1.一種薄膜晶體管，包括：柵電極、電極絕緣層、有源層、源電極和漏電極，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述有源層和所述源電極、漏電極之間的碳膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：在所述電極絕緣層上與所述碳膜層同一次構(gòu)圖工藝制作的碳膜觸控電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的材料為銦鎵鋅氧化物。
4.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
在襯底基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝依次形成柵電極，電極絕緣層，有源層；
形成碳膜層，所述碳膜層覆蓋在所述有源層和所述電極絕緣層上；
形成金屬膜層，所述金屬膜層覆蓋在所述碳膜層上；
通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極之后還包括：
去除未被所述源電極、漏電極覆蓋的碳膜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極之后還包括：
在所述碳膜層上覆蓋光刻保護(hù)膠層；
通過(guò)構(gòu)圖工藝形成光刻膠保護(hù)圖案；
去除未被所述源電極、漏電極以及所述光刻膠保護(hù)圖案覆蓋的碳膜層；
剝離所述光刻膠保護(hù)圖案，在所述光刻膠保護(hù)圖案位置形成碳膜觸控電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5或6所述的方法，其特征在于，所述形成碳膜層，所述碳膜層覆蓋在所述有源層和所述電極絕緣層上的步驟包括：
氣體粒子高速轟擊石墨靶材，使石墨靶材發(fā)生濺射；
濺射出的碳原子沉積在有源層和所述電極絕緣層上形成碳膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述去除未被所述源電極、漏電極覆蓋的碳膜層的步驟包括：
采用氧氣等離子蝕刻未被所述源電極、漏電極覆蓋的碳膜層，生成揮發(fā)性CO2和/或CO氣體以便于排出。
9.一種顯示器件，包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、電極絕緣層、有源層、源電極和漏電極，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述有源層和所述源電極、漏電極之間的碳膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示器件，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括在所述電極絕緣層上與所述碳膜層同一次構(gòu)圖工藝制作的碳膜觸控電極。