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一種跨阻放大器的直流偏置電路的制作方法

文檔序號(hào):10660298閱讀:727來源:國(guó)知局
一種跨阻放大器的直流偏置電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種跨阻放大器的直流偏置電路,包括:運(yùn)算放大器、第一跨阻放大器和第二跨阻放大器;第一跨阻放大器包括一輸入開關(guān)管M1和與之共源共柵的開關(guān)管M2;第二跨阻放大器包括一輸入開關(guān)管M1’和與之共源共柵設(shè)置的開關(guān)管M2’;開關(guān)管M1’的柵極和漏極分別與運(yùn)算放大器的正極、負(fù)極連接;運(yùn)算放大器的輸出端分別與開關(guān)管M2、M2’的柵極連接;使得第二跨阻放大器與運(yùn)算放大器形成一負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò),通過對(duì)開關(guān)管M2、開關(guān)管M2’柵極電壓的偏置,使得開關(guān)管M1、開關(guān)管M1’的柵極電壓與漏極電壓值相同。因此,在M2的柵極電壓Vg過高或過低時(shí),M1的柵漏電壓Vgd均約等于0,輸出端信號(hào)眼圖不會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重劣化。
【專利說明】
一種跨阻放大器的直流偏置電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種跨阻放大器,尤其涉及一種跨阻放大器的直流偏置電路。
【背景技術(shù)】
[0002]跨阻放大器是將電流信號(hào)轉(zhuǎn)化成電壓信號(hào)并加以放大的電子電路,常作為光通信接收芯片的前端電路,跨阻放大電路需要有足夠大的輸入動(dòng)態(tài)范圍以滿足應(yīng)用,為了保證跨阻放大電路能夠處理大信號(hào),需要在跨阻放大電路中引入自動(dòng)增益控制機(jī)制,即當(dāng)輸入信號(hào)大于一定值時(shí),電路自動(dòng)增益控制環(huán)路開始工作,減小跨阻放大電路的增益,從而達(dá)到處理大信號(hào)輸入的功能。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)如圖1所示,Ml為輸入管,M2做共源共柵管,Rl為負(fù)載電阻,M3與電流源形成緩沖級(jí),Rf做為跨接電阻。它們組成跨阻放大電路TIA J4是自動(dòng)增益控制的MOS管,當(dāng)輸入光電流超過一定值時(shí),M4將工作在線性區(qū),控制TIA的跨阻。上述的跨阻放大器在M2的柵極電壓Vg過高或過低時(shí),輸出端信號(hào)眼圖都會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重劣化:
[0004]1.如果Vg過低,會(huì)使得Ml的柵漏電壓Vgd遠(yuǎn)小于O,當(dāng)AGC工作時(shí),由于Vagc電壓上升,會(huì)使輸出端OUT的直流電壓Vout降低,當(dāng)降低至電流源管的線性區(qū)時(shí),會(huì)使得Vout信號(hào)的非線性增大,從而嚴(yán)重影響眼圖的質(zhì)量。
[0005]2..如果Vg過高,會(huì)使得Ml的柵漏電壓Vgd遠(yuǎn)大于0,當(dāng)AGC工作時(shí),由于Vagc電壓上升,會(huì)使輸出端OUT的直流電壓Vout上升,從而使得M3的柵極電壓上升,使得流經(jīng)Rl的電流減小,從而減小Ml的電流,降低其ft值,使得電路帶寬下降,從而劣化眼圖。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的主要技術(shù)問題是提供一種跨阻放大器的直流偏置電路,來產(chǎn)生合適的M2柵極電壓,保證Ml的柵漏電壓Vgd均約等于0,從而使得在AGC工作時(shí),Vagc電壓上升,輸出直流電也不會(huì)明顯變化,保證輸出端信號(hào)眼圖不會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重劣化。
[0007]為了解決上述的技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種跨阻放大器的直流偏置電路,包括:運(yùn)算放大器、第一跨阻放大器和第二跨阻放大器;
[0008]所述第一跨阻放大器包括一輸入開關(guān)管Ml和與之共源共柵設(shè)置的開關(guān)管M2;所述第二跨阻放大器包括一輸入開關(guān)管Ml ’和與之共源共柵設(shè)置的開關(guān)管M2 ’ ;
