分開(kāi)端子安裝部35a和磁芯插入部34a,在端子安裝部35a的另一端側(cè)(x2側(cè))還設(shè)置著隔離壁35a2。通過(guò)磁芯20a與此隔離壁35a2抵接,從而把磁芯20a定位在磁芯插入部34a里面。
在這里,在端子安裝部35a上還可以被設(shè)置成安裝有,例如實(shí)裝有電容器或電阻等的基板的組成。安裝基板的時(shí)候,捆扎部62a等接線(xiàn)端子60a的一部分貫穿基板,并通過(guò)該貫穿的部分進(jìn)行焊錫焊等,使基板的導(dǎo)體圖案與接線(xiàn)端子60a呈電連接的狀態(tài)。另外,把基板安裝在端子安裝部35a的時(shí)候,優(yōu)選使端子安裝部35a與基板嵌合的組成。
另外,端子安裝部35a上還連續(xù)地設(shè)置著接線(xiàn)器連接部40a。在本實(shí)施例中,接線(xiàn)器連接部40a被設(shè)置在沿著與縱向方向(x方向)垂直相交的幅寬方向(y方向)上。此接線(xiàn)器連接部40a具有有底的接線(xiàn)器孔(省略圖示),此接線(xiàn)器孔的一端側(cè)(y1側(cè))被分割壁部41a所隔開(kāi)。
在這里,如圖4所示,在分割壁部41a上還設(shè)置有沿著幅寬方向(y方向)延伸的端子細(xì)孔42a,接線(xiàn)端子60a被插入在端子細(xì)孔42a內(nèi)。因此,被插入到端子細(xì)孔42a內(nèi)的接線(xiàn)端子60a,可以突出在接線(xiàn)器孔內(nèi)。另外,本實(shí)施例中,接線(xiàn)端子60a被設(shè)置成一對(duì),所以也就存在著一對(duì)端子細(xì)孔42a。然而,端子細(xì)孔42a的個(gè)數(shù)可以根據(jù)接線(xiàn)端子60a的個(gè)數(shù),加以適宜地變更。
另外,被突出于接線(xiàn)器孔內(nèi)的接線(xiàn)端子60a與插入此接線(xiàn)器孔的外部接線(xiàn)器為電連接。由此,就可以對(duì)于后述的線(xiàn)圈50a等導(dǎo)通電流。
其次,關(guān)于線(xiàn)圈50a加以說(shuō)明。圖5是表示繞線(xiàn)骨架部31a里面,由線(xiàn)圈50a卷繞的部分的頂視圖。如圖5所示,線(xiàn)圈50a中設(shè)置了緊密繞線(xiàn)部53a以及稀疏繞線(xiàn)部54a。緊密繞線(xiàn)部53a是線(xiàn)圈50a中沿著繞線(xiàn)骨架部32a的縱向方向(x方向)的一側(cè)(x1側(cè);端子安裝部35a側(cè))上卷繞的部分。另一方面,稀疏繞線(xiàn)部54a是以分區(qū)部33a作為邊界,橫亙此分區(qū)部33a至繞線(xiàn)骨架部32a的縱向方向(x方向)另一側(cè)(x2側(cè))的部分。
如圖5所表現(xiàn)的組成中,緊密繞線(xiàn)部53a以及稀疏繞線(xiàn)部54a是由導(dǎo)線(xiàn)51a經(jīng)過(guò)2層卷繞所組成的形態(tài),例如從繞線(xiàn)骨架部32a的縱向方向(x方向)的一端側(cè)(x1側(cè))開(kāi)始卷繞,到達(dá)繞線(xiàn)骨架部32a的另一端側(cè)(x2側(cè))之后,再次卷繞到達(dá)一端側(cè)(x1側(cè))。因此,下層(第1層)的導(dǎo)線(xiàn)51a和上層(第2層)的導(dǎo)線(xiàn)51a呈交叉(cross)的狀態(tài)。然而,緊密繞線(xiàn)部53a與稀疏繞線(xiàn)部54a并不限于2層卷繞,還可以是如4層或6層那樣卷繞幾層都可以。
另外,在繞線(xiàn)骨架部32a另一端側(cè)(x2側(cè))上,還可以設(shè)有為了防止導(dǎo)線(xiàn)51a的位置錯(cuò)移以及固定保持其的固定手段。通過(guò)此固定手段,可以在繞線(xiàn)骨架部32a的另一端側(cè)(x2側(cè))固定住導(dǎo)線(xiàn)51a,從而實(shí)現(xiàn)下層(第1層)的導(dǎo)線(xiàn)51a與上層(第2層)的導(dǎo)線(xiàn)51a之間呈良好地交叉(cross)狀態(tài)。另外,下層(第1層)的導(dǎo)線(xiàn)51a和上層(第2層)的導(dǎo)線(xiàn)51a,相對(duì)于與繞線(xiàn)骨架體30a的縱向方向(x方向)垂直相交的幅寬方向(y方向),呈3度~177度的范圍內(nèi)的夾角交叉。在此夾角范圍內(nèi),上層(第2層)的導(dǎo)線(xiàn)51a就不會(huì)呈現(xiàn)下沉至相鄰的下層(第1層)的導(dǎo)線(xiàn)51a之間的凹部中的狀態(tài),從而呈可以較容易地進(jìn)行電感值調(diào)整的狀態(tài)。
