陣列基板及制作方法、顯示面板及制作方法和顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體而言，涉及一種陣列基板、一種陣列基板制作方法，一種顯示面板、一種顯示面板制作方法、一種顯示面板驅動方法和一種顯示裝置。
【背景技術】
[0002]場發(fā)射顯示器(field emiss1n display，F(xiàn)ED)相對于現(xiàn)有的液晶顯示器的具有顯示品質優(yōu)良、響應速度快、薄型化、視角廣、工作溫度范圍大等優(yōu)點。場發(fā)射顯示器的發(fā)射源是靠電壓驅動造成電子隧穿發(fā)射源表面勢皇，經(jīng)過轟擊熒光層發(fā)光，屬于自發(fā)光顯示器，無需設置背光源，相對于液晶顯示器可以使得器件薄型化。
[0003]但是，目前場發(fā)射顯示器的制備成本較高且制備工藝不成熟，特別是發(fā)射源的發(fā)射效率及均一性較差造成亮度的不均勻，加之發(fā)射體相互之間的干擾降低發(fā)射源的發(fā)射效率進一步造成亮度的不均和以及亮度的下降。例如采用一維或是準一維的納米結構作為發(fā)射源時，由于當前制備工藝的限制，難以做到每個發(fā)射源之間的完全獨立或相互平行，發(fā)射源之間存在一定程度的交叉，因而造成發(fā)射源之間場發(fā)射效應的相互干擾使得發(fā)射源的發(fā)射效率有很大的損失。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術問題是，如何提高場發(fā)射顯示器中發(fā)射源的發(fā)射效率。
[0005]為此目的，本發(fā)明提出了一種陣列基板，包括:
[0006]第一基底；
[0007]設置在所述第一基底之上的第一電極；
[0008]設置在所述第一電極之上的鈍化層，
[0009]其中，在所述鈍化層中設置有多個第一過孔；
[0010]多個發(fā)射源，設置于所述多個第一過孔中，
[0011]其中，所述發(fā)射源為一維或準一維結構，每個過孔中設置有至少一個發(fā)射源；
[0012]介電材料層，設置于所述多個第一過孔中，用于覆蓋所述多個發(fā)射源的預設高度區(qū)域，使所述多個發(fā)射源在遠離所述第一電極一側露出預設長度的發(fā)射端。
[0013]優(yōu)選地，還包括:
[0014]設置于所述鈍化層之上的電子吸收層，用于吸收所述發(fā)射端發(fā)射的偏離預設方向的電子，
[0015]其中，所述電子吸收層中設置有與所述多個第一過孔對應的多個第二過孔。
[0016]優(yōu)選地，所述第二過孔的尺寸大于或等于第一過孔的尺寸。
[0017]優(yōu)選地，所述電子吸收層為接地金屬層或柵格電極板。
[0018]優(yōu)選地，還包括:
[0019]設置于所述第一基底之上的柵極；
[0020]設置在所述柵極之上的柵絕緣層；
[0021]設置在所述柵絕緣層之上的有源層；
[0022]設置在所述有源層之上的源極和漏極，
[0023]其中，所述第一電極設置在所述柵絕緣層之上，且與所述漏極電連接。
[0024]優(yōu)選地，所述介電材料層的材料包括樹脂。
[0025]優(yōu)選地，所述發(fā)射源包括:
[0026]柱狀、線狀和/或錐狀納米材料。
[0027]優(yōu)選地，所述發(fā)射源的材料包括:
[0028]碳納米管和/或半導體氧化物。
[0029]優(yōu)選地，所述發(fā)射源的材料包括:
[0030]摻雜碳納米管和/或摻雜半導體氧化物。
[0031]本發(fā)明還提出了一種顯示面板，包括上述任一項所述的陣列基板，還包括對盒基板，
[0032]所述對盒基板包括:
[0033]第二基底；
[0034]設置在所述第二基底上靠近所述陣列基板一側的第二電極；
[0035]設置在所述第二電極靠近所述陣列基板一側的熒光層。
[0036]優(yōu)選地，還包括:
[0037]設置于所述陣列基板和所述對盒基板之間的隔墊物。
[0038]優(yōu)選地，所述隔墊物與所述介電材料層同層形成。
[0039]本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的顯示面板。
[0040]本發(fā)明還提出了一種用于上述任一項所述的顯示面板的驅動方法，包括:
[0041 ]為所述第一電極提供負電壓，為所述第二電極提供正電壓，使所述多個發(fā)射源中露出的發(fā)射端向所述第二電極發(fā)射電子，以撞擊所述熒光層。