[0009]所述開關(guān)管Ml’的柵極和漏極分別與運(yùn)算放大器的正極、負(fù)極輸入端連接;運(yùn)算放大器的輸出端分別與開關(guān)管M2、M2’的柵極連接;使得第二跨阻放大器與運(yùn)算放大器形成一負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò),通過對(duì)開關(guān)管M2、開關(guān)管M2’柵極電壓的偏置,使得開關(guān)管Ml、開關(guān)管Ml ’的柵極電壓與漏極電壓值相同。
[0010]在一較佳實(shí)施例中:所述開關(guān)管M1、開關(guān)管Ml’的柵極和源極之間分別設(shè)置有跨阻Rf'Rf,。
[0011]在一較佳實(shí)施例中:所述開關(guān)管M2、M2’的漏極分別通過負(fù)載電阻Rl、R1’與VDD相連。
[0012]在一較佳實(shí)施例中:所述第一跨阻放大器還包括開關(guān)管M3,其柵極與開關(guān)管M2的漏極連接,源極接地,漏極與VDD連接。
[0013]在一較佳實(shí)施例中:所述第二跨阻放大器還包括開關(guān)管M3’,其柵極與開關(guān)管M2 ’的漏極連接,源極接地,漏極與VDD連接。
[0014]在一較佳實(shí)施例中:所述開關(guān)管Ml、M2、M3、M1 ’、M2 ’、M3 ’為MOS管或三極管。
[0015]在一較佳實(shí)施例中:還包括一開關(guān)管M4,其柵極與Vagc連接,源極與開關(guān)管Ml的柵極連接,漏極與開關(guān)管Ml的漏極連接。
[0016]在一較佳實(shí)施例中:所述開關(guān)管M4為MOS管。
[0017]在一較佳實(shí)施例中:所述第二跨阻放大器為第一跨阻放大器的鏡像電路。
[0018]在一較佳實(shí)施例中:所述第二跨阻放大器中的開關(guān)管Ml,、M2,、M3,相較于開關(guān)管Ml、M2、M3等比例縮小,且負(fù)載電阻R1’相較于負(fù)載電阻Rl等比例放大。
[0019 ]相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的技術(shù)方案具備以下有益效果:
[0020]本發(fā)明提供了提供了一種跨阻放大器的直流偏置電路,在第一跨阻放大器的基礎(chǔ)上,增加了一個(gè)運(yùn)算放大器,一個(gè)第二跨阻放大器。第二跨阻放大器與運(yùn)算放大器之間形成了一個(gè)負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò),通過對(duì)開關(guān)管M2、開關(guān)管M2’柵極電壓的偏置,使得第二跨阻放大器中開關(guān)管Ml’的柵極電壓約等于漏極電壓,從而使得第一跨阻放大器中的開關(guān)管Ml的柵極電壓也約等于漏極電壓即Vg,mi?Vd,mi。從而保證AGC工作時(shí),M2柵極被偏置在合適的電壓,保證Ml的柵漏電壓Vgd均約等于0,輸出端信號(hào)眼圖都不會(huì)因?yàn)橹绷麟妷旱倪^度變化而劣化。
【附圖說明】
[0021 ]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中跨阻放大器的電路圖;
[0022]圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中跨阻放大器的直流偏置電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0024]參考圖2,一種跨阻放大器的直流偏置電路,包括:運(yùn)算放大器10、第一跨阻放大器TIA和第二跨阻放大器TIA dummy;
[0025]所述第一跨阻放大器TIA包括一輸入開關(guān)管Ml和與之共源共柵設(shè)置的開關(guān)管M2;所述第二跨阻放大器包括一輸入開關(guān)管Ml ’和與之共源共柵設(shè)置的開關(guān)管M2 ’ ;
[0026]所述開關(guān)管Ml’的柵極和漏極分別與運(yùn)算放大器的正極、負(fù)極輸入端連接;運(yùn)算放大器的輸出端分別與開關(guān)管M2、M2’的柵極連接;使得第二跨阻放大器與運(yùn)算放大器形成一負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò),通過對(duì)開關(guān)管M2、開關(guān)管M2’柵極電壓的偏置,使得第二跨阻放大器中開關(guān)管Ml’的柵極電壓約等于漏極電壓,從而使得第一跨阻放大器中的開關(guān)管Ml的柵極電壓也約等于漏極電壓即Vg,M1?Vd,M1。從而保證AGC工作時(shí),無論開關(guān)管M2的柵極電壓過高或過低,輸出端信號(hào)眼圖都不會(huì)因?yàn)橹绷麟姷倪^度變化而劣化。
[0027]本實(shí)施例中,第一跨阻放大器TIA和第二跨阻放大器TIAdummy的其余結(jié)構(gòu)為:
[0028]所述開關(guān)管Ml、開關(guān)管Ml,的柵極和源極之間分別設(shè)置有跨阻Rf、Rf’。所述開關(guān)管M2、M2’的漏極分別通過負(fù)載電阻Rl、R1,與VDD相連。