如圖5所明示的那樣,稀疏繞線(xiàn)部54a與緊密繞線(xiàn)部53a相比較,是繞組密度較低的部分。即,在稀疏繞線(xiàn)部54a中,單位長(zhǎng)度上卷繞的導(dǎo)線(xiàn)51a的匝數(shù),與緊密繞線(xiàn)部53a相比較數(shù)量比較少。因此,在稀疏繞線(xiàn)部54a的相鄰的導(dǎo)線(xiàn)51a和導(dǎo)線(xiàn)51a之間存在著比較大的空隙s1。
這里,把繞線(xiàn)骨架部32a的寬幅面(xy面)中的、相鄰的導(dǎo)線(xiàn)51a和導(dǎo)線(xiàn)51a之間的空隙節(jié)距定義與p1、p2…pn。節(jié)距p1是最靠近繞線(xiàn)骨架部32a另一端側(cè)(x2側(cè))導(dǎo)線(xiàn)51a、51a之間的距離。同樣,從繞線(xiàn)骨架部32a另一端側(cè)(x2側(cè))開(kāi)始到一端側(cè)(x1側(cè)),把導(dǎo)線(xiàn)51a之間的距離依次稱(chēng)之為節(jié)距p2、p3…pn。另外,把最靠近繞線(xiàn)骨架部32a的一端側(cè)(x1側(cè))的導(dǎo)線(xiàn)51a、51a之間的距離作為pn。當(dāng)然節(jié)距p1~pn是上層導(dǎo)線(xiàn)51a之間的距離,或下層導(dǎo)線(xiàn)51a之間的距離,而不是相鄰的上層導(dǎo)線(xiàn)51a和下層導(dǎo)線(xiàn)51a之間的距離。這一點(diǎn)毋庸贅言。
并且,把繞線(xiàn)骨架部32a的窄幅面(xz面)中的,相鄰的導(dǎo)線(xiàn)51a與導(dǎo)線(xiàn)51a之間的空隙定義為節(jié)距sp1、sp2…spm。節(jié)距sp1是最靠近繞線(xiàn)骨架部32a另一端側(cè)(x2側(cè))的導(dǎo)線(xiàn)51a、51a之間的距離。同樣,從繞線(xiàn)骨架部32a另一端側(cè)(x2側(cè))到一端側(cè)(x1側(cè)),依次把導(dǎo)線(xiàn)51a之間的距離稱(chēng)呼為節(jié)距sp2、sp3…spm。另外,把最靠近繞線(xiàn)骨架部32a的一端側(cè)(x1側(cè))的導(dǎo)線(xiàn)51a、51a之間的距離作為spm。這里,如后所述,繞線(xiàn)骨架部32a的側(cè)面(窄幅面,也稱(chēng)之為xz面),上層導(dǎo)線(xiàn)51a和下層導(dǎo)線(xiàn)51a以在同一面內(nèi),即1層內(nèi)交替排列。這里,節(jié)距sp1~spm不是指上層導(dǎo)線(xiàn)51a之間的距離,也不是指下層導(dǎo)線(xiàn)51a之間的距離,而是指相鄰的上層導(dǎo)線(xiàn)51a與下層導(dǎo)線(xiàn)51a之間的距離。
這里,在稀疏繞線(xiàn)部54a中,在已經(jīng)存在的下層的導(dǎo)線(xiàn)51a的外側(cè),存在著以間隔空隙s1的狀態(tài)排列的上層的導(dǎo)線(xiàn)51a。因此,通過(guò)移動(dòng)導(dǎo)線(xiàn)51a來(lái)使得稀疏繞線(xiàn)部54a中的空隙s1的間隔(即所謂的節(jié)距p1~pn,或sp1~spm中的任意一個(gè))變窄或變寬,就可以進(jìn)行電感值的調(diào)整。
特別是,調(diào)節(jié)節(jié)距p1或sp1最為有效。其理由在于,夾隔著節(jié)距p1或sp1的導(dǎo)線(xiàn)51a離磁芯20a的端部最近,因此對(duì)于從此磁芯20a的端部發(fā)生的磁通的分布影響最大。同樣,夾隔著節(jié)距p2或sp2的導(dǎo)線(xiàn)51a的影響力次之。另一方面,夾隔著節(jié)距pn或spm的導(dǎo)線(xiàn)51a對(duì)磁通分布的影響最小,一般不使之移動(dòng),也不變更節(jié)距長(zhǎng)。因而,節(jié)距p1長(zhǎng)度與節(jié)距pn的長(zhǎng)度有所不同。
