膜進(jìn)行適當(dāng)劑量的曝光處理，使得過(guò)孔中的樹(shù)脂層被去除一定高度，保留了預(yù)設(shè)高度，從而覆蓋發(fā)射源4的預(yù)設(shè)高度區(qū)域，露出預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的發(fā)射端。
[0137]優(yōu)選地，在設(shè)置多個(gè)發(fā)射源之后還包括:
[0138]在鈍化層3之上形成電子吸收層13，用于吸收發(fā)射端4發(fā)射的偏離預(yù)設(shè)方向的電子，
[0139]其中，電子吸收層13中設(shè)置有與多個(gè)第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的多個(gè)第二過(guò)孔。其中，第二過(guò)孔的尺寸可以大于或等于第一過(guò)孔的尺寸，以保證未偏離預(yù)設(shè)方向的電子可以順利通過(guò)第二過(guò)孔。
[0140]優(yōu)選地，在形成第一電極2之前還包括:
[0141]在第一基底I之上形成柵極8 ;
[0142]在柵極8之上形成柵絕緣層9 ;
[0143]在柵絕緣層9之上形成有源層10 ；
[0144]在有源層10之上形成源極11和漏極12，
[0145]其中，第一電極2設(shè)置在柵絕緣層9之上，且與漏極12電連接。
[0146]根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的顯示面板制作方法包括形成對(duì)盒基板:
[0147]在與第一基底I對(duì)應(yīng)的第二基底16靠近陣列基板的一側(cè)形成第二電極6 ;
[0148]在第二電極6靠近陣列基板的一側(cè)形成熒光層7。
[0149]優(yōu)選地，還包括:
[0150]在陣列基板和對(duì)盒基板之間形成隔墊物。具體地，可以在陣列基板上的介電材料層4與對(duì)盒基板的熒光層7之間形成隔墊物。
[0151]優(yōu)選地，在形成介電材料層5時(shí)形成隔墊物。
[0152]其中，上述流程所采用的形成工藝?yán)缈砂?沉積、濺射等成膜工藝和刻蝕等構(gòu)圖工藝。
[0153]以上結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的技術(shù)方案，考慮到現(xiàn)有技術(shù)中，場(chǎng)發(fā)射顯示器中發(fā)射源之間場(chǎng)發(fā)射效應(yīng)的相互干擾使得發(fā)射源的發(fā)射效率有很大的損失。根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，通過(guò)介電材料層覆蓋發(fā)射源的預(yù)設(shè)高度區(qū)域，使發(fā)射源在遠(yuǎn)離柵絕緣層的一側(cè)露出預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的發(fā)射端，使得發(fā)射源僅露出的一端發(fā)射電子，避免了發(fā)射源的另一端和中間段發(fā)射電子造成不同發(fā)射源之間的干擾。
[0154]需要指出的是，在附圖中，為了圖示的清晰可能夸大了層和區(qū)域的尺寸。而且可以理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為在另一元件或?qū)印吧稀睍r(shí)，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中間的層。另外，可以理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為在另一元件或?qū)印跋隆睍r(shí)，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一個(gè)以上的中間的層或元件。另外，還可以理解，當(dāng)層或元件被稱(chēng)為在兩層或兩個(gè)元件“之間”時(shí)，它可以為兩層或兩個(gè)元件之間惟一的層，或還可以存在一個(gè)以上的中間層或元件。通篇相似的參考標(biāo)記指示相似的元件。
[0155]在本發(fā)明中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。術(shù)語(yǔ)“多個(gè)”指兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確的限定。
[0156]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 第一基底； 設(shè)置在所述第一基底之上的第一電極； 設(shè)置在所述第一電極之上的鈍化層， 其中，在所述鈍化層中設(shè)置有多個(gè)第一過(guò)孔； 多個(gè)發(fā)射源，設(shè)置于所述多個(gè)第一過(guò)孔中， 其中，所述發(fā)射源為一維或準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)，每個(gè)過(guò)孔中設(shè)置有至少一個(gè)發(fā)射源； 介電材料層，設(shè)置于所述多個(gè)第一過(guò)孔中，用于覆蓋所述多個(gè)發(fā)射源的預(yù)設(shè)高度區(qū)域，使所述多個(gè)發(fā)射源在遠(yuǎn)離所述第一電極一側(cè)露出預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的發(fā)射端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 設(shè)置于所述鈍化層之上的電子吸收層，用于吸收所述發(fā)射端發(fā)射的偏離預(yù)設(shè)方向的電子， 其中，所述電子吸收層中設(shè)置有與所述多個(gè)第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的多個(gè)第二過(guò)孔。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二過(guò)孔的尺寸大于或等于所述第一過(guò)孔的尺寸。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述電子吸收層為接地金屬層或柵格電極板。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 設(shè)置于所述第一基底之上的柵極； 設(shè)置在所述柵極之上的柵絕緣層； 設(shè)置在所述柵絕緣層之上的有源層； 設(shè)置在所述有源層之上的源極和漏極， 其中，所述第一電極設(shè)置在所述柵絕緣層之上，且與所述漏極電連接。