導(dǎo)航天線的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電信號(hào)處理設(shè)備，特別是與高頻電信號(hào)的傳輸有關(guān)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的一種導(dǎo)航天線，如圖1a至Ic所示，包括下介質(zhì)體1、上介質(zhì)體2、第一微帶天線以及第二微帶天線。其中，該下介質(zhì)體I的頂面12與該上介質(zhì)體2的底面22疊置在一起，該第一微帶天線包括設(shè)置在該下介質(zhì)體I中并露出于該下介質(zhì)體I的底面11的兩個(gè)第一饋電點(diǎn)15。該第一饋電點(diǎn)15包括貫穿該下介質(zhì)體I的底面11與頂面12的第一饋電探針。該第二微帶天線包括設(shè)置在該上介質(zhì)體2及下介質(zhì)體I中并露出于該上介質(zhì)體2的頂面21的兩個(gè)第二饋電點(diǎn)25。該第二饋電點(diǎn)25包括貫穿該下介質(zhì)體I的底面11和該上介質(zhì)體2的頂面21的第二饋電探針。其中，這兩個(gè)第二饋電點(diǎn)25與這兩個(gè)第一饋電點(diǎn)15的數(shù)目相當(dāng)且成對(duì)設(shè)置，分別構(gòu)成兩個(gè)天線。這種的結(jié)構(gòu)兩個(gè)天線之間，存在隔離度較差的缺陷?？梢姡瑢?shí)有必要進(jìn)行改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提出一種導(dǎo)航天線，可以大大提高集成在一起的兩個(gè)天線的隔離度。
[0004]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案包括:提供一種導(dǎo)航天線，包括下介質(zhì)體、上介質(zhì)體、第一微帶天線以及第二微帶天線，其中，該下介質(zhì)體的頂面與該上介質(zhì)體的底面疊置在一起，該第一微帶天線包括設(shè)置在該下介質(zhì)體中并露出于該下介質(zhì)體的底面的至少一第一饋電點(diǎn)，該第二微帶天線包括設(shè)置在該上介質(zhì)體及下介質(zhì)體中并露出于該上介質(zhì)體的頂面的至少一第二饋電點(diǎn)，其中第二饋電點(diǎn)與第一饋電點(diǎn)的數(shù)目相當(dāng)且成對(duì)設(shè)置，該導(dǎo)航天線還包括設(shè)置在每對(duì)第一饋電點(diǎn)與第二饋電點(diǎn)之間并與第一饋電點(diǎn)相鄰的至少一短路孔，這些短路孔是設(shè)置在該下介質(zhì)體中并露出于該下介質(zhì)體的底面，以增強(qiáng)該第一微帶天線與第二微帶天線之間的隔離。
[0005]在一些實(shí)施例中，該第一饋電點(diǎn)包括貫穿該下介質(zhì)體的底面與頂面的第一饋電探針，該短路孔也是貫穿該下介質(zhì)體的底面和頂面的。
[0006]在一些實(shí)施例中，該短路孔為金屬化孔。
[0007]在一些實(shí)施例中，該第二饋電點(diǎn)包括貫穿該下介質(zhì)體的底面和該上介質(zhì)體的頂面的第二饋電探針。
[0008]在一些實(shí)施例中，每對(duì)第一饋電點(diǎn)與第二饋電點(diǎn)定義一平面，相應(yīng)的短路孔是位于該平面內(nèi)的。
[0009]在一些實(shí)施例中，該下介質(zhì)體的底面設(shè)置成地平面。
[0010]在一些實(shí)施例中，該導(dǎo)航天線包括兩對(duì)的第一饋電點(diǎn)與第二饋電點(diǎn)和兩個(gè)的短路孔。
[0011 ] 在一些實(shí)施例中，該下介質(zhì)體和該上介質(zhì)體均為高溫?zé)Y(jié)陶瓷材質(zhì)。
[0012]在一些實(shí)施例中，該下介質(zhì)體與該上介質(zhì)體是由單個(gè)介質(zhì)層構(gòu)成。
[0013]在一些實(shí)施例中，該第一微帶天線為接收天線，該第二微帶天線為發(fā)射天線。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的導(dǎo)航天線，通過在每對(duì)第一饋電點(diǎn)與第二饋電點(diǎn)之間并與第一饋電點(diǎn)相鄰的饋電點(diǎn)內(nèi)側(cè)增設(shè)短路孔，可以大大提高集成在一起的兩個(gè)天線的隔離度。
【附圖說明】
[0015]圖1a至Ic是現(xiàn)有的導(dǎo)航天線的結(jié)構(gòu)示意，其中，圖1a為側(cè)面結(jié)構(gòu)，圖1b為仰視結(jié)構(gòu)，圖1c為俯視結(jié)構(gòu)。