另外,對(duì)于電感值的微小調(diào)整,也可以移動(dòng)最靠近繞線(xiàn)骨架部32a的另一端側(cè)(x2側(cè))的第一根導(dǎo)線(xiàn)51a,這時(shí),節(jié)距sp1發(fā)生變化,而其他的節(jié)距sp1~spm或節(jié)距p1~pn不變化。換句話(huà)說(shuō),在此情況下,節(jié)距sp1長(zhǎng)度與節(jié)距spm不同,但是節(jié)距p1長(zhǎng)度與節(jié)距pn相同。
并且,如上所述,為了調(diào)整電感值,可以伸長(zhǎng)或者縮短節(jié)距p1~pn或sp1~spm的長(zhǎng)度,優(yōu)選縮短各節(jié)距的長(zhǎng)度的方式。即,節(jié)距p1長(zhǎng)度比節(jié)距pn的長(zhǎng)度短,或者節(jié)距sp1長(zhǎng)度比節(jié)距spm的長(zhǎng)度短。
另外,下層的導(dǎo)線(xiàn)51a和上層的導(dǎo)線(xiàn)51a是以交叉的(cross)的狀態(tài)來(lái)卷繞的,所以上層的導(dǎo)線(xiàn)51a,相對(duì)于下層的導(dǎo)線(xiàn)51a而言,呈易于移動(dòng)的狀態(tài)。圖6及圖7表示了此種情況。圖6是表示涉及本實(shí)施例的天線(xiàn)裝置10a的下層導(dǎo)線(xiàn)51a和上層導(dǎo)線(xiàn)51a的卷繞狀態(tài)的頂視放大圖。圖7是比較例的天線(xiàn)裝置的下層導(dǎo)線(xiàn)和上層導(dǎo)線(xiàn)的卷繞狀態(tài)的頂視放大圖。
如圖6所示,下層導(dǎo)線(xiàn)51a與上層導(dǎo)線(xiàn)51a呈交叉的(cross)狀態(tài)的時(shí)候,上層導(dǎo)線(xiàn)51a很少會(huì)下沉至相鄰的下層的導(dǎo)線(xiàn)51a之間的凹處,而只會(huì)被下層的導(dǎo)線(xiàn)51a所載置著進(jìn)行滑動(dòng)。這時(shí),上層導(dǎo)線(xiàn)51a在與下層的導(dǎo)線(xiàn)51a接觸面積較少的狀態(tài)下進(jìn)行滑動(dòng)。
另一方面,如圖7所示,下層導(dǎo)線(xiàn)51a與上層的導(dǎo)線(xiàn)51a呈不交叉,同時(shí)向著同一方向卷繞的情況,上層導(dǎo)線(xiàn)51a很容易呈下沉至相鄰的下層導(dǎo)線(xiàn)51a之間的凹處的狀態(tài)。并且,相鄰的上層導(dǎo)線(xiàn)51a同樣呈下沉至凹處的狀態(tài)。因此,如果使上層導(dǎo)線(xiàn)51a相對(duì)于下層導(dǎo)線(xiàn)51a滑動(dòng)的話(huà),需要把對(duì)象的上層導(dǎo)線(xiàn)51a,以及包含相鄰部位的周?chē)纳蠈訉?dǎo)線(xiàn)51a,從凹處抬升至下層導(dǎo)線(xiàn)51a的頂部,由此可見(jiàn)這是一種非常難以滑動(dòng)的狀態(tài)。
其次,就接線(xiàn)端子60a進(jìn)行說(shuō)明。從圖1至圖3所示的接線(xiàn)端子60a是把金屬制的端子進(jìn)行壓力成型,被形成為大體上呈l字形。此接線(xiàn)端子60a被設(shè)置成外形為大體呈l字形。為了形成略呈l字形狀,接線(xiàn)端子60a的中間部分大體上呈直角彎折。在此略呈l字形的接線(xiàn)端子60a上設(shè)置有插入片部61a以及捆扎部62a。其中,插入片部61a是沿著接線(xiàn)端子60a的幅寬方向(y方向)延伸的部分,也是向著上述接線(xiàn)器連接部40a的接線(xiàn)器孔突出的部分。另外,捆扎部62a是沿著上下方向(z方向)延伸的部分。此捆扎部62a為捆扎導(dǎo)線(xiàn)51a末端的部分。
另外,殼體90a覆蓋天線(xiàn)裝置10a整體的部分,被設(shè)置成覆蓋上述線(xiàn)圈50a以及繞線(xiàn)骨架體30a的筒狀。另外,殼體90a上存在著安裝外部?jī)x器用的安裝部位。
關(guān)于天線(xiàn)裝置10a的制造方法:
制造如上組成的天線(xiàn)裝置10a的時(shí)候,通過(guò)注射成型來(lái)形成繞線(xiàn)骨架體30a,再另行通過(guò)壓力成型來(lái)形成接線(xiàn)端子60a。另外,在繞線(xiàn)骨架體30a成型之后,把接線(xiàn)端子60a安裝在端子安裝部35a,插入接線(xiàn)器連接部40a,使其向著接線(xiàn)器孔突出(與接線(xiàn)端子插入步驟相對(duì)應(yīng))。