[0042]本發(fā)明還提出了一種陣列基板制作方法，包括:
[0043]在第一基底之上形成第一電極；
[0044]在所述第一電極之上形成鈍化層，
[0045]其中，在所述鈍化層中設置有多個第一過孔；
[0046]在所述多個過孔中設置多個發(fā)射源，
[0047]其中，所述發(fā)射源為一維或準一維結構，每個過孔中設置有至少一個發(fā)射源；
[0048]在所述多個第一過孔中形成介電材料層，用于覆蓋所述多個發(fā)射源的預設高度區(qū)域，使所述多個發(fā)射源在遠離所述第一電極一側露出預設長度的發(fā)射端。
[0049]優(yōu)選地，在設置所述多個發(fā)射源之后還包括:
[0050]在所述鈍化層之上形成電子吸收層，用于吸收所述發(fā)射端發(fā)射的偏離預設方向的電子，
[0051]其中，所述電子吸收層中設置有與所述多個第一過孔對應的多個第二過孔。
[0052]優(yōu)選地，在形成所述第一電極之前還包括:
[0053]在所述第一基底之上形成柵極；
[0054]在所述柵極之上形成柵絕緣層；
[0055]在所述柵絕緣層之上形成有源層；
[0056]在所述有源層之上形成源極和漏極，
[0057]其中，所述第一電極設置在所述柵絕緣層之上，且與所述漏極電連接。
[0058]本發(fā)明還提出了一種基于上述任一項所述陣列基板制作方法的顯示面板制作方法，還包括形成對盒基板:
[0059]在與第一基底對應的第二基底靠近所述陣列基板的一側形成第二電極；
[0060]在所述第二電極靠近所述陣列基板的一側形成熒光層。
[0061]優(yōu)選地，還包括:
[0062]在所述陣列基板和所述對盒基板之間形成隔墊物。
[0063]優(yōu)選地，在形成所述介電材料層時形成所述隔墊物。
[0064]根據(jù)上述技術方案，通過介電材料層覆蓋發(fā)射源的預設高度區(qū)域，使發(fā)射源在遠離柵絕緣層的一側露出預設長度的發(fā)射端，使得發(fā)射源僅露出的一端發(fā)射電子，避免了發(fā)射源的另一端和中間段發(fā)射電子造成不同發(fā)射源之間的干擾。
【附圖說明】
[0065]通過參考附圖會更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點，附圖是示意性的而不應理解為對本發(fā)明進行任何限制，在附圖中:
[0066]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的陣列基板的結構示意圖；
[0067]圖2示出了圖1中虛線處未設置介電材料層時陣列基板的結構示意圖；
[0068]圖3示出了圖1中虛線處設置了介電材料層后陣列基板的結構示意圖；
[0069]圖4示出了圖1中陣列基板的俯視圖；
[0070]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明又一個實施例的陣列基板的結構示意圖；
[0071]圖6示出了圖5中陣列基板的俯視圖；
[0072]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示面板的結構示意圖；
[0073]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的陣列基板制作方法的示意流程圖。
[0074]附圖標號說明:
[0075]1-第一基底；2_第一電極；3_鈍化層；4_發(fā)射源；5_介電材料層；6_第二電極；7-熒光層；8-柵極；9_柵絕緣層；10-有源層；11_源極；12_漏極；13_電子吸收層；14_柵線；15_數(shù)據(jù)線；16_第二基底。
【具體實施方式】
[0076]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進行進一步的詳細描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0077]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實施，因此，本發(fā)明的保護范圍并不受下面公開的具體實施例的限制。
[0078]如圖1和圖4所示，根據(jù)本發(fā)明一個實施例的陣列基板，包括:
[0079]第一基底I ;
[0080]設置在第一基底I之上的第一電極2 ；
[0081]設置在第一電極2之上的鈍化層3，
[0082]其中，在鈍化層3中設置有多個第一過孔；
[0083