1.一種用于在襯底上形成阻擋擴(kuò)散層的方法，包括：
a)使用原子層沉積工藝在所述襯底的特征沉積鉭層；
b)使用原子層沉積工藝在所述鉭層上沉積鈦層；和
c)對所述襯底進(jìn)行退火以形成包括鉭-鈦合金的所述阻擋擴(kuò)散層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包括在(c)之前重復(fù)(a)和(b)一次或多次。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包括(d)在所述阻擋擴(kuò)散層上沉積銅籽晶層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其還包括(e)在所述銅籽晶層上執(zhí)行主體銅填充。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中(c)在(d)和(e)之前進(jìn)行。
6.一種用于在襯底上形成阻擋擴(kuò)散堆的方法，包括：
a)使用原子層沉積工藝在所述襯底的特征沉積鈦層；
b)使用原子層沉積工藝在所述鈦層上沉積鉭層；
c)使用原子層沉積工藝在所述鉭層上沉積鈦層；和
d)對所述襯底進(jìn)行退火以形成包括氧化鈦層和鉭-鈦合金的所述阻擋擴(kuò)散堆。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，在(d)之前重復(fù)(b)和(c)一次或多次。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其還包括(e)在所述阻擋擴(kuò)散堆上沉積銅籽晶層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其還包括(f)在所述銅籽晶層上執(zhí)行主體銅填充。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中(d)在(e)和(f)之前進(jìn)行。