本發(fā)明涉及TFT-LCD技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管的制備方法、薄膜晶體管以及顯示器件。

背景技術(shù)：

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)是目前的主流顯示產(chǎn)品，近年來(lái)各大面板廠商都在不斷擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，市場(chǎng)需求近幾年隨著智能手機(jī)，電視的普及越來(lái)越大，提高生產(chǎn)效率和生產(chǎn)高質(zhì)量的背板是占領(lǐng)市場(chǎng)的關(guān)鍵。

但TFT技術(shù)中銦鎵鋅氧化物IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)、a-Si等有源層在制程中的穩(wěn)定性問(wèn)題一直是困擾其量產(chǎn)的關(guān)鍵因素，BCE(Back Channel Etchant，背溝槽蝕刻)結(jié)構(gòu)的TFT的金屬蝕刻劑對(duì)有源層的損傷是造成TFT制程不穩(wěn)定的原因之一，現(xiàn)有的各種保護(hù)膜層保護(hù)效果不是很理想。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制備方法、晶體管以及顯示器件，以解決現(xiàn)有的各種有源層保護(hù)膜層保護(hù)效果不是很理想的問(wèn)題。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜晶體管的制備方法，包括：

在襯底基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝依次形成柵電極，電極絕緣層，有源層；

形成碳膜層，所述碳膜層覆蓋在所述有源層和所述電極絕緣層上；

形成金屬膜層，所述金屬膜層覆蓋在所述碳膜層上；

通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極。

優(yōu)選地，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極之后還包括：

去除未被所述源電極、漏電極覆蓋的碳膜層。

優(yōu)選地，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極之后還包括：

在所述碳膜層上覆蓋光刻保護(hù)膠層；

通過(guò)構(gòu)圖工藝形成光刻膠保護(hù)圖案；

去除未被所述源電極、漏電極以及所述光刻膠保護(hù)圖案覆蓋的碳膜層；

剝離所述光刻膠保護(hù)圖案，在所述光刻膠保護(hù)圖案位置形成碳膜觸控電極。

優(yōu)選地，所述形成碳膜層，所述碳膜層覆蓋在所述有源層和所述電極絕緣層上的步驟包括：

氣體粒子高速轟擊石墨靶材，使石墨靶材發(fā)生濺射；

濺射出的碳原子沉積在有源層和所述電極絕緣層上形成碳膜層。

優(yōu)選地，所述去除未被所述源電極、漏電極覆蓋的碳膜層的步驟包括：采用氧氣等離子蝕刻未被所述源電極、漏電極覆蓋的碳膜層，生成揮發(fā)性CO2和/或CO氣體以便于排出。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明還公開(kāi)了一種薄膜晶體管，包括：柵電極、電極絕緣層、有源層、源電極和漏電極，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述有源層和所述源電極、漏電極之間的碳膜層。

優(yōu)選地，還包括：在所述電極絕緣層上與所述碳膜層同一次構(gòu)圖工藝制作的碳膜觸控電極。

優(yōu)選地，所述有源層的材料為銦鎵鋅氧化物。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明還公開(kāi)了一種顯示器件，包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、電極絕緣層、有源層、源電極和漏電極，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述有源層和所述源電極、漏電極之間的碳膜層。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管還包括在所述電極絕緣層上與所述碳膜層同一次構(gòu)圖工藝制作的碳膜觸控電極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn)：

通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制備方法以及TFT-LCD的ARRAY基板的制備方法，在制備有源層時(shí)引入一層碳膜層用以避免在源電極和漏電極制備過(guò)程中蝕刻劑對(duì)有源層的損傷，提高了有源層的制程穩(wěn)定性以及TFT制程的良率。

進(jìn)一步的，碳膜層的優(yōu)異的導(dǎo)電特性還可以實(shí)現(xiàn)源電極、漏電極與有源層良好的導(dǎo)通。

進(jìn)一步的，還可以利用碳膜層的優(yōu)異的導(dǎo)電特性在TFT-LCD的襯底基板上形成碳膜觸控電極，以使得TFT-LCD集成了觸控功能。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一的一種薄膜晶體管的制備方法的步驟流程圖；