在進(jìn)行此安裝之前或之后,把磁芯20a安裝到磁芯插入部34a內(nèi)(與磁芯插入步驟相對(duì)應(yīng))。在此安裝步驟之后,把導(dǎo)線(xiàn)51a卷繞到繞線(xiàn)骨架部32a,形成線(xiàn)圈50a(與線(xiàn)圈成型步驟相對(duì)應(yīng))。在此線(xiàn)圈成型步驟中,在卷繞下層導(dǎo)線(xiàn)51a的時(shí)候,直至分區(qū)部33a為止,把相鄰的導(dǎo)線(xiàn)51a卷繞成緊密相接的狀態(tài)。由此,就形成了下層側(cè)的緊密繞線(xiàn)部53a。
在與下層側(cè)的緊密繞線(xiàn)部53a呈連續(xù)連接的狀態(tài)下,把導(dǎo)線(xiàn)51a卷到從繞線(xiàn)骨架部32a中的分區(qū)部33a到縱向方向(x方向)的另一側(cè)(x2側(cè)),形成下層側(cè)的稀疏繞線(xiàn)部54a。在形成下層側(cè)的稀疏繞線(xiàn)部54a的時(shí)候,在導(dǎo)線(xiàn)51a和導(dǎo)線(xiàn)51a之間,被卷繞成存在比較大的空隙s1的狀態(tài)。
并且,在到達(dá)繞線(xiàn)骨架部32a的縱向方向(x方向)的另一端側(cè)(x2側(cè))的端部之后,接著把導(dǎo)線(xiàn)51a以與下層導(dǎo)線(xiàn)51a成逆方向的卷繞方向的狀態(tài),向著分區(qū)部33a進(jìn)行卷繞。因此,上層導(dǎo)線(xiàn)51a與下層的導(dǎo)線(xiàn)51a被卷繞成交叉(cross)的狀態(tài)。
在形成上述的線(xiàn)圈50a之前或之后,把導(dǎo)線(xiàn)51a的一個(gè)末端捆扎到一側(cè)的接線(xiàn)端子60a1的捆扎部62a的前端上。另外,導(dǎo)線(xiàn)51a的另一個(gè)末端,在線(xiàn)圈50a的成型之后,被捆扎在另一個(gè)接線(xiàn)端子60a2的捆扎部62a。在完成捆扎之后,例如通過(guò)浸漬方式的焊錫焊等來(lái)固定上述捆扎部分。
這里,在制造天線(xiàn)裝置10a之后,就產(chǎn)生有時(shí)需要調(diào)整電感值l的情況。此電感值l,根據(jù)下述公式來(lái)求得。
l=k×μ0×π×a2×n2/b…(1)
在上述公式(1),k是長(zhǎng)岡常數(shù),μ0是磁導(dǎo)率,a線(xiàn)圈的半徑,n表示匝數(shù),b表示線(xiàn)圈長(zhǎng)度。
這里,在調(diào)整電感值l的時(shí)候,使用夾具等移動(dòng)稀疏繞線(xiàn)部54a的導(dǎo)線(xiàn)51a,使線(xiàn)圈長(zhǎng)度b縮短(即,縮小節(jié)距p1~pn、節(jié)距sp1~spm)。即,在稀疏繞線(xiàn)部54a中,使導(dǎo)線(xiàn)51a向著使規(guī)定部位的空隙s1變窄的方向滑動(dòng)。由此,電感值l就能變得大一些。另外,用夾具等的時(shí)候,優(yōu)選把稀疏繞線(xiàn)部54a設(shè)置在天線(xiàn)裝置10a的端部側(cè)。換句話(huà)說(shuō),緊密繞線(xiàn)部53a設(shè)置在天線(xiàn)裝置10a的端部側(cè),而稀疏繞線(xiàn)部54a被配置在緊密繞線(xiàn)部53a以及端子安裝部35a、接線(xiàn)器連接部40a之間的時(shí)候,隔離壁35a2、端子安裝部35a以及接線(xiàn)器連接部40a的框壁,就可能干擾元器件等的作業(yè),使作業(yè)難以進(jìn)行。為了提高作業(yè)效率,優(yōu)選把稀疏繞線(xiàn)部54a設(shè)置在天線(xiàn)裝置10a的端部側(cè)。
并且,為了進(jìn)行微小的調(diào)整,在稀疏繞線(xiàn)部54a,優(yōu)選相鄰的導(dǎo)線(xiàn)51a呈其間盡量保持規(guī)定的間距的狀態(tài)。因而,在x方向,優(yōu)選稀疏繞線(xiàn)部54a的長(zhǎng)度在緊密繞線(xiàn)部53a長(zhǎng)度之上(包括兩者相等)。進(jìn)一步優(yōu)選稀疏繞線(xiàn)部54a的長(zhǎng)度與緊密繞線(xiàn)部的長(zhǎng)度相等。
有益效果:
根據(jù)如上所述的組成的天線(xiàn)裝置10a,其具有磁芯20a、繞線(xiàn)骨架體30a以及線(xiàn)圈50a。繞線(xiàn)骨架體30a被配置在磁芯20a的外周側(cè),同時(shí),在縱向方向的還存在分區(qū)部33a。線(xiàn)圈50a是通過(guò)把導(dǎo)線(xiàn)51a卷繞在繞線(xiàn)骨架體30a上形成的。另外,線(xiàn)圈50a中設(shè)置了緊密繞線(xiàn)部53a以及稀疏繞線(xiàn)部54a。緊密繞線(xiàn)部53a是從繞線(xiàn)骨架體30a的一側(cè)(x1側(cè))到分區(qū)部33a,導(dǎo)線(xiàn)51a的卷繞密度為很緊密的狀態(tài)來(lái)卷繞形成的。稀疏繞線(xiàn)部54a是從分區(qū)部33a到繞線(xiàn)骨架體30a的另一端(x2側(cè)),導(dǎo)線(xiàn)51a的卷繞密度為很稀疏的狀態(tài)卷繞形成的。并且,稀疏繞線(xiàn)部54a設(shè)置有第1層(下層)和第2層(上層),第1層和第2層繞線(xiàn)方向不相同,構(gòu)成第1層的導(dǎo)線(xiàn)51a與構(gòu)成第2層的導(dǎo)線(xiàn)51a呈交叉重疊的狀態(tài)。
這樣,在稀疏繞線(xiàn)部54a中,構(gòu)成第1層(下層)的導(dǎo)線(xiàn)51a和構(gòu)成第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a呈交叉(cross)重疊狀態(tài)。因此,相對(duì)于第1層(下層)的導(dǎo)線(xiàn)51a,第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a就能很容易地滑動(dòng)。因此,在簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)的同時(shí),也能較容易地調(diào)整電感值。
另外,天線(xiàn)裝置10a中,沒(méi)有必要使用如專(zhuān)利文獻(xiàn)1所揭示的組成那樣的第2磁性體的磁芯。并且也沒(méi)有必要使用在第2磁性體的磁芯上卷繞的第2線(xiàn)圈。因此,就可以簡(jiǎn)化調(diào)整電感值的構(gòu)造。
另外,本實(shí)施例中,繞線(xiàn)骨架體30a的一側(cè)(x1側(cè))設(shè)置著安裝有另一個(gè)接線(xiàn)端子60a的端子安裝部35a,緊密繞線(xiàn)部53a設(shè)置得比稀疏繞線(xiàn)部54a更靠近端子安裝部35a側(cè)。因此,該組成就能很容易地使第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a滑動(dòng)。
即,在把稀疏繞線(xiàn)部54a設(shè)置到比緊密繞線(xiàn)部53a更靠近端子安裝部35a側(cè)的時(shí)候,由于稀疏繞線(xiàn)部54a夾在端子安裝部35a與緊密繞線(xiàn)部53a之間,因此在稀疏繞線(xiàn)部54a上,線(xiàn)圈50a就沒(méi)有存在自由狀態(tài)的端部。因此,難以滑動(dòng)第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a。相對(duì)于此,緊密繞線(xiàn)部53a被設(shè)置在比稀疏繞線(xiàn)部54a更靠近端子安裝部35a側(cè)的時(shí)候,在稀疏繞線(xiàn)部54a上,線(xiàn)圈50a存在著自由狀態(tài)的端部,由此就可以更容易地滑動(dòng)第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a。因此,能更容易地進(jìn)行電感值的調(diào)整。
并且,本實(shí)施例的稀疏繞線(xiàn)部54a中,位于繞線(xiàn)骨架體30a的側(cè)壁部32a1的、構(gòu)成第1層(下層)的導(dǎo)線(xiàn)51a,以及構(gòu)成第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a被配置于同一層內(nèi)。即,構(gòu)成第1層(下層)的導(dǎo)線(xiàn)51a,與構(gòu)成第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a呈不重疊而同時(shí)位于同一層內(nèi)。因此,在繞線(xiàn)骨架部32a的頂面32a2側(cè)以及底面32a3側(cè),能確保比較大的第1層(下層)的導(dǎo)線(xiàn)51a的空隙,以及比較大的第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a的空隙。因此,就可以實(shí)現(xiàn)較容易地進(jìn)行電感值的調(diào)整的組成。
