技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種晶圓的擴(kuò)膜取粒方法及晶圓的生產(chǎn)方法，涉及半導(dǎo)體晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域，包括如下步驟：(a)提供晶圓，所述晶圓被切割為多個(gè)晶粒，多個(gè)晶粒粘附于底膜上；(b)將粘附有多個(gè)晶粒的底膜進(jìn)行擴(kuò)膜，將不合格的晶粒取出；(c)烘烤所述底膜，使所述底膜恢復(fù)至擴(kuò)膜前狀態(tài)，解決了晶圓生產(chǎn)廠家在將晶圓切割成晶粒后，剔除不合格的晶粒的過(guò)程中，不合格的晶粒與相鄰的晶粒相互碰撞，導(dǎo)致相鄰的晶粒出現(xiàn)崩邊和劃傷等現(xiàn)象，嚴(yán)重降低了晶粒的質(zhì)量，影響后續(xù)工序的正常進(jìn)行的技術(shù)問(wèn)題，達(dá)到了通過(guò)擴(kuò)膜將晶粒之間的間距增大，使得不合格的晶粒剔除過(guò)程中不會(huì)碰撞相鄰的晶粒，從而為晶粒的質(zhì)量提供保證，便于后續(xù)封裝工藝正常進(jìn)行的技術(shù)效果。

技術(shù)研發(fā)人員：田振興;王斌;張樹寶;孔玲娜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：吉林麥吉柯半導(dǎo)體有限公司
文檔號(hào)碼：201710044657
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.19
技術(shù)公布日：2017.06.09