圖2是示出了本發(fā)明實(shí)施例二的一種薄膜晶體管的制備方法的步驟流程圖；

圖3a是本發(fā)明實(shí)施例二的在襯底基板上形成柵電極后示意圖；

圖3b是本發(fā)明實(shí)施例二的在具有柵電極的襯底基板上覆蓋有電極絕緣層后示意圖；

圖3c是本發(fā)明實(shí)施例二的在電極絕緣層?xùn)烹姌O對(duì)應(yīng)位置形成有源層后示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例二的形成碳膜層后的示意圖；

圖5是實(shí)施例二的形成源電極和漏電極后的示意圖；

圖6是實(shí)施例二的TFT-LCD的ARRAY的示意圖之一；

圖7是實(shí)施例二的碳膜觸控電極集成的觸摸工作面示意圖；

圖8是實(shí)施例二的TFT-LCD的ARRAY的示意圖之二；

圖9是實(shí)施例二的TFT-LCD的ARRAY的示意圖之三；

圖10是實(shí)施例二的TFT-LCD的ARRAY的示意圖之四；

圖11是實(shí)施例二的制備好的部分ARRAY基板俯視圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

實(shí)施例一

參照?qǐng)D1，示出了本發(fā)明實(shí)施例一的一種薄膜晶體管的制備方法的步驟流程圖。

本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管制備方法包括以下步驟：

步驟101：在襯底基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝依次形成柵電極，電極絕緣層，有源層。

步驟102：形成碳膜層，所述碳膜層覆蓋在所述有源層和所述電極絕緣層上。

步驟103：形成金屬膜層，所述金屬膜層覆蓋在所述碳膜層上。

步驟104：通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在TFT的有源層上覆蓋一層導(dǎo)電的碳膜層，既實(shí)現(xiàn)了有源層與源電極、漏電極之間導(dǎo)通，又保護(hù)有源層，使有源層不被源電極和漏電極形成過(guò)程中使用的蝕刻劑損傷，提高了TFT制程的穩(wěn)定性以及良率。

實(shí)施例二

參照?qǐng)D2，示出了本發(fā)明實(shí)施例二的一種薄膜晶體管的制備方法的步驟流程圖。

本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管制備方法包括以下步驟：

步驟201：在襯底基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝依次形成柵電極，電極絕緣層，有源層。

在實(shí)際中，TFT-LCD的薄膜晶體管是在液晶顯示屏的襯底基板上形成的，通常襯底基板是一平面玻璃基板。

在本發(fā)明實(shí)施例中，可以在襯底基板1上通過(guò)構(gòu)圖工藝依次形成柵電極2，電極絕緣層4，有源層5。

具體的，該柵電極2可以是金屬Al、Mo、AlNd合金、Cu、MoNd合金等導(dǎo)電性能較好的金屬電極，其在TFT的作用是作為掃描線，實(shí)現(xiàn)TFT的開(kāi)關(guān)與閉合。該電極絕緣層4通?？梢允且粚?000～5000埃厚的SiN_x膜層，用以實(shí)現(xiàn)對(duì)柵電極的保護(hù)。該有源層5是一種半導(dǎo)體材料，通常可以是一層厚度500埃的a-Si半導(dǎo)體層，當(dāng)柵電極2控制高電平時(shí)，使該有源層5導(dǎo)通，當(dāng)該柵電極2控制低電平時(shí)，有源層5不導(dǎo)通，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)的作用。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，該有源層5可以采用載流子遷移率更高的IGZO，以實(shí)現(xiàn)更好的顯示屏刷新率，顯示屏分辨率等作用。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，IGZO的厚度可以是400～700埃。

為了使上述步驟更加清晰明了，下面以在襯底基板1上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵電極2為例說(shuō)明柵電極2的形成過(guò)程，所述在襯底基板1通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵電極2的過(guò)程可以包括如下子步驟：

S11，在襯底基板上形成金屬膜層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，可以在襯底基板1上通過(guò)sputter(濺射)工藝?yán)脷怏w轟擊金屬靶材，金屬原子濺射到襯底基板1上形成一層金屬膜層。

S12，在金屬膜層涂覆光刻膠，通過(guò)掩膜板曝光形成光刻膠保護(hù)圖案。

在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)形成金屬膜層后，可以在金屬膜層上方涂覆光刻膠，然后通過(guò)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，顯影，選擇性的形成光刻膠保護(hù)圖案，該保護(hù)圖案用以保護(hù)金屬膜層。