[0016]圖2a至2c是本實(shí)用新型的導(dǎo)航天線實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意，其中，圖2a為側(cè)面結(jié)構(gòu)，圖2b為仰視結(jié)構(gòu)，圖2c為俯視結(jié)構(gòu)。
[0017]圖3是本實(shí)用新型的導(dǎo)航天線與現(xiàn)有導(dǎo)航天線的隔離效果比較，其中，橫軸為頻率，單位為MHz，縱軸為隔離度，單位為dB，下方曲線SO為現(xiàn)有的導(dǎo)航天線的隔離度，上方曲線SI為本實(shí)用新型的導(dǎo)航天線的隔離度。
[0018]其中，附圖標(biāo)記說明如下:1下介質(zhì)體11底面12頂面15第一饋電點(diǎn)17短路孔；2上介質(zhì)體21頂面22底面25第二饋電點(diǎn)27短路孔。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為了詳細(xì)說明本實(shí)用新型的構(gòu)造及特點(diǎn)所在，茲舉以下較佳實(shí)施例并配合【附圖說明】如下。
[0020]圖2a至2c是本實(shí)用新型的導(dǎo)航天線實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意，其中，圖2a為側(cè)面結(jié)構(gòu)，圖2b為仰視結(jié)構(gòu)，圖2c為俯視結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的導(dǎo)航天線大致包括:下介質(zhì)體1、上介質(zhì)體2、第一微帶天線(圖未示)以及第二微帶天線(圖未示)。其中，該下介質(zhì)體I的頂面12與該上介質(zhì)體2的底面22疊置在一起。該第一微帶天線包括設(shè)置在該下介質(zhì)體I中并露出于該下介質(zhì)體I的底面11的兩個(gè)第一饋電點(diǎn)15。該第二微帶天線包括設(shè)置在該上介質(zhì)體2及下介質(zhì)體I中并露出于該上介質(zhì)體2的頂面21的兩個(gè)第二饋電點(diǎn)25。其中第二饋電點(diǎn)25與第一饋電點(diǎn)15的數(shù)目相當(dāng)且成對(duì)設(shè)置。該導(dǎo)航天線還包括設(shè)置在每對(duì)第一饋電點(diǎn)15與第二饋電點(diǎn)25之間并與第一饋電點(diǎn)15相鄰的兩個(gè)短路孔17。每個(gè)短路孔17是設(shè)置在該下介質(zhì)體I中并露出于該下介質(zhì)體I的底面11，以增強(qiáng)該第一微帶天線與第二微帶天線之間的隔離。在本實(shí)施例中，該第一微帶天線為接收天線，該第二微帶天線為發(fā)射天線。
[0021]具體地，該第一饋電點(diǎn)15可包括貫穿該下介質(zhì)體I的底面11與頂面12的第一饋電探針。該第二饋電點(diǎn)25可包括貫穿該下介質(zhì)體I的底面11和該上介質(zhì)體2的頂面21的第二饋電探針。該下介質(zhì)體I的底面11設(shè)置成地平面。該短路孔17也是貫穿該下介質(zhì)體I的底面11和頂面12的。較佳地，該短路孔17為金屬化孔。其中，每對(duì)第一饋電點(diǎn)15與第二饋電點(diǎn)25定義一平面，相應(yīng)的短路孔17是位于該平面內(nèi)的。值得一提的是，在工藝允許的前提下，該短路孔17是離第一饋電點(diǎn)15越近越好。
[0022]較佳地，該下介質(zhì)體I和該上介質(zhì)體2均為低溫?zé)Y(jié)陶瓷材質(zhì)。該下介質(zhì)體I與該上介質(zhì)體2均可以由單個(gè)介質(zhì)層構(gòu)成，也可以由多個(gè)介質(zhì)層構(gòu)成。
[0023]圖3是本實(shí)用新型的導(dǎo)航天線與現(xiàn)有導(dǎo)航天線的隔離效果比較，其中，橫軸為頻率，單位為MHz，縱軸為隔離度，單位為dB，下方曲線SO為現(xiàn)有的導(dǎo)航天線的隔離度，上方曲線SI為本實(shí)用新型的導(dǎo)航天線的隔離度?？梢姡ㄟ^在每對(duì)第一饋電點(diǎn)15與第二饋電點(diǎn)25之間并與第一饋電點(diǎn)15相鄰的饋電點(diǎn)內(nèi)側(cè)增設(shè)短路孔17，隔離度從曲線SO指示的約ISdB上升至曲線SI指示的約31dB，可以大大提高集成在一起的兩個(gè)天線的隔離度。
