本公開涉及襯底處理系統(tǒng)，并且更具體地涉及用于沉積包括作為用于金屬互連的可縮放阻擋擴(kuò)散層的鉭和鈦的多層膜的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)：

這里提供的背景描述是為了一般地呈現(xiàn)本公開的上下文的目的。目前所命名的發(fā)明人的工作，在該背景技術(shù)部分以及本說明書的在申請時(shí)不會(huì)以其他方式被認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)的方面中描述的程度上，既不明確地也不隱含地被承認(rèn)為針對本公開的現(xiàn)有技術(shù)。

現(xiàn)在參考圖1，襯底50包括電介質(zhì)層54和一個(gè)或多個(gè)下伏層56。特征57(諸如溝槽或通孔)可以限定在電介質(zhì)層54中。阻擋擴(kuò)散堆(stack)58沉積在電介質(zhì)層54上。堆58包括氮化鉭(TaN)層60和鉭(Ta)層62。銅籽晶層64沉積在阻擋擴(kuò)散堆58上。銅主體填充層66沉積在銅籽晶層64上。

現(xiàn)在參考圖2，示出了用于填充襯底50的特征57的方法75。在80，使用物理氣相沉積(PVD)將TaN層60沉積在電介質(zhì)層54上。在82，使用PVD在TaN層60上沉積Ta層62。在84，使用PVD在Ta層62上沉積一個(gè)或多個(gè)籽晶層64。在86，在特征57中沉積主體Cu填充物。

銅(Cu)抗電遷移并具有相對低的電阻。結(jié)果，Cu被廣泛用作互連材料。物理氣相沉積(PVD)通常用于沉積包括TaN層60和Ta層62的阻擋擴(kuò)散堆58。阻擋擴(kuò)散堆58之后是一個(gè)或多個(gè)PVD Cu層的沉積，所述一個(gè)或多個(gè)PVD Cu層用作針對Cu主體填充層66的一個(gè)或多個(gè)籽晶層64。籽晶層64和阻擋擴(kuò)散堆58的總厚度通常為8-10nm。使用這種方法對于在一些拓?fù)渲兄付ǖ妮^窄特征是不可行的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一種用于在襯底上形成阻擋擴(kuò)散層的方法包括：a)使用原子層沉積工藝在襯底的特征內(nèi)沉積鉭層；b)使用原子層沉積工藝在所述鉭層上沉積鈦層；以及c)對所述襯底進(jìn)行退火以形成包括鉭-鈦合金的阻擋擴(kuò)散層。

在其它特征中，所述方法包括在(c)之前重復(fù)(a)和(b)一次或多次。該方法包括(d)在阻擋擴(kuò)散層上沉積銅籽晶層。該方法包括(e)在所述銅籽晶層上執(zhí)行主體銅填充。(c)在(d)和(e)之前進(jìn)行。(c)在(d)之后并且在(e)之前進(jìn)行。(c)在(d)和(e)之后進(jìn)行。

在其它特征中，所述退火在200℃至450℃的溫度范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行。所述退火執(zhí)行持續(xù)在2至10分鐘的范圍內(nèi)的預(yù)定時(shí)間段。所述阻擋擴(kuò)散層具有小于8nm的厚度。所述阻擋擴(kuò)散層具有大于或等于2nm且小于或等于6nm的厚度。所述阻擋擴(kuò)散層具有大于或等于2nm且小于或等于4nm的厚度。

在其它特征中，該方法包括使用鹵化鉭前體氣體來沉積鉭層。該方法包括使用氯化鉭(TaCl₅)前體氣體來沉積鉭層。該方法包括使用鹵化鈦前體氣體來沉積所述鈦層。該方法包括碘化鈦(TiI₄)前體氣體來沉積所述鈦層。在退火之后，所述阻擋擴(kuò)散層的鉭-鈦合金中的鈦濃度按原子量計(jì)量為2-30％。

一種用于在襯底上形成阻擋擴(kuò)散堆的方法包括：a)使用原子層沉積工藝在襯底的特征內(nèi)沉積鈦層；b)使用原子層沉積工藝在所述鈦層上沉積鉭層；c)使用原子層沉積工藝在所述鉭層上沉積鈦層；以及d)對所述襯底進(jìn)行退火以形成包括氧化鈦層和鉭-鈦合金的阻擋擴(kuò)散堆。