S13，采用蝕刻劑蝕刻未被光刻膠保護(hù)圖案覆蓋的金屬膜層，然后剝離光刻膠保護(hù)圖案形成柵電極。

在本發(fā)明實(shí)施例中，可以采用濕法酸性蝕刻劑對(duì)未被光刻膠保護(hù)圖案覆蓋的金屬膜層進(jìn)行蝕刻，去除未被光刻膠保護(hù)圖案覆蓋的金屬，然后利用腐蝕液經(jīng)過(guò)化學(xué)反應(yīng)剝離該光刻膠保護(hù)圖案，形成柵電極2。

需要說(shuō)明的是，步驟201中形成電極絕緣層4和有源層5的過(guò)程，可以參照形成柵電極2的形成過(guò)程，也可使用本領(lǐng)域常用的技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限制。

在具體實(shí)現(xiàn)中，在形成柵電極2的同時(shí)，實(shí)際上在襯底基板上還形成了公共電極3。

步驟201中依次形成柵電極2，電極絕緣層4，有源層5的過(guò)程可以如圖3a、圖3b、圖3c所示。

其中，圖3a示出了在襯底基板上形成柵電極后示意圖，圖3b示出了在具有柵電極的襯底基板上覆蓋有電極絕緣層后示意圖，圖3c示出了在電極絕緣層?xùn)烹姌O對(duì)應(yīng)位置形成有源層后示意圖，其中1為襯底基板，2為柵電極，3為公共電極，4為電極絕緣層，5為有源層。

步驟202：形成碳膜層，所述碳膜層覆蓋在所述有源層和所述電極絕緣層上。

在本發(fā)明實(shí)施例中，在形成柵電極2，電極絕緣層4，有源層5后，可以在所述有源層5和所述電極絕緣層4上覆蓋一層碳膜層6，用于后續(xù)工作中對(duì)有源層的保護(hù)。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，可以采用石墨磁控濺射的方法在有源層和所述電極絕緣層上形成碳膜層，則步驟202可以包括如下子步驟：

S21，氣體粒子高速轟擊石墨靶材，使石墨靶材發(fā)生濺射。

在本發(fā)明實(shí)施例中，磁控濺射裝置中的氣體粒子經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速形成具有高能量粒子，該高能量粒子轟擊安裝在濺射裝置中的石墨靶材，靶材中的部分碳原子獲得高能量粒子的能量，脫離靶材表面發(fā)生濺射。

作為一種示例，該氣體粒子可以是磁控濺射裝置中的Ar氣電離出的Ar離子。

S22，濺射出的碳原子沉積在有源層和所述電極絕緣層上形成碳膜層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，脫離靶材表面的碳原子在濺射飛行過(guò)程中與有源層和電極絕緣層接觸，最終在其上沉積，形成碳膜層6。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，該碳膜層6的厚度可以是400～700埃。

經(jīng)過(guò)步驟202后，形成碳膜層后的示意圖可以如圖4所示，其中6為碳膜層。

步驟203：形成金屬膜層，所述金屬膜層覆蓋在所述碳膜層上。

在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)形成碳膜層后，可以在該碳膜層上形成金屬膜層，以便于后續(xù)利用。

在本發(fā)明實(shí)施例中，該金屬膜層的材料可以是Al、Mo、AlNd合金、Cu、MoNd合金等導(dǎo)電性能較好的金屬，具體形成金屬膜層的方法可以參照步驟S11，本發(fā)明實(shí)施例在此不作贅述。

當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以使用其他方法在碳膜層上形成金屬膜層，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限制。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，該金屬膜層的厚度可以是3000～4000埃。

步驟204：通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極。

在本發(fā)明實(shí)施例中，在形成金屬膜層后，可以通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源電極7和漏電極8，該構(gòu)圖工藝可以參照步驟S12-S13的過(guò)程，首先在金屬膜層表面涂覆光刻膠，經(jīng)過(guò)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，顯影，選擇性的形成光刻膠保護(hù)圖案，然后通過(guò)濕法酸性蝕刻劑對(duì)未被光刻膠保護(hù)圖案保護(hù)的金屬進(jìn)行去除，最后通過(guò)腐蝕液剝離光刻膠保護(hù)圖案，最終形成源電極7和漏電極8。