另外,側(cè)壁部32a1中,在滑動(dòng)第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a時(shí),當(dāng)滑動(dòng)超過(guò)了空隙s1的時(shí)候,也能同時(shí)滑動(dòng)相鄰的第1層(下層)的導(dǎo)線(xiàn)51a。由此,例如只通過(guò)滑動(dòng)第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a,就可以防止線(xiàn)圈50a的卷繞崩潰。進(jìn)一步,對(duì)于線(xiàn)圈50a而言,滑動(dòng)之后的要求固定其位置。這里,由于第2層及第1層導(dǎo)線(xiàn)51a接觸側(cè)壁部32a1,通過(guò)線(xiàn)圈50a的卷繞緊固力,以及導(dǎo)線(xiàn)51a與側(cè)壁部32a1之間的摩擦力就能簡(jiǎn)單地固定住滑動(dòng)之后的導(dǎo)線(xiàn)51a的位置,而不需要其他的固定結(jié)構(gòu)。
另外,本實(shí)施例中,第1層(下層)的導(dǎo)線(xiàn)51a以及第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a,相對(duì)于與繞線(xiàn)骨架體30a的縱向方向(x方向)垂直相交的幅寬方向以3度~177度范圍內(nèi)的夾角交叉。在如此構(gòu)成中,相對(duì)于第1層(下層)的導(dǎo)線(xiàn)51a,第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a以6度~174度的范圍內(nèi)的夾角交叉。因此,也就較容易地實(shí)現(xiàn)第2層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51a就架在(易于交叉)第1層(下層)的導(dǎo)線(xiàn)51a的上層側(cè)的組成。
另外,本實(shí)施例中,稀疏繞線(xiàn)部54a的長(zhǎng)度被設(shè)置得比緊密繞線(xiàn)部53a的長(zhǎng)度更長(zhǎng)。在此情況下,就可以在稀疏繞線(xiàn)部54a的導(dǎo)線(xiàn)51a中間設(shè)置具有規(guī)定以上距離的空隙,由此就可以更容易地進(jìn)行電感值l的微小調(diào)整。
另外,本實(shí)施例中,稀疏繞線(xiàn)部54a的長(zhǎng)度也可以被設(shè)置為與緊密繞線(xiàn)部53a的長(zhǎng)度相等。在此情況下,以緊密繞線(xiàn)部53a來(lái)確保規(guī)定以上的電感值l,并以稀疏繞線(xiàn)部54a進(jìn)行電感值l的微小的調(diào)整。
并且,本實(shí)施例中,在繞線(xiàn)骨架體30a的縱向方向(x方向)上,位于最靠近另一側(cè)(x2側(cè))的相鄰的導(dǎo)線(xiàn)51a之間的距離,與位于最靠近一側(cè)(x1側(cè))的相鄰的導(dǎo)線(xiàn)51a之間的距離不同。因此,可以調(diào)動(dòng)位于最靠近另一側(cè)(x2側(cè))的導(dǎo)線(xiàn)51a,而不調(diào)動(dòng)位于最靠近一側(cè)(x1側(cè))的導(dǎo)線(xiàn)51a。在這種情況下,只通過(guò)調(diào)動(dòng)最靠近磁芯20a的另一端側(cè)(x2側(cè))的另一側(cè)(x2側(cè))導(dǎo)線(xiàn)51a就能擴(kuò)大對(duì)磁通的分布的影響。
另外,本實(shí)施例中,在繞線(xiàn)骨架體30a的縱向方向(x方向),位于最靠近另一側(cè)(x2側(cè))的相鄰導(dǎo)線(xiàn)51a之間的距離被設(shè)置得比位于最靠近一側(cè)(x1側(cè))的相鄰導(dǎo)線(xiàn)51a之間的距離更短。在此情況下,調(diào)動(dòng)位于最靠近另一側(cè)(x2側(cè))的導(dǎo)線(xiàn)51a就可以實(shí)現(xiàn)電感值l的微小的調(diào)整。