在其它特征中，所述方法包括，在(d)之前重復(fù)(b)和(c)一次或多次。該方法包括(e)在阻擋擴(kuò)散堆上沉積銅籽晶層。該方法包括(f)在所述銅籽晶層上執(zhí)行主體銅填充。(d)在(e)和(f)之前進(jìn)行。(d)在(e)之后并且在(f)之前進(jìn)行。

在其它特征中，所述退火在200℃至450℃的溫度范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行。所述退火執(zhí)行持續(xù)在2至10分鐘的范圍內(nèi)的預(yù)定時(shí)間段。所述阻擋擴(kuò)散堆具有小于8nm的厚度。所述阻擋擴(kuò)散堆具有大于或等于2nm且小于或等于6nm的厚度。所述阻擋擴(kuò)散堆具有大于或等于2nm且小于或等于4nm的厚度。

在其它特征中，該方法包括使用鹵化鉭前體氣體來沉積鉭層。該方法包括使用氯化鉭(TaCl₅)前體氣體來沉積所述鉭層。該方法包括使用鹵化鈦前體氣體來沉積所述鈦層。該方法包括使用碘化鈦(TiI₄)前體氣體來沉積所述鈦層。在退火之后，所述阻擋擴(kuò)散堆的鉭-鈦合金中的鈦的濃度按原子量計(jì)量為2-30％。

根據(jù)詳細(xì)描述、權(quán)利要求和附圖，本公開的其他適用領(lǐng)域?qū)⒆兊蔑@而易見。詳細(xì)描述和具體示例僅用于說明的目的，并且不旨在限制本公開的范圍。

具體而言，本發(fā)明的一些方面可以描述如下:

1.一種用于在襯底上形成阻擋擴(kuò)散層的方法，包括：

a)使用原子層沉積工藝在所述襯底的特征沉積鉭層；

b)使用原子層沉積工藝在所述鉭層上沉積鈦層；和

c)對所述襯底進(jìn)行退火以形成包括鉭-鈦合金的所述阻擋擴(kuò)散層。

2.根據(jù)條款1所述的方法，其還包括在(c)之前重復(fù)(a)和(b)一次或多次。

3.根據(jù)條款1所述的方法，其還包括(d)在所述阻擋擴(kuò)散層上沉積銅籽晶層。

4.根據(jù)條款3所述的方法，其還包括(e)在所述銅籽晶層上執(zhí)行主體銅填充。

5.根據(jù)條款4所述的方法，其中(c)在(d)和(e)之前進(jìn)行。

6.根據(jù)條款4所述的方法，其中(c)在(d)之后并且在(e)之前進(jìn)行。

7.根據(jù)條款4所述的方法，其中(c)在(d)和(e)之后進(jìn)行。

8.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述退火在200℃至450℃的溫度范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行。

9.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述退火執(zhí)行持續(xù)在2至10分鐘的范圍內(nèi)的預(yù)定時(shí)間段。

10.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述阻擋擴(kuò)散層具有小于8nm的厚度。

11.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述阻擋擴(kuò)散層具有大于或等于2nm且小于或等于6nm的厚度。

12.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述阻擋擴(kuò)散層具有大于或等于2nm且小于或等于4nm的厚度。

13.根據(jù)條款1所述的方法，其還包括使用鹵化鉭前體氣體來沉積所述鉭層。

14.根據(jù)條款1所述的方法，其還包括使用氯化鉭(TaCl₅)前體氣體來沉積所述鉭層。

15.根據(jù)條款1所述的方法，其還包括使用鹵化鈦前體氣體來沉積所述鈦層。

16.根據(jù)條款1所述的方法，還包括使用碘化鈦(TiI₄)前體氣體來沉積所述鈦層。

17.根據(jù)條款1所述的方法，其中，在退火之后，所述阻擋擴(kuò)散層的所述鉭-鈦合金中的鈦濃度按原子量計(jì)量為2-30％。

18.一種用于在襯底上形成阻擋擴(kuò)散堆的方法，包括：

a)使用原子層沉積工藝在所述襯底的特征沉積鈦層；

b)使用原子層沉積工藝在所述鈦層上沉積鉭層；

c)使用原子層沉積工藝在所述鉭層上沉積鈦層；和

d)對所述襯底進(jìn)行退火以形成包括氧化鈦層和鉭-鈦合金的所述阻擋擴(kuò)散堆。

19.根據(jù)條款18所述的方法，其中，在(d)之前重復(fù)(b)和(c)一次或多次。

20.根據(jù)條款18所述的方法，其還包括(e)在所述阻擋擴(kuò)散堆上沉積銅籽晶層。

21.根據(jù)條款20所述的方法，其還包括(f)在所述銅籽晶層上執(zhí)行主體銅填充。

22.根據(jù)條款21所述的方法，其中(d)在(e)和(f)之前進(jìn)行。

23.根據(jù)條款21所述的方法，其中(d)在(e)之后并且在(f)之前進(jìn)行。

24.根據(jù)條款21所述的方法，其中(d)在(e)和(f)之后進(jìn)行。

25.根據(jù)條款18所述的方法，其中所述退火在200℃至450℃的溫度范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行。