需要說(shuō)明的是，在此步驟204中，酸性蝕刻劑去除未被光刻膠保護(hù)圖案保護(hù)的金屬過(guò)程中，由于有源層5上覆蓋了一層不與酸性蝕刻劑反應(yīng)的碳膜層6，因此該有源層5受到了碳膜層6的保護(hù)，不會(huì)被蝕刻劑損傷，提高了有源層5的穩(wěn)定性。

經(jīng)過(guò)步驟204后，形成源電極和漏電極后的示意圖可以如圖5所示，其中7為源電極，8為漏電極。

在本發(fā)明實(shí)施例中，為了完整的制備TFT-LCD的ARRAY基板，仍然需要對(duì)多余的碳膜層進(jìn)行去除，則步驟204之后還可以包括步驟205。

步驟205：去除未被所述源電極、漏電極覆蓋的碳膜層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，碳膜層6除了在源電極和漏電極蝕刻工藝過(guò)程中保護(hù)有源層5之外，其還有一個(gè)作用就是可以實(shí)現(xiàn)有源層5與源電極7和漏電極8的電連接，因此需要對(duì)未被所述源電極7、漏電極8覆蓋的碳膜層進(jìn)行去除。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，可以采用氧氣等離子蝕刻未被所述源電極7、漏電極8覆蓋的碳膜層6，生成揮發(fā)性CO₂和/或CO氣體以便于排出。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，可以利用部分碳膜層形成碳膜觸控電極以在TFT-LCD中集成觸控功能，則步驟205還可以用步驟205’替換。

步驟205’:在所述碳膜層上覆蓋光刻保護(hù)膠層；通過(guò)構(gòu)圖工藝形成光刻膠保護(hù)圖案；去除未被所述源電極、漏電極以及所述光刻膠保護(hù)圖案覆蓋的碳膜層；剝離所述光刻膠保護(hù)圖案，在所述光刻膠保護(hù)圖案位置形成碳膜觸控電極。

在本發(fā)明實(shí)施例中，為了充分利用碳膜層形成碳膜觸控電極9，可以在碳膜層上涂覆覆蓋光刻保護(hù)膠層，然后通過(guò)掩膜板曝光，顯影，選擇性的形成光刻膠保護(hù)圖案，然后去除未被所述源電極7、漏電極8以及所述光刻膠保護(hù)圖案覆蓋的碳膜層，最后通過(guò)腐蝕液與光刻膠經(jīng)過(guò)化學(xué)反應(yīng)剝離該光刻膠保護(hù)圖案，在光刻膠保護(hù)圖案位置形成碳膜觸控電極9，形成的碳膜觸控電極9用以TFT-LCD集成觸控功能。

經(jīng)過(guò)步驟205’后，TFT-LCD的ARRAY的示意圖可以如圖6所示，其中9為碳膜觸控電極。

在實(shí)際中，顯示屏的觸控功能通常是通過(guò)以下原理來(lái)實(shí)現(xiàn)的：當(dāng)用戶(hù)觸摸電容屏?xí)r，此時(shí)手指與觸摸屏工作面形成一個(gè)耦合電容，因?yàn)楣ぷ髅嫔辖佑懈哳l信號(hào)，于是手指吸收走一個(gè)很小的電流，這個(gè)電流分別從屏的四個(gè)角上的電極中流出，且理論上流經(jīng)四個(gè)電極的電流與手指頭到四角的距離成比例，控制器通過(guò)對(duì)四個(gè)電流比例的精密計(jì)算，得出位置。

在本發(fā)明實(shí)施例中，正是通過(guò)形成碳膜觸控電極9作為觸摸屏的工作面從而實(shí)現(xiàn)在TFT-LCD顯示屏中集成觸摸功能。

碳膜觸控電極9集成的觸摸工作面如圖7所示，各工作面與X觸控傳感器sensor、Y觸控傳感器sensor相連，這些觸控sensor通過(guò)檢測(cè)單元和控制單元實(shí)現(xiàn)觸控位置計(jì)算。

需要說(shuō)明的是，上述去除未被所述源電極7、漏電極8以及所述光刻膠保護(hù)圖案覆蓋的碳膜層的方法可以參照步驟205，本發(fā)明實(shí)施例在此不再贅述。

