技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種共源共柵級聯(lián)的氮化鎵器件封裝結(jié)構(gòu)，硅器件和GaN器件上下連接形成共源共柵級聯(lián)結(jié)構(gòu)，具體結(jié)構(gòu)為硅器件柵極作為級聯(lián)結(jié)構(gòu)柵極，硅器件源極作為級聯(lián)結(jié)構(gòu)源極，GaN器件漏極作為級聯(lián)結(jié)構(gòu)漏極，硅器件源極與GaN器件柵極連接，GaN器件源極與硅器件漏極連接，GaN器件柵極與硅器件源極連接，電容器的一端直接連接到硅器件源極，另一端通過導(dǎo)線連接到GaN器件源極，封裝排布硅器件位于GaN器件的上部，連接部分通過結(jié)構(gòu)中間位置的焊盤連接。以減少互連寄生電感。整個結(jié)構(gòu)能夠有效降低共源共柵級聯(lián)結(jié)構(gòu)中存在的寄生電感，避免大電流關(guān)斷情況下GaN器件發(fā)生發(fā)散振蕩現(xiàn)象，能夠有效延長GaN器件的使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：陳磊;阮穎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海電力學(xué)院
文檔號碼：201710059793
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.24
技術(shù)公布日：2017.06.27