第2實(shí)施例:
以下,就涉及本發(fā)明的第2實(shí)施例的天線(xiàn)裝置10b,參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。另外,本實(shí)施例中,關(guān)于與上述第1實(shí)施例的天線(xiàn)裝置10a相同的組成,省略其說(shuō)明,在其符號(hào)的末尾付加英文字母“b”來(lái)代替代表第1實(shí)施例的英文字母“a”。另外,字母“b”表示涉及第2實(shí)施例的組成。因此,即使在第2實(shí)施例的說(shuō)明中沒(méi)有加以敘述或圖示,但是與第1實(shí)施例的天線(xiàn)裝置10a同樣的組成,有時(shí)也直接付加英文字母“b”來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
圖8是表示涉及第2實(shí)施例的天線(xiàn)裝置10b的組成的立體圖。圖9是表示圖8所示的天線(xiàn)裝置10b的繞線(xiàn)骨架體30b及接線(xiàn)端子60b的組成的立體圖。在本實(shí)施例中的天線(xiàn)裝置10b的端子安裝部35b與上述第1實(shí)施例的天線(xiàn)裝置10a的端子安裝部35a附近組成有所不同。另外,本實(shí)施例的天線(xiàn)裝置10b的接線(xiàn)器連接部40b與上述的第1實(shí)施例的天線(xiàn)裝置10a的接線(xiàn)器連接部40a的組成有所不同。
具體而言,在端子安裝部35b上設(shè)置的接線(xiàn)端子60b不是一對(duì),而是合計(jì)3個(gè)。更具體而言,存在著接線(xiàn)端子60b1、60b2、以及60b3。圖10是表示3個(gè)接線(xiàn)端子60b1、60b2、60b3形狀的頂視圖。如圖10所示,在3個(gè)接線(xiàn)端子60b里面,接線(xiàn)端子60b1是位于幅寬方向(y方向)的靠近前方側(cè)(y1側(cè))的接線(xiàn)端子60b。另外,接線(xiàn)端子60b2,相對(duì)于接線(xiàn)端子60b1而言,位于幅寬方向(y方向)里側(cè)(y2側(cè))。并且,接線(xiàn)端子60b3,比接線(xiàn)端子60b1及接線(xiàn)端子60b2更加靠近位于縱向方向(x方向)的另一側(cè)(x2側(cè))。
這里,接線(xiàn)端子60b1上設(shè)置有插入片部61b、捆扎部62b、以及上下延伸部63b。插入片部61b是向縱向方向(x方向)延伸的部分,是與上述的插入片部61a同樣的部分。由此,插入片部61b的一側(cè)(x1側(cè))突出到接線(xiàn)器連接部40b的接線(xiàn)器孔內(nèi)部,可以與被插入接線(xiàn)器孔的外部接線(xiàn)器電連接。
另外,捆扎部62b,與上述的捆扎部62a同樣,是捆扎了導(dǎo)線(xiàn)51b的一個(gè)末端的部分。另外,上下延伸部63b是在上下方向(z方向)上延伸的部分。因此,插入片部61b與捆扎部62b在高度方向(z方向)的位置有所不同。
另外,接線(xiàn)端子60b2上設(shè)置著插入片部61b以及片式元件支護(hù)片部64b。插入片部61b是具有與接線(xiàn)端子60b1中的插入片部61b相同的組成。另外,片式元件支護(hù)片部64b是在幅寬方向(y方向)的尺寸比插入片部61b設(shè)置得更大的部分。此片式元件支護(hù)片部64b的兩端側(cè)雖然進(jìn)入繞線(xiàn)骨架體30a的樹(shù)脂部分中,但是兩端之間的部分露出于開(kāi)口部35b1。片式電容器100b的一側(cè)以電連接的狀態(tài)安裝在此片式元件支護(hù)片部64b上。
另外,接線(xiàn)端子60b3上還設(shè)置著捆扎部62b與片式元件支護(hù)片部64b。捆扎部62b上捆扎著導(dǎo)線(xiàn)51b的另一個(gè)末端。另外,電容器100b的另一側(cè)被以電連接的狀態(tài)安裝在此片式元件支護(hù)片部64b上。
另外,在端子安裝部35b中,接線(xiàn)端子60b被設(shè)置成不突出于繞線(xiàn)骨架部31b底面32b3上方側(cè)(z1側(cè))的形態(tài)。為了形成如此組成,端子安裝部35b的底壁35b3被設(shè)置得比底面32b3更厚。并且,上述的接線(xiàn)端子60b1~60b3中的一部分,可以通過(guò)例如嵌件成型來(lái)成型,呈被埋入此底壁35b3的狀態(tài)。