在本發(fā)明實(shí)施例中，為了完整的制備TFT-LCD的ARRAY基板，在步驟205’之后還可以包括：

步驟206：在所述源電極、所述有源層、所述漏電極、所述電極絕緣層、所述碳膜觸控電極、所述公共電極上覆蓋第一保護(hù)層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，在完成制作源電極7、有源層5、漏電極8、碳膜觸控電極9、電極絕緣層4、公共電極3之后，需要在其上覆蓋第一保護(hù)層10，用以作為像素電容的介電層同時(shí)保護(hù)源電極7和漏電極8。

在具體實(shí)現(xiàn)中，可以采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)法在源電極7、有源層5、漏電極8、電極絕緣層4、碳膜觸控電極9、公共電極3上沉積覆蓋該第一保護(hù)層10，通常該第一保護(hù)層10可以是SiN_x、SiO₂等絕緣性能較好的材料組成。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，該第一保護(hù)層10的厚度可以為1000～3000埃。

步驟207：在所述第一保護(hù)層上覆蓋絕緣樹(shù)脂層。

一般地，由于第一保護(hù)層10的厚度不足，不足以使像素電容值在一個(gè)合適的電容值。

因此，在本發(fā)明實(shí)施例中，還可以在第一保護(hù)層上涂覆覆蓋一層有機(jī)樹(shù)脂絕緣樹(shù)脂層11(也叫Resin層)，用以調(diào)整像素電容的電容值。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，該絕緣樹(shù)脂層11的厚度可以為1.7μm左右。

步驟208：在所述漏電極位置適配貫穿所述絕緣樹(shù)脂層和所述第一保護(hù)層的第一導(dǎo)通孔，在所述公共電極位置適配貫穿所述絕緣樹(shù)脂層、所述第一保護(hù)層、所述電極絕緣層的第二導(dǎo)通孔。

在本發(fā)明實(shí)施例中，為了使像素電極ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)薄膜、公共電極ITO薄膜13分別與漏電極8、公共電極3導(dǎo)通，可以在第一保護(hù)層10、絕緣樹(shù)脂層11分別設(shè)置第一導(dǎo)通孔14、第二導(dǎo)通孔15。

具體的，設(shè)置第一導(dǎo)通孔14和第二導(dǎo)通15的方法可以通過(guò)過(guò)孔掩膜板經(jīng)過(guò)曝光，顯影，蝕刻的方法在所述漏電極8位置形成貫穿所述絕緣樹(shù)脂層11和所述第一保護(hù)層10的第一導(dǎo)通孔14，在所述公共電極位置形成貫穿所述絕緣樹(shù)脂層11、所述第一保護(hù)層10、所述電極絕緣層4的第二導(dǎo)通孔15，具體的曝光、顯影、蝕刻的過(guò)程與步驟S12-S13類(lèi)似，本發(fā)明實(shí)施例在此不作贅述。

步驟209：沿著所述第一導(dǎo)通孔通過(guò)構(gòu)圖工藝形成與漏電極導(dǎo)通的第一像素電極銦錫氧化物ITO薄膜，沿著所述第二導(dǎo)通孔通過(guò)構(gòu)圖工藝形成與公共電極導(dǎo)通的公共電極ITO薄膜。

在本發(fā)明實(shí)施例中，在所述漏電極8位置適配貫穿所述絕緣樹(shù)脂層11和所述第一保護(hù)層10的第一導(dǎo)通孔14，在所述公共電極3位置適配貫穿所述絕緣樹(shù)脂層11、所述第一保護(hù)層10、所述電極絕緣層4的第二導(dǎo)通孔15后，可以沿著所述第一導(dǎo)通孔14通過(guò)構(gòu)圖工藝形成與漏電極8導(dǎo)通的第一像素電極銦錫氧化物ITO薄膜12，沿著所述第二導(dǎo)通孔15通過(guò)構(gòu)圖工藝形成與公共電極導(dǎo)通的公共電極ITO薄膜13。

