1.一種直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：
其包括第一半導(dǎo)體開關(guān)、第一電容、第一限流元件、第二半導(dǎo)體開關(guān)；
所述第一半導(dǎo)體開關(guān)、所述第一電容、所述第一限流元件串聯(lián)而成第一串聯(lián)電路；
所述第一半導(dǎo)體開關(guān)與所述第一電容串聯(lián)而成第二串聯(lián)電路，所述第二半導(dǎo)體開關(guān)與所述第二串聯(lián)電路并聯(lián)；
所述第一串聯(lián)電路的所述第一半導(dǎo)體開關(guān)端與所需驅(qū)動的功率器件的第一端連接，所述第一串聯(lián)電路的所述第一限流元件端與電源端連接；
所述第一半導(dǎo)體開關(guān)與所述第一電容連接的共同端與所述功率器件的第二端連接；
所述功率器件的第三端、所述功率器件的第一端分別與所需滅弧的機械開關(guān)兩端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述功率器件的第一端為負(fù)載的連接端，所述第一串聯(lián)電路與所述負(fù)載并聯(lián)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述第一限流元件為一電阻，所述第一半導(dǎo)體開關(guān)為一二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：包括一穩(wěn)壓器件；所述穩(wěn)壓器件與所述第一電容并聯(lián)，或所述穩(wěn)壓器件通過所述第一半導(dǎo)體開關(guān)與所述第一電容并聯(lián)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述第二半導(dǎo)體開關(guān)為半控型開關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述半控型開關(guān)至少包括一晶閘管或一晶閘管等效電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述第二半導(dǎo)體開關(guān)的控制端與所述功率器件的第三端連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述第二半導(dǎo)體開關(guān)包括觸發(fā)開關(guān)、第一晶體管、第二電容，所述觸發(fā)開關(guān)與所述第二串聯(lián)電路并聯(lián)，所述功率器件的第三端、所述功率器件的第一端之間的電位差信號通過所述第二電容、所述第一晶體管放大后傳遞至所述觸發(fā)開關(guān)的觸發(fā)極。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述觸發(fā)開關(guān)為一晶閘管或一晶閘管等效電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：包括一電壓檢測開關(guān)，所述電壓檢測開關(guān)兩端分別與所述功率器件的第二端、所述功率器件的第一端連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述電壓檢測開關(guān)在所述功率器件的第二端與所述功率器件的第一端之間的電壓小于驅(qū)動所述功率器件飽和導(dǎo)通所需的電壓時導(dǎo)通。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述第一限流元件與所述第一電容連接的共同端，與所述電壓檢測開關(guān)的檢測端連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述電壓檢測開關(guān)包括一穩(wěn)壓器件、第二晶體管、第三晶體管、第四電阻、第五電阻，第六電阻，所述第二晶體管的集電極與所述第三晶體管的基極連接，所述第二晶體管的集電極通過所述第五電阻與所述第三晶體管的集電極連接，所述第三晶體管的集電極、所述第三晶體管的發(fā)射極為所述電壓檢測開關(guān)的主回路端，所述第四電阻、所述穩(wěn)壓器件、所述第二晶體管的基極與所述第二晶體管的發(fā)射極串聯(lián)而成第三串聯(lián)電路，所述第三串聯(lián)電路與所述第一電容并聯(lián)，所述第六電阻的兩端分別與所述第二晶體管的基極、所述第二晶體管的發(fā)射極連接，所述第二晶體管的發(fā)射極與所述第三晶體管的發(fā)射極連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述電壓檢測開關(guān)為二端電路。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述電壓檢測開關(guān)包括一穩(wěn)壓器件、第二晶體管、第三晶體管、第四電阻、第五電阻，第六電阻、第三電容，所述第二晶體管的集電極與所述第三晶體管的基極連接，所述第二晶體管的集電極通過所述第五電阻與所述第三晶體管的集電極連接，所述第三晶體管的集電極、所述第三晶體管的發(fā)射極為所述電壓檢測開關(guān)的主回路端，所述第四電阻、所述穩(wěn)壓器件、所述第二晶體管的基極與所述第二晶體管的發(fā)射極串聯(lián)而成串聯(lián)電路，所述串聯(lián)電路與所述電壓檢測開關(guān)的主回路端并聯(lián)，所述第六電阻的兩端分別與所述第二晶體管的基極、所述第二晶體管的發(fā)射極連接，所述第二晶體管的發(fā)射極與所述第三晶體管的發(fā)射極連接，所述第三電容的兩端分別與所述第三晶體管的基極、所述第三晶體管的發(fā)射極連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：所述第一半導(dǎo)體開關(guān)的陽極與所述功率器件的第一端連接，所述功率器件為IGBT、或NPN型三極管、或N溝道場效應(yīng)管，所述功率器件的第一端為所述IGBT的發(fā)射極、或所述三極管的發(fā)射極、或所述場效應(yīng)管的源極，所述功率器件的第二端為所述IGBT的柵極、或所述三極管的基極、或所述場效應(yīng)管的柵極。
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，其特征是：包括一光電耦合器，所述光電耦合器用于使能所述第二半導(dǎo)體開關(guān)，所述光電耦合器的控制端用于與所述機械開關(guān)的控制端連接。
18.一種滅弧裝置，其特征是：其包括權(quán)利要求7至16任一項的直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置，還包括所述功率器件，所述直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置與所述功率器件連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的滅弧裝置，其特征是：包括引腳，所述直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置、所述功率器件封裝在絕緣材料中，所述直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置、所述功率器件通過相應(yīng)引腳用于與所述機械開關(guān)、工作電源連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的滅弧裝置，其特征是：包括一光電耦合器，所述光電耦合器用于使能所述第二半導(dǎo)體開關(guān)，所述光電耦合器的控制端用于與所述機械開關(guān)的控制端連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的滅弧裝置，其特征是：包括引腳，所述直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置、所述功率器件、所述光電耦合器封裝在絕緣材料中，所述直流滅弧功率器件驅(qū)動裝置、所述功率器件通過相應(yīng)引腳用于與所述機械開關(guān)、工作電源連接。