26.根據(jù)條款18所述的方法，其中所述退火執(zhí)行持續(xù)在2至10分鐘的范圍內(nèi)的預(yù)定時(shí)間段。

27.根據(jù)條款18所述的方法，其中所述阻擋擴(kuò)散堆具有小于8nm的厚度。

28.根據(jù)條款18所述的方法，其中所述阻擋擴(kuò)散堆具有大于或等于2nm且小于或等于6nm的厚度。

29.根據(jù)條款18所述的方法，其中所述阻擋擴(kuò)散堆具有大于或等于2nm且小于或等于4nm的厚度。

30.根據(jù)條款18所述的方法，其還包括使用鹵化鉭前體氣體來沉積所述鉭層。

31.根據(jù)條款18所述的方法，其還包括使用氯化鉭(TaCl₅)前體氣體來沉積所述鉭層。

32.根據(jù)條款18所述的方法，其還包括使用鹵化鈦前體氣體沉積所述鈦層。

33.根據(jù)條款18所述的方法，其還包括使用碘化鈦(TiI₄)前體氣體來沉積所述鈦層。

34.根據(jù)條款18所述的方法，其中，在退火之后，所述阻擋擴(kuò)散堆的所述鉭-鈦合金中的鈦的濃度按原子量計(jì)量為2-30％。

附圖說明

從詳細(xì)描述和附圖將更充分地理解本公開，其中：

圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的包括特征、阻擋層、Cu籽晶層和主體Cu填充物的襯底的側(cè)截面圖；

圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于填充圖1的特征的方法的示例；

圖3A-3D是根據(jù)本公開的包括特征、Ta-Ti阻擋層、Cu籽晶層和主體Cu填充物的襯底的側(cè)截面圖；

圖4A-4C是用于填充圖3A-3D的特征的方法的示例；

圖5A-5D是根據(jù)本公開的包括特征、Ti-Ta-Ti阻擋層、Cu籽晶層和主體Cu填充物的襯底的側(cè)截面圖；和

圖6A-6C是用于填充圖5A-5D的特征的方法的示例。

在附圖中，附圖標(biāo)記可以重新使用以標(biāo)識類似和/或相同的元件。

具體實(shí)施方式

為了能夠縮小到更窄的特征，襯底處理系統(tǒng)將需要產(chǎn)生針對Cu的超薄阻擋擴(kuò)散層并且最大化用于高級工藝的窄特征中的低電阻Cu的量。阻擋擴(kuò)散層中的阻擋材料提供了對Cu的金屬界面并且用作對Cu、氧和水的擴(kuò)散阻擋。根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)和方法使用原子層沉積(ALD)以避免在窄特征中的夾斷(pinch-off)，并提供均勻厚度的保形阻擋膜。

需要厚度小于8-10nm的擴(kuò)散阻擋堆或?qū)佑糜贑u互連技術(shù)的進(jìn)一步縮放。在一些示例中，根據(jù)本公開的系統(tǒng)和方法產(chǎn)生包括被退火以產(chǎn)生Ta-Ti合金層的一個(gè)或多個(gè)Ti層和一個(gè)或多個(gè)Ta層的阻擋擴(kuò)散層。所得的阻擋擴(kuò)散層具有小于或等于8nm的厚度。在一些實(shí)例中，本文所述的系統(tǒng)和方法可用于產(chǎn)生約2-6nm厚的阻擋擴(kuò)散層。在一些實(shí)例中，本文所述的系統(tǒng)和方法可用于產(chǎn)生約2-4nm厚的阻擋擴(kuò)散層。在其它實(shí)例中，本文所述的系統(tǒng)和方法可用于產(chǎn)生約2-3nm厚的阻擋擴(kuò)散層。