這里,在第1實(shí)施例的天線(xiàn)裝置10a的繞線(xiàn)骨架體30a中設(shè)置隔離壁35a2,以分開(kāi)端子安裝部35a與磁芯插入部34a。然而,在本實(shí)施例的繞線(xiàn)骨架體30b中卻沒(méi)有設(shè)置相當(dāng)于此隔離壁的組成。另外,如圖9所示,接線(xiàn)端子60b沒(méi)有比底面32b3更加突出到上方側(cè)(z1側(cè))。因此,磁芯20b可以向端子安裝部35b側(cè)移動(dòng)。
另外,磁芯20b與在上述的第1實(shí)施例中的磁芯20a同樣,通過(guò)磁芯保持凸出32b6以及被另一端側(cè)(x2側(cè))的導(dǎo)線(xiàn)的卷繞緊固的繞線(xiàn)骨架部31b的內(nèi)壁,呈被保持在磁芯插入部34b內(nèi)的狀態(tài)。
另外,接線(xiàn)器連接部40b與在第1實(shí)施例中的接線(xiàn)器連接部40a有所差異,被沿著縱向方向(x方向)設(shè)置。并且,設(shè)置凸緣部43b來(lái)分開(kāi)端子安裝部35b和接線(xiàn)器連接部40b的部分。凸緣部43b在本實(shí)施例中被設(shè)置成長(zhǎng)方形的板狀,在此凸緣部43b的外周緣部設(shè)置有臺(tái)階部44b。此臺(tái)階部44b是與殼體90a的開(kāi)口邊緣部嵌合的組成。
有益效果:
本實(shí)施例所涉及的天線(xiàn)裝置10b可以發(fā)揮與涉及上述第1實(shí)施例的天線(xiàn)裝置10a同樣的作用。
另外,在本實(shí)施例中,繞線(xiàn)骨架體30b上沒(méi)有相當(dāng)于隔離壁35a2的組成,而且連接端子60b沒(méi)有比底面32b3更加向上方側(cè)(z1側(cè))突出。因此,就可以在磁芯插入部34b內(nèi)部使磁芯向著端子安裝部35b側(cè)滑動(dòng)。由此,在稀疏繞線(xiàn)部54b中,除了可以使第1層(上層)的導(dǎo)線(xiàn)51b的滑動(dòng)來(lái)調(diào)整電感值以外,還可以滑動(dòng)磁芯20b以便增減電感值(在稀疏繞線(xiàn)部54b不進(jìn)行滑動(dòng)的情況下,特別使電感值減少)來(lái)進(jìn)行調(diào)整。
變形例:
以上,對(duì)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明,不過(guò),本發(fā)明也可以在此以外進(jìn)行各種各樣的變形。以下,將對(duì)此進(jìn)行說(shuō)明。
上述的第1實(shí)施例中,在一對(duì)的接線(xiàn)端子60a之間沒(méi)有安裝電子元件,不過(guò)也可以安裝電子元件。另外,在上述的第2實(shí)施例中,對(duì)把電容器100b作為電子元件的情形進(jìn)行了說(shuō)明,不過(guò)也可以安裝如電阻等其他的電子元件。另外,作為電子元件,可以是表面安裝類(lèi)型或針型中的任意一種。
另外,在上述的各個(gè)實(shí)施例中,對(duì)稀疏繞線(xiàn)部54a、54b位于縱向方向(x方向)的另一側(cè)(x2側(cè)),緊密繞線(xiàn)部53a、53b位于縱向方向(x方向)的一側(cè)(x1側(cè))的情形進(jìn)行了說(shuō)明。然而,并不局限于此種組成,也可以形成使稀疏繞線(xiàn)部54a、54b位于縱向方向(x方向)的一側(cè)(x1側(cè)),緊密繞線(xiàn)部53a、53b位于縱向方向(x方向)的另一側(cè)(x2側(cè))的組成。
另外,還可以采用設(shè)置多個(gè)稀疏繞線(xiàn)部54a、54b,使緊密繞線(xiàn)部53a、53b位于稀疏繞線(xiàn)部54a、54b之間的組成。另外,還可以采用設(shè)置多個(gè)緊密繞線(xiàn)部53a、53b,使稀疏繞線(xiàn)部54a、54b位于緊密繞線(xiàn)部53a、53b之間的組成。
另外,上述的各實(shí)施例中,對(duì)只存在1個(gè)磁芯20a或20b的情形進(jìn)行了說(shuō)明。然而,可以存在多個(gè)磁芯。另外,作為繞線(xiàn)骨架體,只要能形成緊密繞線(xiàn)部以及稀疏繞線(xiàn)部,無(wú)論怎樣的組成都行。另外,接線(xiàn)端子的數(shù)量也是幾個(gè)都行,而接線(xiàn)端子的組成也是怎樣都行。