具體的，可以通過(guò)如下方法形成第一像素電極ITO薄膜12：

S31，在絕緣樹(shù)脂層以及在第一導(dǎo)通孔內(nèi)壁上形成ITO薄膜層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，可以在絕緣樹(shù)脂層11以及在第一導(dǎo)通孔14內(nèi)壁上通過(guò)sputter(濺射)工藝?yán)脷怏w轟擊ITO靶材，ITO原子濺射到絕緣樹(shù)脂11層以及在第一導(dǎo)通孔14內(nèi)壁上形成ITO薄膜層。

S32，在ITO薄膜層涂覆光刻膠，同時(shí)通過(guò)掩膜板曝光形成光刻膠保護(hù)圖案。

在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)形成ITO薄膜層后，可以在ITO薄膜層上方涂覆光刻膠，然后通過(guò)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，顯影，選擇性的形成光刻膠保護(hù)圖案，該保護(hù)圖案用以保護(hù)ITO薄膜層。

S33，采用蝕刻劑蝕刻未被光刻膠保護(hù)圖案覆蓋的金屬膜層，同時(shí)剝離光刻膠保護(hù)圖案形成第一像素電極ITO薄膜。

在本發(fā)明實(shí)施例中，可以采用濕法酸性蝕刻劑對(duì)未被光刻膠保護(hù)圖案覆蓋的ITO薄膜層進(jìn)行蝕刻，去除未被光刻膠保護(hù)圖案覆蓋的ITO薄膜，同時(shí)利用腐蝕液經(jīng)過(guò)化學(xué)反應(yīng)剝離該光刻膠保護(hù)圖案，形成沿著第一導(dǎo)通孔14與漏電極8導(dǎo)通的第一像素電極ITO薄膜12。

當(dāng)然，上述形成過(guò)程僅作為一種示例，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以通過(guò)其他手段形成第一像素電極ITO薄膜12，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限制。

需要說(shuō)明的是，公共電極ITO薄膜13的形成過(guò)程與第一像素電極ITO薄膜12的形成過(guò)程類(lèi)似，本發(fā)明實(shí)施例在此不作贅述。

經(jīng)過(guò)步驟209后，TFT-LCD的ARRAY的示意圖可以如圖8所示，其中10為第一保護(hù)層，11為絕緣樹(shù)脂層，12為第一像素電極ITO薄膜，13為公共電極ITO薄膜，14為第一導(dǎo)通孔，15為第二導(dǎo)通孔。

步驟210：在所述絕緣樹(shù)脂層、第一像素電極ITO薄膜、以及公共電極ITO薄膜上覆蓋為所述第一導(dǎo)通孔和第二導(dǎo)通孔預(yù)留開(kāi)口的第二保護(hù)層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，為了更好的保護(hù)像素電極ITO薄膜和公共電極ITO薄膜13，還可以在絕緣樹(shù)脂層11、第一像素電極ITO薄膜12、以及公共電極ITO薄膜13上覆蓋第二保護(hù)層16，該第二保護(hù)層16為第一導(dǎo)通孔14和第二導(dǎo)通孔15預(yù)留了開(kāi)口，以便于后續(xù)形成第二像素電極ITO薄膜17，通常該第二保護(hù)層可以是SiN_x、SiO₂等絕緣性能較好的材料組成。

需要說(shuō)明的是，第二保護(hù)層16與第一保護(hù)層10的材料可以相同，也可以不同。

具體形成預(yù)留開(kāi)口的方法可以參照步驟208，本發(fā)明實(shí)施例在此不作贅述。

經(jīng)過(guò)步驟210后，TFT-LCD的ARRAY的示意圖可以如圖9所示，其中16為第二保護(hù)層。

步驟211：沿著所述第一導(dǎo)通孔形成與所述第一像素電極ITO薄膜導(dǎo)通的第二像素電極ITO薄膜。

在具體實(shí)現(xiàn)中，由于可能第一導(dǎo)通孔14的深度過(guò)大，因此才有步驟209中預(yù)先形成的第一像素電極ITO薄膜12，在已經(jīng)形成了第一像素電極ITO薄膜12基礎(chǔ)上，可以采用類(lèi)似S31-S32的方法形成沿著所述第一導(dǎo)通孔14與第一電極ITO薄膜12導(dǎo)通的第二像素電極ITO薄膜17。