[0024]以上，僅為本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例，意在進(jìn)一步說明本實(shí)用新型，而非對(duì)其進(jìn)行限定。凡根據(jù)上述之文字和附圖所公開的內(nèi)容進(jìn)行的簡單的替換，都在本專利的權(quán)利保護(hù)范圍之列。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種導(dǎo)航天線，包括下介質(zhì)體、上介質(zhì)體、第一微帶天線以及第二微帶天線，其中，該下介質(zhì)體的頂面與該上介質(zhì)體的底面疊置在一起，該第一微帶天線包括設(shè)置在該下介質(zhì)體中并露出于該下介質(zhì)體的底面的至少一第一饋電點(diǎn)，該第二微帶天線包括設(shè)置在該上介質(zhì)體及下介質(zhì)體中并露出于該上介質(zhì)體的頂面的至少一第二饋電點(diǎn)，第二饋電點(diǎn)與第一饋電點(diǎn)的數(shù)目相當(dāng)且成對(duì)設(shè)置，其特征在于，該導(dǎo)航天線還包括設(shè)置在每對(duì)第一饋電點(diǎn)與第二饋電點(diǎn)之間并與第一饋電點(diǎn)相鄰的至少一短路孔，這些短路孔是設(shè)置在該下介質(zhì)體中并露出于該下介質(zhì)體的底面，以增強(qiáng)該第一微帶天線與第二微帶天線之間的隔離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)航天線，其特征在于:該第一饋電點(diǎn)包括貫穿該下介質(zhì)體的底面與頂面的第一饋電探針，該短路孔也是貫穿該下介質(zhì)體的底面和頂面的。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)航天線，其特征在于:該短路孔為金屬化孔。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)航天線，其特征在于:該第二饋電點(diǎn)包括貫穿該下介質(zhì)體的底面和該上介質(zhì)體的頂面的第二饋電探針。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)航天線，其特征在于:每對(duì)第一饋電點(diǎn)與第二饋電點(diǎn)定義一平面，相應(yīng)的短路孔是位于該平面內(nèi)的。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)航天線，其特征在于:該下介質(zhì)體的底面設(shè)置成地平面。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)航天線，其特征在于:該導(dǎo)航天線包括兩對(duì)的第一饋電點(diǎn)與第二饋電點(diǎn)和兩個(gè)的短路孔。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)航天線，其特征在于:該下介質(zhì)體和該上介質(zhì)體均為高溫?zé)Y(jié)陶瓷材質(zhì)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)航天線，其特征在于:該下介質(zhì)體與該上介質(zhì)體是由單個(gè)介質(zhì)層構(gòu)成。10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的導(dǎo)航天線，其特征在于:該第一微帶天線為接收天線，該第二微帶天線為發(fā)射天線。
【專利摘要】一種導(dǎo)航天線，包括下介質(zhì)體、上介質(zhì)體、第一微帶天線以及第二微帶天線，其中，該下介質(zhì)體的頂面與該上介質(zhì)體的底面疊置在一起，該第一微帶天線包括設(shè)置在該下介質(zhì)體中并露出于該下介質(zhì)體的底面的至少一第一饋電點(diǎn)，該第二微帶天線包括設(shè)置在該上介質(zhì)體及下介質(zhì)體中并露出于該上介質(zhì)體的頂面的至少一個(gè)第二饋電點(diǎn)，第二饋電點(diǎn)與第一饋電點(diǎn)的數(shù)目相當(dāng)且成對(duì)設(shè)置，該導(dǎo)航天線還包括設(shè)置在每對(duì)第一饋電點(diǎn)與第二饋電點(diǎn)之間并與第一饋電點(diǎn)相鄰的至少一短路孔，這些短路孔是設(shè)置在該下介質(zhì)體中并露出于該下介質(zhì)體底面，以增強(qiáng)該第一微帶天線與第二微帶天線之間的隔離。本實(shí)用新型可以大大提高集成在一起的兩個(gè)天線的隔離度。
【IPC分類】H01Q1/52
【公開號(hào)】CN204741071
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520162002
【發(fā)明人】黃勇, 馬紅俠, 張霄鵬
【申請(qǐng)人】蘇州博海創(chuàng)業(yè)微系統(tǒng)有限公司
【公開日】2015年11月4日
【申請(qǐng)日】2015年3月23日