技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于動(dòng)態(tài)耦合效應(yīng)的半導(dǎo)體光電傳感器及其制備方法。本發(fā)明傳感器建立在絕緣層上硅的襯底上，器件的源漏區(qū)域?yàn)榻饘?半導(dǎo)體的肖特基接觸，無(wú)須任何摻雜；溝道為不摻雜或者低摻雜；正柵極覆蓋溝道的部分區(qū)域且一般在溝道中間，而襯底作為背柵極。此器件的工作機(jī)理基于絕緣層上硅的動(dòng)態(tài)耦合效應(yīng)，背柵施加電壓后會(huì)在溝道的背面形成導(dǎo)電的高載流子層；此時(shí)，正柵極在瞬態(tài)電壓偏置下，通過(guò)絕緣層上硅的動(dòng)態(tài)耦合效應(yīng)產(chǎn)生深度耗盡，夾斷背部的導(dǎo)電層；而光產(chǎn)生的載流子在正柵極下的溝道處聚集，從而隔絕正柵極對(duì)于背部導(dǎo)電溝道的耗盡，使得器件能被光觸發(fā)而導(dǎo)通。相較于普通的光電反偏二極管，此器件具有工作電流高和易于組成傳感陣列等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：萬(wàn)景;邵金海;鄧嘉男;陸冰睿;陳宜方
受保護(hù)的技術(shù)使用者：復(fù)旦大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710033236
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.18
技術(shù)公布日：2017.06.20