在修改包括TaN/Ta雙層的阻擋擴(kuò)散堆時(shí)遇到的一個(gè)問題是通常需要由兩個(gè)層提供的功能。圖1中的TaN層60充當(dāng)氧(O)、水(H₂O)和銅(Cu)的擴(kuò)散層。圖1中的Ta層62充當(dāng)Cu潤濕和電遷移(EM)改進(jìn)材料。無阻擋(Barrier-less)的Cu互連是不可行的選擇，因?yàn)榇蠖鄶?shù)芯片設(shè)計(jì)者利用與封裝的Cu金屬線相關(guān)的短線效應(yīng)(當(dāng)線短于Blech長度(電流密度和線長度的乘積，但也是k的函數(shù))時(shí)，導(dǎo)致無限的電遷移壽命長度)。如果相鄰的Cu層擴(kuò)散到測試的金屬層中(產(chǎn)生Cu原子的“源”和通量散度)，那么無阻擋的Cu互連將消除對芯片設(shè)計(jì)者重要的無限電遷移壽命。無阻擋的Cu互連也將經(jīng)受水分和O₂的結(jié)合。

根據(jù)本公開的系統(tǒng)和方法提供了用于Cu互連的超薄阻擋擴(kuò)散層。根據(jù)本公開的阻擋擴(kuò)散層能夠縮小到更窄的特征，同時(shí)使窄特征中的低電阻Cu的體積比最大化。根據(jù)本發(fā)明的阻擋擴(kuò)散層提供與Cu的金屬界面并且用作對Cu、O和H₂O的擴(kuò)散阻擋。此外，使用原子層沉積(ALD)而不是PVD工藝來沉積根據(jù)本公開的阻擋擴(kuò)散層。結(jié)果，消除了窄特征中的夾斷，并且產(chǎn)生具有均勻厚度的保形阻擋擴(kuò)散層。此外，阻擋擴(kuò)散層比TaN/Ta雙層的導(dǎo)電性更好

在根據(jù)本公開的方法中，阻擋擴(kuò)散層包括一個(gè)或多個(gè)雙層。每個(gè)雙層包括使用原子層沉積(ALD)沉積的Ta層和使用ALD沉積的Ti層。在沉積之后，對阻擋擴(kuò)散層進(jìn)行退火以產(chǎn)生Ta-Ti合金。例如，可以使用在200℃至450℃范圍內(nèi)的溫度下退火持續(xù)2至10分鐘范圍內(nèi)的時(shí)間段。Ta-Ti合金提供優(yōu)異的EM電阻、低電阻率、良好的粘附性和充當(dāng)優(yōu)異的氧和水屏障。

在一些實(shí)例中，在退火之后，阻擋擴(kuò)散層的Ti濃度按原子量計(jì)量為2-30％。Ta-Ti合金中Ta和Ti的相對濃度可以通過改變沉積的單個(gè)Ta和Ti層的厚度來控制。

在一些實(shí)例中，用于沉積Ta和Ti的前體氣體分別是氯化鉭(TaCl₅)氣體和碘化鈦(TiI₄)氣體。在一些示例中，阻擋擴(kuò)散堆沉積有與Cu接觸的Ti層，以防止Ta層中的殘留氯與Cu接觸，因?yàn)槟ぶ械臍堄嗦瓤筛gCu。Ti層是用于接觸Cu的良好材料。在一些實(shí)例中，Ti層相對薄以使Ti向Cu中的擴(kuò)散最小化。

由于Ta和Ti在所提出的組成范圍內(nèi)完全混溶，所以Ta和Ti層在所有提出的組合物中相互擴(kuò)散以形成Ta-Ti合金的單一阻擋。通過改變在擴(kuò)散阻擋堆中各Ta和Ti層的厚度和數(shù)量來控制擴(kuò)散阻擋堆的最終組成。

在另一示例中，擴(kuò)散阻擋堆可以包括不同數(shù)量的Ta層。例如，擴(kuò)散阻擋堆可以包括Ti-Ta-Ti或其變化例，例如Ti-Ta-Ti-Ta-Ti等。與電介質(zhì)材料接觸的Ti層將在退火期間形成TiO₂層，這改善多層的阻擋性能。注意，TiO₂將不形成在與金屬互連(Cu接觸)的界面，而僅形成在通孔和溝槽的側(cè)壁上。

現(xiàn)在參考圖3A-3D，示出了包括諸如通孔和/或溝槽之類的特征102的襯底100。襯底100包括電介質(zhì)層104。在圖3A中，使用一個(gè)或多個(gè)原子層沉積(ALD)循環(huán)在電介質(zhì)層104上沉積Ta層106。