[0029]所述第一跨阻放大器還包括開關(guān)管M3,其柵極與開關(guān)管M2的漏極連接,源極接地,漏極與VDD連接。所述第二跨阻放大器還包括開關(guān)管M3’,其柵極與開關(guān)管M2’的漏極連接,源極接地,漏極與VDD連接。
[0030]本實(shí)施例中,所述開關(guān)管Ml、M2、M3、M1 ’、M2 ’、M3 ’為MOS管或三極管。
[0031 ]以及,控制自動(dòng)增益的MOS管M4,其柵極與Vagc連接,源極與開關(guān)管Ml的柵極連接,漏極與開關(guān)管Ml的漏極連接。
[0032]本實(shí)施例中,所述第二跨阻放大器的電路結(jié)構(gòu)與第一跨阻放大器鏡像設(shè)置,并且所述第二跨阻放大器中的開關(guān)管Ml ’、M2 ’、M3 ’相較于開關(guān)管Ml、M2、M3等比例縮小,且負(fù)載電阻R1’相較于負(fù)載電阻Rl等比例放大,從而減小電流。
[0033]以上所述,僅為本發(fā)明較佳的【具體實(shí)施方式】,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種跨阻放大器的直流偏置電路,其特征在于包括:運(yùn)算放大器、第一跨阻放大器和第二跨阻放大器; 所述第一跨阻放大器包括一輸入開關(guān)管Ml和與之共源共柵設(shè)置的開關(guān)管M2;所述第二跨阻放大器包括一輸入開關(guān)管Ml ’和與之共源共柵設(shè)置的開關(guān)管M2 ’ ; 所述開關(guān)管Ml’的柵極和漏極分別與運(yùn)算放大器的正極、負(fù)極輸入端連接;運(yùn)算放大器的輸出端分別與開關(guān)管M2、M2’的柵極連接;使得第二跨阻放大器與運(yùn)算放大器形成一負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò),通過對(duì)開關(guān)管M2、開關(guān)管M2’柵極電壓的偏置,使得開關(guān)管Ml、開關(guān)管Ml ’的柵極電壓與漏極電壓值相同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種跨阻放大器的直流偏置電路,其特征在于:所述開關(guān)管Ml、開關(guān)管Ml ’的柵極和源極之間分別設(shè)置有跨阻Rf、Rf’。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種跨阻放大器的直流偏置電路,其特征在于:所述開關(guān)管M2、M2’的漏極分別通過負(fù)載電阻Rl、R1,與VDD相連。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種跨阻放大器的直流偏置電路,其特征在于:所述第一跨阻放大器還包括開關(guān)管M3,其柵極與開關(guān)管M2的漏極連接,源極接地,漏極與VDD連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種跨阻放大器的直流偏置電路,其特征在于:所述第二跨阻放大器還包括開關(guān)管M3’,其柵極與開關(guān)管M2’的漏極連接,源極接地,漏極與VDD連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種跨阻放大器的直流偏置電路,其特征在于:所述開關(guān)管M1、M2、M3、M1’、M2’、M3’為MOS管或三極管。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種跨阻放大器的直流偏置電路,其特征在于:還包括一開關(guān)管M4,其柵極與Vagc連接,源極與開關(guān)管Ml的柵極連接,漏極與開關(guān)管Ml的漏極連接。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種跨阻放大器的直流偏置電路,其特征在于:所述開關(guān)管M4為MOS管。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種跨阻放大器的直流偏置電路,其特征在于:所述第二跨阻放大器為第一跨阻放大器的鏡像電路。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種跨阻放大器的直流偏置電路,其特征在于:所述第二跨阻放大器中的開關(guān)管Ml’、M2’、M3’相較于開關(guān)管Ml、M2、M3等比例縮小,且負(fù)載電阻R1’相較于負(fù)載電阻Rl等比例放大。
【文檔編號(hào)】H03G3/30GK106026940SQ201610268878
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年4月27日
【發(fā)明人】陳偉, 潘劍華
【申請(qǐng)人】廈門優(yōu)迅高速芯片有限公司
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