技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用阻變材料做隧穿層的自旋電子器件，該結(jié)構(gòu)可以是磁隧道結(jié)、自旋注入構(gòu)型等自旋電子結(jié)構(gòu)的一部分。包括：鐵磁金屬電極；阻變隧穿層；鐵磁金屬電極或者自旋注入溝道。所述隧穿層，是在不同電壓條件下電阻不同的阻變材料。包括但不限于氧化鉿(HfO2)，氧化鈦(TiO2)，五氧化二鉭(Ta2O5),氧化鋅(ZnO)，二氧化鋯(ZrO2)或其他阻變材料中的一種或者多種等。本發(fā)明提出了阻變隧穿層，通過使用壓控電阻的阻變材料作為隧穿層，可以實現(xiàn)將隧穿電阻調(diào)控在合適區(qū)間內(nèi)，提高自旋電子器件的性能或?qū)崿F(xiàn)自旋注入效率的調(diào)控。

技術(shù)研發(fā)人員：林曉陽;羅梟;趙巍勝;張有光
受保護的技術(shù)使用者：北京航空航天大學(xué)
文檔號碼：201710047134
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.22
技術(shù)公布日：2017.06.20