在一些實(shí)例中，如在共同轉(zhuǎn)讓的題為“ALD of Tantalum Using a Hydride Reducing Agent”的美國專利No.7144806(其于2006年12月5日授權(quán)，并且其全部內(nèi)容通過引用并入本文)中所述，通過在襯底上吸附鉭鹵化物并還原吸附的鉭鹵化物以產(chǎn)生鉭來沉積Ta層106。例如，鹵化鉭可以包括五氯化鉭(TaCl₅)，但也可以使用其它鉭鹵化物。例如，還原劑可以包括諸如SiH₄、SiH₆、B₂H₆或其它硼氫化物之類的氫化物?？梢栽谶€原劑之后進(jìn)行任選的等離子體處理步驟以除去過量的鹵素副產(chǎn)物和未反應(yīng)的鹵素反應(yīng)物。例如，可以進(jìn)行氫等離子體處理步驟。如果使用，那么等離子體可以是直接的或遠(yuǎn)程的。在一些實(shí)例中，室壓強(qiáng)可以在0.1至20托(并且更特別地介于0.1至3托之間)的范圍內(nèi)，但也可以使用其他壓強(qiáng)。在一些實(shí)例中，室溫可以小于450℃(并且更具體地介于100℃和350℃之間)，但也可使用其它溫度。在一些實(shí)例中，鹵化鉭暴露是介于約1至30秒之間，但也可使用其它暴露時(shí)間。

在圖3B中，使用一個(gè)或多個(gè)原子層沉積(ALD)循環(huán)在Ta層106上沉積Ti層108。在一些實(shí)例中，使用鹵化鈦前體沉積Ti層108。例如，鹵化鈦前體可以包括具有化學(xué)式為TiXn的化合物，其中n為2至4的整數(shù)，并且X為鹵素。具體實(shí)例包括四碘化鈦(TiI₄)、四氯化鈦(TiCl₄)、四氟化鈦(TiF₄)、四溴化鈦(TiBr₄)等。另外的細(xì)節(jié)可在于2014年8月20日提交的共同轉(zhuǎn)讓的名為“Method and Apparatus to Deposit Pure Titanium Thin Film at Low Temperature Using Titanium Tetraiodide Precursor”(代理人案卷號LAMRP118/3427-1US)的美國專利申請序列No.14/464,462中發(fā)現(xiàn)，該專利申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文。如果使用，那么等離子體可以是直接的或遠(yuǎn)程的。在一些實(shí)例中，每個(gè)循環(huán)包括將處理室中的襯底暴露于鹵化鈦、清洗處理室、將襯底暴露于點(diǎn)燃的等離子體、清洗處理室并重復(fù)以獲得期望的厚度。在一些實(shí)例中，室壓強(qiáng)可以在0.1至20托(并且更特別地介于0.1至3托之間)的范圍內(nèi)，但也可以使用其他壓強(qiáng)。室溫可以小于450℃(并且更具體地介于100℃和350℃之間)，但也可以使用其它溫度。在一些實(shí)例中，鹵化鈦暴露是介于約1至30秒，但也可使用其它暴露時(shí)間。在一些實(shí)例中，清洗發(fā)生持續(xù)約1至5秒，但也可以使用其它清洗時(shí)間。在一些實(shí)例中，等離子體暴露為約1至10秒，但也可使用其它等離子體暴露時(shí)間。

在一些實(shí)例中，ALD工藝可重復(fù)一次或多次以沉積各自包括Ta層和Ti層的附加雙層。僅作為示例，可以沉積Ta-Ti-Ta-Ti多層。

在圖3C中，在200℃至450℃的范圍內(nèi)的溫度下在2至10分鐘的范圍內(nèi)的時(shí)間段執(zhí)行退火步驟以產(chǎn)生Ta-Ti合金層112。在圖3D中，沉積Cu籽晶層120和Cu主體填充層124。例如，可以使用銅電鍍工藝、銅無電鍍敷工藝、利用回流的銅PVD工藝、或ALD工藝。

現(xiàn)在參考4A-4C，示出了用于產(chǎn)生阻擋擴(kuò)散層的方法150。在圖4A的154，使用ALD工藝沉積鉭層。在156，使用ALD工藝在鉭層上沉積鈦層。在160，可以沉積一個(gè)或多個(gè)附加的Ta-Ti雙層。在164，對襯底進(jìn)行退火以產(chǎn)生Ta/Ti合金層。在圖4A中，在沉積Ta/Ti雙層之后并且在沉積籽晶層之前在164執(zhí)行退火，但也可以在另一時(shí)間執(zhí)行退火。在168，可以沉積一個(gè)或多個(gè)籽晶層。在170，可以執(zhí)行主體Cu填充。在172，可以執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。