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述介電材料層的材料包括樹(shù)脂。7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述發(fā)射源包括: 柱狀、線狀和/或錐狀納米材料。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述發(fā)射源的材料包括: 碳納米管和/或半導(dǎo)體氧化物。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述發(fā)射源的材料包括: 摻雜碳納米管和/或摻雜半導(dǎo)體氧化物。10.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的陣列基板，還包括對(duì)盒基板， 所述對(duì)盒基板包括: 第二基底； 設(shè)置在所述第二基底上靠近所述陣列基板一側(cè)的第二電極； 設(shè)置在所述第二電極靠近所述陣列基板一側(cè)的熒光層。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其特征在于，還包括: 設(shè)置于所述陣列基板和所述對(duì)盒基板之間的隔墊物。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示面板，其特征在于，所述隔墊物與所述介電材料層同層形成。13.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的顯示面板。14.一種用于權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括: 為所述第一電極提供負(fù)電壓，為所述第二電極提供正電壓，使所述多個(gè)發(fā)射源中露出的發(fā)射端向所述第二電極發(fā)射電子，以撞擊所述熒光層。15.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括: 在第一基底之上形成第一電極； 在所述第一電極之上形成鈍化層， 其中，在所述鈍化層中設(shè)置有多個(gè)第一過(guò)孔； 在所述多個(gè)過(guò)孔中設(shè)置多個(gè)發(fā)射源， 其中，所述發(fā)射源為一維或準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)，每個(gè)過(guò)孔中設(shè)置有至少一個(gè)發(fā)射源； 在所述多個(gè)第一過(guò)孔中形成介電材料層，用于覆蓋所述多個(gè)發(fā)射源的預(yù)設(shè)高度區(qū)域，使所述多個(gè)發(fā)射源在遠(yuǎn)離所述第一電極一側(cè)露出預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的發(fā)射端。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示面板制作方法，其特征在于，在設(shè)置所述多個(gè)發(fā)射源之后還包括:在所述鈍化層之上形成電子吸收層，用于吸收所述發(fā)射端發(fā)射的偏離預(yù)設(shè)方向的電子， 其中，所述電子吸收層中設(shè)置有與所述多個(gè)第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的多個(gè)第二過(guò)孔。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示面板制作方法，其特征在于，在形成所述第一電極之前還包括: 在所述第一基底之上形成柵極； 在所述柵極之上形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層之上形成有源層； 在所述有源層之上形成源極和漏極， 其中，所述第一電極設(shè)置在所述柵絕緣層之上，且與所述漏極電連接。18.—種基于權(quán)利要求15至17中任一項(xiàng)所述陣列基板制作方法的顯示面板制作方法，其特征在于，還包括形成對(duì)盒基板: 在與第一基底對(duì)應(yīng)的第二基底靠近所述陣列基板的一側(cè)形成第二電極； 在所述第二電極靠近所述陣列基板的一側(cè)形成熒光層。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示面板制作方法，其特征在于，還包括: 在所述陣列基板和所述對(duì)盒基板之間形成隔墊物。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示面板制作方法，其特征在于，在形成所述介電材料層時(shí)形成所述隔墊物。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制作方法、一種顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法以及顯示裝置，上述陣列基板括：第一基底；設(shè)置在第一基底之上的第一電極；設(shè)置在第一電極之上的鈍化層，其中，在鈍化層中設(shè)置有多個(gè)第一過(guò)孔；多個(gè)發(fā)射源，設(shè)置于多個(gè)第一過(guò)孔中，每個(gè)過(guò)孔中設(shè)置有至少一個(gè)發(fā)射源；介電材料層，設(shè)置于多個(gè)第一過(guò)孔中，用于覆蓋多個(gè)發(fā)射源的預(yù)設(shè)高度區(qū)域，使多個(gè)發(fā)射源在遠(yuǎn)離第一電極一側(cè)露出預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的發(fā)射端。通過(guò)介電材料層覆蓋發(fā)射源的預(yù)設(shè)高度區(qū)域，使發(fā)射源在遠(yuǎn)離柵絕緣層的一側(cè)露出預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的發(fā)射端，使得發(fā)射源僅露出的一端發(fā)射電子，避免了發(fā)射源的另一端和中間段發(fā)射電子造成不同發(fā)射源之間的干擾。
【IPC分類(lèi)】H01J29/02, H01J31/12, H01J9/00
【公開(kāi)號(hào)】CN104882345
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510242967
【發(fā)明人】包智穎, 陳小川, 姜文博, 王世君, 王磊, 李月, 薛艷娜, 呂振華, 肖文俊, 張勇
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月2日
【申請(qǐng)日】2015年5月13日