經(jīng)過(guò)步驟211后，TFT-LCD的ARRAY的示意圖可以如圖10所示，其中17為第二像素電極ITO薄膜。

上述步驟206-步驟211的過(guò)程中，像素電極ITO薄膜分成了兩次的制備過(guò)程，這樣的目的是為了在工藝上更好的制備像素電極ITO薄膜。

至此，已經(jīng)完整的制備了TFT-LCD的ARRAY基板，制備好的部分ARRAY基板俯視圖如圖11所示，其中7為源電極，5為有源層，8為漏電極，9為碳膜觸控電極。

當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以根據(jù)實(shí)際情況，仍然使用一次制備像素電極ITO薄膜的工藝，則步驟206-步驟211可以用如下步驟206’-步驟211’替換：

步驟206’：在所述源電極、所述有源層、所述漏電極、所述電極絕緣層、所述碳膜觸控電極上覆蓋第一保護(hù)層；

步驟207’：在所述第一保護(hù)層上覆蓋絕緣樹(shù)脂層；

步驟208’：在所述漏電極位置適配貫穿所述絕緣樹(shù)脂層和所述第一保護(hù)層的第一導(dǎo)通孔，在所述公共電極位置適配貫穿所述絕緣樹(shù)脂層、所述第一保護(hù)層、所述電極絕緣層的第二導(dǎo)通孔；

步驟209’：沿著所述第二導(dǎo)通孔形成與公共電極導(dǎo)通的公共電極銦錫氧化物ITO薄膜；

步驟210’：在所述絕緣樹(shù)脂層和所述公共電極ITO薄膜上形成為所述第一導(dǎo)通孔和第二導(dǎo)通孔預(yù)留開(kāi)口的第二保護(hù)層；

步驟211’：沿著所述第一導(dǎo)通孔形成與漏電極導(dǎo)通的像素電極ITO薄膜。

需要說(shuō)明的是，上述步驟206’-步驟211’的實(shí)現(xiàn)過(guò)程參照步驟206-步驟211，本發(fā)明實(shí)施例在此不作贅述。

需要說(shuō)明的是，上述步驟206-步驟211或步驟206’-步驟211’是在步驟205’之后的附加步驟，同樣地，在步驟205之后也可以參照利用步驟206-步驟211或步驟206’-步驟211’的方法，實(shí)現(xiàn)完整的TFT-LCD的ARRAY基板的制備過(guò)程，本發(fā)明實(shí)施例在此不作贅述。

通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制備方法以及TFT-LCD的ARRAY基板的制備方法，在制備有源層時(shí)引入一層碳膜層用以避免在源電極和漏電極制備過(guò)程中蝕刻劑對(duì)有源層的損傷，提高了有源層的制程穩(wěn)定性以及TFT制程的良率。

進(jìn)一步的，碳膜層的優(yōu)異的導(dǎo)電特性還可以實(shí)現(xiàn)源電極、漏電極與有源層良好的導(dǎo)通。

進(jìn)一步的，還可以利用碳膜層的優(yōu)異的導(dǎo)電特性在TFT-LCD的襯底基板形成碳膜觸控電極，以使得TFT-LCD集成了觸控功能。

實(shí)施例三

本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了一種薄膜晶體管，包括：柵電極、電極絕緣層、有源層、源電極和漏電極，該薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述有源層和所述源電極、漏電極之間的碳膜層。

在本發(fā)明實(shí)施例的一種優(yōu)選實(shí)施例中，薄膜晶體管還包括在所述電極絕緣層上與所述碳膜層同一次構(gòu)圖工藝制作的碳膜觸控電極。

在本發(fā)明實(shí)施例的一種優(yōu)選實(shí)施例中，有源層的材料為銦鎵鋅氧化物。

實(shí)施例四

本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了一種顯示器件，包括薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵電極、電極絕緣層、有源層、源電極和漏電極，該薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述有源層和所述源電極、漏電極之間的碳膜層。

在本發(fā)明實(shí)施例的一種優(yōu)選實(shí)施例中，薄膜晶體管還包括在所述電極絕緣層上與所述碳膜層同一次構(gòu)圖工藝制作的碳膜觸控電極。

對(duì)于前述的各方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說(shuō)明書(shū)中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。

本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可。

最后，還需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類(lèi)的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種薄膜晶體管的制備方法、薄膜晶體管以及顯示器件，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。