在圖4B，在168的籽晶層之后并且在170的主體填充之前在164執(zhí)行退火。在圖4C，在170的主體填充之后和在172的CMP之前在164執(zhí)行退火。

現(xiàn)在參考圖5A-5D，示出了包括諸如通孔和/或溝槽之類的特征202的襯底200。襯底200包括電介質(zhì)層204。在圖5A中，使用原子層沉積(ALD)工藝在電介質(zhì)層204上沉積Ti層206。在圖5B中，使用原子層沉積(ALD)工藝在Ti層206上沉積Ta層208。在圖5C中，使用原子層沉積(ALD)工藝在Ta層208上沉積Ti層210?？梢猿练e附加的Ta-Ti雙層。在圖5D中，執(zhí)行退火步驟以產(chǎn)生包括TiO₂層220(在Ti層206和電介質(zhì)層204之間的界面處)和Ta-Ti合金層224的阻擋擴(kuò)散堆。可以如上面的圖3D所描述地沉積Cu籽晶層120和Cu主體填充層124。

現(xiàn)在參考圖6A-6C，示出了用于沉積阻擋擴(kuò)散堆的方法。在254，使用ALD工藝沉積Ti層。在256，使用ALD工藝在Ti層上沉積Ta層。在258，在Ta層上沉積Ti層。在260，可以沉積一個(gè)或多個(gè)附加的Ta-Ti雙層。在264，對襯底進(jìn)行退火以產(chǎn)生包括與電介質(zhì)層相鄰的TiO₂層和在其它區(qū)域中的Ta-Ti合金層的阻擋擴(kuò)散堆。在圖6A中，在沉積Ta/Ti雙層之后和在沉積籽晶層之前在264執(zhí)行退火，但也可以在另一時(shí)間執(zhí)行退火。在268，可以沉積一個(gè)或多個(gè)籽晶層。在270，可以執(zhí)行主體Cu填充。

在圖6B中，在268的籽晶層之后并且在270的主體填充之前在264執(zhí)行退火。在圖6C中，在270的主體填充之后并且在272的CMP之前在264執(zhí)行退火。

前面的描述本質(zhì)上僅僅是說明性的，并且絕不旨在限制本公開、其應(yīng)用或使用。本公開的廣泛教導(dǎo)可以以各種形式實(shí)現(xiàn)。因此，盡管本公開包括特定示例，但是本公開的真實(shí)范圍不應(yīng)當(dāng)如此限制，因?yàn)樵谘芯扛綀D、說明書和所附權(quán)利要求時(shí)，其他修改將變得顯而易見。應(yīng)當(dāng)理解，在不改變本公開的原理的情況下，方法中的一個(gè)或多個(gè)步驟可以以不同的順序(或同時(shí)地)執(zhí)行。此外，雖然每個(gè)實(shí)施方式在上面被描述為具有某些特征，但是關(guān)于本公開的任何實(shí)施方式描述的那些特征中的任何一個(gè)或多個(gè)可以在任何其它實(shí)施方式中實(shí)現(xiàn)和/或與任何其它實(shí)施方式的特征組合，即使該組合沒有明確描述也如此。換句話說，所描述的實(shí)施方式不是相互排斥的，并且一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式彼此的排列保持在本公開的范圍內(nèi)。

元件之間(例如，模塊，電路元件，半導(dǎo)體層等之間)的空間和功能關(guān)系使用包括“連接”、“接合”、“聯(lián)接”、“相鄰”、“鄰近”、“在...上”、“上方”、“下方”和“設(shè)置”之類的各種術(shù)語進(jìn)行描述。當(dāng)在上述公開中描述第一和第二元件之間的關(guān)系時(shí)，除非明確地描述為“直接”，否則這種關(guān)系可以是其中沒有其他中間元件存在于所述第一和第二元件之間的直接的關(guān)系，但也可以是其中一個(gè)或多個(gè)中間元件(或者在空間上或功能上)存在于所述第一和第二元件之間的間接的關(guān)系。如本文所使用的，短語A、B和C中的至少一個(gè)應(yīng)該被解釋為指使用非排他性的邏輯或(OR)的邏輯(A或B或C)，且不應(yīng)該被解釋為指“A中的至少一個(gè)，B中的至少一個(gè)，和C中的至少一個(gè)”。